本實(shí)用新型涉及半導(dǎo)體技術(shù)領(lǐng)域，具體涉及一種透明光催化薄膜及半導(dǎo)體器件。

背景技術(shù)：

光催化材料是在光的作用下發(fā)生的光化學(xué)反應(yīng)所需的一類半導(dǎo)體催化劑材料，光催化材料的一個(gè)重要應(yīng)用就是自清潔和去除有機(jī)污染物，有機(jī)污染物包括：甲醛、苯、揮發(fā)性有機(jī)物、氨、氡等；通常，光催化材料的比表面積越大且顆粒越細(xì)，催化效果越好。然而，顆粒越細(xì)越容易團(tuán)聚，還會(huì)導(dǎo)致波粒二象性問題出現(xiàn)，影響光催化材料對(duì)光的吸收；而顆粒太大的光觸媒又不具有良好的光活性，這嚴(yán)重影響了光催化材料的自清潔和去除有機(jī)污染物的效果。

技術(shù)實(shí)現(xiàn)要素：

為了克服以上問題，本實(shí)用新型旨在提供一種透明光催化薄膜，使得該透明光催化薄膜上垂直生長(zhǎng)出極薄的連續(xù)納米材料薄膜，避免顆粒團(tuán)聚和波粒二象性問題。

為了達(dá)到上述目的，本實(shí)用新型一種透明光催化薄膜，包括：一透明襯底；垂直生長(zhǎng)于透明襯底上的納米網(wǎng)；納米網(wǎng)的平面與透明襯底垂直；所述納米網(wǎng)具有多個(gè)微鏤空結(jié)構(gòu)，且所述納米網(wǎng)的底部與透明襯底通過化學(xué)鍵相鍵合；納米網(wǎng)的材料為半導(dǎo)體光催化材料。

優(yōu)選地，所述納米網(wǎng)由納米線垂直于透明襯底生長(zhǎng)且相鄰納米線的側(cè)面相接觸形成納米薄膜，再經(jīng)納米薄膜刻蝕形成微鏤空區(qū)域。

優(yōu)選地，相接觸的所述納米線之間通過化學(xué)鍵相鍵合。

優(yōu)選地，納米線的直徑即為所述納米網(wǎng)的厚度。

優(yōu)選地，所述納米網(wǎng)的厚度不大于10nm。

優(yōu)選地，所述納米網(wǎng)的厚度不大于5納米。

優(yōu)選地，所述透明襯底為單層石墨烯薄膜。

優(yōu)選地，所述光催化材料為寬帶隙半導(dǎo)體光催化材料。

優(yōu)選地，所述寬帶隙半導(dǎo)體光催化材料為所述鈦合金納米線和/或鋅合金納米線。

優(yōu)選地，所述鈦合金納米線為二氧化鈦納米線，所述鋅合金納米線為氧化鋅納米線。

優(yōu)選地，所述微鏤空結(jié)構(gòu)為納米級(jí)微孔。

優(yōu)選地，相鄰的所述微鏤空結(jié)構(gòu)之間的間距不大于10nm。

為了達(dá)到上述目的，本實(shí)用新型還提供了一種半導(dǎo)體器件，其包括上述的透明光催化薄膜。

本實(shí)用新型的透明光催化薄膜，通過在透明襯底上垂直生長(zhǎng)于透明襯底上的納米網(wǎng)；納米網(wǎng)的平面與透明襯底垂直；由半導(dǎo)體光催化材料構(gòu)成的納米網(wǎng)具有多個(gè)鏤空結(jié)構(gòu)，且納米網(wǎng)的底部與透明襯底通過化學(xué)鍵相鍵合，該具有透明襯底和垂直納米網(wǎng)的三維結(jié)構(gòu)，由于納米網(wǎng)的厚度為納米線的直徑，通過控制納米線的直徑和長(zhǎng)度，即可使得納米網(wǎng)具有透明性質(zhì)，這樣，納米網(wǎng)的厚度和/或高度都非常微小，可以打破傳統(tǒng)光催化材料顆粒越小導(dǎo)致的團(tuán)聚、波粒二象性的問題，再加上納米網(wǎng)具有微鏤空結(jié)構(gòu)，進(jìn)一步增加了納米網(wǎng)的比表面積，提高了光催化效率，同時(shí)這種納米網(wǎng)結(jié)構(gòu)中，當(dāng)微鏤空結(jié)構(gòu)做到納米級(jí)時(shí)，還可以具有較高的分子過濾能力，此外，這種納米網(wǎng)結(jié)構(gòu)還可以應(yīng)用于氣體探測(cè)領(lǐng)域。

附圖說明

圖1為本實(shí)用新型的實(shí)施例一的透明光催化薄膜的俯視結(jié)構(gòu)示意圖

圖2為本實(shí)用新型的實(shí)施例一的透明光催化薄膜的截面結(jié)構(gòu)示意圖

圖3為本實(shí)用新型的實(shí)施例二的透明光催化薄膜的制備方法的流程示意圖

圖4-6為本實(shí)用新型的實(shí)施例二的透明光催化薄膜的制備方法的各步驟示意圖

圖7-9為本實(shí)用新型的實(shí)施例二的納米薄膜生長(zhǎng)過程的各步驟示意圖

圖10-11為本實(shí)用新型的實(shí)施例二的一維納米線陣列的制備過程的各步驟示意圖

圖12-14為本實(shí)用新型的實(shí)施例二的一維納米線陣列的制備過程的各步驟示意圖

具體實(shí)施方式

為使本實(shí)用新型的內(nèi)容更加清楚易懂，以下結(jié)合說明書附圖，對(duì)本實(shí)用新型的內(nèi)容作進(jìn)一步說明。當(dāng)然本實(shí)用新型并不局限于該具體實(shí)施例，本領(lǐng)域內(nèi)的技術(shù)人員所熟知的一般替換也涵蓋在本實(shí)用新型的保護(hù)范圍內(nèi)。

實(shí)施例一

以下結(jié)合附圖1-2和具體實(shí)施例對(duì)本實(shí)用新型作進(jìn)一步詳細(xì)說明。需說明的是，附圖均采用非常簡(jiǎn)化的形式、使用非精準(zhǔn)的比例，且僅用以方便、清晰地達(dá)到輔助說明本實(shí)施例的目的。

請(qǐng)參閱圖1和圖2，本實(shí)施例的透明光催化薄膜包括：一透明襯底101；垂直生長(zhǎng)于透明襯底101上的納米網(wǎng)(虛線框內(nèi)所示)；本實(shí)施例中以透明襯底101上一列納米線陣列為例進(jìn)行說明，但這不用于限制本實(shí)用新型的保護(hù)范圍。納米網(wǎng)(虛線框內(nèi)所示)的平面與透明襯底101垂直；納米網(wǎng)具有多個(gè)微鏤空結(jié)構(gòu)103，且納米網(wǎng)的底部與透明襯底101通過化學(xué)鍵相鍵合；納米網(wǎng)的材料為半導(dǎo)體光催化材料。本實(shí)施例中，微鏤空結(jié)構(gòu)103呈交替相錯(cuò)的陣列排布，微鏤空結(jié)構(gòu)103可以位于納米網(wǎng)的納米線102的側(cè)壁相接觸處，也可以位于納米線102上。這里的納米網(wǎng)是由納米線102垂直于透明襯底101生長(zhǎng)且相鄰納米線102的側(cè)面相接觸形成納米薄膜，再經(jīng)納米薄膜刻蝕形成微鏤空區(qū)域103。同時(shí)，相接觸的納米線102之間通過化學(xué)鍵相鍵合，由于相鄰納米線102的側(cè)面生長(zhǎng)過程中相接觸而會(huì)導(dǎo)致在相鄰納米線102界面處一定程度的繼續(xù)生長(zhǎng)，從而這些相接觸的納米線102之間由于有這些化學(xué)鍵的結(jié)合而較為牢固，從而構(gòu)成一張納米薄膜。這里，納米線102的直徑即為納米網(wǎng)的厚度，可以通過控制生長(zhǎng)工藝比如時(shí)間、溫度等來(lái)控制相鄰納米線102相接觸時(shí)的直徑，從而形成所需厚度的納米薄膜；同時(shí)還可以通過控制生長(zhǎng)工藝來(lái)控制納米薄膜的高度，從而得到較薄且較矮的納米薄膜，以提高納米薄膜的比表面積和光催化活性，同時(shí)還可以避免納米薄膜過厚或者過高降低整個(gè)透明光催化薄膜的透明度。較佳的，納米網(wǎng)的厚度不大于10nm，例如為5-7nm。

本實(shí)施例的透明襯底101可以為單層石墨烯薄膜、導(dǎo)電或不導(dǎo)電柔性透明襯底，例如ITO薄膜、FTO薄膜等。

本實(shí)施例中，由于納米網(wǎng)需要具有光催化性能才能夠?qū)崿F(xiàn)透明光催化薄膜的光催化能力，因此，納米網(wǎng)的材料為半導(dǎo)體光催化材料。較佳的，光催化材料為寬帶隙光催化材料。相應(yīng)的，納米線102也可以為寬帶隙半導(dǎo)體納米線，例如，鈦合金納米線或鋅合金納米線，而且，這兩種合金材料的成本較低，更加有利于大規(guī)?；a(chǎn)。其中，鈦合金納米線可以選擇為二氧化鈦納米線，鋅合金納米線可以選擇為氧化鋅納米線；二氧化鈦納米線的晶型可以為鈣鈦礦型或金紅石型，氧化鋅納米線的晶型為六面體結(jié)構(gòu)。

需要說明的是，納米線側(cè)壁相接觸時(shí)，納米線側(cè)壁之間發(fā)生融合，例如，若納米線為二氧化鈦材料，則相鄰納米線側(cè)壁之間發(fā)生融合。

本實(shí)施例中，微鏤空結(jié)構(gòu)103可以為納米級(jí)微孔，較佳的，納米級(jí)微孔可以不大于10nm，優(yōu)選地，不大于5nm；較佳的，相鄰的微鏤空結(jié)構(gòu)103之間的間距不大于10nm。微鏤空結(jié)構(gòu)103的設(shè)置，不僅增加了納米網(wǎng)的比表面積，還提高了納米網(wǎng)的吸附效率，同時(shí)，微鏤空結(jié)構(gòu)103所形成的納米網(wǎng)從另一種角度來(lái)講，相當(dāng)于在納米網(wǎng)是多個(gè)更小的納米結(jié)構(gòu)構(gòu)成的，從而進(jìn)一步增加了納米網(wǎng)的光催化效果。需要說明的是，本實(shí)用新型的微鏤空結(jié)構(gòu)不限于本實(shí)施例的納米級(jí)微孔，形狀不限于圓形，還可以為其它形狀，比如：正多邊形、不規(guī)則圖形等均可，本實(shí)用新型對(duì)此不作限制。

此外，納米網(wǎng)還可以用于過濾、氣體探測(cè)。當(dāng)微鏤空結(jié)構(gòu)103為納米級(jí)微孔，特別是相鄰的微鏤空結(jié)構(gòu)103之間的間距不大于10nm時(shí)，還可以用于較大分子的過濾。

實(shí)施例二

以下結(jié)合附圖3-14和具體實(shí)施例對(duì)本實(shí)用新型作進(jìn)一步詳細(xì)說明。需說明的是，附圖均采用非常簡(jiǎn)化的形式、使用非精準(zhǔn)的比例，且僅用以方便、清晰地達(dá)到輔助說明本實(shí)施例的目的。

請(qǐng)參閱圖3，本實(shí)施例中以透明襯底上一列納米線陣列為例進(jìn)行說明，但這不用于限制本實(shí)用新型的保護(hù)范圍。本實(shí)施例中，上述實(shí)施例一的透明光催化薄膜的制備方法包括：

步驟01：請(qǐng)參閱圖4，提供一透明襯底101；

步驟02：請(qǐng)參閱圖5，在透明襯底101上生長(zhǎng)納米薄膜(虛線框內(nèi)所示)；所生長(zhǎng)的納米薄膜所在平面垂直于透明襯底101，納米網(wǎng)的底部與透明襯底101通過化學(xué)鍵相鍵合；化學(xué)鍵為納米網(wǎng)材料成分中的原子與透明襯底101的材料成分的原子之間的鍵合，例如，納米網(wǎng)材料為二氧化鈦，透明襯底101的材料為石墨烯，則二氧化鈦的鈦原子和/或或氧原子與石墨烯的碳原子相鍵合得到Ti-C鍵和/或C-O鍵。

步驟03：請(qǐng)參閱圖6，在納米薄膜(虛線框內(nèi)所示)上刻蝕出多個(gè)微鏤空結(jié)構(gòu)103。這里，可以采用等離子體刻蝕技術(shù)或激光蝕刻來(lái)刻蝕出微鏤空結(jié)構(gòu)103。

具體的，本實(shí)施例的步驟02中納米薄膜的生長(zhǎng)過程可以包括：

步驟021，請(qǐng)參閱圖7，在透明襯底101上制備一維納米種子陣列201；例如，鈦酸種子溶液或醋酸鋅種子溶液，這是本領(lǐng)域技術(shù)人員可以知曉的，這里不再贅述。

步驟022，請(qǐng)參閱圖8，以納米種子陣列201為基，每顆納米種子曲向生長(zhǎng)出納米線202，從而形成納米線陣列；這里，可以采用化學(xué)氣相沉積法、水溶液法、或電化學(xué)鍍法來(lái)生長(zhǎng)納米線202。例如，采用水熱法來(lái)制備二氧化鈦納米線，溶液濃度為0.04M前驅(qū)體溶液置于反應(yīng)釜中，在100～150℃的溫度下，恒溫生長(zhǎng)01～0.5小時(shí)，最后可得到直徑小于10nm的二氧化鈦納米線。再例如，采用水熱法來(lái)制備氧化鋅納米線，溶液濃度為0.05M前驅(qū)體溶液置于反應(yīng)釜中，在90～140℃的溫度下，恒溫生長(zhǎng)01～0.5小時(shí)，最后可得到直徑小于10nm的氧化鋅納米線。關(guān)于納米線的制備也是本領(lǐng)域的常規(guī)技術(shù)，是本領(lǐng)域技術(shù)人員可以知曉的，這里不再贅述。

步驟023，請(qǐng)參閱圖9，相鄰納米線的側(cè)面相互接觸，從而形成垂直于透明襯底的納米薄膜。步驟023中的納米線203的直徑均大于步驟022中的納米線202的直徑，步驟023中的納米線203的長(zhǎng)度均大于步驟022中的納米線202的長(zhǎng)度，例如，再繼續(xù)上述生長(zhǎng)條件不變，延長(zhǎng)生長(zhǎng)時(shí)間0.1～0.5小時(shí)，使得納米線橫向生長(zhǎng)接觸，從而形成所需的二氧化鈦納米薄膜或氧化鋅納米薄膜。納米線的生長(zhǎng)工藝可以采用常規(guī)方法，例如，可以通過其它條件不變，延長(zhǎng)生長(zhǎng)時(shí)間，或者通過兩步不同的生長(zhǎng)溫度或前驅(qū)體濃度來(lái)實(shí)現(xiàn)納米線的縱向生長(zhǎng)和橫向生長(zhǎng)。

需要強(qiáng)調(diào)的，本實(shí)施例的垂直于透明襯底生長(zhǎng)的納米薄膜的方式，改變了傳統(tǒng)的納米薄膜平行形成于襯底上的方式，打破了納米薄膜只能平行于襯底的觀念。這種垂直于襯底的納米薄膜的結(jié)構(gòu)，必將在半導(dǎo)體領(lǐng)域得到更多的應(yīng)用。

這里，實(shí)現(xiàn)納米線側(cè)壁相互接觸時(shí)納米線直徑的可控可以采取如下方式：

首先，可以通過大量的實(shí)驗(yàn)得到其它條件不變時(shí)，在前驅(qū)體溶液濃度不變條件下納米線縱向平均生長(zhǎng)速率和橫向平均生長(zhǎng)速率；以及在其它條件不變時(shí)，在前驅(qū)體溶液濃度不同如濃度M1或M2的條件下納米線縱向平均生長(zhǎng)速率和橫向平均生長(zhǎng)速率；同理，也可以得到不同溫度P1或P2條件下的納米線縱向平均生長(zhǎng)速率和橫向平均生長(zhǎng)速率。

然后，根據(jù)所求得的平均生長(zhǎng)速率，在相應(yīng)的生長(zhǎng)環(huán)境條件下，設(shè)定納米線的目標(biāo)直徑D和目標(biāo)長(zhǎng)度L；

接著，根據(jù)目標(biāo)直徑D，在透明襯底上設(shè)置納米線的位置，納米線的位置也即是種子的位置；種子的理論間距也為D，在實(shí)際工藝中，會(huì)出現(xiàn)多個(gè)種子聚集情況，只要在D的范圍內(nèi)具有至少一個(gè)種子即可，這樣，如果形成一維連續(xù)納米種子膜即可實(shí)現(xiàn)；而且，也可以采用模板和刻蝕工藝相結(jié)合，具體的一維納米種子陣列的制備將在后續(xù)具體描述。

然后，關(guān)于步驟22和步驟23的生長(zhǎng)時(shí)間以及直徑的計(jì)算可以采用如下過程：

一種方法是：設(shè)定將D/平均縱向生長(zhǎng)速率得到所需時(shí)間t1，將L/平均橫向生長(zhǎng)速率得到所需時(shí)間t2，考慮到所需納米線直徑是決定納米網(wǎng)厚度的主要因素，無(wú)論t1和t2的大小如何，所選擇的實(shí)際生長(zhǎng)時(shí)間t應(yīng)大于或等于時(shí)間t1；在納米線生長(zhǎng)環(huán)境不變的前提下，實(shí)質(zhì)上步驟022和步驟023是一個(gè)連續(xù)的過程，只需設(shè)置納米線的總生長(zhǎng)時(shí)間為t即可。

另一種方法是：可以在其它條件不變時(shí)，根據(jù)在前驅(qū)體溶液濃度不同的條件下納米線縱向平均生長(zhǎng)速率和橫向平均生長(zhǎng)速率，利用設(shè)定納米線的目標(biāo)直徑D和目標(biāo)長(zhǎng)度L，分別選擇用于步驟022和步驟023的前驅(qū)體濃度，并計(jì)算相應(yīng)的生長(zhǎng)時(shí)間，此時(shí)，步驟022的前驅(qū)體溶液的濃度設(shè)為M1，生長(zhǎng)時(shí)間設(shè)為T1；步驟023的前驅(qū)體溶液的濃度設(shè)為M2，則根據(jù)在濃度M1下的納米線縱向平均生長(zhǎng)速率V1(可以由之前的大量實(shí)驗(yàn)得到)，得到步驟022完成后納米線的直徑D1＝V1*T1；再將目標(biāo)直徑D-D1，得到直徑差值D2，然后，根據(jù)在濃度M2下的納米線縱向平均生長(zhǎng)速率V2(可以由之前的大量實(shí)驗(yàn)得到)，得到步驟023所需的生長(zhǎng)時(shí)間T2＝D2/V2。該情況下，較佳的，所選擇的前驅(qū)體溶液濃度M1＜M2，使得步驟023的橫向生長(zhǎng)時(shí)間縮短。

再一種方法是：可以在其它條件不變時(shí)，根據(jù)在生長(zhǎng)溫度不同的條件下納米線縱向平均生長(zhǎng)速率和橫向平均生長(zhǎng)速率，利用設(shè)定納米線的目標(biāo)直徑D和目標(biāo)長(zhǎng)度L，分別選擇用于步驟022和步驟023的前驅(qū)體濃度，并計(jì)算相應(yīng)的生長(zhǎng)時(shí)間，此時(shí)，步驟022的生長(zhǎng)溫度設(shè)為P1，生長(zhǎng)時(shí)間設(shè)為T1；步驟023的生長(zhǎng)溫度設(shè)為P2，則根據(jù)在生長(zhǎng)溫度P1下的納米線縱向平均生長(zhǎng)速率V1(可以由之前的大量實(shí)驗(yàn)得到)，得到步驟022完成后納米線的直徑D1＝V1*T1；再將目標(biāo)直徑D-D1，得到直徑差值D2，然后，根據(jù)在生長(zhǎng)溫度P2下的納米線縱向平均生長(zhǎng)速率V2(可以由之前的大量實(shí)驗(yàn)得到)，得到步驟023所需的生長(zhǎng)時(shí)間T2＝D2/V2。該情況下，較佳的，所選擇的生長(zhǎng)溫度P1＜P2，使得步驟023的橫向生長(zhǎng)時(shí)間縮短。

需要說明的是，關(guān)于種子層的制備、納米線的縱向生長(zhǎng)和橫向生長(zhǎng)的具體工藝均是本領(lǐng)域技術(shù)人員可以知曉的。

下面詳細(xì)描述其中一列一維納米種子陣列的制備過程。

本實(shí)施例中，其中至少有一列一維納米種子陣列的制備可以包括：

首先，請(qǐng)參閱圖10，在透明襯底上形成納米種子前驅(qū)體溶液，干燥后形成納米種子薄膜301；這里，各種納米種子前驅(qū)體因納米材料的不同而不同，例如，氧化鋅納米種子的前驅(qū)體溶液可以為醋酸鋅溶液，二氧化鈦納米種子的前驅(qū)體溶液可以為氯化鈦溶液等等，這是本領(lǐng)域技術(shù)人員可以知曉的，這里不再贅述。

其次，請(qǐng)參閱圖11，采用激光誘導(dǎo)技術(shù)在納米種子薄膜301上劃出納米級(jí)痕跡，納米級(jí)痕跡區(qū)域(圖11中虛線框所示)誘導(dǎo)出納米種子陣列302。這里，納米級(jí)痕跡的線寬可以等于或大于納米種子的直徑，納米種子陣列302所在區(qū)域的寬度等于納米級(jí)痕跡的線寬。較佳的，納米級(jí)痕跡的線寬不超過5nm，進(jìn)一步的，納米級(jí)痕跡的線寬可以更小例如不超過1nm，從而使得生長(zhǎng)出的納米種子的直徑不超過5nm甚至1nm，以及后續(xù)生長(zhǎng)出的納米線的直徑不至于過大，甚至在5nm以下。需要說明的是，由于激光誘導(dǎo)的納米級(jí)痕跡是連續(xù)的且線寬超細(xì)，使得納米種子陣列中的種子間距和種子直徑均小于納米級(jí)痕跡的線寬。

此外，本實(shí)施例中，其中至少有一列一維納米種子陣列的制備還可以采用以下步驟：

首先，請(qǐng)參閱圖12，在透明襯底上形成一層掩膜401；

然后，請(qǐng)參閱圖13，對(duì)掩膜401進(jìn)行光刻和/或刻蝕形成一道納米級(jí)開口402；這里，當(dāng)掩膜401的材料為光敏感性材料時(shí)，可以采用光刻工藝在掩膜401上刻蝕出一道納米級(jí)開口402；當(dāng)掩膜401的材料為無(wú)機(jī)材料時(shí)，可以采用光刻和刻蝕工藝或者僅采用各向異性刻蝕工藝來(lái)在掩膜401上刻蝕出一道納米級(jí)開口402。關(guān)于該納米級(jí)開口402的形成，采用現(xiàn)有光刻工藝已經(jīng)可以做到10nm，7nm以下包括7nm、5nm、3nm技術(shù)采用多次重復(fù)曝光和極紫外線光刻(EUV)技術(shù)是可以實(shí)現(xiàn)的。因此，本實(shí)施例的納米級(jí)開口402可以做到10nm以下的線寬，納米種子的直徑和間距以及所形成的納米線的直徑也是極微小的，本實(shí)施例的納米薄膜和納米網(wǎng)有望大規(guī)模的生產(chǎn)和應(yīng)用。

最后，請(qǐng)參閱圖14，并結(jié)合圖13，在納米級(jí)開口402所暴露的透明襯底上形成納米種子陣列403。這里，可以采用物理氣相沉積法、溶膠凝膠法、噴涂法、電鍍法、磁控濺射法在納米級(jí)開口所暴露的透明襯底上形成納米種子陣列403；或者將種子溶液旋涂或滴在納米級(jí)開口402所暴露的透明襯底上后干燥形成納米種子陣列403。關(guān)于納米種子陣列403的形成可以采用常規(guī)工藝，針對(duì)不同的納米材料所采用不同的納米材料的前驅(qū)體溶液來(lái)制備，通常為旋涂法、滴注法將納米種子前驅(qū)體溶液形成于納米級(jí)開口中，經(jīng)惰性氣體例如氮?dú)獯蹈?，形成納米種子前驅(qū)體膜，經(jīng)低溫加熱例如不高于100℃的溫度即可使得納米種子前驅(qū)體膜上結(jié)晶出納米種子陣列，這也是本領(lǐng)域技術(shù)人員可以知曉的，這里不再贅述。由于納米級(jí)開口402的線寬極細(xì)，使得納米種子的直徑和間距都較小，從而使得形成的納米線的直徑、納米薄膜的厚度以及納米網(wǎng)的厚度都在納米級(jí)例如在10nm以下，從而得到了尺寸極小的納米網(wǎng)，具有較高的比表面積，還抑制了現(xiàn)有的極細(xì)的納米顆粒團(tuán)聚和波粒二象性問題，因此，本實(shí)施例的透明光催化薄膜具有較高的光催化效率和良好的透明度，可以應(yīng)用于所有需要透明材質(zhì)的領(lǐng)域，例如窗戶、屏幕、透明玻璃上，當(dāng)然這些透明的材質(zhì)可以作為透明光催化薄膜的透明襯底，不僅可以透光，還可以作為分子篩進(jìn)行分子級(jí)的過濾、殺菌、消除有害氣體，還可以進(jìn)行氣體探測(cè)應(yīng)用于氣敏傳感器中，以及應(yīng)用于醫(yī)療、生物領(lǐng)域等。

雖然本實(shí)用新型已以較佳實(shí)施例揭示如上，然所述實(shí)施例僅為了便于說明而舉例而已，并非用以限定本實(shí)用新型，本領(lǐng)域的技術(shù)人員在不脫離本實(shí)用新型精神和范圍的前提下可作若干的更動(dòng)與潤(rùn)飾，本實(shí)用新型所主張的保護(hù)范圍應(yīng)以權(quán)利要求書所述為準(zhǔn)。