本發(fā)明涉及將處理對象氣體所包含的voc除去的voc除去裝置。

背景技術(shù)：

1、以往，已知有具備對揮發(fā)性有機(jī)化合物（voc：volatile?organic?compound）進(jìn)行吸附的蜂窩型的voc吸附轉(zhuǎn)子的voc除去裝置（參照專利文獻(xiàn)1）。以往的voc吸附轉(zhuǎn)子使用陶瓷、玻璃等作為基材，擔(dān)載有吸附voc的吸附劑。

2、在voc吸附轉(zhuǎn)子中，設(shè)置有進(jìn)行處理對象氣體所包含的voc的吸附的吸附區(qū)、使被加熱的氣體通過由此使在吸附區(qū)被吸附的voc脫離的脫離區(qū)、以及對在脫離區(qū)被加熱的voc吸附轉(zhuǎn)子進(jìn)行冷卻的冷卻區(qū)。即，voc吸附轉(zhuǎn)子在旋轉(zhuǎn)一圈的期間，在吸附區(qū)進(jìn)行voc的吸附，在脫離區(qū)進(jìn)行voc的脫離，在冷卻區(qū)被冷卻。而且，構(gòu)成為再次在吸附區(qū)進(jìn)行voc的吸附。

3、在先技術(shù)文獻(xiàn)

4、專利文獻(xiàn)

5、專利文獻(xiàn)1：日本特開2016-77969號公報

技術(shù)實現(xiàn)思路

1、發(fā)明要解決的問題

2、以往的voc除去裝置為了通過加熱而使在voc吸附轉(zhuǎn)子的吸附區(qū)被吸附的voc脫離，而對氣體進(jìn)行加熱，使得被加熱的氣體通過脫離區(qū)，因此不能說用于使voc脫離的能量效率高，有改善的余地。

3、本發(fā)明是解決上述問題的發(fā)明，其目的在于，提供一種能夠以高能量效率將吸附于voc吸附轉(zhuǎn)子的voc除去的voc除去裝置。

4、用于解決問題的技術(shù)方案

5、本發(fā)明的voc除去裝置的特征在于，具備：

6、voc吸附轉(zhuǎn)子，具備擔(dān)載用于吸附voc的吸附劑的蜂窩構(gòu)造體；

7、一對電極，相對于所述voc吸附轉(zhuǎn)子，配置在所述voc吸附轉(zhuǎn)子的旋轉(zhuǎn)軸的延伸方向的兩外側(cè)，并且配置在與所述蜂窩構(gòu)造體接觸的位置；和

8、電壓施加裝置，能夠?qū)λ鲆粚﹄姌O施加電壓，

9、所述蜂窩構(gòu)造體包含金屬，

10、所述一對電極配置在設(shè)置于所述voc吸附轉(zhuǎn)子的吸附區(qū)、脫離區(qū)以及冷卻區(qū)之中的所述脫離區(qū)，所述吸附區(qū)用于使處理對象氣體通過從而吸附所述處理對象氣體所包含的voc，所述脫離區(qū)用于使在所述吸附區(qū)被吸附的voc脫離，所述冷卻區(qū)用于對所述蜂窩構(gòu)造體進(jìn)行冷卻。

11、發(fā)明效果

12、根據(jù)本發(fā)明的voc除去裝置，若由電壓施加裝置對配置在脫離區(qū)的一對電極施加電壓，則電流流過包含金屬的voc吸附轉(zhuǎn)子的蜂窩構(gòu)造體，產(chǎn)生焦耳熱。由此，能夠在脫離區(qū)中對蜂窩構(gòu)造體直接加熱，能夠以高能量效率使所吸附的voc脫離。

技術(shù)特征：

1.一種voc除去裝置，其特征在于，具備：

2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的voc除去裝置，其特征在于，

3.根據(jù)權(quán)利要求1或2所述的voc除去裝置，其特征在于，

4.根據(jù)權(quán)利要求1或2所述的voc除去裝置，其特征在于，

5.根據(jù)權(quán)利要求1至4中任一項所述的voc除去裝置，其特征在于，

6.根據(jù)權(quán)利要求1至5中任一項所述的voc除去裝置，其特征在于，

技術(shù)總結(jié)
本發(fā)明提供一種能夠以高能量效率將吸附于VOC吸附轉(zhuǎn)子的VOC除去的VOC除去裝置。具備：VOC吸附轉(zhuǎn)子（10），具備擔(dān)載用于吸附VOC的吸附劑的蜂窩構(gòu)造體（1）；一對電極（20a、20b），相對于VOC吸附轉(zhuǎn)子（10），配置在VOC吸附轉(zhuǎn)子（10）的旋轉(zhuǎn)軸（11）的延伸方向的兩外側(cè)，并且配置在與蜂窩構(gòu)造體（1）接觸的位置；和電壓施加裝置（30），能夠?qū)σ粚﹄姌O（20a、20b）施加電壓。蜂窩構(gòu)造體（1）包含金屬。一對電極（20a、20b）配置在設(shè)置于VOC吸附轉(zhuǎn)子（10）的、用于使處理對象氣體通過從而吸附處理對象氣體所包含的VOC的吸附區(qū)（Z1）、用于使在吸附區(qū)（Z1）被吸附的VOC脫離的脫離區(qū)（Z2）以及用于冷卻蜂窩構(gòu)造體（1）的冷卻區(qū)（Z3）之中的脫離區(qū)（Z2）。

技術(shù)研發(fā)人員：真田幸雄,川井徹平,柴原輝久
受保護(hù)的技術(shù)使用者：株式會社村田制作所
技術(shù)研發(fā)日：
技術(shù)公布日：2024/12/23