金槽雜質(zhì)離子去除裝置制造方法
【專利摘要】本實用新型公開一種金槽雜質(zhì)離子去除裝置，包括金槽、用于去除雜質(zhì)離子的除雜單元和用于將所述金槽中液體輸送到所述除雜單元的循環(huán)單元，所述除雜單元設(shè)置在所述金槽中，所述循環(huán)單元連接所述除雜單元和所述金槽。本實用新型能夠較好的去除化金槽內(nèi)的雜質(zhì)陽離子。
【專利說明】金槽雜質(zhì)離子去除裝置
【技術(shù)領(lǐng)域】
[0001]本實用新型涉及電路板加工領(lǐng)域，特別是一種金槽雜質(zhì)離子去除裝置。
【背景技術(shù)】
[0002]在印刷電路板(PCB, printed circuit board)的化金加工過程中，金槽中Cu2+和Ni2+的含量過高會使沉積速率升高，易造成甩金和金面粗糙，同時降低金槽壽命和增加化金成本。現(xiàn)有技術(shù)目前的工藝無法清除金槽中含有的Cu2+和Ni2+，只能變更參數(shù)來使用槽體濃度或者清洗金槽。
實用新型內(nèi)容
[0003]本實用新型的目的是提供一種能夠去除金槽內(nèi)雜質(zhì)的金槽雜質(zhì)離子去除裝置。
[0004]為解決本實用新型的技術(shù)問題，本實用新型提供一種金槽雜質(zhì)離子去除裝置，包括包括金槽、用于去除雜質(zhì)離子的除雜單元和用于將所述金槽中液體輸送到所述除雜單元的循環(huán)單元，所述除雜單元設(shè)置在所述金槽中，所述循環(huán)單元連接所述除雜單元和所述金槽。
[0005]優(yōu)選的，所述除雜單元包括離子交換膜。
[0006]優(yōu)選的，所述離子交換膜具有和Ni2+和Cu2+相適應(yīng)的孔徑。
[0007]優(yōu)選的,還包括連接單元,所述連接單元連接所述循環(huán)單元和所述除雜單元并連接所述循環(huán)單元和所述金槽。
[0008]優(yōu)選的，所述循環(huán)單元包括泵。
[0009]與現(xiàn)有技術(shù)相比較，本實用新型包括除雜單元和循環(huán)單元，能夠較好的去除金槽體內(nèi)的雜質(zhì)陽離子。
【專利附圖】

【附圖說明】
[0010]圖1是本實用新型金槽雜質(zhì)離子去除裝置的一個實施方式的示意圖。
【具體實施方式】
[0011]下面將對本實用新型實施方式中的技術(shù)方案進行清楚、完整地描述，顯然，所描述的實施方式僅是本實用新型的一部分實施方式，而不是全部的實施方式?；诒緦嵱眯滦椭械膶嵤┓绞?，本領(lǐng)域普通技術(shù)人員在沒有做出創(chuàng)造性勞動前提下所獲得的所有其它實施方式，都屬于本實用新型保護的范圍。
[0012]請參閱圖1，是本實用新型金槽雜質(zhì)離子去除裝置的一個實施方式的示意圖，所述金槽雜質(zhì)離子去除裝置包括金槽10、用于去除雜質(zhì)離子的除雜單元20、用于將所述金槽中液體輸送到所述除雜單元的循環(huán)單元30和連接所述循環(huán)單元和所述金槽10以及所述除雜單元20的連接單元40。所述除雜單元20設(shè)置在所述金槽10中，所述循環(huán)單元30通過所述連接單元40連接所述除雜單元20和所述金槽10。[0013]在所述實施方式中，所述除雜單元20包括離子交換膜。所述循環(huán)單元30包括泵。當離子交換膜遇水時，活性基團在水中電離產(chǎn)生可交換離子，并且在水分子的作用下向水體中擴散；擴散的結(jié)果會使離子交換膜的基體上留有與可交換離子電荷符號相反的電荷；在濃差擴散和靜電引力兩種相反力的作用下，形成了雙電層式結(jié)構(gòu)。事實上，金槽的金離子以絡(luò)合物〔Au (CN) 2 )-的形式存在，帶負電且離子半徑遠大于Ni2+和Cu2+，故而所述除雜單元20的陽離子交換膜不會和金離子產(chǎn)生離子交換。因此，所述除雜單元20在所述循環(huán)單元30運轉(zhuǎn)時，能夠和金槽10內(nèi)的雜質(zhì)陽離子，如Ni2+和Cu2+進行離子交換，從而有效降低化金槽中Ni2+和Cu2+含量，提升金槽壽命以及改善金面粗糙和甩金。
[0014]以上內(nèi)容是結(jié)合具體的優(yōu)選實施方式對本實用新型所作的進一步詳細說明，不能認定本實用新型的具體實施只局限于這些說明。對于本實用新型所屬【技術(shù)領(lǐng)域】的普通技術(shù)人員來說，在不脫離本實用新型構(gòu)思的前提下，還可以做出若干簡單推演或替換，都應(yīng)當視為屬于本實用新型的保護范圍。
【權(quán)利要求】
1.一種金槽雜質(zhì)離子去除裝置，其特征在于，包括金槽、用于去除雜質(zhì)離子的除雜單元和用于將所述金槽中液體輸送到所述除雜單元的循環(huán)單元，所述除雜單元設(shè)置在所述金槽中，所述循環(huán)單元連接所述除雜單元和所述金槽。
2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的金槽雜質(zhì)離子去除裝置，其特征在于，所述除雜單元包括離子交換膜。
3.根據(jù)權(quán)利要求2所述的金槽雜質(zhì)離子去除裝置，其特征在于，所述離子交換膜具有和Ni2+和Cu2+相適應(yīng)的孔徑。
4.根據(jù)權(quán)利要求1所述的金槽雜質(zhì)離子去除裝置，其特征在于，還包括連接單元，所述連接單元連接所述循環(huán)單元和所述除雜單元并連接所述循環(huán)單元和所述金槽。
5.根據(jù)權(quán)利要求1所述的金槽雜質(zhì)離子去除裝置，其特征在于，所述循環(huán)單元包括泵。
【文檔編號】B01J47/12GK203425832SQ201320413284
【公開日】2014年2月12日 申請日期:2013年7月11日 優(yōu)先權(quán)日:2013年7月11日
【發(fā)明者】孟昭光 申請人:東莞市五株電子科技有限公司