一般地，本發(fā)明涉及處理通過用于生產(chǎn)電子組件和半導(dǎo)體器件的制造過程(工藝或方法)，process)產(chǎn)生的廢水的系統(tǒng)和方法。更具體地，本發(fā)明涉及用于去除多種化合物的系統(tǒng)和方法，所述化合物如，但不限于唑系(azoles)和唑類(azole-type)化合物家族，其可以包括：苯并三唑、吡唑、4-甲基-1-H-苯并三唑(benzotrazole)、5-甲基-1-H-苯并三唑、咪唑、1，2，41H-三唑、3-氨基三唑、四唑、唑、噻唑、二唑(diazoir)1，2，3，噻二唑和其他唑衍生物，所述其他唑衍生物可以包括包含稠合的唑和苯環(huán)的化合物。這樣的化合物可以從經(jīng)由例如通過在化學(xué)機(jī)械拋光(CMP)步驟中的電鍍酸性廢物產(chǎn)生的廢水和′拖出的(廢酸洗液，dragout)′水去除，所述化學(xué)機(jī)械拋光(CMP)步驟可以用于半導(dǎo)體器件的制造過程，和/或來自光電子組件，如薄膜晶體管液晶顯示器(TFT-LCD)的制造。隨著光電子和半導(dǎo)體工業(yè)的制造過程推進(jìn)，通過這樣的過程產(chǎn)生的廢水的組成變得更復(fù)雜。例如，這樣的廢水可以包含有機(jī)碳化合物和有機(jī)氮化合物二者，其對環(huán)境可能是有毒的、腐蝕性的和富養(yǎng)的。薄膜晶體管液晶顯示器是一種類型的LCD，其使用薄膜晶體管技術(shù)來提供有源矩陣LCD。TFT-LCD用于多種消費(fèi)產(chǎn)品中，如電視機(jī)、計(jì)算機(jī)顯示器、移動(dòng)電話、導(dǎo)航系統(tǒng)等。尤其是TFT-LCD的生產(chǎn)可以產(chǎn)生顯著大量的含有高強(qiáng)度有機(jī)氮的廢水。這樣的廢水可能包含多種污染物，如唑化合物、四甲基氫氧化銨(TMAH)、一乙醇胺(C2H5ONH2，MEA)和二甲亞砜((CH3)2SO，DMSO)。唑化合物和TMAH可以在TFT-LCD生產(chǎn)中用作顯影劑，而MEA和DMSO可以用作TFT-LCD生產(chǎn)中的剝離劑(stripper)，以及螯合劑。TMAH還可以用作TFT-LCD制造的光刻過程中的陽性光刻膠顯影劑的組分。三唑類、TMAH、MEA和DMSO通?？醋魇蔷徛缮锝到獾挠袡C(jī)化合物，其在降解期間典型地釋放氨，導(dǎo)致處理的廢水中的高氨濃度和潛在硝化作用。歷史上，半導(dǎo)體和電子組件制造工廠將它們的廢水排放至當(dāng)?shù)毓刑幚碓O(shè)施(POTW)系統(tǒng)。然而，由于近來半導(dǎo)體工業(yè)的成長導(dǎo)致增加的負(fù)載連同施加于POTW以從廢水去除有機(jī)和氮化合物的更嚴(yán)格的排放法規(guī)可能限制任何這樣的POTW充分處理這樣的排放的能力。在某些條件下，多種微生物能夠降解DMSO。例如埃希氏菌菌(Escherichicoli)，克雷伯氏菌(Klebsiella)，沙雷氏菌(Serratia)，布氏枸櫞酸桿菌(Citrobacterbraakii)，土生隱球菌(Cyptococcushumicolus)，生絲微菌屬物種(Hyphomicrobiumspeices)和莢膜紅細(xì)菌(Rhodobactercapsulatus)在降解DMSO方面已經(jīng)顯示陽性結(jié)果。此外，MEA可以常常通過多種多樣的對于胺和醇常見的反應(yīng)降解，并且可以水合為氨和乙酸酯。然而，唑和唑相關(guān)化合物以及TMAH的降解特別成問題，因?yàn)槎喾N多樣的三唑和唑-化合物的存在(伴有TMAH或單獨(dú)存在)，對硝化活性具有有害和抑制影響。具體地，已經(jīng)顯示，三唑類可以以大于1mg/升的水平抑制硝化。因此，需要用于處理由TFT-LCD的生產(chǎn)產(chǎn)生的廢水的系統(tǒng)和方法(其有效地去除三唑類以及COD和總氮)。發(fā)明概述根據(jù)本發(fā)明的一些實(shí)施方案的方面可以包括用于廢水的化學(xué)處理系統(tǒng)，所述系統(tǒng)包括：氧化模塊(oxidationmodule)，所述氧化模塊接收作為輸入的廢水并且輸出流出物(effluent)；其中所述氧化模塊從輸入的廢水去除唑類化合物；并且其中所述流出物具有大于百分之九十(90％)的唑類化合物的減少。根據(jù)本發(fā)明的一些實(shí)施方案的方面可以包括用于廢水的化學(xué)處理系統(tǒng)，所述系統(tǒng)包括：氧化模塊，其接收作為輸入的：接收自化學(xué)機(jī)械拋光過程的廢水；和接收自臭氧發(fā)生器的臭氧氣體；所述氧化模塊輸出流出物；其中所述氧化模塊從輸入的廢水去除唑類化合物；其中所述流出物具有大于百分之九十(90％)的唑類化合物的減少；并且其中所述氧化模塊在處理之前不需要鐵處理(ferroustreatment)或固液分離(solid-liquidseparation)。根據(jù)本發(fā)明的一些實(shí)施方案的其他方面可以包括用于廢水的化學(xué)處理系統(tǒng)，所述系統(tǒng)包括氧化模塊，所述氧化模塊將臭氧氣體施加至廢水以減少唑類成分，其中所述唑類化合物包括唑化合物和它們的衍生物，其包括苯并三唑、吡唑、4-甲基-1-H-苯并三唑、5-甲基-1-H-苯并三唑、咪唑、1，2，41H-三唑、3-氨基三唑、四唑、唑、噻唑、二唑、1，2，3-噻二唑。根據(jù)本發(fā)明的一些實(shí)施方案的其他方面可以包括用于廢水的化學(xué)處理系統(tǒng)，所述系統(tǒng)包括氧化模塊，所述氧化模塊將臭氧氣體施加至廢水以減少唑類組分，其中所述氧化模塊是用于減少唑類化合物的唯一處理。根據(jù)本發(fā)明的一些實(shí)施方案的其他方面可以扒開用于廢水的化學(xué)處理系統(tǒng)，所述系統(tǒng)包括氧化模塊，所述氧化模塊將臭氧氣體施加至廢水以減少唑類組分，其中所述氧化模塊去除具有化學(xué)需氧量(COD)的有機(jī)物質(zhì)。根據(jù)本發(fā)明的一些實(shí)施方案的其他方面可以包括用于廢水的化學(xué)處理系統(tǒng)，所述系統(tǒng)包括氧化模塊，所述氧化模塊將臭氧氣體施加至廢水以減少唑類組分，其中通過所述氧化模塊處理的廢水包含過氧化氫(H2O2)。注意的是，根據(jù)本發(fā)明的一些實(shí)施方案的系統(tǒng)和方法明確地不需要任何鐵處理和/或固液分離作為對于臭氧氧化過程的預(yù)處理。此外，根據(jù)本發(fā)明的一些實(shí)施方案的系統(tǒng)和方法可以不需要任何pH調(diào)節(jié)。此外，根據(jù)本發(fā)明的一些實(shí)施方案的系統(tǒng)和方法可以用于在廢水中包含過氧化氫(H2O2)的水。附圖簡述通過閱讀以下詳細(xì)描述連同所附附圖，可以更充分理解本發(fā)明，其中相同參考指示用來指示相同的要素。附圖描繪某些示例性實(shí)施方案并且可以幫助理解以下詳述。在詳細(xì)解釋本發(fā)明的任何實(shí)施方案之前，要理解的是，本發(fā)明不限于將其應(yīng)用于以下描述中所述或附圖中所示的組件的構(gòu)造和布置的細(xì)節(jié)。描繪的實(shí)施方案要理解為示例性的，且不以任何方式限制本發(fā)明的總體范圍。此外，要理解的是，本文中使用的措辭和術(shù)語是為了描述并且不應(yīng)該認(rèn)為是限制性的。詳述將參考以下附圖，其中：圖1示出了顯示根據(jù)本發(fā)明的用于處理含有唑類化合物的水的過程的一個(gè)實(shí)施方案的流程圖。圖2示出了根據(jù)本發(fā)明的一些實(shí)施方案的示例性的隨時(shí)間的COD去除性能。圖3示出了根據(jù)本發(fā)明的一些實(shí)施方案的示例性的隨時(shí)間的總唑和唑相關(guān)化合物去除。圖4示出了根據(jù)本發(fā)明的一些實(shí)施方案的示例性的隨時(shí)間的總唑去除。在詳細(xì)解釋本發(fā)明的任何實(shí)施方案之前，要理解的是，本發(fā)明不限于將其應(yīng)用于以下描述中所述或附圖中所示的組件的構(gòu)造和布置的細(xì)節(jié)。本發(fā)明能夠是其他實(shí)施方案并且以不同方式實(shí)施或進(jìn)行。此外，還要理解的是，本文使用的措辭和術(shù)語是為了描述并且不應(yīng)該認(rèn)為是限制性的。詳述提供本說明書中例示的主題以幫助全面理解參考附圖公開的多個(gè)示例性實(shí)施方案。因此，本領(lǐng)域技術(shù)人員將認(rèn)識到，在不背離所要求保護(hù)的發(fā)明的精神和范圍的情況下，可以進(jìn)行本文中所描述的示例性實(shí)施方案的各種改變和改進(jìn)。為了清楚和簡要，略去了對公知的功能和構(gòu)造的描述。此外，如本文中使用的，單數(shù)可以解釋為復(fù)數(shù)，并且備選地，任何復(fù)數(shù)的術(shù)語可以解釋為單數(shù)的。一般地，本發(fā)明教導(dǎo)了用于處理包含液體和固體組分的廢水的化學(xué)處理系統(tǒng)，所述系統(tǒng)包括氧化模塊。所述氧化模塊可以接收作為生產(chǎn)過程的輸出的廢水并且從所述氧化模塊輸出流出物?？梢詮暮羞@些化合物的這樣的廢水(如來自半導(dǎo)體制造過程中的化學(xué)機(jī)械拋光(CMP)步驟的水)去除唑類化合物。特別地，本發(fā)明可以致力于將在半導(dǎo)體制造期間′拖出的(draggedout)′水中可能存留的唑化合物進(jìn)行氧化。此外，除了去除唑類化合物，氧化模塊可以去除有機(jī)唑相關(guān)化合物和其他有機(jī)化合物-即已知具有化學(xué)需氧量(COD)的那些化合物。類似地，氧化模塊可以去除具有碳含量的有機(jī)物質(zhì)-具有總有機(jī)碳含量(TOC)的那些化合物。此外，氧化模塊可以從含有過氧化氫(H2O2)的廢水去除有機(jī)物質(zhì)-包括唑相關(guān)化合物。注意的是，根據(jù)本發(fā)明的一些實(shí)施方案的系統(tǒng)和方法明確地不需要任何鐵處理和/或固液分離作為對于臭氧氧化過程的預(yù)處理。此外，根據(jù)本發(fā)明的一些實(shí)施方案的系統(tǒng)和方法可以不需要任何pH調(diào)節(jié)，并且可以用于在廢水中包含過氧化氫(H2O2)的水。為了確定本文中討論的系統(tǒng)和方法的功效，測試了來自半導(dǎo)體制造過程的電鍍酸性廢水(platingacidwastewater)。在本發(fā)明中，可以使用含有任意數(shù)量的唑化合物的電鍍酸性廢水。唑化合物是含有至少一個(gè)氮雜原子的芳族環(huán)。這些化合物可以包括，但不限于，通常用于電鍍和CMP步驟中的唑化合物和它們的衍生物，如，苯并三唑、吡唑、4-甲基-1-H-苯并三唑、5-甲基-1-H-苯并三唑、咪唑、1，2，41H-三唑、3-氨基三唑、四唑、唑、噻唑、二唑、1，2，3-噻二唑。唑衍生物包括包含稠合的唑和苯環(huán)的化合物。含有唑化合物和衍生物的水可以含有這些化合物中的一種或多種。從位于美國的半導(dǎo)體制造廠收集電鍍酸性廢水并且用特定臭氧劑量和保留時(shí)間以及在不同pH水平的情況下處理以去除唑化合物至所需水平，從而流出物排放至公有處理設(shè)施。測試工作的主要目的是去除唑化合物至低于2mg/升。表1列出示例性結(jié)果。表1：臭氧處理特有的總體流入和流出物為了理解本發(fā)明中具體體現(xiàn)的系統(tǒng)和方法的應(yīng)用和結(jié)果，首先可有用的是理解要通過這樣的系統(tǒng)和方法處理的廢水的特性。表2顯示從位于美國的半導(dǎo)體制造廠收集的廢水的特性。表2.來自制造場所的典型廢水質(zhì)量參數(shù)單位場所1三唑類ppd274總CODppd1,872總氮ppd241過氧化氫mg/L＜20總懸浮固體mg/L1,908總懸浮液體mg/L268銅mg/L＜0.5pH3在本發(fā)明中，將臭氧注射入廢水，用于去除唑化合物至低于2mg/升(2ppm)的水平，并且此外，用于在唑去除之后去除COD和TOC至所需水平的目的。注意在不背離本發(fā)明的情況下可以在根據(jù)本發(fā)明的一些實(shí)施方案的系統(tǒng)和方法中存在一些可能的變形：要注射的臭氧的量可以不固定于設(shè)置劑量，并且將基于水質(zhì)量而變化；要處理的水的pH在所述過程期間可以低于8；水的pH可以變化；可以不需要固體催化劑、鐵離子(亞鐵離子，ferrousion)、或碳；可以不需要固液分離；和/或過氧化氫可以不添加，但可以存在于廢水中。全尺寸處理系統(tǒng)(全比例處理系統(tǒng)，fullscaletreatmentsystem)利用本發(fā)明的系統(tǒng)和方法，可以提供用于全尺寸處理系統(tǒng)的參數(shù)。注意以下參數(shù)僅是示例性的，并且在仍然由本發(fā)明教導(dǎo)的同時(shí)，在尺寸、速率、系數(shù)和效率方面的變形可以改變。全尺寸臭氧系統(tǒng)可以具有這樣的特性，如，140mg/升的流入的總唑濃度，低于2mg/升的流出物，并且具有可變的流速。臭氧量可以根據(jù)背景COD干擾而變化，并且可以具有不同的臭氧：唑比例。臭氧對唑的比例可以是2∶1至500∶1。目前的測試常規(guī)地在5∶1至80∶1或更大的范圍測量這樣的比例。此外，臭氧處理系統(tǒng)可以包括氧化槽(氧化罐，oxidationtank)，其可以允許再循環(huán)持續(xù)設(shè)定的時(shí)間期。例如，再循環(huán)可以發(fā)生持續(xù)多于180分鐘。此外，臭氧系統(tǒng)可以包括分析儀和儀器的系統(tǒng)以提供對于何時(shí)氧化完成的確定。參考圖1，顯示了使用單個(gè)氧化模塊作為對于廢水的處理的示例性系統(tǒng)100。系統(tǒng)100通常包括處理槽110、氧源120、臭氧發(fā)生器130、冷卻水/冷卻器(chiller)單元140、臭氧破壞單元150和多個(gè)液體連通管161-166。在操作中，可以將流入水或廢水通過導(dǎo)管161供應(yīng)至系統(tǒng)100。流入水可以分開以經(jīng)由導(dǎo)管162直接進(jìn)入處理槽110，或可以進(jìn)入導(dǎo)管163并接收臭氧氣體。注意，如所示的，導(dǎo)管163中的流可以由泵產(chǎn)生或輔助。接收臭氧氣體的流入水可以隨后進(jìn)入處理槽110。臭氧可以通過由提供給臭氧發(fā)生器130的氧源120產(chǎn)生或接收的氧產(chǎn)生。由于該過程中產(chǎn)生熱，可以例如通過使用從冷卻器140接收的冷卻水來冷卻臭氧發(fā)生器130。在通過臭氧發(fā)生器130產(chǎn)生臭氧氣體后，可以將臭氧氣體經(jīng)由導(dǎo)管164供應(yīng)給流入水。具有臭氧氣體的水隨后可以進(jìn)入處理槽110。在處理期間，臭氧廢氣可以被捕獲并且可以經(jīng)由導(dǎo)管165離開處理槽110。可以將臭氧廢氣提供給臭氧破壞單元150，其可以破壞臭氧。根據(jù)一些實(shí)施方案，臭氧破壞單元150可以包括立式臭氧破壞單元(verticalozonedestructionunit)。處理的水可以經(jīng)由導(dǎo)管166離開系統(tǒng)?？梢詫⑦@樣的處理的水提供至另外的下游過程，或在一些情況下可以排放至POTW。測試已經(jīng)顯示本發(fā)明的功效。使用氧化模塊作為對具有以上表2中所列特性的廢水的單一處理，已經(jīng)實(shí)現(xiàn)了在COD、TOC和唑類方面的顯著減少。這樣的示例性結(jié)果在圖2-5中描述。參考圖2，示出了顯示COD與測試時(shí)間的關(guān)系的示例性圖表200。從該圖表可以看出，在測試的持續(xù)時(shí)間期間，經(jīng)90分鐘的時(shí)間期，可測量COD(單位為mg/升)從約170.00mg/l降至約90.00mg/l。COD隨時(shí)間降低的趨勢在210說明。圖3和4說明與測試時(shí)間相比比較處理的水中的總唑類(mg/l)的測試結(jié)果。關(guān)于圖3和圖表300，在處理的起始存在90.00mg/l的唑值。處理三十(30)分鐘-應(yīng)用上述方法-唑類降至約15.00mg/l。該降低稍有減緩，在四十(40)分鐘，唑量是10.00mg/l，并且在五十(50)分鐘約5.00mg/l。趨勢線310表明測試期間唑類的減少。關(guān)于圖4和圖表400，可以看出在處理三十(30)分鐘時(shí)，處理的水具有約15.00(mg/l)的總唑類。該量在四十(40)分鐘降低至10.00(mg/l)的唑類，在五十(50)分鐘降低至6.00(mg/l)，在六十(60)分鐘降低至約3.00(mg/l)。趨勢線410表明該關(guān)系。因此，可以看出，減少唑類和唑類化合物的系統(tǒng)和方法可以使用單次氧化處理容器實(shí)現(xiàn)。該方法不需要加入任何其他材料(如，但不限于，鐵離子或其他鐵處理)。類似地，根據(jù)本發(fā)明的一些實(shí)施方案的系統(tǒng)和方法明確不需要任何固液分離作為臭氧氧化方法的預(yù)處理。此外，根據(jù)本發(fā)明的一些實(shí)施方案的系統(tǒng)和方法可以不需要任何pH調(diào)節(jié)。此外，根據(jù)本發(fā)明的一些實(shí)施方案的系統(tǒng)和方法可以用于在廢水中包括過氧化氫(H2O2)的水。將理解，本文中所示和描述的本發(fā)明的具體實(shí)施方案僅是示例性的。在不偏離本發(fā)明的精神和范圍的情況下，對于本領(lǐng)域技術(shù)人員，現(xiàn)在可以發(fā)生很多變化形式、改變、置換和等效形式。此外，目的是本文中描述和附圖中所示的所有主題僅被認(rèn)為是說明性的，并且沒有限制意義。當(dāng)前第1頁1 2 3