本發(fā)明涉及一種多晶硅的碎料方法，尤其涉及一種在工作臺上進行多晶硅碎料的方法及進行碎料的碎料平臺。

背景技術：

還原爐中生長完成的多晶硅棒需要破碎為碎料或者棒料，然后進入后加工。一般為直接用碳化鎢錘子打碎的方法，但是工作人員的負荷較大，而且在破碎成棒料的時候，破碎位置較難控制，不容易獲得期望長度的完整棒料。

另外，在人工破碎、分選、稱重、封口過程中，不可避免的對多晶硅料表面造成二次污染，帶進別的雜質導致質量受到影響。對后續(xù)下游拉單晶或鑄錠的造成干擾，嚴重影響成品率，造成產品損失。

技術實現(xiàn)要素：

本發(fā)明要解決的技術問題是：提供一種更容易控制的多晶硅碎料平臺及使用該多晶硅碎料平臺的碎料方法。

一種多晶硅碎料平臺，用于破碎多晶硅棒料，包括多級分布的v形槽，該多級分布的v形槽按照預定間距沿多晶硅棒料長度方向依次排布并承載夾持多晶硅棒料。

一種多晶硅棒料的碎料方法，采用包括如下步驟：

提供一種多晶硅碎料平臺，該多晶硅碎料平臺包括多級分布的v形槽；

準備步驟：根據多晶硅棒料的尺寸選定v形槽并按照預定間距依次設置，然后將多晶硅棒料放置在多晶硅碎料平臺上；

破碎步驟：用破碎錘在相鄰兩個v形槽之間的位置逐段敲擊多晶硅棒料，將多晶硅棒料分段破碎；

包裝步驟：將破碎后的合格碎料包裝。

本發(fā)明的多晶硅碎料平臺及碎料方法，采用多級v形槽結構，破碎時可以分段碎料，破碎更為均勻，容易控制尺寸，操作方便，而且本發(fā)明的破碎方法可以有效地減少多晶硅棒料碎料過程中的污染。

附圖說明

圖1為本發(fā)明的多晶硅碎料平臺示意圖。

圖2為圖1所示的多晶硅碎料平臺的v形槽示意圖。

具體實施方式

下面結合圖1及圖2對本發(fā)明的多晶硅碎料平臺及碎料方法進行詳細說明。

請參見圖1，本發(fā)明的多晶硅碎料平臺包括多級分布的v形槽，本實施方式中，包括五級v形槽：第一v形槽20、第二v形槽22、第三v形槽24、第四v形槽26和第五v形槽28，五個v形槽形狀相同，沿著多晶硅棒料的長度方向依次排布。相鄰v形槽的間距為200到300毫米。間距可以根據多晶硅棒料尺寸和碎料要求等實際情況調整，當然，根據多晶硅棒料的長度，v形槽的個數(shù)可以適當增減，個數(shù)至少為兩個。

請同時參見圖2，v形槽整體高度為200毫米，每個v形槽包括用于卡放棒料的槽部201和位于槽部201下方的基部203，其中槽部201呈v形，頂角為120度左右，對于直徑為130到180毫米的棒料，可以穩(wěn)定夾持?；?03在棒料徑向的寬度為300毫米，在沿著多晶硅棒料長度方向上基部203的底部有加厚，成為一個底座，方便v形槽穩(wěn)定放置。v形槽采用碳化鎢材料制造，質地較硬，不易對多晶硅棒料造成材料污染。

使用上述多晶硅碎料平臺的多晶硅的碎料方法包括如下步驟：

準備步驟：根據多晶硅棒料的尺寸選定v形槽并按照預定間距依次設置，然后將多晶硅棒料放置在多晶硅碎料平臺上。

破碎步驟：用破碎錘在相鄰兩個v形槽之間的位置逐段敲擊多晶硅棒料，由于多級v形槽的存在，多晶硅棒料將會主要沿徑向碎裂，在兩個相鄰v形槽之間分段破碎，碎料更為均勻，更好符合碎料的規(guī)定尺寸。

包裝步驟：將破碎后的合格碎料采用手提式包裝袋包裝。本實施方式中，包裝為大小袋結合的雙層結構，小袋為內層，大袋為外層，兩層之間充滿氬氣，減少包裝運輸過程中的污染，保證純度。

本發(fā)明的多晶硅碎料平臺及碎料方法，采用多級v形槽結構，破碎時可以分段碎料，破碎更為均勻，容易控制尺寸，操作方便，而且本發(fā)明的破碎方法可以有效地減少多晶硅棒料碎料過程中的污染。

綜上所述，以上僅為本發(fā)明的較佳實施例而已，不應以此限制本發(fā)明的范圍。即凡是依本發(fā)明權利要求書及說明書內容所作的簡單的等效變化與修飾，皆應仍屬本發(fā)明專利涵蓋的范圍內。

技術特征：

技術總結
一種多晶硅碎料平臺，用于破碎多晶硅棒料，包括多級分布的V形槽，該多級分布的V形槽按照預定間距沿多晶硅棒料長度方向依次排布并承載夾持多晶硅棒料。本發(fā)明還提供了使用該多晶硅碎料平臺的碎料方法。本發(fā)明的多晶硅碎料平臺及碎料方法，采用多級V形槽結構，破碎時可以分段碎料，破碎更為均勻，容易控制尺寸，操作方便，而且本發(fā)明的破碎方法可以有效地減少多晶硅棒料碎料過程中的污染。

技術研發(fā)人員：齊林喜;郭金強
受保護的技術使用者：內蒙古盾安光伏科技有限公司
技術研發(fā)日：2016.02.23
技術公布日：2017.08.29