技術(shù)特征：

1.一種半導體制程廢氣中氟化物的凈化方法，其特征在于其包括：在半導體廢氣處理槽的反應(yīng)腔室內(nèi)導入一由水加熱生成的高溫水霧狀氣態(tài)水，并以該水霧狀氣態(tài)水溶解氟化物成為氟化氫；其中，該水霧狀氣態(tài)水接觸氟化物的溶解溫度界于370～1300℃之間。

2.如權(quán)利要求1所述半導體制程廢氣中的氟化物的凈化方法，其特征在于：該水霧狀氣態(tài)水是以噴灑方式導入反應(yīng)腔室內(nèi)。

3.如權(quán)利要求1所述半導體制程廢氣中的氟化物的凈化方法，其特征在于：該氟化物為F₂時，其反應(yīng)式如下：

4.如權(quán)利要求1所述半導體制程廢氣中的氟化物的凈化方法，其特征在于：該氟化物為NF₃時，其反應(yīng)式如下：

5.一種半導體制程廢氣中氟化物的凈化裝置，其特征在于其包括：

一反應(yīng)腔室，形成于半導體廢氣處理槽內(nèi)，該廢氣處理槽配置有至少一半導體制程廢氣的導入管，該導入管導引含藏有氟化物的半導體制程廢氣進入反應(yīng)腔室；

一熱管，配置于廢氣處理槽并植入反應(yīng)腔室內(nèi)，該熱管具有一形成于廢氣處理槽外的外端以及一形成于反應(yīng)腔室內(nèi)的內(nèi)端，該外端設(shè)有一注水管，該內(nèi)端形成有多個貫穿且分布于熱管管壁的噴孔，其中；

該熱管內(nèi)穿設(shè)有一加熱棒，該加熱棒與熱管的管壁之間形成一通道，該通道連通注水管且經(jīng)由該多個噴孔連通反應(yīng)腔室，該注水管導引水進入通道內(nèi)，該通道內(nèi)的水接觸加熱棒而生成高溫的水霧狀氣態(tài)水，該水霧狀氣態(tài)水經(jīng)由該多個噴孔導入反應(yīng)腔室內(nèi)溶解氟化物成為氟化氫。

6.如權(quán)利要求5所述半導體制程廢氣中氟化物的凈化裝置，其特征在于：該多個噴孔是以噴灑方式導引水霧狀氣態(tài)水進入反應(yīng)腔室內(nèi)。

7.如權(quán)利要求6所述半導體制程廢氣中氟化物的凈化裝置，其特征在于：該多個噴孔貫穿且間隔分布于熱管內(nèi)端的四周管壁。

8.如權(quán)利要求5所述半導體制程廢氣中氟化物的凈化裝置，其特征在于：該半導體廢氣處理槽頂部設(shè)有一頭蓋，該半導體制程廢氣的導入管以及熱管間隔配置于頭蓋 上。

9.如權(quán)利要求5所述半導體制程廢氣中氟化物的凈化裝置，其特征在于：該熱管、通道及加熱棒呈直線狀的同心圓配置。

10.如權(quán)利要求5至9中任一項所述半導體制程廢氣中氟化物的凈化裝置，其特征在于：該反應(yīng)腔室四周配置有一環(huán)狀加熱器作為廢氣處理槽的槽壁，該溶解溫度還包含受到環(huán)狀加熱器的加熱作用而達成。

11.如權(quán)利要求5所述半導體制程廢氣中氟化物的凈化裝置，其特征在于：該反應(yīng)腔室內(nèi)經(jīng)由多個隔板間隔形成多個反應(yīng)腔槽，該多個隔板上分別形成有至少一通孔連通多個反應(yīng)腔槽，該多個反應(yīng)腔槽經(jīng)由通孔相互連通而形成一導氣通道，該導氣通道導引廢氣與氣態(tài)水通過反應(yīng)腔室。

12.如權(quán)利要求11所述半導體制程廢氣中氟化物的凈化裝置，其特征在于：該多個隔板上分別形成的通孔是以雙軸座標的第一至第四象限的配置方式交錯對應(yīng)，使該導氣通道呈現(xiàn)迂回形式。

13.如權(quán)利要求11或12所述半導體制程廢氣中氟化物的凈化裝置，其特征在于：該多個隔板之間設(shè)有隔墻。