本申請涉及半導體生產尾氣處理設備,尤其涉及一種雙水洗雙加熱式尾氣處理系統(tǒng)。
背景技術:
1、在半導體生產領域,芯片的制造過程涉及多種復雜的工藝步驟,每一步都會產生特定的副產物和尾氣。隨著技術和材料的不斷更新換代,不同工藝產生的尾氣成分也有所不同。在碳化硅芯片的外延生長工藝中,通常采用化學氣相沉積技術,會使用氫氣等作為前驅氣體,因此,在外延生長過程中,前驅氣體會與反應室內的氣體發(fā)生反應,生成碳化硅薄膜的同時,會產生含有氫氣、氯化氫、固體顆粒等成分的尾氣。為了確保安全生產和環(huán)境保護,碳化硅外延工藝產生的尾氣需要進行有效的處理。
技術實現思路
1、為了解決上述技術問題,本申請?zhí)峁┝艘环N雙水洗雙加熱式尾氣處理系統(tǒng),包括依次連通的第一水洗裝置、第一水箱、第一加熱裝置、第二加熱裝置、第二水箱、第二水洗裝置;所述第一水洗裝置用于對進入該系統(tǒng)的尾氣進行第一次水洗,去除尾氣中可溶于水的雜質;所述第一加熱裝置用于對第一次水洗后的尾氣進行預熱;所述第二加熱裝置用于再次加熱尾氣,使尾氣中的可燃物質燃燒;所述第二水洗裝置用于對燃燒后的尾氣進行降溫并去除尾氣中的顆粒雜質和可溶性成分。
2、本申請一些實施例中,所述第一水洗裝置包括第一混氣腔,所述第一混氣腔的下部并聯設置有第一水洗腔和第二水洗腔,所述第一水洗腔、所述第二水洗腔的底部均與第一水箱連通。
3、本申請一些實施例中,所述第一水洗腔和所述第二水洗腔的上部均設置有過濾板,所述過濾板的上部設置有過濾體,所述過濾板的下部設置有多層噴淋組件。
4、本申請一些實施例中,所述第二水洗裝置包括第二混氣腔,所述第二混氣腔的下部并聯設置有第三水洗腔和第四水洗腔,所述第三水洗腔、所述第四水洗腔的底部均與第二水箱連通。
5、本申請一些實施例中,所述第一加熱裝置包括設置在所述第一水箱上的第一加熱腔,所述第一加熱腔內設置有第一加熱組件;所述第二加熱裝置包括設置在所述第二水箱上的第二加熱腔,所述第二加熱腔內設置有第二加熱組件;所述第一加熱腔和所述第二加熱腔的上部均連通有連通腔。
6、本申請一些實施例中,所述第二混氣腔的上部設置有排氣腔,所述排氣腔包括自下而上依次連接的第一排氣腔、第二排氣腔和第三排氣腔,所述第二排氣腔的直徑從下至上逐漸變小。
7、本申請一些實施例中,所述第一排氣腔外部設置有進氣腔,所述進氣腔與所述第二排氣腔之間設置有多個連通孔。
8、本申請一些實施例中,多個所述連通孔沿圓周方向等間距排布,所述連通孔的延伸方向自下而上向第二排氣腔的中心匯聚。
9、本申請一些實施例中,所述第一水洗裝置包括第一混氣腔,所述第一混氣腔的下部設置有第一水洗腔,所述第一水洗腔的底部與所述第一水箱連通。
10、本申請一些實施例中,所述第二水洗裝置包括第二混氣腔,所述第二混氣腔的下部設置有第三水洗腔,所述第三水洗腔的底部與所述第二水箱連通。
11、與現有技術相比,本發(fā)明具有以下優(yōu)點和有益效果:本申請的雙水洗雙加熱式尾氣處理系統(tǒng)通過設置第一水洗裝置、第一加熱裝置、第二加熱裝置、第二水洗裝置,實現了對生產過程中產生的尾氣的多級處理;第一次水洗,可以初步去除尾氣中的水溶性有害氣體和固體顆粒;第一次加熱,可以對第一次水洗后的尾氣進行預熱;第二次加熱,可以通過高溫燃燒,將尾氣中的可燃成分轉化為無害、可溶成分;第二次水洗,可以對燃燒后的尾氣進行降溫并去除尾氣中的顆粒雜質和可溶性成分,確保尾氣凈化。同時,該系統(tǒng)采用集成式設計,各裝置之間連接緊湊,減少中間環(huán)節(jié)的損失,在提高吞吐量的同時,有效節(jié)約了系統(tǒng)占地面積。
12、應當理解的是,以上的一般描述和后文的細節(jié)描述僅是示例性和解釋性的,并不能限制本文。
1.一種雙水洗雙加熱式尾氣處理系統(tǒng),其特征在于,包括依次連通的第一水洗裝置、第一水箱、第一加熱裝置、第二加熱裝置、第二水箱、第二水洗裝置;所述第一水洗裝置用于對進入該系統(tǒng)的尾氣進行第一次水洗,去除尾氣中可溶于水的雜質;所述第一加熱裝置用于對第一次水洗后的尾氣進行預熱;所述第二加熱裝置用于再次加熱尾氣,使尾氣中的可燃物質燃燒;所述第二水洗裝置用于對燃燒后的尾氣進行降溫并去除尾氣中的顆粒雜質和可溶性成分。
2.根據權利要求1所述的雙水洗雙加熱式尾氣處理系統(tǒng),其特征在于,所述第一水洗裝置包括第一混氣腔,所述第一混氣腔的下部并聯設置有第一水洗腔和第二水洗腔,所述第一水洗腔、所述第二水洗腔的底部均與第一水箱連通。
3.根據權利要求2所述的雙水洗雙加熱式尾氣處理系統(tǒng),其特征在于,所述第一水洗腔和所述第二水洗腔的上部均設置有過濾板,所述過濾板的上部設置有過濾體,所述過濾板的下部設置有多層噴淋組件。
4.根據權利要求1所述的雙水洗雙加熱式尾氣處理系統(tǒng),其特征在于,所述第二水洗裝置包括第二混氣腔,所述第二混氣腔的下部并聯設置有第三水洗腔和第四水洗腔,所述第三水洗腔、所述第四水洗腔的底部均與第二水箱連通。
5.根據權利要求1所述的雙水洗雙加熱式尾氣處理系統(tǒng),其特征在于,所述第一加熱裝置包括設置在所述第一水箱上的第一加熱腔,所述第一加熱腔內設置有第一加熱組件;所述第二加熱裝置包括設置在所述第二水箱上的第二加熱腔,所述第二加熱腔內設置有第二加熱組件;所述第一加熱腔和所述第二加熱腔的上部均連通有連通腔。
6.根據權利要求4所述的雙水洗雙加熱式尾氣處理系統(tǒng),其特征在于,所述第二混氣腔的上部設置有排氣腔,所述排氣腔包括自下而上依次連接的第一排氣腔、第二排氣腔和第三排氣腔,所述第二排氣腔的直徑從下至上逐漸變小。
7.根據權利要求6所述的雙水洗雙加熱式尾氣處理系統(tǒng),其特征在于,所述第一排氣腔外部設置有進氣腔,所述進氣腔與所述第二排氣腔之間設置有多個連通孔。
8.根據權利要求7所述的雙水洗雙加熱式尾氣處理系統(tǒng),其特征在于,多個所述連通孔沿圓周方向等間距排布,所述連通孔的延伸方向自下而上向第二排氣腔的中心匯聚。
9.根據權利要求1所述的雙水洗雙加熱式尾氣處理系統(tǒng),其特征在于,所述第一水洗裝置包括第一混氣腔,所述第一混氣腔的下部設置有第一水洗腔,所述第一水洗腔的底部與所述第一水箱連通。
10.根據權利要求1所述的雙水洗雙加熱式尾氣處理系統(tǒng),其特征在于,所述第二水洗裝置包括第二混氣腔,所述第二混氣腔的下部設置有第三水洗腔,所述第三水洗腔的底部與所述第二水箱連通。