本技術(shù)涉及除泡，尤其涉及集成電路濕法制程除泡裝置。

背景技術(shù)：

1、由于內(nèi)外槽液位差異，overflow時(shí)液體因重力撞擊噴濺產(chǎn)生大量泡沫，但泡的穩(wěn)定是由于表面活性劑的存在，導(dǎo)致兩種效應(yīng)，●marangoni效應(yīng)：指的是液體從底面張力處流向高表面張力處的流動(dòng)現(xiàn)象

2、步驟1層膜中的液體由于受重力的影響流向液層。

3、步驟2流動(dòng)導(dǎo)致層膜頂部比其他部位稀疏，同時(shí)使頂部的表面活性劑減少。

4、步驟3表面張力差異產(chǎn)生，因?yàn)轫敳康谋砻鎻埩^其他部位高。低表面張力向高表面張力部位的轉(zhuǎn)移導(dǎo)致對(duì)抗力的產(chǎn)生，液體將回流至頂部。

5、步驟4向下流動(dòng)和回流將達(dá)到平衡，如果此平衡足以在達(dá)到層膜臨界膜厚前發(fā)生，氣泡將穩(wěn)定。

6、消除泡沫方法有化學(xué)消泡法，而化學(xué)消泡法通過向泡沫基液中添加化學(xué)劑，改變發(fā)泡劑的某些性質(zhì)，達(dá)到消泡的目的，但消泡后可能產(chǎn)生二次污染，且機(jī)械消泡法需采用專門機(jī)械設(shè)備，增加設(shè)備成本，自然消泡法占地面積大、消泡時(shí)間長，為此提出了集成電路濕法制程除泡裝置。

技術(shù)實(shí)現(xiàn)思路

1、本實(shí)用新型的目的是為了解決現(xiàn)有技術(shù)中存在的缺點(diǎn)，而提出的集成電路濕法制程除泡裝置。

2、為了實(shí)現(xiàn)上述目的，本實(shí)用新型采用了如下技術(shù)方案：集成電路濕法制程除泡裝置，包括箱體，所述箱體上設(shè)有內(nèi)槽和外槽，所述箱體頂端設(shè)有孔洞，所述外槽頂端靠近孔洞一側(cè)安裝有除泡器，所述外槽頂端安裝有導(dǎo)流板。

3、作為上述技術(shù)方案的進(jìn)一步描述：

4、所述導(dǎo)流板位于除泡器上方，所述導(dǎo)流板與除泡器采用耐酸堿塑料制成。

5、作為上述技術(shù)方案的進(jìn)一步描述：

6、所述除泡器上毛刷為篦狀結(jié)構(gòu)+針狀細(xì)刺。

7、作為上述技術(shù)方案的進(jìn)一步描述：

8、所述導(dǎo)流板為45°傾斜設(shè)置。

9、作為上述技術(shù)方案的進(jìn)一步描述：

10、除泡器(5)包括固定板、毛刷、支撐柱。

11、本實(shí)用新型具有如下有益效果：

12、1、本實(shí)用新型中，在于導(dǎo)入45°導(dǎo)流板與除泡器，綜合產(chǎn)生的消泡效應(yīng)創(chuàng)新方法，導(dǎo)入微型裝置，設(shè)備成本極低，可有效且快速地達(dá)成良好消泡效果，避免晶圓濕制程因氣泡造成的品質(zhì)問題如電鍍針孔和水痕等，消除因藥水產(chǎn)生泡沫產(chǎn)生的產(chǎn)線制程困擾與環(huán)境污染，此方法可廣泛適用于各種晶圓濕制程之消泡應(yīng)用。

技術(shù)特征：

1.集成電路濕法制程除泡裝置，包括箱體（1），其特征在于：所述箱體（1）上設(shè)有內(nèi)槽（2）和外槽（3），所述箱體（1）頂端設(shè)有孔洞（4），所述外槽（3）頂端靠近孔洞（4）一側(cè)安裝有除泡器（5），所述外槽（3）頂端安裝有導(dǎo)流板（6）。

2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的集成電路濕法制程除泡裝置，其特征在于：所述導(dǎo)流板（6）位于除泡器（5）上方，所述導(dǎo)流板（6）與除泡器（5）采用耐酸堿塑料制成。

3.根據(jù)權(quán)利要求1所述的集成電路濕法制程除泡裝置，其特征在于：所述除泡器（5）上毛刷為篦狀結(jié)構(gòu)+針狀細(xì)刺。

4.根據(jù)權(quán)利要求1所述的集成電路濕法制程除泡裝置，其特征在于：所述導(dǎo)流板（6）為45°傾斜設(shè)置。

5.根據(jù)權(quán)利要求1所述的集成電路濕法制程除泡裝置，其特征在于：所述除泡器（5）包括固定板、毛刷、支撐柱。

技術(shù)總結(jié)
本技術(shù)涉及除泡技術(shù)領(lǐng)域，公開了集成電路濕法制程除泡裝置，包括箱體，所述箱體上設(shè)有內(nèi)槽和外槽，所述箱體頂端設(shè)有孔洞，所述外槽頂端靠近孔洞一側(cè)安裝有除泡器，所述外槽頂端安裝有導(dǎo)流板。本技術(shù)中，利用導(dǎo)入45°導(dǎo)流板與除泡器，可有效且快速地達(dá)成良好消泡效果，避免晶圓濕制程因氣泡造成的品質(zhì)問題如電鍍針孔和水痕等，消除因藥水產(chǎn)生泡沫產(chǎn)生的產(chǎn)線制程困擾與環(huán)境污染，此方法可廣泛適用于各種晶圓濕制程之消泡應(yīng)用。

技術(shù)研發(fā)人員：郭劍云
受保護(hù)的技術(shù)使用者：日月新半導(dǎo)體（昆山）有限公司
技術(shù)研發(fā)日：20240428
技術(shù)公布日：2025/1/6