1.一種CMUT換能器陣列，包括：
多個CMUT平鋪件，所述平鋪件并排對齊以形成CMUT陣列，其中平鋪件包括：
襯底；
多個CMUT單元，所述CMUT單元設(shè)置于所述襯底上并以一行或多行、一列或多列、或兩者的方式布置；
在所述平鋪件的一側(cè)通過蝕刻工藝形成的邊緣，所述蝕刻工藝在橫向接近與所述邊緣相鄰的一個或多個CMUT單元處蝕刻穿過所述襯底，使得所述一個或多個CMUT單元被定位成與毗鄰平鋪件的一個或多個CMUT單元保持恒定的節(jié)距；以及
其中所述蝕刻工藝通過在所蝕刻的溝槽的兩側(cè)襯置聚合物而被進一步調(diào)整。
2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的CMUT換能器陣列，其中，所述邊緣是橫向接近多個CMUT單元的非線性的蝕刻的邊緣。
3.根據(jù)權(quán)利要求1所述的CMUT換能器陣列，其中，所述邊緣是通過各向異性蝕刻工藝蝕刻的。
4.根據(jù)權(quán)利要求3所述的CMUT換能器陣列，其中，所述各向異性蝕刻工藝進一步包括深反應(yīng)離子蝕刻工藝。
5.根據(jù)權(quán)利要求2所述的CMUT換能器陣列，其中，所述平鋪件呈現(xiàn)對稱性，使得第一平鋪件的非線性邊緣能夠被定位成與第二平鋪件的兩個邊緣中的任一個相鄰，且保持從所述第一平鋪件至所述第二平鋪件的恒定的CMUT單元節(jié)距。
6.根據(jù)權(quán)利要求1所述的CMUT換能器陣列，其中，平鋪件進一步包括多個互連電極，所述多個互連電極沿著邊緣設(shè)置于所述襯底上并電聯(lián)接至所述平鋪件的CMUT單元。
7.根據(jù)權(quán)利要求6所述的CMUT換能器陣列，其中，所述平鋪件呈現(xiàn)對稱性，使得第一平鋪件的蝕刻的邊緣能夠被設(shè)置成與第二平鋪件的蝕刻的邊緣相鄰，且保持從所述第一平鋪件至所述第二平鋪件的恒定的CMUT單元節(jié)距，
其中所述第一平鋪件和所述第二平鋪件各自具有沿邊緣設(shè)置的多個互連電極，以及
參照相鄰地設(shè)置的蝕刻的邊緣，所述互連電極的邊緣位于相應(yīng)平鋪件的相反兩側(cè)上。
8.根據(jù)權(quán)利要求2所述的CMUT換能器陣列，其中，所述非線性的蝕刻的邊緣包括一系列線性的、不同地定向的邊緣區(qū)段。
9.根據(jù)權(quán)利要求2所述的CMUT換能器陣列，其中，所述非線性的蝕刻的邊緣包括連續(xù)地形成輪廓的蝕刻的邊緣。
10.根據(jù)權(quán)利要求1所述的CMUT換能器陣列，其中，所述邊緣通過從所述襯底的頂部和底部交替地蝕刻而形成。
11.根據(jù)權(quán)利要求10所述的CMUT換能器陣列，其中，所述聚合物進一步包括聚酰亞胺或BCB。
12.根據(jù)權(quán)利要求1所述的CMUT換能器陣列，其中，所述邊緣通過交替地從所述襯底的頂部蝕刻和從所述襯底的底部研磨而形成。
13.根據(jù)權(quán)利要求1所述的CMUT換能器陣列，其中，所述CMUT單元以塌陷操作模式來操作。
14.根據(jù)權(quán)利要求14所述的CMUT換能器陣列，其中，所述CMUT單元在操作期間通過偏置電壓保持在塌陷模式中。
15.一種超聲成像系統(tǒng)，其具有包括權(quán)利要求1-14所述的CMUT換能器陣列的探頭100’。