本實用新型涉及擴散源涂布裝置,具體地說是一種利用霧化法對擴散源進行涂布的裝置。
背景技術:
常見的晶體硅電池擴散形式為管式擴散,少數設備采用先在硅片表面制備擴散源再進入擴散爐中進行擴散。目前有采用噴涂工藝在硅片表面制備擴散源,例如申請?zhí)枮?00810000056.1的專利提供了一種擴散工藝中用于涂覆擴散源的裝置,其包括一個噴槍結構,利用高壓空氣將容器內的液態(tài)擴散源吸出并噴成霧狀涂覆于硅片表面,但是由于噴槍結構過于簡單,噴出的溶液多少差異較大,很容易造成涂覆溶液不均勻。申請?zhí)枮?01410809882.6的專利提供了一種硼擴散源雙面噴涂裝置及方法,其通過射流器對承載底座上的硅片進行噴涂,工藝連續(xù)性比較好,成本也比較低,但是同樣噴涂過程中噴涂速度比較快,水霧的量不容易控制,使得噴涂的均勻性較低。有將噴涂裝置運用到晶體硅電池流水生產線上,例如申請?zhí)枮?00820005020.8的專利提供了一種噴淋式擴散源輸送裝置,該裝置包括:石英擴散管和至少一根具有至少一個開孔的石英進氣管,待擴散基片放置在石英擴散管內的石英舟內,利用該裝置可以減小石英擴散管內雜質源濃度分布的差異,避免基片對氣流的運動產生阻擋。該裝置較普通管式擴散能改善擴散的均勻性,但是裝置復雜性與工藝復雜性造成了工藝耗時高、裝置維修難度高、工藝成本高。申請?zhí)枮?01510105059.1的專利提供了一種磷、硼液態(tài)源一次全擴散工藝,該工藝在雙面減薄后的硅片一面旋轉涂覆液態(tài)硼源,進行烘烤,然后再旋轉涂覆液態(tài)磷源,烘烤后進行疊片,磷源面和磷源面,硼源面和硼源面兩兩相對疊放在硅舟上進行一次全擴散。工藝簡單,均勻性也比較好,但是生產效率太低,難以滿足市場需求。因此,傳統(tǒng)的管式擴散以及基于管式擴散的改進類型均具有工藝復雜成本高等缺點;而以往的噴涂擴散源的擴散方式均工藝粗糙,噴涂均勻性較低。
技術實現要素:
本實用新型的目的就是提供一種利用霧化法對擴散源進行涂布的裝置,該裝置可將擴散源霧化為極小的液滴并沉積在硅片上,工藝簡單且沉積均勻性好,無污染能耗低,可應用于輥式擴散爐連續(xù)擴散。
本實用新型是這樣實現的:一種利用霧化法對擴散源進行涂布的裝置,包括溶液杯、霧化器、霧化氣體導管和霧化氣體緩沖器;所述溶液杯置于所述霧化器內,所述溶液杯用于盛放擴散源溶液,所述霧化器可將溶液杯內的擴散源溶液進行霧化;所述霧化氣體導管連接所述霧化器和所述霧化氣體緩沖器,擴散源溶液被霧化后所形成的霧化氣體可沿霧化氣體導管進入霧化氣體緩沖器內,由霧化氣體緩沖器出來的霧化氣體可涂布在硅片上。
所述霧化氣體導管的一端連接所述霧化器,所述霧化氣體導管的另一端通過倒置的錐形漏斗連接霧化氣體緩沖器頂部的開口;在所述霧化氣體緩沖器的底部開有可容納硅片的開口;硅片置于所述霧化氣體緩沖器的底部開口處,霧化氣體緩沖器內的霧化氣體可直接涂布在硅片上。
所述霧化氣體導管的一端連接所述霧化器,所述霧化氣體導管的另一端通過倒置的錐形漏斗連接霧化氣體緩沖器頂部的開口;在所述霧化氣體緩沖器的底部設置一噴嘴,硅片置于所述噴嘴下方,霧化氣體緩沖器內的霧化氣體經噴嘴后涂布在硅片上。
所述霧化器為超聲霧化器、空氣壓縮式霧化器或網式霧化器。
本實用新型中的霧化器可將擴散源溶液霧化成氣體,霧化氣體經霧化氣體導管進入霧化氣體緩沖器,霧化氣體緩沖器能夠緩和霧化氣體的噴出速度,因此通過霧化氣體緩沖器后的霧化氣體再涂布于硅片上,能夠保證涂布的均勻性,從而解決了現有噴涂均勻性差的問題,還解決了傳統(tǒng)管式擴散工藝復雜、連續(xù)性差的問題。
本實用新型給出了一種均勻性高的擴散源噴涂方式,且霧化沉積操作簡單、無污染、成本低,可與輥式擴散爐結合應用到生產線,具有廣闊的應用前景。
附圖說明
圖1是本實用新型的結構示意圖。
圖中:1、霧化器,2、溶液杯,3、霧化氣體導管,4、霧化氣體緩沖器,5、硅片,6、倒置的錐形漏斗。
具體實施方式
如圖1所示,本實用新型所提供的利用霧化法對擴散源進行涂布的裝置包括溶液杯2、霧化器1、霧化氣體導管3和霧化氣體緩沖器4。溶液杯2置于霧化器1內,溶液杯2用于盛放擴散源溶液,擴散源溶液例如可以是含有磷的化合物溶液或含有硼的化合物溶液;擴散源溶液可以為酸性溶液,也可以為堿性溶液;擴散源溶液可以為水溶液,也可以為醇溶液。霧化器1用于對溶液杯2內的擴散源溶液進行霧化以形成霧化氣體。霧化器1可以為超聲霧化器、空氣壓縮式霧化器或網式霧化器等。超聲霧化器是通過陶瓷霧化片的高頻諧振(頻率可以是千赫茲到兆赫茲),將液態(tài)分子結構打散而產生霧化氣體??諝鈮嚎s式霧化器是將高壓氣體由噴氣口噴出來沖擊溶液杯內的液體使其成為霧狀。網式霧化器是通過振動子的上下震動,通過噴嘴型的網式噴霧頭的孔穴將溶液擠出,利用微小的超聲波振動和網式噴霧頭構造來噴出霧化氣體。
霧化氣體緩沖器4是一個潔凈無污染的封閉容器,在其頂部開有可通入霧化氣體的開口。霧化氣體導管3的一端連接霧化器1,霧化氣體導管3的另一端通過倒置的錐形漏斗6連接霧化氣體緩沖器4頂部的開口。溶液杯2內的擴散源溶液被霧化后形成的霧化氣體經霧化氣體導管3進入霧化氣體緩沖器4內并充滿霧化氣體緩沖器4??稍陟F化氣體緩沖器4的底部設置一個較小的開口,并在該開口處接噴嘴,將硅片置于噴嘴下方,這樣,霧化氣體緩沖器4內的霧化氣體可由噴嘴噴出進而涂布在硅片上。還可以如圖1所示,在霧化氣體緩沖器4的底部設置一個跟硅片5大小相當、且能容納硅片5的開口,并將硅片5置于霧化氣體緩沖器4底部的開口處,這樣,霧化氣體緩沖器4內的霧化氣體會在硅片5上附著,形成一層均勻小液滴,即實現將擴散源溶液涂布在硅片上。通過控制霧化氣體在硅片上的沉積時間可控制硅片上液滴的厚度。