專利名稱：具有增進的流出物洗滌及水份控制的減排系統(tǒng)的制作方法
技術(shù)領域：
本發(fā)明的實施例主要涉及處理設備，并且更特別地涉及用于處理流出物的減排系統(tǒng)(abatement system)0
背景技術(shù)：
減排系統(tǒng)至少部分地用于在將排放流出物流釋放到環(huán)境中之前從該流移除顆粒和/或有害流出物氣體。舉例而言，在減排系統(tǒng)中，排放流出物流可以被燃燒并且之后被清洗以移除微粒和/或水溶性流出物。在一些減排系統(tǒng)中，流出物流通過洗滌器，該洗滌器可用來從該流移除微粒和/或有害流出物。然而，發(fā)明人已發(fā)現(xiàn)在一些應用中，利用洗滌器來處理流出物可能會無法充分地減少來自該排放流出物流的有害氣體(諸如氟化氫(HF)、硅烷(SiH4)、四氟化硅(SiF4)等) 和/或微粒物質(zhì)。因此，發(fā)明人已經(jīng)提供一種改善的減排系統(tǒng)，其可有利地進一步改善來自流出物流的有害氣體與微粒物質(zhì)的減少。

發(fā)明內(nèi)容
本發(fā)明提供了一種改善流出物處理的設備。在一些實施例中，減排系統(tǒng)可以包括 排放導管，其使流出物流從其中流動通過；多個填充床，其設置在排放導管中，以從流出物流移除非可排放的流出物；一個或多個噴嘴，其設置為在相鄰的填充床之間提供流出物處理劑，流出物處理劑從流出物流移除非可排放的流出物；以及滴注器，其設置在排放導管中而位于最上方填充床上方，來以大液滴提供流出物處理劑，以在基本上不會形成微細液滴的狀態(tài)下潤濕并沖洗最上方填充床的上表面的微粒。在一些實施例中，減排系統(tǒng)可以包括排放導管，用于使流出物流從其中流動通過；三個填充床，其軸向設置在該排放導管中并設置成間隔關(guān)系，以從該流出物流移除非可排放的流出物；一個或多個噴嘴，其在相鄰的填充床之間提供流出物處理劑，該流出物處理劑用于從流出物流移除非可排放的流出物；以及滴注器，其設置在該排放導管中而位于最上方填充床上方，來以大液滴提供該流出物處理劑，以潤濕并沖洗該最上方填充床的上表面的微粒，其中這些大液滴的平均直徑介于約200至2000微米之間。下文中描述了本發(fā)明的其他和進一步的實施例。


本發(fā)明的前述特征、詳細說明可以藉由在本發(fā)明附圖中所描繪的實施例來詳細地了解。然而，值得注意的是因為本發(fā)明允許其它等效的實施例，所以附圖僅示出本發(fā)明的典型實施例，并且因此不會限制本發(fā)明范圍。圖1示出了根據(jù)本發(fā)明一些實施例的處理設備的側(cè)視圖。圖2示出了根據(jù)本發(fā)明一些實施例的洗滌器的側(cè)視圖。圖3A-D示出了根據(jù)本發(fā)明一些實施例的滴注器的仰視圖及端視圖。圖4A-C示出了根據(jù)本發(fā)明一些實施例的滴注器的側(cè)視圖及仰視圖。圖5示出了根據(jù)本發(fā)明一些實施例的動力沖擊器和水份捕獲裝置的側(cè)視圖。為了促進了解，盡可能在圖式中使用相同的附圖標記來指示相同的組件。圖式并非以比例來繪制，并且可以為了清楚起見而簡化。可以設想出，一個實施例的組件和特征可以有益地被并入其它實施例中，而不需贅述。
具體實施例方式在此提供了改善流出物的處理的設備。此發(fā)明設備有利地改善有害氣體的捕獲， 同時維持和/或改善從排放流出物流移除顆粒的效率。圖1示出了根據(jù)本發(fā)明一些實施例的處理系統(tǒng)100的側(cè)視圖。此示范性處理系統(tǒng) 100包括耦接到減排系統(tǒng)104的制程腔室102。減排系統(tǒng)104被配置以處理來自制程腔室 102的排放流出物流，以在將剩余流出物釋放到環(huán)境中之前從該流出物移除顆粒和/或有
害氣體。制程腔室102可以是任何適當?shù)闹瞥糖皇?，例如半導體、平面面板、光伏、有機發(fā)光二極管(OLED)、微機電系統(tǒng)(MEMS)或其它硅或薄膜的處理系統(tǒng)的一種或多種。制程腔室 102可被配置為用于涉及前述處理系統(tǒng)的蝕刻、沉積、等離子體或任何適當?shù)闹瞥?。示范的非限制性的制程腔室可以包括用在太陽能系統(tǒng)(Solar)的AKT 60K、用在CVD的PRODUCER eHarp或用在蝕刻系統(tǒng)(Etch)的ENABLER E5，它們可從美國加州圣大克勞拉市(Santa Clara)的應用材料公司(Applied Materials, Inc.)獲得。來自制程腔室102的排放流出物流被例如經(jīng)由適當?shù)膶Ч?、泵、閥或類似者(未示出)而導向減排系統(tǒng)104。減排系統(tǒng)104例如通過從流出物移除不希望的成份(諸如從流出物移除有害氣體和/或顆粒)，來將流出物轉(zhuǎn)變成環(huán)境安全的材料。減排系統(tǒng)104可以是用來接收并處理來自制程腔室(諸如制程腔室104)的流出物的任何適當減排系統(tǒng)。減排系統(tǒng)104可以被用來對單個制程腔室或工具、或多個制程腔室和/或工具進行減排。減排系統(tǒng)104可以將例如熱、濕洗滌、干洗滌、催化、等離子體和/ 或類似的方式來用于流出物處理以及將流出物轉(zhuǎn)變成更少毒性類型的制程。減排系統(tǒng)104 可以進一步包含多個減排系統(tǒng)以處理來自具有待減排的流出物的制程腔室或多個制程腔室或其它處理設備的多種特定類型的流出物。示范性減排系統(tǒng)可以是MARATHON 系統(tǒng)，其可從美國加州圣大克勞拉市的應用材料公司獲得。減排系統(tǒng)104可以包括熱反應器106 (即，燃燒反應器)、水淬冷設備108、分離槽 110以及洗滌器112。在流出物流(例如包括諸如可燃物質(zhì)及碳氫化合物、硅烷、氟碳化合物、氫、鹵素、雜質(zhì)或類似者的流出物)從制程腔室102排放出之后，該流出物流可以流入減排系統(tǒng)104的熱反應器106內(nèi)。熱反應器106可以例如對流出物進行燃燒，諸如在含氧氣體(諸如氧氣(O2))的氣氛中燃燒飽和碳氫化合物以形成可被釋放到環(huán)境中的二氧化碳(CO2)和水(H2O)。此外，熱反應器106可以在類似的環(huán)境中燃燒諸如硅烷、氟碳化合物、鹵素、雜質(zhì)或類似者的流出物以形成不可排放的流出物，例如有毒氣體(諸如氟、氯、氯化氫、 氟化氫(HF)、四氟化硅(SiF4)、二氧化硅(SiO2)、金屬氧化物或類似者的一種或多種)和/ 或顆粒(諸如硅石(SiO2)、玻璃、金屬氧化物、有機物、碳或類似者)，其必須被從所排放的流出物流移除并且不被釋放到環(huán)境中。如在此所使用的，不可排放的流出物指的是例如由于環(huán)境和/或安全規(guī)定而不希望被排放的流出物，而不是指無法被排放的流出物。接著，由熱反應器106處理的流出物流可以流入水淬冷設備108，流出物流在水淬冷設備108中通過和水接觸(例如經(jīng)由水噴灑)來冷卻。水淬冷設備108可以作用以將例如由氫(H2)和燃料的燃燒所形成的蒸氣淬冷變成液態(tài)水。水淬冷設備108可以進一步作用以從流出物流移除大顆粒，例如介于約0. 1微米至約1微米之間尺寸的固體。例如，大顆?？梢园枋?SiO2)、金屬氧化物、或金屬商化物。剩余的流出物流(即沒有被水淬冷設備108移除的那些流出物)流入被耦接到該水淬冷設備108的槽110。剩余的流出物流可以包括更微細的顆粒與水滴，例如其尺寸可介于約10納米至約10微米之間的那些。這些更微細的顆?？梢园c前述更大顆粒類似的材料。槽110可以進一步幫助從剩余的流出物流減少顆粒。例如，在一些實施例中，槽 110可以包括由完整(solid)或穿孔的壁(未示出)所分隔的第一腔室和第二腔室。各個腔室被以水部分地被填充到足以避免流出物而在不通過水或與可冷凝水蒸氣接觸的狀態(tài)下從第一腔室直接流入第二腔室水位。吹送裝置(blower)或水誘導裝置(water inductor)(未示出)可以耦接在第一腔室與第二腔室之間，用以從來自第一腔室的剩余流出物流移除氣體部分，并且將其直接注入第二槽的水位下方的水中?？梢越?jīng)由擴散器(未示出)將氣體部分注入第二腔室的水中， 其中該擴散器可將剩余流出物流的氣體部分以微細氣泡的形式釋放到第二腔室的水中。氣泡容許氣體部分具有與水和可冷凝水蒸氣接觸的高表面積接觸，以在被捕獲在剩余流出物流的氣體部分中的顆粒抵達第二腔室的水位之前將其有效地移除。第二腔室可以進一步包括機械扇或攪拌器(未示出)，以改善水與剩余流出物流的氣體部分的氣泡間的混合。流出物流的剩余氣體部分離開槽110并進入洗滌器112，以在流出物流的剩余氣體部分排放到工廠排放系統(tǒng)或環(huán)境中之前，進一步從流出物流的剩余氣體部分移除任何剩余的顆粒和/或有害氣體。圖2示出了根據(jù)本發(fā)明一些實施例的洗滌器112的側(cè)視圖。洗滌器112包括排放導管202，其用于將排放的流出物流204(即從槽110接收的流出物流的剩余氣體部分)從其流動通過。排放導管202可以是促進從流出物流有效率地移除有害氣體和/或顆粒的任何形狀。例如，排放導管202可以是圓柱形。排放導管202可以包含兼容于減排制程的任何適當材料，諸如不銹鋼、聚氯乙烯(PVC)、氯化PVC (CPVC)、高鎳合金、聚丙烯、聚乙烯、聚偏二氟乙烯(PVDF)、或類似者?！獋€或多個填充床206可以設置在排放導管202中，用于從排放流出物流204移除不可排放的流出物(圖2示出了三個填充床206)。各個填充床206可以隔開，如圖2所示。在一些實施例中，填充床206的數(shù)量可以介于約2個至約10個之間。各個填充床206 的、沿著排放導管202的中心軸210限定的長度208可以介于約5至約30英寸之間，但是可以依需要或為了特定應用而使用其它尺寸。在一些實施例中，最上方填充床212具有比最下方填充床214的第二長度更大的第一長度。在一些實施例中，最上方填充床212的第一長度介于約10至約15英寸之間。在一些實施例中，最下方填充床214的第二長度介于約5至約8英寸之間。在一些實施例中，最上方填充床與最下方填充床之間的任何填充床具有介于約5至約8英寸之間的第三長度。第三長度可以大于或等于第二長度，或小于或等于第一長度(即等于最上方或最下方填充床的長度，或介于其兩者之間)。各個填充床206還包括多個不可排放流出物的固存物216 (sequestering objects)，它們設置在上穿孔板218與下穿孔板219之間。不可排放流出物的固存物216 可以具有建立供流出物流204所用的彎折路徑(torturous path)所必需的任何適當尺寸與形狀。各個固存物216的形狀可以包括球形、多面體形、隨機形狀或類似者中的一種或多種。各個固存物216的尺寸可以至少具有一個介于約1/4英寸至約2英寸之間的維度(諸如大體球形的平均直徑)。各個固存物216可以包括任何適當材料或用于固存不可排放的流出物的材料，例如高表面積材料(諸如沸石、氧化鋁、尖晶石、玻璃、鎳、不銹鋼、高鎳合金、聚丙烯、聚乙烯、PVC、CPVC、PVDF、纖維素或類似者)或其它材料(諸如碳環(huán)或類似者)。上和下穿孔板218、219可以作用以將固存物216保持在排放導管202中。穿孔板 218,219可以包括使排放流204從其穿過的任何適當尺寸、形狀及孔洞220的圖案。尺寸、 形狀及孔洞220的圖案可以進一步用來控制排放流在各填充床中的滯留時間，并將氣流均勻地分散遍布洗滌器112的截面。洗滌器112還包括多個噴嘴222，這些噴嘴222設置在排放導管202的壁中或繞著壁(如圖所示)，或遍布排放導管202的截面(未示出)。在一些實施例中，一個或多個噴嘴222可以設置為鄰近各填充床206或介于各個填充床206之間。在一些實施例中，一個或多個噴嘴222可以設置在最下方填充床214的下方。各噴嘴222可以耦接到流出物處理劑源223以提供流出物處理劑，其中該流出物處理劑可與排放流出物流204相互作用以從排放流出物流204移除非可排放的流出物。流出物處理劑可以包括下述的一個或多個 水(H2O),腐蝕性、酸性、離子或非離子界面活性劑，或凝結(jié)劑。在一些實施例中，流出物處理劑可以是水，或其中混合有腐蝕性、酸性、離子或非離子界面活性劑或凝結(jié)劑的水。在流出物處理劑包括水的一些實施例中，水可以是淡水(有時候稱為補充淡水(fresh make-up water))或來自槽110的再循環(huán)水。各個噴嘴222可以是用于分配流出物處理劑的任何適當形狀或結(jié)構(gòu)。例如，各個噴嘴222可以包括噴嘴或用于將流出物處理劑分配成噴液、噴霧或類似者的其它類似設備。噴嘴222的方位能夠以適于使流出物處理劑與流出物流204間的相互作用最大化的任何構(gòu)造而確定為繞著排放導管202的壁。舉例而言，一些噴嘴222可以繞著排放導管202 的壁而設置在鄰近的填充床206之間，如圖2所示。在一些實施例中，噴嘴222可以被調(diào)整以改變噴液的強度或流出物處理劑的流速。對于一些制程方法或例如在閑置模式期間，再循環(huán)水流速和淡水流量增加可以根據(jù)時間或制程步驟而改變。對于一些操作條件，可以沿著導管在各種軸向位置處使用洗滌液 (例如流出物處理劑)的微細噴霧或大液滴。改變水饋送壓力可以動態(tài)地控制噴灑圖案的形狀。在一些實施例中，設置在最下方填充床214上方的噴嘴222可以被配置為提供微細噴霧。沿著洗滌器112設置在多個接續(xù)填充床上方的多個噴嘴組可以提供逐漸地變粗糙的 (即更大的)平均液滴尺寸。發(fā)明人已經(jīng)發(fā)現(xiàn)，微細噴霧或流出物處理劑的任何高表面積分布可改善微細顆粒(例如硅石(SiO2)或類似者)從流出物流204的固存。然而，發(fā)明人已進一步發(fā)現(xiàn)，這樣的微細噴霧會不期望地隨著流出物流被攜帶出洗滌器并被攜帶到大氣或其它減排后流出物處理設備，尤其是如果微細噴霧設置在洗滌器112的下游端。因此，逐漸地變粗糙的噴嘴配置可以使得顆粒減少，而由于更大的噴灑液滴質(zhì)量而更不可能使流出物流中的流出物處理劑的液滴被攜帶出洗滌器112。為了進一步幫助減小使流出物處理劑的液滴被攜帶出洗滌器112的可能性，在一些實施例中，最上方填充床212可以作為除霧器并且在其下游不設有噴嘴222的狀態(tài)下使用。在一些實施例中，滴注器2 可以設置在最上方填充床212上方。滴注器2 可以設置在排放導管202中并位在最上方填充床212上方。滴注器2M可以提供流出物處理劑并使流出物處理劑的方向與排放流出物流204的流向相反，以從排放流出物流204移除非可排放的流出物。滴注器2M可以提供流出物處理劑的大液滴(例如液流)，而不是如同由噴嘴222提供的微細噴霧或粗糙噴液。來自滴注器2M的大液滴可以覆蓋上方填料以產(chǎn)生濕表面，而不是從噴液中建立噴霧。在一些實施例中，噴液或微細噴霧可以被限定為具有約 0. 1至10微米之間的平均液滴尺寸，并且靠近流體洗滌器頂部的較大液滴可以介于約200 至2000微米之間。發(fā)明人已經(jīng)發(fā)現(xiàn)，提供流出物處理劑的粗糙液流可進一步改善有害氣體 (例如氟化氫(HF)或四氟化硅(SiH4))從流出物流204的固存，同時減少反應器下方或洗滌器112低處(即上游)生成的微細噴霧的攜帶。在一些實施例中，滴注器2M包含第二導管226，第二導管2 從排放導管202的壁延伸并橫越排放導管202的直徑。第二導管2 可以完全地延伸橫越排放導管202(并且可以由排放導管202的兩側(cè)所支撐)，或可以懸置在排放導管202內(nèi)并僅由排放導管202 的一側(cè)所支撐(如第2圖所示)。包括第二導管226的滴注器224的實施例被示出在圖2 及圖3A-B中。圖3A示出了根據(jù)本發(fā)明一些實施例的第二導管226的仰視圖。第二導管2 包括多個出口 302，該些出口 302設置在第二導管226的面向迎面而來的流出物流的那一側(cè) 304上，用于從這些出口 302提供流出物處理劑。在一些實施例中，至少一個出口 302相對于排放導管226的中心軸210成角度。這些出口 302以及它們變化的直徑和幾何型態(tài)可以被設置為提供均勻的液滴噴灑圖案與大致上與排放導管226的形狀相對應的局部流體流速。舉例而言，如圖3A所示， 多個出口 302可以被設置成多個列306，這些列306被設置為垂直于第二導管226的中心軸。各個列306可以在第二導管2 面對流出物流的那一側(cè)304上沿著第二導管226的圓周而部分地延伸。在列306中出口的數(shù)量和/或出口 302之間間隔可以在不同的列之間沿著第二導管2 改變，以提供希望的噴灑圖案。例如，出口的數(shù)量和/或出口 302之間的間隔可以由鄰近排放導管202的壁的列306向鄰近排放導管202的中心軸210的列306增加。在一些實施例中，如圖3A所示，各個列306中出口 302的數(shù)量以及各個列306中的各個出口 302 之間間隔由靠近排放導管202的壁的列向靠近排放導管202的中心軸210的列增加。如圖!3B-D所示，可以例如通過改變各個列306中的一個或多個出口 302的角度來改變各個列306中出口 302的間隔。舉例而言，圖:3B-D示出了沿著穿透滴注器224的列 306的線的第二導管226的截面圖。
如圖所示，各個列306可以包括單個出口(圖3B)、兩個出口(圖3C)或三個出口 (圖3D)?？梢栽O想到列之間或沿著第二導管226的其它出口數(shù)量或變化。單個出口的列可以包含方位定向成平行于排放導管226的中心軸210的單個出口 302。兩個出口的列可以包含相對于排放導管226的中心軸210而對稱地成角度的兩個出口 302。在一些實施例中， 兩個出口的列的各出口 302可以相對于排放導管的中心軸成約45°或更小的角度。三個出口的列可以包含三個出口 302，其中一個中心出口的方位定向成平行于排放導管的中心軸并設置在其余兩個出口之間，其余兩個出口相對于排放導管的中心軸而對稱地成角度。在一些實施例中，三個出口的列的各個出口可以相對于排放導管的中心軸成介于約30°至約 60°之間的角度。圖4A-C示出了根據(jù)本發(fā)明一些實施例的滴注器224的替代實施例。例如，在圖4A 中，滴注器224包括淋灑頭402，該淋灑頭402中心地設置在排放導管226中而位于最上方填充床212上方。與第二導管226類似，淋灑頭402能夠與流出物流204的流向相反地以期望的流速與液滴尺寸來按照期望的圖案(例如對應于排放導管226的形狀)提供流出物處理劑。淋灑頭402包括多個出口 404，用于從這些出口提供流出物處理劑。在一些實施例中，至少一些出口 404繞著排放導管226的中心軸210徑向地設置并相對于其呈角度，如圖 4B-C的淋灑頭402的仰視圖和側(cè)視圖所示。在一些實施例中，至少一個出口 404沿著排放導管的中心軸210而中心地設置并與其平行。 再參照圖2，在一些實施例中，水份抑制裝置228可以設置在最上方填充床212 (或滴注器224，若存在的話)的下游處而鄰近洗滌器112的排放導管202的出口。水份抑制裝置228可以提供室內(nèi)空氣或冷干空氣以干燥或降低流出物流的濕度。舉例而言，水份抑制裝置228可以具有一個或多個入口 230，這些入口 230耦接到空氣源232以向流出物流204 中提供空氣。如前所述，空氣源232可以向流出物流提供室內(nèi)空氣或冷干空氣。在運作時且在一些實施例中，參照圖2，包含有害氣體和/或顆粒的排放流出物流 204進入排放導管202，并且可以暴露于由多個噴嘴222提供的流出物處理劑的噴液和/或噴霧，其中該些噴嘴222設置在最下方填充床214之前。接著，排放流出物流204進入最下方填充床214，流出物流204在最下方填充床214處行進通過流出物固存物216的彎折路徑，有害氣體和/或顆粒在此處被從流出物流204移除。流出物流204離開最下方填充床 214并再次以由多個噴嘴222提供的流出物處理劑來處理，其中噴嘴222設置在最下方填充床214上方。在一些實施例中，由噴嘴222提供的流出物處理劑的各個相繼處理可以是比前次處理更粗糙的噴灑，以限制被承載在流出物流204中的微細噴灑液滴的量。流出物流 204持續(xù)向上流動以彎折路徑通過多個填充床206，直到在一些實施例中，流出物流204遇到由最上方填充床212上方的液滴器224所提供的流出物處理劑的大液滴的液流為止。由液滴器224提供的大液滴可以在將流出物流204釋放到環(huán)境或工廠排放系統(tǒng)中之前，進一步幫助從流出物流204固存有害氣體，同時不會提供流出物處理劑的小液滴(其可能經(jīng)由流出物流的流動而被攜帶到洗滌器112之外)。在一些實施例中，可以通過水份抑制裝置 228來向剩余的流出物流提供室內(nèi)空氣或冷干空氣，以進一步冷卻并干燥流出物流。在一些實施例中，在將流出物流204釋放到環(huán)境或工廠排放系統(tǒng)中之前，流出物流204可以流動通過可選的水份捕獲裝置500，該水份捕獲裝置500設置在洗滌器112的下游(或在洗滌器112的排放導管202的下游端處，例如在最下方填充床212、滴注器224(當存在時)和水份抑制裝置228 (當存在時)的下游處)。圖5示出了根據(jù)本發(fā)明一些實施例的動力沖擊器和水份捕獲裝置500的側(cè)視圖。動力沖擊器和水份捕獲裝置500包括第一導管501，第一導管501設置成與減排排放系統(tǒng)共軸(例如與洗滌器112的排放導管202 共軸)。凸緣510可以被設置在第一導管501的任一端，以便于安裝和移除。在一些實施例中，第一導管501以及動力沖擊器和水份捕獲裝置500整體可以具有低的垂直覆蓋區(qū)域 (footprint)，以有助于在小空間的使用。例如，在一些實施例中，第一導管501可以具有約 12英寸的長度512。第二導管502以稍微抬高的角度而流體地耦接到第一導管501。在一些實施例中， 第二導管502可以具有介于約2至3英尺之間的長度。中心分流隔板504可以設置在第二導管502內(nèi)，以迫使流出物流204繞更長/更彎折的流動路徑離開導管501。隔板504提供可供來自排放流204的水份(諸如水蒸氣)冷凝其上的表面。一旦冷凝之后，經(jīng)捕獲的水份可以經(jīng)由排出口 506流回到排放導管202內(nèi)，其中該排出口 506設置在隔板504中而鄰近隔板504和第二導管502的基部的交叉點。在一些實施例中，凸緣508可以設置在第二導管502的外端(其與基部相對)。凸緣可以被構(gòu)造為提供水份捕獲裝置500中的觀察點已進行檢查和/或提供用于沖洗動力沖擊器與水份捕獲裝置500的連接。在一些實施例中，可以提供冷卻套514以冷卻流經(jīng)該水份捕獲裝置的流出物。冷卻套可以包括纏繞第二導管502以從第二導管502的表面移除熱的冷卻線圈516，于是可以促進從流出物到第二導管502的經(jīng)冷卻表面的更大的熱傳遞。冷卻線圈516可以是冷卻器循環(huán)(未示出)的一部分，以使得熱傳遞流體流動通過冷卻線圈516。因此，本發(fā)明提供了用于改善流出物的處理的設備。此發(fā)明設備可有利地改善有害氣體的捕獲，同時還維持從排放流出物流移除顆粒的效率。盡管前述說明涉及本發(fā)明的實施例，但是在不脫離本發(fā)明的基本范圍下，可以設想到本發(fā)明的其它和進一步的實施例。
權(quán)利要求
1.一種減排系統(tǒng)，包括排放導管，其使流出物流從其中流動通過；多個填充床，其設置在所述排放導管中，以從所述流出物流移除非可排放的流出物；一個或多個噴嘴，其設置為在相鄰的填充床之間提供流出物處理劑，所述流出物處理劑從所述流出物流移除非可排放的流出物；以及滴注器，其設置在所述排放導管中而位于最上方填充床上方，來以大液滴提供所述流出物處理劑，以在基本上不會形成微細液滴的狀態(tài)下潤濕并沖洗所述最上方填充床的上表面的微粒。
2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的系統(tǒng)，其中，所述滴注器還包括淋灑頭，其具有在所述最上方填充床上方設置在所述排放導管中的多個出口，以從所述淋灑頭提供所述流出物處理劑。
3.根據(jù)權(quán)利要求1所述的系統(tǒng)，其中所述滴注器還包括第二導管，其從所述排放導管的壁延伸，所述第二導管具有設置在所述第二導管的面向上游側(cè)的多個出口，以從所述出口提供所述流出物處理劑。
4.根據(jù)權(quán)利要求2-3所述的系統(tǒng)，其中，所述多個出口被構(gòu)造為提供與所述排放導管的大致形狀相匹配的噴灑圖案。
5.根據(jù)權(quán)利要求3所述的系統(tǒng)，其中，所述多個出口被沿著所述第二導管的長度設置成多個列，每個列在所述面向上游側(cè)上沿著所述第二導管的圓周而部分地延伸，并且其中， 在鄰近所述排放導管的壁的位置與鄰近所述排放導管的中心軸的位置之間，在一列中的所述出口的數(shù)量隨著所述第二導管的長度而增加。
6.根據(jù)權(quán)利要求5所述的系統(tǒng)，其中，各個列包含單個出口、兩個出口或三個出口，其中，各個單個出口的列具有方位確定為平行于所述排放導管的中心軸的一個出口 ；其中，各個兩個出口的列具有相對于所述中心軸而對稱地成角度的兩個出口 ；以及其中，各個三個出口的列具有一個中心出口，所述中心出口的方位確定為平行于所述中心軸并設置在相對于所述中心軸而對稱地成角度的兩個出口之間。
7.根據(jù)權(quán)利要求1-6所述的系統(tǒng)，其中，所述滴注器提供具有大于或等于約200微米的平均直徑的流出物處理劑液滴，并且其中，所述微細液滴具有介于約0. 1至10微米之間的平均直徑。
8.根據(jù)權(quán)利要求1-6中任一所述的系統(tǒng)，其中，所述滴注器系提供具有介于約200至 2000微米之間的平均直徑的流出物處理劑液滴，并且其中，所述微細液滴具有介于約0. 1 至10微米之間的平均直徑。
9.根據(jù)權(quán)利要求1-8中任一項所述的系統(tǒng)，其中，所述多個填充床的數(shù)量可介于約2個至約10個之間。
10.根據(jù)權(quán)利要求1所述的系統(tǒng)，其中，各個填充床的軸向長度介于約5至約30英寸之間。
11.根據(jù)權(quán)利要求1所述的系統(tǒng)，其中，所述最上方填充床的軸向長度大于最下方填充床的軸向長度。
12.根據(jù)權(quán)利要求11所述的系統(tǒng)，其中，所述最上方填充床的軸向長度介于約10至約 15英寸之間并且所述最下方填充床的軸向長度介于約5至約8英寸之間，并且其中，設置在所述最上方填充床與所述最下方填充床之間的填充床具有介于約5至約8英寸之間的軸向長度。
13.根據(jù)權(quán)利要求1-12中任一項所述的系統(tǒng)，其中，所述流出物處理劑包括水(H2O), 腐蝕性、酸性、離子或非離子界面活性劑，凝結(jié)劑或它們的組合。
14.根據(jù)權(quán)利要求1-13中任一項所述的系統(tǒng)，其中，所述多個填充床是三個沿軸向設置在所述排放導管中并設置成間隔關(guān)系的填充床，并且其中，所述滴注器被構(gòu)造為以具有介于約200至2000微米之間的平均直徑的大液滴來提供所述流出物處理劑，以潤濕并沖洗所述最上方填充床的上表面的微粒。
15.根據(jù)權(quán)利要求1-14中任一項所述的系統(tǒng)，還包括 燃燒腔室，其被構(gòu)造為接收流出物并對所述流出物進行燃燒；淬冷設備，其設置在所述燃燒腔室的下游處，以對從所述燃燒腔室流出的所述流出物進行淬冷；分離槽，其設置在所述淬冷設備的下游處，以接收從所述淬冷設備流出的所述流出物；其中，所述排放導管、所述多個填充床、所述一個或多個噴嘴以及所述滴注器是洗滌器的一部分，所述洗滌器設置在所述分離槽的下游處，以接收從所述分離槽流出的所述流出物。
全文摘要
本發(fā)明提供了一種具有增進的流出物洗滌及水份控制的減排系統(tǒng)，這里提供了一種改善流出物處理的設備。在一些實施例中，減排系統(tǒng)可以包括排放導管，其使流出物流從其中流動通過；多個填充床，其設置在排放導管中，以從流出物流移除非可排放的流出物；一個或多個噴嘴，其設置為在相鄰的填充床之間提供流出物處理劑，流出物處理劑從流出物流移除非可排放的流出物；以及滴注器，其設置在排放導管中而位于最上方填充床上方，來以大液滴提供流出物處理劑，以在基本上不會形成微細液滴的狀態(tài)下潤濕并沖洗最上方填充床的上表面的微粒。
文檔編號B01D47/06GK102209583SQ200980144641
公開日2011年10月5日 申請日期2009年11月6日 優(yōu)先權(quán)日2008年11月7日
發(fā)明者丹·S·布朗, 丹尼爾·O·克拉克, 喬治·L·丹森三世, 巴里·佩奇, 弗蘭克·霍史達瑞恩, 杰伊·俊, 艾倫·?？怂? 菲爾·錢德勒 申請人:應用材料公司