本發(fā)明涉及凈化設備領域，特別是涉及一種光催化膜、光催化模塊和光催化凈化裝置。

背景技術：

光催化是在一定波長光照條件下,半導體材料發(fā)生光生載流子的分離,然后光生電子和空穴再與離子或分子結合生成具有氧化性或還原性的活性自由基,這種活性自由基能將有機物大分子降解為二氧化碳或其他小分子有機物以及水,在反應過程中這種半導體材料也就是光催化劑本身不發(fā)生變化。光催化技術作為一種高效、安全的環(huán)境友好型環(huán)境凈化技術，對室內空氣質量的改善已得到國際學術界的認可。但是現(xiàn)有的光催化凈化裝置，都是使用光催化網格，光催化網格需要體積較大，而且影響光催化的有效利用。

技術實現(xiàn)要素：

為解決上述的問題，本發(fā)明提供了一種光催化膜、光催化模塊和光催化凈化裝置，光觸媒直接噴涂，能直接形成光催化膜，節(jié)省體積，能更容易實現(xiàn)光催化。

本發(fā)明所采取的技術方案是：一種光催化膜，包括至少一層以上噴涂而成的光催化膜層；每層光催化膜層的成分都包括塑粉和光觸媒。

在該種光催化膜中，光催化膜層的塑粉含量由內至外每層逐漸減少，既保證光催化膜的附著力，也能增加光催化膜表面的光觸媒含量，保證了光催化效果。

在該種光催化膜中，每層光催化膜層噴涂后都進行烘干，以保證每層光催化膜層的附著力。

在該種光催化膜中，第一層光催化膜層噴涂前，對待噴涂表面進行預處理，預處理方式包括酸洗、堿洗和磷化，以保證不影響光催化膜的附著力和光催化效果。

本發(fā)明還公開了一種光催化模塊，包括光催化模架和uv燈組；uv燈組設在光催化模架內，光催化模架表面覆蓋有上述的光催化膜，以實現(xiàn)光催化降解功能。

在該種光催化模塊中，光催化模架表面為網格，不但能保證uv燈組透光，而且光催化膜的覆蓋面最大化。

在該種光催化模塊中，uv燈組包括第一uv燈和第二uv燈，能設置不同波長的uv燈，進行不同程度的光催化凈化。

在該種光催化模塊中，第一uv燈的波長為175nm-195nm，第二uv燈的波長為244nm-264nm，保證了兩種波長的第一uv燈和第二uv燈凈化效果而且能互相配合。

本發(fā)明還公開了一種光催化凈化裝置，包括了光催化箱和上述的光催化模塊；至少一個以上的光催化模塊設在光催化箱上。

在該種光催化凈化裝置中，光催化箱設有至少一個以上的放置槽位，以方便拆裝光催化模塊。

本發(fā)明的有益效果是：

該種光催化膜,每層光催化膜層的成分都包括塑粉和光觸媒，既保證光催化膜的附著力，增加光觸媒和氣體的接觸面，增強光催化效果，而且不占用空間；

該種光催化模塊，應用了上述的光催化膜，不但減少了體積，保證了光催化效果，更能有效利用；

該種光催化凈化裝置，應用上述的光催化模塊，不但能夠減少了體積，還能夠調整光催化模塊的數量來調節(jié)光催化效果，實用性更強。

附圖說明

圖1是本發(fā)明的實施例一光催化膜截面圖；

圖2是本發(fā)明的實施例二光催化膜截面圖；

圖3是本發(fā)明的實施例三光催化模塊截面圖；

圖4是本發(fā)明的實施例四光催化凈化裝置側視圖。

具體實施方式

下面結合附圖對本發(fā)明作進一步詳細的說明。

實施例一：

圖1示意性地顯示了根據本發(fā)明的一種實施方式的一種光催化膜。

該種光催化膜1，包括噴涂而成的第一光催化膜層11和第二光催化膜層12，第一光催化膜層11和第二光催化膜層12由內至外噴涂。第一光催化膜層11和第二光催化膜層12的成分都包括塑粉和光觸媒。第一光催化膜層11的塑粉含量占比為60％，第二光催化膜層12的塑粉含量占比為40％，光催化膜層的塑粉含量由內至外每層逐漸減少，既保證光催化膜的附著力，也能增加光催化膜表面的光觸媒含量，保證了光催化效果。

上述的，第一光催化膜層11和第二光催化膜層12噴涂前，對待噴涂表面進行預處理，預處理方式包括酸洗、堿洗和磷化，以保證不影響光催化膜的附著力和光催化效果。

上述的，第一光催化膜層11和第二光催化膜層12噴涂后都進行烘干，以保證第一光催化膜層11和第二光催化膜層12的附著力。

光催化膜1在一定波長的光線照射下受激生成電子，光催化膜表面吸附的水產生氫氧自由基，電子使其周圍的氧還原成活性離子氧，從而具備極強的氧化還原作用，將光觸媒表面的各種污染物摧毀，從而在空氣凈化效果。

實施例二：

圖2示意性地顯示了根據本發(fā)明的一種實施方式的另一種光催化膜。

該種光催化膜1，包括噴涂而成的第一光催化膜層11、第二光催化膜層12和第三光催化膜層13，第一光催化膜層11、第二光催化膜層12和第三光催化膜層13由內至外噴涂。第一光催化膜層11、第二光催化膜層12和第三光催化膜層13的成分都包括塑粉和光觸媒。第一光催化膜層11的塑粉含量占比為60％，第二光催化膜層12的塑粉含量占比為40％，第二光催化膜層13的塑粉含量占比為20％，光催化膜層的塑粉含量由內至外每層逐漸減少，既保證光催化膜的附著力，也能增加光催化膜表面的光觸媒含量，保證了光催化效果。

上述的，第一光催化膜層11、第二光催化膜層12和第三光催化膜層13噴涂前，對待噴涂表面進行預處理，預處理方式包括酸洗、堿洗和磷化，以保證不影響光催化膜的附著力和光催化效果。

上述的，第一光催化膜層11、第二光催化膜層12和第三光催化膜層13噴涂后都進行烘干，以保證每層光催化膜層的附著力。

光催化膜1在一定波長的光線照射下受激生成電子，光催化膜表面吸附的水產生氫氧自由基，電子使其周圍的氧還原成活性離子氧，從而具備極強的氧化還原作用，將光催化劑表面的各種污染物摧毀，從而在空氣凈化效果。

實施例三：

圖3示意性地顯示了根據本發(fā)明的一種實施方式的一種光催化模塊。

該種光催化模塊2，包括光催化模架21和uv燈組22。

光催化模架21為中空矩形架，預留uv燈組安裝位置；光催化模架21表面為網狀，光催化模架21的表面覆蓋有實施例一或實施例二所述的光催化膜1，不但能保證uv燈組22透光，而且光催化膜1的覆蓋面最大化。

uv燈組22設在光催化模架21內，以實現(xiàn)光催化降解功能；uv燈組21包括第一uv燈221和第二uv燈222，第一uv燈221和第二uv燈222并列設置，第一uv燈221和第二uv燈222連接在一起，能設置不同波長的uv燈，進行不同程度的光催化凈化。第一uv燈221的波長為185nm，第二uv燈222的波長為254nm，保證了兩種波長的第一uv燈221和第二uv燈222凈化效果而且能互相配合。

實施例四：

圖4示意性地顯示了根據本發(fā)明的一種實施方式的一種光催化凈化裝置。

該種光催化凈化裝置，包括光催化箱3和光催化模塊2。

光催化箱3設有三個放置槽位31；放置槽位31是在光催化箱3開設的一對通孔形成的，光催化模塊2剛好可以架設在這對通孔之間，這種放置槽位31容易實現(xiàn)，便于制造，而且不會遮擋光催化模塊2的催化面積，保證了光催化模塊2的凈化效果。

光催化模塊2為實施例三所述的光催化模塊2，光催化模塊2具有3個，光催化模塊2一一對應設在光催化箱3的放置槽位31上，實現(xiàn)光催化功能，而且光催化模塊2的數量可以根據所需的過濾效果來設定。

該種光催化凈化裝置維護簡單，無耗材，只需將光催化模塊2取出定期清洗即可。

以上的實施例只是在于說明而不是限制本發(fā)明，故凡依本發(fā)明專利申請范圍所述的方法所做的等效變化或修飾，均包括于本發(fā)明專利申請范圍內。