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微流控模組及微流控裝置的制作方法

文檔序號(hào):40618293發(fā)布日期:2025-01-10 18:23閱讀:3來源:國知局
微流控模組及微流控裝置的制作方法

本申請(qǐng)涉及顯示,特別是涉及一種微流控模組及微流控裝置。


背景技術(shù):

1、在現(xiàn)有的微流控裝置中,通常設(shè)置有由相互扣合的兩個(gè)基板組件以及間隙部圍合形成的腔體,基板組件中相對(duì)設(shè)置有電極,通過將待檢測(cè)的液滴以及所需反應(yīng)試劑等滴入該腔體、再通過電極間電場(chǎng)驅(qū)動(dòng)液滴移動(dòng)的方式,能夠便捷地對(duì)液滴進(jìn)行檢測(cè)。由于對(duì)基板組件的精度要求較高,相應(yīng)地其加工成本也較高。同時(shí),現(xiàn)有的微流控裝置中通常采用雙面膠粘接或uv膠粘接的方式連接兩個(gè)基板組件,導(dǎo)致兩個(gè)基板組件難以相互分離,也即不能夠通過拆解將基板組件重復(fù)使用,進(jìn)而導(dǎo)致實(shí)驗(yàn)成本、加工成本難以降低。

2、因此,亟需一種可重復(fù)利用、能夠降低成本的微流控模組,以及相應(yīng)的微流控裝置。


技術(shù)實(shí)現(xiàn)思路

1、本申請(qǐng)?zhí)峁┮环N微流控模組及微流控裝置,旨在解決微流控模組不能夠重復(fù)使用、成本較高的問題。

2、第一方面,根據(jù)本申請(qǐng)實(shí)施例提出了一種微流控模組,包括相對(duì)設(shè)置的至少兩個(gè)基板組件以及連接于所述基板組件之間的連接件,至少一個(gè)所述基板組件朝向所述連接件的一側(cè)設(shè)置有凹槽,在至少一個(gè)第一狀態(tài)下,所述凹槽能夠形成負(fù)壓槽,并使所述連接件至少部分進(jìn)入所述負(fù)壓槽中。

3、第二方面,根據(jù)本申請(qǐng)實(shí)施例提出了一種微流控裝置,包括第一方面任一實(shí)施例中的微流控模組。

4、本申請(qǐng)實(shí)施例中提供的微流控模組包括相對(duì)設(shè)置的至少兩個(gè)基板組件,相鄰的兩個(gè)基板組件通過連接件進(jìn)行連接,同時(shí),基板組件設(shè)置有凹槽,在預(yù)設(shè)條件下,凹槽中能夠形成負(fù)壓環(huán)境,也即構(gòu)成負(fù)壓槽,從而通過吸力將連接件至少部分地吸入負(fù)壓槽中,使連接件背離負(fù)壓槽的一側(cè)表面產(chǎn)生形變,與對(duì)應(yīng)的基板組件之間連接的面積減小,進(jìn)而降低連接力度,使兩個(gè)基板組件能夠便捷地相互分離,通過清洗、消毒等工序后,多個(gè)基板組件即可重復(fù)使用,由此能夠有效降低實(shí)驗(yàn)成本。



技術(shù)特征:

1.一種微流控模組,其特征在于,包括相對(duì)設(shè)置的至少兩個(gè)基板組件以及連接于所述基板組件之間的連接件,至少一個(gè)所述基板組件朝向所述連接件的一側(cè)設(shè)置有凹槽,在至少一個(gè)第一狀態(tài)下,所述凹槽能夠形成負(fù)壓槽,以使所述連接件形變并至少部分進(jìn)入所述負(fù)壓槽中。

2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的微流控模組,其特征在于,所述凹槽的槽口與所述連接件相接設(shè)置,沿所述微流控模組的厚度方向,所述連接件的正投影將所述負(fù)壓槽的正投影覆蓋在內(nèi)。

3.根據(jù)權(quán)利要求2所述的微流控模組,其特征在于,所述微流控模組具有功能區(qū)以及圍繞所述功能區(qū)設(shè)置的連接區(qū),所述基板組件包括第一基板組件和第二基板組件,所述第一基板組件與所述第二基板組件在所述厚度方向上相對(duì)且間隔設(shè)置,連接件位于所述連接區(qū),所述第一基板組件、所述第二基板組件以及所述連接件共同圍合形成功能腔,所述連接件為柔性體并能夠在所述厚度方向上產(chǎn)生形變;

4.根據(jù)權(quán)利要求3所述的微流控模組,其特征在于,所述連接件以及所述凹槽均沿環(huán)狀軌跡分布并至少部分環(huán)繞所述功能區(qū)設(shè)置。

5.根據(jù)權(quán)利要求3所述的微流控模組,其特征在于,所述負(fù)壓組件包括多個(gè)所述凹槽,多個(gè)所述凹槽分別環(huán)繞所述功能區(qū)或相鄰所述凹槽設(shè)置。

6.根據(jù)權(quán)利要求5所述的微流控模組,其特征在于,所述負(fù)壓組件還包括多個(gè)輔助槽,所述輔助槽沿由所述功能區(qū)指向所述連接區(qū)的方向延伸,并連通于相鄰的所述凹槽之間。

7.根據(jù)權(quán)利要求3所述的微流控模組,其特征在于,所述負(fù)壓通道包括沿所述厚度方向延伸的負(fù)壓孔,所述負(fù)壓孔連通于所述第一基板組件與所述第二基板組件遠(yuǎn)離彼此的一側(cè)表面中的一者與所述凹槽之間。

8.根據(jù)權(quán)利要求7所述的微流控模組,其特征在于,所述負(fù)壓組件包括多個(gè)所述凹槽,沿所述厚度方向,多個(gè)所述凹槽的正投影均與所述負(fù)壓孔的正投影相交疊,所述負(fù)壓孔分別與多個(gè)所述凹槽相連通。

9.根據(jù)權(quán)利要求3所述的微流控模組,其特征在于,所述連接件包括粘接膠以及分布于粘接膠中的多個(gè)間隙子,所述粘接膠包括柔性彈性體凝膠材料,所述間隙子包括硅材料和/或樹脂材料。

10.根據(jù)權(quán)利要求3所述的微流控模組,其特征在于,所述第一基板組件包括層疊設(shè)置的第一基板和第一電極,所述第一電極位于所述第一基板靠近所述第二基板組件的一側(cè);

11.根據(jù)權(quán)利要求10所述的微流控模組,其特征在于,所述第一基板組件設(shè)置有所述負(fù)壓組件,所述第一電極覆蓋至少部分功能區(qū)以及至少部分連接區(qū)設(shè)置,至少部分所述凹槽相對(duì)兩側(cè)均設(shè)置有所述第一電極;

12.根據(jù)權(quán)利要求11所述的微流控模組,其特征在于,所述功能層包括依次層疊設(shè)置的陣列層、平坦化層、第二電極層以及絕緣層,所述陣列層位于靠近所述第二基板的一側(cè),所述連接件與所述絕緣層連接設(shè)置。

13.根據(jù)權(quán)利要求3所述的微流控模組,其特征在于,在由所述功能區(qū)指向所述連接區(qū)的方向上,所述連接件的延伸尺寸為1.5mm~3mm。

14.根據(jù)權(quán)利要求13所述的微流控模組,其特征在于,所述負(fù)壓組件包括多個(gè)凹槽,在由所述功能區(qū)指向所述連接區(qū)的方向上,所述凹槽的寬度為30μm~70μm,相鄰所述凹槽的中心軸之間的間距為80μm~120μm。

15.根據(jù)權(quán)利要求13所述的微流控模組,其特征在于,沿所述厚度方向,所述凹槽的正投影邊緣與所述連接件的正投影邊緣之間的最小間距大于或等于80μm。

16.根據(jù)權(quán)利要求3所述的微流控模組,其特征在于,所述微流控模組還包括第一疏水層以及第二疏水層,所述第一疏水層以及所述第二疏水層分別設(shè)置于所述第一基板組件以及所述第二基板組件靠近彼此的一側(cè),且所述第一疏水層以及所述第二疏水層均位于所述功能腔中;

17.根據(jù)權(quán)利要求16所述的微流控模組,其特征在于,所述第一基板組件以及所述第一疏水層設(shè)置有沿所述微流控模組的厚度方向貫穿的注液孔,所述注液孔設(shè)置于所述功能區(qū)。

18.根據(jù)權(quán)利要求17所述的微流控模組,其特征在于,在所述厚度方向上,所述注液孔的正投影與所述連接件的正投影相互錯(cuò)開且相互間隔設(shè)置。

19.根據(jù)權(quán)利要求16所述的微流控模組,其特征在于,所述第一疏水層覆蓋所述功能腔位于所述第一基板組件的一側(cè)腔壁設(shè)置,所述第二疏水層覆蓋所述功能腔位于所述第二基板組件的一側(cè)腔壁設(shè)置。

20.根據(jù)權(quán)利要求1所述的微流控模組,其特征在于,在所述微流控模組的厚度方向上,所述連接件的延伸尺寸小于或等于所述凹槽的延伸尺寸。

21.根據(jù)權(quán)利要求20所述的微流控模組,其特征在于,在所述厚度方向上,所述連接件的延伸尺寸為5μm~100μm,所述凹槽的延伸尺寸為10μm~200μm。

22.一種微流控裝置,其特征在于,包括如權(quán)利要求1~21中任一項(xiàng)所述的微流控模組。


技術(shù)總結(jié)
本申請(qǐng)涉及一種微流控模組及微流控裝置,其中,微流控模組包括:包括相對(duì)設(shè)置的至少兩個(gè)基板組件以及連接于所述基板組件之間的連接件,至少一個(gè)所述基板組件朝向所述連接件的一側(cè)設(shè)置有凹槽,在至少一個(gè)第一狀態(tài)下,所述凹槽能夠形成負(fù)壓槽,并使所述連接件至少部分進(jìn)入所述負(fù)壓槽中。本申請(qǐng)實(shí)施例提供的微流控模組能夠?qū)崿F(xiàn)可重復(fù)利用、降低成本。

技術(shù)研發(fā)人員:朱清三,章凱迪,粟平,林柏全
受保護(hù)的技術(shù)使用者:上海天馬微電子有限公司
技術(shù)研發(fā)日:
技術(shù)公布日:2025/1/9
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