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一種親水性聚偏氟乙烯平板膜的制備方法

文檔序號:8272719閱讀:824來源:國知局
一種親水性聚偏氟乙烯平板膜的制備方法
【技術(shù)領(lǐng)域】
[0001] 本發(fā)明涉及一種親水性聚偏氟乙烯平板膜的制備方法。
【背景技術(shù)】
[0002] 聚偏氟乙烯是一種半結(jié)晶型聚合物,由于C-F鍵長短、鍵能高,因此相對其他含氟 材料,具有耐熱、耐沖擊性、機械性能優(yōu)良、耐腐蝕、易成膜等特點,是制備水處理膜的主要 原料,但由于聚偏氟乙烯表面能低、不能與水分子形成氫鍵作用,所以具有極強的疏水性, 雖然這種疏水性使其在疏水、非極性膜方面具有明顯的優(yōu)勢,但在制備成水處理膜的使用 過程中,尤其是在污水處理過程中,極易吸附有機物、膠體粒子、微生物等疏水性物質(zhì)而堵 塞膜孔,從而產(chǎn)生膜污染,降低使用效果,因此需要對聚偏氟乙烯平板膜進行親水化改性, 以提高其抗污染性,增加水通量,延長使用壽命。
[0003] 專利CN100411722C公開了一種聚偏氟乙烯平板膜親水改性方法,將含氟碳鏈的 兩嵌段型據(jù)環(huán)氧乙烷與聚偏氟乙烯共混制備成親水性的聚偏氟乙烯平板膜,利用含氟碳鏈 與基體的相似性增加相容性,親水性結(jié)構(gòu)增加親水性,但這種聚合物合成困難并且在溶劑 中溶解度小,因此對聚偏氟乙烯膜親水性的改性效果有限;專利CN101596419B公開了一種 聚偏氟乙烯/氰乙基纖維素或氰乙基乙基纖維素溶質(zhì)液晶共混制備聚偏氟乙烯膜的方法, 高分子液晶的加入可以增加鑄膜液的流動性,并在適當條件下獲得較高的取向度,從而增 加共混膜的強度及抗污染型等,但高分子液晶制備困難,不易工業(yè)化,并且在基體中容易流 失等缺陷;專利CN102240510B首先將聚偏氟乙烯與馬來酸酐共聚物共混制備成膜,然后再 將膜浸入到氨基硅烷的溶液中進行表面修飾,以增加聚偏氟乙烯膜的親水性及耐熱性能, 這種方法將共混與表面接枝結(jié)合,以改善聚偏氟乙烯膜的親水性能,但該種方法步驟較多, 不易工業(yè)化;專利CN101954250B公開了一種聚偏氟乙烯和酚酞基聚醚砜共混膜的制備方 法,該種共混膜可以提高膜的親水性及抗收縮能力等,但由于酚酞基醚砜在溶劑中的溶解 度較低,需要在120°C以上溶解,耗能較高,且高溫容易增加聚偏氟乙烯的降解。

【發(fā)明內(nèi)容】

[0004] 本發(fā)明的目的在于提供一種具有優(yōu)異的親水性且工藝簡單,便于工業(yè)化生產(chǎn)的親 水性聚偏氟乙烯平板膜的制備方法。
[0005] 為達到上述目的,本發(fā)明的技術(shù)方案提供了一種親水性聚偏氟乙烯平板膜的制備 方法,包括以下步驟:
[0006] 1)將聚偏氟乙烯、親水性單體、引發(fā)劑和溶劑制備成鑄膜液;
[0007] 2)將得到的鑄膜液靜置脫除氣泡后制備成平板膜;
[0008] 3)將得到的平板膜在水或水的復合溶劑組成的凝固浴中進行固化成膜,并在固化 過程中或固化之后用高能電子進行輻照,得到親水性的聚偏氟乙烯平板膜;
[0009] 其中,所述的親水性單體為含有雙鍵、羥基或羧基的單體。
[0010] 根據(jù)上述技術(shù)方案提供的方法,在一些實施方式中,致孔劑為聚乙二醇、聚乙烯吡 咯烷酮、氯化鋰等中的一種或幾種混合物,含量為鑄膜液質(zhì)量的1-10%。
[0011] 在一些實施方式中,親水性單體含量為鑄膜液質(zhì)量的0. 5?15%。
[0012] 在一些實施方式中,所述親水性單體選自含氟的或不含氟的丙烯酸及其酯類、苯 乙烯類。
[0013] 在一些實施方式中,所述的親水性單體選自苯乙烯、丙烯酸甲酯、甲基丙烯酸甲 酯、烯丙醇、結(jié)構(gòu)式為F(CF 2)nCH2CH2OH的全氟烷基乙基醇或結(jié)構(gòu)式為CH 2= CHCOOC2H2(Cf2) mF的全氟烷基乙基丙烯酸酯;其中,η為2、4或6,m為4、6、8或10,在又一些實施方式中,η 為4或6, m為8。
[0014] 在一些實施方式中,引發(fā)劑選自過硫酸銨、過硫酸鉀或偶氮二異丁腈,含量為鑄膜 液質(zhì)量的0.01-1%。
[0015] 在一些實施方式中,聚偏氟乙稀的含量為鑄膜液質(zhì)量的15-25%。
[0016] 在一些實施方式中,所述溶劑選自N,N二甲基乙酰胺、N,N二甲基甲酰胺、二甲基 亞砜、磷酸三乙酯;溶劑量為鑄膜液質(zhì)量的50-80%。
[0017] 在一些實施方式中,凝固浴中所采用的有機溶劑為甲醇、乙醇、丙酮、N,N-二甲 基甲酰胺、N,N-二甲基乙酰胺、二甲基亞砜中的一種或幾種的組合,含量為凝固浴質(zhì)量的 0-50%,
[0018] 在一些實施方式中,高能電子束輻照的輻照劑量為150_300kGy,輻照引發(fā)在平板 膜凝固過程中或凝固后均可。
[0019] 本發(fā)明使用的術(shù)語"烷基"包括1-12個碳原子飽和直鏈或支鏈的單價烴 基,其中烷基可以獨立任選地被一個或多個本發(fā)明所描述的取代基所取代。烷基基 團更進一步的實例包括,但并不限于,甲基(Me,-CH 3),乙基(Et,-CH2CH3),正丙基 (n-Pr,-CH 2CH2CH3),異丙基(i-Pr,-CH(CH3) 2),正丁基(n-Bu,-CH2CH2CH2CH 3), 2-甲基丙 基或異丁基(i-Bu,-CH2CH(CH3)2),1_ 甲基丙基或仲丁基(s-Bu,-CH(CH3)CH2CH3),叔丁 基(t-Bu,-C(CH 3)3),正戊基(-CH2CH2CH2CH 2CH3),2-戊基(-CH(CH3)CH2CH 2CH3),3-戊基 (-CH (CH2CH3) 2),2-甲基-2- 丁基(-C (CH3) 2CH2CH3),3-甲基-2- 丁基(-CH (CH3) CH (CH3) 2), 3_ 甲基 _1_ 丁 基(-CH2CH2CH(CH3)2),2 _ 甲基 _1_ 丁基(-CH2CH(CH3)CH2CH3),正己基( _CH 2CH2CH2CH2CH2CH 3), 2- S S (-CH(CH3)CH2CH2CH2Ch 3) ,3- S S (-CH(CH2CH3)(CH2CH2Ch 3)), 2-甲基-2-戊基(-C (CH3) 2CH2CH2CH3),3-甲基-2-戊基(-CH (CH3) CH (CH3) CH2CH3),4-甲 基-2_ 戊基(-CH (CH3) CH2CH (CH3) 2),3_ 甲基 _3_ 戊基(-C (CH3) (CH2CH3) 2),2_ 甲基 _3_ 戊 基(-CH (CH2CH3) CH (CH3) 2),2, 3-二甲基-2- 丁基(-C (CH3) 2CH (CH3) 2),3, 3-二甲基-2- 丁基 (-CH (CH3) C (CH3) 3),正庚基,正辛基,等等。術(shù)語"烷基"和其前綴"烷"在此處使用,都包含 直鏈和支鏈的飽和碳鏈。
[0020] 本發(fā)明使用的定義"氟代烷基"或"氟烷基"表示烷基被一個或多個相同或不同的 氟原子所取代,"全氟烷基"表示烷基上所有的氫原子都被氟原子所取代,其中烷基具有如 本發(fā)明所述的含義,這樣的實例包括,但并不限于三氟甲基,三氟乙基等。
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