本申請(qǐng)涉及高壓反滲透水處理，更具體地說，涉及超高壓碟管式反滲透的膜元件，是一種單密封圈dtro導(dǎo)流盤及超高壓膜柱。

背景技術(shù)：

1、dtro導(dǎo)流盤是一種應(yīng)用于反滲透系統(tǒng)中的關(guān)鍵部件。dtro導(dǎo)流盤主要用于引導(dǎo)和控制流體在反滲透膜組件上的流動(dòng)，以確保膜表面的均勻過濾和高效分離。在環(huán)保、化工、醫(yī)藥等行業(yè)中具有廣泛的應(yīng)用。

2、導(dǎo)流盤在反滲透系統(tǒng)中的工作過程可以分為以下幾個(gè)階段：進(jìn)水階段：反滲透系統(tǒng)啟動(dòng)后，污水進(jìn)入導(dǎo)流盤，此時(shí)導(dǎo)流盤開始發(fā)揮導(dǎo)流作用，使水流在導(dǎo)流板的引導(dǎo)下，均勻地分布在膜表面上。過濾階段：水流經(jīng)導(dǎo)流板均勻分布后，在膜表面形成一層薄膜，水中的溶質(zhì)、懸浮物和微生物等被膜阻隔，形成濃縮液。產(chǎn)水階段：經(jīng)過過濾，干凈的產(chǎn)水從反滲透膜的中心排出。濃水排放階段：過濾后的濃縮液中含有較高的溶質(zhì)濃度，需要定期沖洗和清洗以防止對(duì)膜產(chǎn)生污染。導(dǎo)流盤在排放濃縮液時(shí)，仍能保證膜表面的清潔。

3、目前市場(chǎng)上的dtro膜使用的導(dǎo)流盤都是雙密封圈的，雙密封圈導(dǎo)流盤密封圈位置比較薄，使用在6-9mpa的高壓膜柱上可以運(yùn)行，但使用在超過10mpa的超高壓膜柱上，密封圈位置特別容易斷裂，導(dǎo)流盤密封圈位置斷裂后膜柱無法正常使用，需要對(duì)膜柱進(jìn)行維修，影響設(shè)備的運(yùn)行。

4、并且膜柱承壓能力有限，降低了膜柱及dtro導(dǎo)流盤的運(yùn)行穩(wěn)定性。

技術(shù)實(shí)現(xiàn)思路

1、本實(shí)用新型的目的在于解決背景技術(shù)中超高壓下雙密封導(dǎo)流盤的斷裂以及膜柱承壓能力差的問題。

2、本實(shí)用新型更進(jìn)一步解決的技術(shù)問題是提供了一種有利于水流動(dòng)，水流阻力小的導(dǎo)流盤。

3、為了解決超高壓下雙密封導(dǎo)流盤的斷裂的問題。本實(shí)用新型的單密封圈dtro導(dǎo)流盤，包括：圓形的盤體，所述盤體包括正面和背面；在盤體中央處設(shè)置的中心孔；沿著中心孔邊緣設(shè)置的產(chǎn)水流道；在盤體的正面，由中心孔向盤體外邊緣依次設(shè)置的多個(gè)限位柱、環(huán)形的密封圈凹槽、多個(gè)濃液流道、導(dǎo)流盤盤體、邊沿；導(dǎo)流盤盤體上設(shè)有若干導(dǎo)流小凸臺(tái)；在盤體的背面，由中心孔向盤體外邊緣依次設(shè)置的多個(gè)限位孔、密封凸環(huán)、多個(gè)濃液流道、導(dǎo)流盤背面、邊沿；其中限位柱與限位孔在正面和背面同一位置的兩側(cè)且尺寸相同，密封圈凹槽和密封凸環(huán)在正面和背面同一位置的兩側(cè)且尺寸相同，導(dǎo)流盤背面為平面；濃液流道貫穿正面和背面。

4、作為本申請(qǐng)上述dtro導(dǎo)流盤的進(jìn)一步改進(jìn)，所述邊沿外側(cè)設(shè)有第一凸點(diǎn)，且與所述第一凸點(diǎn)相對(duì)應(yīng)的邊沿圓周的外側(cè)另一側(cè)設(shè)有第二凸點(diǎn)，在第二凸點(diǎn)兩側(cè)分別設(shè)有第三凸點(diǎn)和第四凸點(diǎn)。

5、作為本申請(qǐng)上述dtro導(dǎo)流盤的進(jìn)一步改進(jìn)，所述產(chǎn)水流道為半圓孔。

6、為了降低導(dǎo)流板中的水流阻力，本實(shí)用新型還對(duì)導(dǎo)流小凸臺(tái)作出的改進(jìn)有：導(dǎo)流小凸臺(tái)為橢圓柱狀體，且從靠近盤體中心的導(dǎo)流小凸臺(tái)橢圓長軸與y軸的夾角到靠近盤體邊沿的導(dǎo)流小凸臺(tái)橢圓長軸與y軸的夾角逐漸變大。

7、作為本申請(qǐng)導(dǎo)流小凸臺(tái)在導(dǎo)流盤盤體上設(shè)置方式的進(jìn)一步改進(jìn)，從靠近盤體的中心到靠近邊沿設(shè)有多圈導(dǎo)流小凸臺(tái)，每圈的導(dǎo)流小凸臺(tái)均勻分布，從靠近盤體的中心到靠近邊沿每圈的導(dǎo)流小凸臺(tái)的間距逐漸變寬。

8、作為本申請(qǐng)導(dǎo)流小凸臺(tái)在導(dǎo)流盤盤體上設(shè)置方式的更進(jìn)一步改進(jìn)，從靠近盤體的中心到靠近邊沿相鄰圈且距離最近的導(dǎo)流小凸臺(tái)的連線形成弧線。

9、作為本申請(qǐng)導(dǎo)流盤盤體的進(jìn)一步改進(jìn)，所述導(dǎo)流盤盤體上設(shè)置有支撐凸臺(tái)，支撐凸臺(tái)的頂面與導(dǎo)流小凸臺(tái)的頂面平齊。

10、作為本申請(qǐng)上述支撐凸臺(tái)的進(jìn)一步改進(jìn)，所述支撐凸臺(tái)為橢圓形柱狀凸臺(tái)，且支撐凸臺(tái)的橢圓形的長軸為相鄰的兩個(gè)導(dǎo)流小凸臺(tái)之間的距離，且支撐凸臺(tái)角度方向與相鄰的兩個(gè)導(dǎo)流小凸臺(tái)連線形成的角度方向相同。

11、作為本申請(qǐng)上述支撐凸臺(tái)的更進(jìn)一步改進(jìn)，所述支撐凸臺(tái)位于所述導(dǎo)流小凸臺(tái)的連線形成弧線的上。

12、進(jìn)一步地，產(chǎn)水流道正面的邊框上設(shè)有濃液流道凸起，濃液流道凸起的頂面與支撐凸臺(tái)的頂面平齊。

13、本申請(qǐng)還提供了一種超高壓膜柱，用于安裝上述導(dǎo)流盤及膜片，包括：膜殼；在膜殼軸向中心設(shè)置的帶有限位件的中心拉桿，用于套設(shè)多個(gè)導(dǎo)流盤和膜片；位于膜殼兩端將多個(gè)導(dǎo)流盤限位在膜殼內(nèi)的限位部；限位部包括：位于膜殼兩端的上法蘭和下法蘭，多個(gè)導(dǎo)流盤位于上法蘭和下法蘭之間，中心拉桿穿過上法蘭中心和下法蘭的中心；在所述上法蘭和下法蘭外側(cè)設(shè)置的壓環(huán)；位于所述膜殼上側(cè)和膜殼下側(cè)的推力環(huán)安裝槽；環(huán)形安裝在所述推力環(huán)安裝槽上的多個(gè)分體式的推力環(huán)，使多個(gè)推力環(huán)的推力面均勻分布在壓環(huán)的外承壓面，推力環(huán)上設(shè)有螺紋孔；推力環(huán)與壓環(huán)之間設(shè)有用于壓緊壓環(huán)的張緊螺栓。

14、優(yōu)選地，壓環(huán)上設(shè)有沉孔，其中沉孔的位置與相應(yīng)用于支撐張緊螺栓的推力環(huán)上的螺紋孔的位置相對(duì)應(yīng)。

15、優(yōu)選地，推力環(huán)上設(shè)置限位緣，用于限制推力環(huán)在推力環(huán)安裝槽上的位置。

16、本申請(qǐng)的有益效果在于：

17、1.本申請(qǐng)限位柱與限位孔的位置和尺寸相對(duì)應(yīng)，從而方便對(duì)導(dǎo)流盤依次進(jìn)行堆疊。密封圈凹槽和密封凸環(huán)的位置和尺寸相對(duì)應(yīng)，將背面的密封圈凹槽改成凸環(huán)，增加了密封處的厚度和強(qiáng)度，適應(yīng)超高壓dtro膜柱。

18、2.本申請(qǐng)從靠近盤體的中心到靠近邊沿設(shè)有多圈導(dǎo)流小凸臺(tái)，每圈的導(dǎo)流小凸臺(tái)均勻分布，從靠近盤體的中心到靠近邊沿每圈的導(dǎo)流小凸臺(tái)的間距逐漸變寬。也就是說從盤體內(nèi)側(cè)到盤體外側(cè)的導(dǎo)流小凸臺(tái)每一圈的間距逐漸變寬，從而使導(dǎo)流小凸臺(tái)形成從內(nèi)向外散射的狀態(tài)，有利于將內(nèi)側(cè)的水均勻地導(dǎo)流到外側(cè)，從而促進(jìn)不同具有膜的水壓，有利于提高膜的耐壓性能，提高膜的使用壽命。

19、3.本申請(qǐng)靠近盤體中心的導(dǎo)流小凸臺(tái)的設(shè)置角度方向與遠(yuǎn)離盤體中心的導(dǎo)流小凸臺(tái)的設(shè)置角度方向不同，且導(dǎo)流小凸臺(tái)從中心到邊緣的角度逐漸變大，通過導(dǎo)流小凸臺(tái)的角度變化，從而可對(duì)盤體上的流體形成導(dǎo)向作用，進(jìn)而降低水流阻力，提高流體在盤體上的流動(dòng)性，從而有利于緩解導(dǎo)流盤的壓力，有利于解決導(dǎo)流盤在超高壓條件下容易斷裂的問題。

20、4.在本申請(qǐng)?zhí)峁┑男滦统邏耗ぶ校谀ど蟼?cè)和膜殼下側(cè)設(shè)有用于安裝開推力環(huán)的推力環(huán)安裝槽，上法蘭和下法蘭外側(cè)設(shè)有上壓環(huán)和下壓環(huán)，推力環(huán)與上壓環(huán)和下壓環(huán)之間設(shè)有用于壓緊推力環(huán)的張緊螺栓。本申請(qǐng)利用張緊螺栓對(duì)壓環(huán)施加壓緊力，從而讓壓環(huán)和膜柱上下法蘭相互受力，實(shí)現(xiàn)給膜柱中心拉桿輔助力，提高了新型超高壓膜柱的耐壓性能，實(shí)現(xiàn)了超高膜柱的小型化制造，提高了超高壓膜柱運(yùn)行的穩(wěn)定性。本申請(qǐng)的推力環(huán)和壓環(huán)代替了大體積的壓盤和輔助拉桿，體積小，結(jié)構(gòu)簡單，成本低；改進(jìn)的膜殼實(shí)用性好，解決了膜殼竄動(dòng)的問題。

21、除了上面所描述的本實(shí)用新型解決的技術(shù)問題、構(gòu)成技術(shù)方案的技術(shù)特征以及由這些技術(shù)方案的技術(shù)特征所帶來的優(yōu)點(diǎn)之外，本實(shí)用新型單密封圈dtro導(dǎo)流盤所能解決的其他技術(shù)問題、技術(shù)方案中包含的其他技術(shù)特征以及這些技術(shù)特征帶來的優(yōu)點(diǎn)，將結(jié)合附圖作出進(jìn)一步詳細(xì)的說明。

技術(shù)特征：

1.一種單密封圈dtro導(dǎo)流盤，其特征在于，包括：

2.如權(quán)利要求1所述的導(dǎo)流盤，其特征在于，所述導(dǎo)流小凸臺(tái)（711）為橢圓柱狀體，且從靠近盤體（1）中心的導(dǎo)流小凸臺(tái)橢圓長軸與y軸的夾角到靠近盤體邊沿的導(dǎo)流小凸臺(tái)橢圓長軸與y軸的夾角逐漸變大。

3.如權(quán)利要求2所述的導(dǎo)流盤，其特征在于，從靠近盤體的中心到靠近邊沿（8）設(shè)有多圈導(dǎo)流小凸臺(tái)（711），每圈的導(dǎo)流小凸臺(tái)（711）均勻分布，從靠近盤體的中心到靠近邊沿（8）每圈的導(dǎo)流小凸臺(tái)（711）的間距逐漸變寬。

4.如權(quán)利要求2或3所述的導(dǎo)流盤，其特征在于，從靠近盤體的中心到靠近邊沿（8）相鄰圈且距離最近的導(dǎo)流小凸臺(tái)（711）的連線形成弧線。

5.如權(quán)利要求2所述的導(dǎo)流盤，其特征在于，所述導(dǎo)流盤盤體（71）上設(shè)置有支撐凸臺(tái)（712），支撐凸臺(tái)（712）的頂面與導(dǎo)流小凸臺(tái)（711）的頂面平齊。

6.如權(quán)利要求5所述的導(dǎo)流盤，其特征在于，所述支撐凸臺(tái)（712）為橢圓形柱狀凸臺(tái)，且支撐凸臺(tái)（712）的橢圓形的長軸為相鄰的兩個(gè)導(dǎo)流小凸臺(tái)之間的距離，且支撐凸臺(tái)（712）角度方向與相鄰的兩個(gè)導(dǎo)流小凸臺(tái)連線形成的角度方向相同。

7.如權(quán)利要求6所述的導(dǎo)流盤，其特征在于，所述支撐凸臺(tái)（712）位于所述導(dǎo)流小凸臺(tái)（711）的連線形成弧線的上。

8.一種超高壓膜柱，其特征在于，用于安裝如權(quán)利要求1~7任一所述導(dǎo)流盤，包括：膜殼（91）；

9.如權(quán)利要求8所述的超高壓膜柱，其特征在于，所述壓環(huán)（934）上設(shè)有沉孔（9341），其中沉孔（9341）的位置與相應(yīng)用于支撐張緊螺栓（936）的推力環(huán)（935）上的螺紋孔（9351）的位置相對(duì)應(yīng)。

10.如權(quán)利要求8所述的超高壓膜柱，其特征在于，所述推力環(huán)（935）上設(shè)置限位緣（9352），用于限制推力環(huán)（935）在推力環(huán)安裝槽（911）上的位置。

技術(shù)總結(jié)
本申請(qǐng)?zhí)峁┝艘环N單密封圈DTRO導(dǎo)流盤及超高壓膜柱，包括：圓形的盤體，所述盤體包括正面和背面；在盤體中央處設(shè)置的中心孔；沿著中心孔邊緣設(shè)置的產(chǎn)水流道；在盤體的正面，由中心孔向盤體外邊緣依次設(shè)置的多個(gè)限位柱、環(huán)形的密封圈凹槽、多個(gè)濃液流道、導(dǎo)流盤盤體、邊沿；導(dǎo)流盤盤體上設(shè)有若干導(dǎo)流小凸臺(tái)；在盤體的背面，由中心孔向盤體外邊緣依次設(shè)置的多個(gè)限位孔、密封凸環(huán)、多個(gè)濃液流道、導(dǎo)流盤背面、邊沿；其中限位柱與限位孔在正面和背面同一位置的兩側(cè)且尺寸相同，密封圈凹槽和密封凸環(huán)在正面和背面同一位置的兩側(cè)且尺寸相同。本申請(qǐng)單密封設(shè)計(jì)，將下面的密封圈凹槽改成凸環(huán)，增加了密封處的厚度和強(qiáng)度，適應(yīng)超高壓DTRO膜柱。

技術(shù)研發(fā)人員：田鑫,趙建云,伍強(qiáng),赫銀亮,吳征,龍彥功
受保護(hù)的技術(shù)使用者：華盛龍環(huán)?？萍迹▽幭模┯邢薰?br/>技術(shù)研發(fā)日：20240122
技術(shù)公布日：2025/1/6