1.一種基于粘彈性鐵流體的顆粒分選微流控芯片,其特征在于,包括:第一入口(1)、支路通道(2)、磁鐵(3)、第一分選模塊(4)以及第二分選模塊(5);
2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的基于粘彈性鐵流體的顆粒分選微流控芯片,其特征在于,所述第一分選模塊(4)和所述第二分選模塊(5)的結(jié)構(gòu)相同,所述第一分選模塊(4)和所述第二分選模塊(5)對稱并聯(lián)排布設(shè)置。
3.根據(jù)權(quán)利要求2所述的基于粘彈性鐵流體的顆粒分選微流控芯片,其特征在于,所述第一分選模塊(4)包括第一直通道段(41)、第一放大段(42)、第二直通道段(43)、第二放大段(44)、第一出口(45)以及第二出口(46);
4.根據(jù)權(quán)利要求1所述的基于粘彈性鐵流體的顆粒分選微流控芯片,其特征在于,所述粘彈性鐵流體通過將水基鐵流體加入聚環(huán)氧乙烷溶液中進行制備。
5.一種基于粘彈性鐵流體的顆粒分選微流控芯片的制備方法,其特征在于,用于制備權(quán)利要求3所述的基于粘彈性鐵流體的顆粒分選微流控芯片,包括如下步驟:
6.根據(jù)權(quán)利要求5所述的基于粘彈性鐵流體的顆粒分選微流控芯片的制備方法,其特征在于,所述步驟1中,聚二甲基硅氧烷和聚二甲基硅氧烷固化劑的用量分別30g和3g,抽真空的時間為50分鐘-80分鐘。
7.根據(jù)權(quán)利要求5所述的基于粘彈性鐵流體的顆粒分選微流控芯片的制備方法,其特征在于,所述步驟2中,抽真空的時間為20分鐘-35分鐘。
8.根據(jù)權(quán)利要求5所述的基于粘彈性鐵流體的顆粒分選微流控芯片的制備方法,其特征在于,所述步驟3中,烘箱溫度設(shè)為80℃,時間為50分鐘-70分鐘。
9.根據(jù)權(quán)利要求5所述的基于粘彈性鐵流體的顆粒分選微流控芯片的制備方法,其特征在于,所述步驟6中,加熱臺的溫度設(shè)為85℃,時間為40分鐘-50分鐘。
10.根據(jù)權(quán)利要求5所述的基于粘彈性鐵流體的顆粒分選微流控芯片的制備方法,其特征在于,所述步驟7中,烘箱溫度設(shè)為80℃,時間為50分鐘-70分鐘。