本申請涉及半導體設(shè)備領(lǐng)域，具體涉及一種用于半導體設(shè)備反應(yīng)腔的噴嘴裝置和半導體設(shè)備。

背景技術(shù)：

1、現(xiàn)有技術(shù)中的噴嘴組件主要通過將進氣管的氣流經(jīng)環(huán)形圈擴散后通過多個管道流到層狀勻氣空間，并通過該勻氣空間進行二次分配，以使得氣體通過水平方向流入反應(yīng)腔內(nèi)。但是由于管道相對于該勻氣空間無法達到中心對稱，導致氣體在環(huán)形周向上出氣不均勻，影響后續(xù)工藝的穩(wěn)定性。

2、雖然現(xiàn)有技術(shù)公開了可以通過在進氣方向的垂直方向上進行勻氣，但是如何做到極致的勻氣效果以及如何設(shè)置各個勻氣構(gòu)造都是一個值得探索的問題。

技術(shù)實現(xiàn)思路

1、為了解決上述問題，本申請?zhí)峁┝艘环N用于半導體設(shè)備反應(yīng)腔的噴嘴裝置，以提供更好的勻氣效果。

2、所述噴嘴裝置包括多個相互獨立的氣流通道，以將外部氣體以不同的路徑流入所述反應(yīng)腔內(nèi)；所述氣流通道包括沿第一方向延伸的勻氣組件及沿第二方向延伸的出氣組件，各個所述氣流通道的勻氣組件并列設(shè)置；

3、每個所述勻氣組件均包括沿所述第一方向堆疊布置的多個勻氣單元，所述勻氣單元包括在所述第一方向上相對設(shè)置的上壁和下壁，所述上壁設(shè)置有供外部氣體進入的至少一個通孔，所述下壁設(shè)有連通相鄰勻氣單元的若干個通孔，其中，每一所述勻氣單元的下壁的通孔數(shù)量是同一所述勻氣單元的上壁的通孔數(shù)量的兩倍；

4、所述出氣組件包括垂直于第二方向并面向反應(yīng)腔的側(cè)壁及平行于所述第二方向設(shè)置的頂壁和底壁，所述側(cè)壁設(shè)置有供所述外部氣體排出的若干個出氣孔，所述出氣孔在所述側(cè)壁上均勻排布。

5、優(yōu)選地，每個所述勻氣單元的上壁及下壁的所述通孔存在以下位置關(guān)系：將所述下壁上的各通孔正投影于所述上壁上形成通孔投影時，所述上壁的每個所述通孔均位于與其相鄰的兩個通孔投影的中垂線上。

6、優(yōu)選地，當所述上壁上的所述通孔數(shù)量不小于兩個時，各個所述通孔在其所在的上壁上均勻分布；

7、在每一所述勻氣組件的至少一個勻氣單元中，所述上壁的通孔的總流通面積小于所述下壁的通孔的總流通面積。

8、優(yōu)選地，每個所述勻氣組件的勻氣單元的層數(shù)不小于6層。

9、優(yōu)選地，在氣流流向上，定義每個所述勻氣組件的位于最下游的勻氣單元為末級勻氣單元，所述末級勻氣單元的下壁的多個通孔為第二通孔組，所述第二通孔組朝向所述出氣組件的底壁設(shè)置，定義以所述第二通孔組向所述底壁的正投影為第二通孔投影，所述底壁上設(shè)有位于所述第二通孔投影和所述側(cè)壁之間的擾流部。

10、優(yōu)選地，所述出氣組件的底壁與頂壁平行設(shè)置，且所述底壁和所述頂壁之間的距離為a，所述擾流部的高度不高于a的四分之一。

11、優(yōu)選地，所述擾流部的高度不高于1毫米。

12、優(yōu)選地，所述噴嘴裝置呈圓柱狀設(shè)置，各所述勻氣組件配置為呈同心排列的環(huán)形柱體。

13、本申請還提出一種半導體設(shè)備，包括：

14、反應(yīng)腔，其內(nèi)部設(shè)置有水平布置的支撐晶圓的旋轉(zhuǎn)基盤；

15、所述的噴嘴裝置，所述噴嘴裝置至少部分設(shè)置在所述反應(yīng)腔內(nèi)，所述噴嘴裝置包括多個相互獨立的氣流通道，以將外部氣體以不同的路徑流入所述反應(yīng)腔內(nèi)；所述氣流通道包括沿第一方向延伸的勻氣組件及沿第二方向延伸的出氣組件，所述出氣組件呈圓盤狀設(shè)置，所述第一方向配置為豎直方向，所述第二方向配置為所述出氣組件的徑向。

16、本申請?zhí)峁┑膰娮煅b置通過多層勻氣單元設(shè)計具有很好的勻氣效果，保證了半導體設(shè)備工藝的穩(wěn)定性；并且采用多層氣流通道設(shè)計，各層氣流通道互相獨立，可以單獨供氣。

技術(shù)特征：

1.一種用于半導體設(shè)備反應(yīng)腔的噴嘴裝置，其特征在于，所述噴嘴裝置包括多個相互獨立的氣流通道，以將外部氣體以不同的路徑流入所述反應(yīng)腔內(nèi)；所述氣流通道包括沿第一方向延伸的勻氣組件及沿第二方向延伸的出氣組件，各個所述氣流通道的勻氣組件并列設(shè)置；

2.如權(quán)利要求1所述的噴嘴裝置，其特征在于，每個所述勻氣單元的上壁及下壁的所述通孔存在以下位置關(guān)系：將所述下壁上的各通孔正投影于所述上壁上形成通孔投影時，所述上壁的每個所述通孔均位于與其相鄰的兩個通孔投影的中垂線上。

3.如權(quán)利要求2所述的噴嘴裝置，其特征在于，當所述上壁上的所述通孔數(shù)量不小于兩個時，各個所述通孔在其所在的上壁上均勻分布；

4.如權(quán)利要求2所述的噴嘴裝置，其特征在于，每個所述勻氣組件的勻氣單元的層數(shù)不小于6層。

5.如權(quán)利要求1所述的噴嘴裝置，其特征在于，在氣流流向上，定義每個所述勻氣組件的位于最下游的勻氣單元為末級勻氣單元，所述末級勻氣單元的下壁的多個通孔為第二通孔組，所述第二通孔組朝向所述出氣組件的底壁設(shè)置，定義以所述第二通孔組向所述底壁的正投影為第二通孔投影，所述底壁上設(shè)有位于所述第二通孔投影和所述側(cè)壁之間的擾流部。

6.如權(quán)利要求5所述的噴嘴裝置，其特征在于，所述出氣組件的底壁與頂壁平行設(shè)置，且所述底壁和所述頂壁之間的距離為a，所述擾流部的高度不高于a的1/4。

7.如權(quán)利要求5所述的噴嘴裝置，其特征在于，所述擾流部的高度不高于1毫米。

8.如權(quán)利要求1所述的噴嘴裝置，其特征在于，所述噴嘴裝置呈圓柱狀設(shè)置，各所述勻氣組件配置為呈同心排列的環(huán)形柱體。

9.一種半導體設(shè)備，其特征在于，包括：

技術(shù)總結(jié)
本申請涉及一種用于半導體設(shè)備反應(yīng)腔的噴嘴裝置，包括多個相互獨立的氣流通道；所述氣流通道包括沿第一方向延伸的勻氣組件及沿第二方向延伸的出氣組件，各個氣流通道的勻氣組件并列設(shè)置；每個勻氣組件均包括沿所述第一方向堆疊布置的多個勻氣單元，每個勻氣單元均包括在第一方向上相對設(shè)置的上壁和下壁，上壁設(shè)置有至少一個通孔，下壁設(shè)有連通相鄰勻氣單元的若干個通孔，其中，每一勻氣單元的下壁的通孔數(shù)量是同一勻氣單元的上壁的通孔數(shù)量的兩倍；出氣組件包括側(cè)壁、頂壁和底壁，所述側(cè)壁設(shè)置有若干個出氣孔。本申請采用多層勻氣單元設(shè)計，具有很好的勻氣效果，并且采用多層氣流通道設(shè)計，各層氣流通道互相獨立，可以單獨供氣。

技術(shù)研發(fā)人員：請求不公布姓名
受保護的技術(shù)使用者：無錫先為科技有限公司
技術(shù)研發(fā)日：20240426
技術(shù)公布日：2025/1/2