本公開涉及氣體混合裝置、包括該氣體混合裝置的襯底處理系統(tǒng)以及使用該襯底處理系統(tǒng)的襯底處理方法，并且具體地，涉及被構(gòu)造為混合兩種或更多種氣體的氣體混合裝置、包括該氣體混合裝置的襯底處理系統(tǒng)以及使用該襯底處理系統(tǒng)的襯底處理方法。

背景技術(shù)：

1、制造半導(dǎo)體裝置的工藝包括各種工藝。例如，可通過光刻工藝、蝕刻工藝、沉積工藝和電鍍工藝來制造半導(dǎo)體裝置。在工藝中可利用氣體來制造半導(dǎo)體裝置。例如，在原子層沉積(ald)工藝中，氣體可被供應(yīng)到襯底上的區(qū)域。通常，兩種或更多種氣體可用于每個工藝。

2、兩種或更多種氣體可彼此混合，然后可被供應(yīng)到襯底上的區(qū)域。

技術(shù)實現(xiàn)思路

1、本發(fā)明構(gòu)思的實施例提供一種被構(gòu)造為有效地混合兩種或更多種氣體的氣體混合裝置、包括該氣體混合裝置的襯底處理系統(tǒng)以及使用該襯底處理系統(tǒng)的襯底處理方法。

2、本發(fā)明構(gòu)思的實施例提供一種氣體混合裝置、包括該氣體混合裝置的襯底處理系統(tǒng)以及使用該襯底處理系統(tǒng)的襯底處理方法，該氣體混合裝置被構(gòu)造為防止兩種或更多種氣體在其中彼此反應(yīng)并防止形成顆粒。

3、本發(fā)明構(gòu)思的實施例提供一種被構(gòu)造為均勻地供應(yīng)氣體的氣體混合裝置、包括該氣體混合裝置的襯底處理系統(tǒng)以及使用該襯底處理系統(tǒng)的襯底處理方法。

4、本發(fā)明構(gòu)思的實施例提供一種氣體混合裝置、包括該氣體混合裝置的襯底處理系統(tǒng)以及使用該襯底處理系統(tǒng)的襯底處理方法，在該氣體混合裝置中控制傳導(dǎo)路徑或流動路徑的流導(dǎo)以實現(xiàn)平穩(wěn)的氣流。

5、根據(jù)本發(fā)明構(gòu)思的一些實施例，一種氣體混合裝置可包括限定在第一方向上延伸的主路徑的主管道和連接到主管道的第一氣體傳輸裝置。第一氣體傳輸裝置可包括圍繞主管道的第一分配裝置、連接到第一分配裝置并限定第一供應(yīng)路徑的第一供應(yīng)管道、以及將第一分配裝置連接到主管道的多個第一連接管道。第一分配裝置可包括圍繞主管道并在徑向上與主管道間隔開的第一內(nèi)圓柱以及圍繞第一內(nèi)圓柱并在徑向上與第一內(nèi)圓柱間隔開的第一外圓柱。第一分配空間可限定在第一內(nèi)圓柱與第一外圓柱之間，并且第一供應(yīng)管道可耦接到第一外圓柱，使得第一供應(yīng)路徑連接到第一分配空間。第一連接管道可在周向上彼此間隔開。

6、根據(jù)本發(fā)明構(gòu)思的一些其它實施例，一種氣體混合裝置可包括在豎直方向上延伸的主管道和連接到主管道的第一氣體傳輸裝置。第一氣體傳輸裝置可包括圍繞主管道的第一分配裝置、連接到第一分配裝置的外側(cè)表面并限定第一供應(yīng)路徑的第一供應(yīng)管道、以及將第一分配裝置連接到主管道的多個第一連接管道。第一分配裝置可包括圍繞主管道的第一內(nèi)圓柱和圍繞第一內(nèi)圓柱并與第一內(nèi)圓柱間隔開的第一外圓柱。第一分配空間可限定在第一內(nèi)圓柱與第一外圓柱之間。第一分配空間的第一高度可以是第一供應(yīng)路徑的第一直徑的至少三倍。

7、根據(jù)本發(fā)明構(gòu)思的一些其它實施例，一種襯底處理系統(tǒng)可包括襯底處理裝置和連接到襯底處理裝置的氣體供應(yīng)系統(tǒng)。氣體供應(yīng)系統(tǒng)可包括第一氣體供應(yīng)裝置、第二氣體供應(yīng)裝置和氣體混合裝置，該氣體混合裝置被構(gòu)造成將分別從第一氣體供應(yīng)裝置供應(yīng)的第一氣體和從第二氣體供應(yīng)裝置供應(yīng)的第二氣體混合，并且將混合氣體供應(yīng)到襯底處理裝置。氣體混合裝置可包括將第一氣體供應(yīng)裝置連接到襯底處理裝置的主管道和連接到主管道的第一氣體傳輸裝置。第一氣體傳輸裝置可包括圍繞主管道的第一分配裝置、將第二氣體供應(yīng)裝置連接到第一分配裝置的第一供應(yīng)管道、以及將第一分配裝置連接到主管道的多個第一連接管道。第一分配裝置可包括圍繞主管道的第一內(nèi)圓柱和圍繞第一內(nèi)圓柱并在徑向上與第一內(nèi)圓柱間隔開的第一外圓柱。第一連接管道可在周向上彼此間隔開。

8、根據(jù)本發(fā)明構(gòu)思的一些其它實施例，一種襯底處理方法可包括將襯底放置在襯底處理裝置中并向襯底處理裝置供應(yīng)氣體。向襯底處理裝置供應(yīng)氣體可包括以第一模式供應(yīng)氣體。以第一模式供應(yīng)氣體可包括從第一氣體供應(yīng)裝置供應(yīng)第一氣體，從第二氣體供應(yīng)裝置供應(yīng)第二氣體，在氣體混合裝置中將氣體混合，以及將混合氣體供應(yīng)到襯底上的空間。氣體混合裝置可包括將第一氣體供應(yīng)裝置連接到襯底處理裝置的主管道和連接到主管道的第一氣體傳輸裝置。第一氣體傳輸裝置可包括圍繞主管道的第一分配裝置，將第二氣體供應(yīng)裝置連接到第一分配裝置的第一供應(yīng)管道，以及將第一分配裝置連接到主管道的多個第一連接管道。第一分配裝置可包括圍繞主管道的第一內(nèi)圓柱和圍繞第一內(nèi)圓柱并沿徑向與第一內(nèi)圓柱間隔開的第一外圓柱。

技術(shù)特征：

1.一種氣體混合裝置，包括：

2.如權(quán)利要求1所述的氣體混合裝置，還包括連接到所述主管道的第二氣體傳輸裝置，

3.如權(quán)利要求2所述的氣體混合裝置，其中，所述第一供應(yīng)管道與所述第二供應(yīng)管道處于相同的豎直水平。

4.如權(quán)利要求2所述的氣體混合裝置，其中，作為所述第一分配空間在所述第一方向上的長度的第一高度小于作為所述第二分配空間在所述所述第一方向上的長度的第二高度。

5.如權(quán)利要求4所述的氣體混合裝置，其中，所述第一分配裝置的上端與所述第二分配裝置的上端處于相同的豎直水平。

6.如權(quán)利要求2所述的氣體混合裝置，其中，所述多個第一連接管道中的每個第一連接管道的下端的豎直水平高于所述多個第二連接管道中的每個第二連接管道的下端的豎直水平。

7.如權(quán)利要求2所述的氣體混合裝置，其中，所述多個第一連接管道中的每個第一連接管道的直徑小于所述多個第二連接管道中的每個第二連接管道的直徑。

8.如權(quán)利要求2所述的氣體混合裝置，其中，所述第一內(nèi)圓柱與所述第一外圓柱之間的最小水平距離小于所述第二內(nèi)圓柱與所述第二外圓柱之間的最小水平距離。

9.如權(quán)利要求2所述的氣體混合裝置，其中，所述第二分配裝置還包括從所述第二分配裝置的頂表面向下凹陷的連接孔，并且

10.如權(quán)利要求2所述的氣體混合裝置，還包括連接到所述主管道的第三氣體傳輸裝置，

11.如權(quán)利要求1所述的氣體混合裝置，其中，作為所述第一分配空間在所述第一方向上的長度的第一高度等于或大于作為所述第一供應(yīng)路徑的直徑的第一直徑的三倍。

12.如權(quán)利要求1所述的氣體混合裝置，其中，所述多個第一連接管道中的每個第一連接管道從所述第一分配裝置朝向所述主管道線性地延伸，并且

13.如權(quán)利要求1所述的氣體混合裝置，其中，所述多個第一連接管道中的每個第一連接管道連接到所述第一分配空間的下端。

14.如權(quán)利要求1所述的氣體混合裝置，其中，所述多個第一連接管道的數(shù)量為八個。

15.如權(quán)利要求1所述的氣體混合裝置，其中，所述第一供應(yīng)管道連接到所述第一外圓柱的外側(cè)表面，并且

16.一種氣體混合裝置，包括：

17.如權(quán)利要求16所述的氣體混合裝置，其中，所述第一供應(yīng)路徑與所述第一分配空間彼此相遇的第一注入孔與所述第一分配空間的上端間隔開，并且

18.一種氣體混合裝置，包括：

19.如權(quán)利要求18所述的氣體混合裝置，其中，所述主管道連接到所述襯底處理裝置的噴頭中或噴頭上的空間。

20.如權(quán)利要求18所述的氣體混合裝置，還包括連接到所述主管道的第二氣體傳輸裝置，

技術(shù)總結(jié)
一種氣體混合裝置可包括主管道和連接到主管道的氣體傳輸裝置。氣體傳輸裝置可包括圍繞主管道的分配裝置、連接到分配裝置并限定供應(yīng)路徑的供應(yīng)管道、以及將分配裝置連接到主管道的多個連接管道。分配裝置可包括順序地設(shè)置為圍繞主管道并且在徑向上與主管道順序地間隔開的內(nèi)圓柱和外圓柱。分配空間可限定在內(nèi)圓柱與外圓柱之間，并且供應(yīng)管道可耦接到外圓柱，使得供應(yīng)路徑連接到分配空間。連接管道可在周向上彼此間隔開。

技術(shù)研發(fā)人員：金現(xiàn)中,崔世彬,吉明峻,金圣協(xié),李宣柱,李鐵宰,秦東輝,韓東熙
受保護(hù)的技術(shù)使用者：三星電子株式會社
技術(shù)研發(fā)日：
技術(shù)公布日：2024/12/26