本發(fā)明涉及多晶硅尾氣回收的，尤其涉及一種多晶硅尾氣吸附裝置的反吹系統(tǒng)的。

背景技術(shù)：

1、在多晶硅的生產(chǎn)過程中，會產(chǎn)生含有三氯氫硅(tcs)、二氯二氫硅(dcs)、四氯化硅(sts)、氫氣、氯化氫等氣體的尾氣。這些尾氣如果不經(jīng)過處理直接排放，將對環(huán)境造成嚴重污染。因此，開發(fā)有效的尾氣回收和處理技術(shù)對于多晶硅行業(yè)的可持續(xù)發(fā)展至關(guān)重要。

2、現(xiàn)有的反吹吸附技術(shù)中一般是通過氫氣、氮氣管線直接反吹吸附柱中被吸附的氯硅烷、氯化氫等雜質(zhì)；但是該反吹效率較為低下，無法有效實現(xiàn)對吸附柱中雜質(zhì)的處理。

技術(shù)實現(xiàn)思路

1、本發(fā)明要解決的技術(shù)問題是如何更快速實現(xiàn)對吸附柱中雜質(zhì)的反吹，使得雜質(zhì)能更高效地從吸附組件上解析。

2、為解決上述技術(shù)問題，根據(jù)本發(fā)明提供一種用于多晶硅尾氣吸附裝置的反吹系統(tǒng)，包括：

3、氫氣管道；

4、氮氣管道，所述氮氣管道和所述氫氣管道的輸出端相連接；

5、加熱組件，所述加熱組件的進口端連接所述氮氣管道和所述氫氣管道的輸出端；

6、吸附組件，所述吸附組件的出口端連接至所述加熱組件的出口端；

7、尾氣回收系統(tǒng)，所述尾氣回收系統(tǒng)的進口端連接所述吸附組件的出口端。

8、進一步地，所述加熱組件包括多個加熱單元，所有所述加熱單元串聯(lián)連接。

9、進一步地，所述加熱組件的一側(cè)還設(shè)有跨接管路，所述跨接管路的一端連接至所述加熱組件的進口端，所述跨接管路的另一端連接多個分支管路；每個所述分支管路依次連接至每兩個所述加熱單元之間。

10、進一步地，所述跨接管路設(shè)有第一開關(guān)閥，每個所述分支管路設(shè)有所述第二開關(guān)閥，所有所述第一和第二開關(guān)閥電連接控制部。

11、進一步地，所述氫氣管道和所述氮氣管道均設(shè)有第三開關(guān)閥，所有所述第三開關(guān)閥電連接所述控制部。

12、進一步地，，所述吸附組件包括多個并聯(lián)連接的吸附單元；所述吸附單元的進口端連接物料氣進口，所述吸附單元的出口連接物料氣出口。

13、進一步地，所述加熱組件的出口端設(shè)有溫度檢測器，所述溫度檢測器電連接所述控制部。

14、進一步地，所述尾氣回收系統(tǒng)包括再生冷凝系統(tǒng)和廢氣管網(wǎng)；所述再生冷凝系統(tǒng)和所述廢氣管網(wǎng)的進口端連接至所述吸附組件的進口端；所述再生冷凝系統(tǒng)和所述廢氣管網(wǎng)至所述吸附組件之間分別設(shè)有一個第四開關(guān)閥，所有所述第四開關(guān)閥均電連接所述控制部。

15、一種用于多晶硅尾氣吸附裝置的反吹系統(tǒng)的方法，包括上述一種用于多晶硅尾氣吸附裝置的反吹系統(tǒng)，包括如下步驟：

16、步驟一、所述控制部將所述氫氣管道的所述第三開關(guān)閥打開，氫氣依次通過多個所述加熱單元，持續(xù)48小時；同時，所述控制部將所述再生冷凝系統(tǒng)的所述第四開關(guān)閥打開；

17、步驟二、所述控制部將所述氫氣管道的所述第三開關(guān)閥關(guān)閉；所述控制部將所述氮氣管道的所述第三開關(guān)閥打開，氮氣依次通過多個所述加熱單元，持續(xù)48小時；同時，所述控制部將所述再生冷凝系統(tǒng)的所述第四開關(guān)閥關(guān)閉，所述控制部將所述廢氣管網(wǎng)的所述第四開關(guān)閥打開；

18、步驟三、所述控制部將所述氮氣管道的所述第三開關(guān)閥關(guān)閉，所述控制部將所述氫氣管道的所述第三開關(guān)閥打開；氫氣通過某一個所述加熱單元，持續(xù)24小時；同時，所述控制部將所述廢氣管網(wǎng)的所述第四開關(guān)閥關(guān)閉，所述控制部將所述再生冷凝系統(tǒng)的所述第四開關(guān)閥打開。

19、進一步地，所述步驟一和所述步驟二中，所述溫度傳感器的溫度均為180℃；所述步驟三中，所述溫度傳感器的溫度均為60℃；所述氫氣管道的壓力1.0mpa，流量1500nm3/h；所述氮氣管道的壓力0.7mpa，流量1500nm3/h。

20、與現(xiàn)有技術(shù)相比，本發(fā)明的實施例所提供的技術(shù)方案至少可實現(xiàn)如下有益效果：

21、第一、本發(fā)明通過在系統(tǒng)中加入加熱組件，可以提高反吹氣體的溫度，從而增強氣體的吸附和解吸能力，使得雜質(zhì)更容易從吸附組件上解析。

22、第二、本發(fā)明通過設(shè)置的加熱組件由多個加熱單元串聯(lián)連接，進一步提高了氣體的溫度，并且能緩解熱沖擊對管道的損傷，有助于更徹底地清除吸附組件中的雜質(zhì)。

23、第三、本發(fā)明通過跨接管路和分支管路的設(shè)計，可以實現(xiàn)對單個加熱單元的控制，從而實現(xiàn)更階梯化的加熱的控制，減少因加熱產(chǎn)生的損害；同時，由于對反吹過程中，不同階段采用的加熱溫度的不同，減少了不必要的能源浪費。

24、第四、本發(fā)明通過氮氣和氫氣的雙重供應，能減少氫氣供應，從而降低供氣的成本以及相應的能源消耗。

技術(shù)特征：

1.一種用于多晶硅尾氣吸附裝置的反吹系統(tǒng)，其特征在于，

2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的一種用于多晶硅尾氣吸附裝置的反吹系統(tǒng)，其特征在于，所述加熱組件包括多個加熱單元，所有所述加熱單元串聯(lián)連接。

3.根據(jù)權(quán)利要求2所述的一種用于多晶硅尾氣吸附裝置的反吹系統(tǒng)，其特征在于，所述加熱組件的一側(cè)還設(shè)有跨接管路，所述跨接管路的一端連接至所述加熱組件的進口端，所述跨接管路的另一端連接多個分支管路；每個所述分支管路依次連接至每兩個所述加熱單元之間。

4.根據(jù)權(quán)利要求1所述的一種用于多晶硅尾氣吸附裝置的反吹系統(tǒng)，其特征在于，所述跨接管路設(shè)有第一開關(guān)閥，每個所述分支管路設(shè)有所述第二開關(guān)閥，所有所述第一和第二開關(guān)閥電連接控制部。

5.根據(jù)權(quán)利要求4所述的一種用于多晶硅尾氣吸附裝置的反吹系統(tǒng)，其特征在于，所述氫氣管道和所述氮氣管道均設(shè)有第三開關(guān)閥，所有所述第三開關(guān)閥電連接所述控制部。

6.根據(jù)權(quán)利要求4所述的一種用于多晶硅尾氣吸附裝置的反吹系統(tǒng)，其特征在于，所述吸附組件包括多個并聯(lián)連接的吸附單元；所述吸附單元的進口端連接物料氣進口，所述吸附單元的出口連接物料氣出口。

7.根據(jù)權(quán)利要求6所述的一種用于多晶硅尾氣吸附裝置的反吹系統(tǒng)，其特征在于，所述加熱組件的出口端設(shè)有溫度檢測器，所述溫度檢測器電連接所述控制部。

8.根據(jù)權(quán)利要求7所述的一種用于多晶硅尾氣吸附裝置的反吹系統(tǒng)，其特征在于，所述尾氣回收系統(tǒng)包括再生冷凝系統(tǒng)和廢氣管網(wǎng)；所述再生冷凝系統(tǒng)和所述廢氣管網(wǎng)的進口端連接至所述吸附組件的進口端；所述再生冷凝系統(tǒng)和所述廢氣管網(wǎng)至所述吸附組件之間分別設(shè)有一個第四開關(guān)閥，所有所述第四開關(guān)閥均電連接所述控制部。

9.一種用于多晶硅尾氣吸附裝置的反吹系統(tǒng)的控制方法，其特征在于，包括權(quán)利要求1至權(quán)利要求7所述一種用于多晶硅尾氣吸附裝置的反吹系統(tǒng)，包括如下步驟：

10.根據(jù)權(quán)利要求9所述的一種用于多晶硅尾氣吸附裝置的反吹系統(tǒng)的方法，其特征在于，所述步驟一和所述步驟二中，所述溫度傳感器的溫度均為180℃；所述步驟三中，所述溫度傳感器的溫度均為60℃；所述氫氣管道的壓力1.0mpa，流量1500nm/h；所述氮氣管道的壓力0.7mpa，流量1500nm/h。

技術(shù)總結(jié)
本發(fā)明涉及一種多晶硅尾氣吸附裝置的反吹系統(tǒng)，包括：氫氣管道；氮氣管道和氫氣管道的輸出端相連接；加熱組件的進口端連接氮氣管道和氫氣管道的輸出端；吸附組件的出口端連接至加熱組件的出口端；尾氣回收系統(tǒng)的進口端連接吸附組件的出口端。本發(fā)明通過在系統(tǒng)中加入加熱組件，可以提高反吹氣體的溫度，從而增強氣體的吸附和解吸能力，使得雜質(zhì)更容易從吸附組件上解析。

技術(shù)研發(fā)人員：李丁,郭江波,魏雪鴻,劉鵬飛,曹丹,宋筱江,李健健,李祥廣,杜彥杰,任剛剛,葉梅
受保護的技術(shù)使用者：新疆東方希望新能源有限公司
技術(shù)研發(fā)日：
技術(shù)公布日：2025/1/9