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一種聚四氟乙烯中空纖維膜表面親水化改性的方法

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一種聚四氟乙烯中空纖維膜表面親水化改性的方法
【技術(shù)領(lǐng)域】
[0001] 本發(fā)明涉及一種膜的改性方法,具體涉及一種聚四氟乙烯中空纖維膜表面親水化 改性的方法。
【背景技術(shù)】
[0002] 聚四氟乙烯(PTFE)是一種綜合性能非常優(yōu)良的膜分離材料,具有極其優(yōu)異的化學(xué) 穩(wěn)定性、耐高溫性、耐有機(jī)溶劑和耐化學(xué)腐蝕性以及良好的力學(xué)性能,素有"塑料王"的美 譽(yù)。此外,中空纖維膜相比其他結(jié)構(gòu)型式的分離膜具有:膜的有效面積大、水通量大、膜組件 結(jié)構(gòu)緊湊、填充密度高、占地面積小、清洗方便等優(yōu)點(diǎn),因此聚四氟乙烯中空纖維膜在膜分 離領(lǐng)域具有廣闊的應(yīng)用前景。
[0003] 但是,由于該材料高度對(duì)稱(chēng)的分子結(jié)構(gòu),結(jié)晶度高且不含有活性基團(tuán),使得其表面 張力和摩擦系數(shù)很低,導(dǎo)致其表面疏水性很高而潤(rùn)濕性極差,這嚴(yán)重影響了 PTFE在粘接、印 染以及液體過(guò)濾領(lǐng)域等方面的應(yīng)用。另一方面,這種極強(qiáng)的疏水性導(dǎo)致其在污廢水處理過(guò) 程中,膜表面極易吸附有機(jī)物等雜質(zhì)而造成濃差極化,從而產(chǎn)生膜污染現(xiàn)象,使得通量急劇 下降,分離效果變差,膜分離組件使用壽命也會(huì)降低。
[0004] 針對(duì)上述PTFE膜材料的局限性,國(guó)內(nèi)研究人員一直致力于對(duì)PTFE微孔膜的表面親 水化改性研究,隨著PTFE微孔膜應(yīng)用領(lǐng)域的不斷擴(kuò)展,對(duì)其進(jìn)行親水化改性的方法也逐漸 增多,主要包括高溫熔融法、表面化學(xué)腐蝕、高能輻射接枝和準(zhǔn)分子激光處理等。雖然包括 高溫熔融法等在內(nèi)的化學(xué)和物理方法使得膜表面接觸角由125°降至65°左右的水平,親水 性得到了提高,但仍存在一些不足之處。其中,高溫熔融處理過(guò)程中PTFE會(huì)釋放一種有毒物 質(zhì)全氟異丁烯,而且不易保持形狀;化學(xué)處理法處理后的PTFE膜表面明顯變暗且影響材料 本體的性能,處理過(guò)程還會(huì)產(chǎn)生大量的有害廢液,嚴(yán)重污染環(huán)境,操作危險(xiǎn)性較高;高溫輻 射接枝會(huì)對(duì)PTFE基體造成破壞,致使其力學(xué)性能降低;準(zhǔn)分子激光處理則對(duì)使用的激光源 要求比較苛刻等等。
[0005] 因此,有必要開(kāi)發(fā)一種既能減少對(duì)P T F E膜材料原有性能的破壞,又能長(zhǎng)久保持 PTFE膜表面親水性、高效經(jīng)濟(jì)的PTFE中空纖維膜表面親水化改性方法。

【發(fā)明內(nèi)容】

[0006] [要解決的技術(shù)問(wèn)題]
[0007] 本發(fā)明的目的是解決上述現(xiàn)有技術(shù)問(wèn)題,提供一種聚四氟乙烯中空纖維膜表面親 水化改性的方法。該方法在不影響PTFE中空纖維膜的固有優(yōu)良性能的同時(shí),對(duì)膜表面進(jìn)行 親水化改性,使PTFE膜表面的親水性得到極大提高,從而擴(kuò)大PTFE中空纖維膜在膜分離領(lǐng) 域的應(yīng)用范圍。
[0008] [技術(shù)方案]
[0009] 為了達(dá)到上述的技術(shù)效果,本發(fā)明采取以下技術(shù)方案:
[0010]本發(fā)明先將PTFE中空纖維膜浸漬于含有不同親水基團(tuán)的溶液中,使膜表面涂布一 層親水性物質(zhì),再利用射頻等離子體對(duì)PTFE膜進(jìn)行處理,處理原理如圖1所示,對(duì)膜體本身 和膜表面的親水性物質(zhì)同時(shí)進(jìn)行轟擊、刻蝕,打開(kāi)C-F鍵以及其他官能團(tuán)從而產(chǎn)生活性自由 基,進(jìn)而將親水基團(tuán)引發(fā)接枝到膜體上,形成穩(wěn)定的親水層,改善PTFE膜的親水性。
[0011] 一種聚四氟乙烯中空纖維膜表面親水化改性的方法,該方法先將聚四氟乙烯中空 纖維膜浸漬于含親水基團(tuán)的溶液中,使膜表面涂布一層親水性物質(zhì);然后利用射頻等離子 體對(duì)聚四氟乙烯中空纖維膜進(jìn)行處理,對(duì)膜體本身和膜表面的親水性物質(zhì)同時(shí)進(jìn)行轟擊、 刻蝕,以產(chǎn)生活性自由基,進(jìn)而將親水基團(tuán)引發(fā)接枝到聚四氟乙烯中空纖維膜膜體上,形成 穩(wěn)定的親水層。
[0012] 上述聚四氟乙烯中空纖維膜表面親水化改性的方法,它包括以下步驟:
[0013] a,浸漬
[0014]將聚四氟乙烯中空纖維膜浸泡于異丙醇中30~180min進(jìn)行短暫親水改性,然后取 出再浸漬于含親水基團(tuán)的溶液中7~1Oh,浸漬過(guò)程中保持密封;
[0015]B,射頻等離子體處理
[0016]首先將浸漬結(jié)束的聚四氟乙烯中空纖維膜放入反應(yīng)室內(nèi)的石英支架上,以保證該 聚四氟乙烯中空纖維膜處于懸空狀態(tài),抽真空;
[0017]然后以氮?dú)庾鳛闅庠?,利用射頻電感耦合的方式產(chǎn)生等離子體,對(duì)所述聚四氟乙 烯中空纖維膜進(jìn)行處理;
[0018] 最后處理完畢后,將處理的聚四氟乙烯中空纖維膜取出并用去離子水?dāng)嚢枨逑础?自然干燥保存。
[0019]根據(jù)本發(fā)明更進(jìn)一步的技術(shù)方案,在步驟A中,所述親水基團(tuán)包括磺酸基、氨基、輕 基、酸基、醋基或駿酸基。
[0020] 根據(jù)本發(fā)明更進(jìn)一步的技術(shù)方案,在步驟A中,所述親水基團(tuán)的溶液中,其親水基 團(tuán)的濃度為5wt%~45wt%。
[0021] 根據(jù)本發(fā)明更進(jìn)一步的技術(shù)方案,在步驟B中,所述抽真空的真空度為2~5Pa。 [0022]根據(jù)本發(fā)明更進(jìn)一步的技術(shù)方案,在步驟B中,所述以氮?dú)庾鳛闅庠词钦{(diào)節(jié)氮?dú)饬?量為10~90cm 3/min,并調(diào)節(jié)氣壓使反應(yīng)室內(nèi)壓強(qiáng)達(dá)到20~80Pa。
[0023]根據(jù)本發(fā)明更進(jìn)一步的技術(shù)方案,在步驟B中,所述以氮?dú)庾鳛闅庠词钦{(diào)節(jié)氮?dú)饬?量為 20 ~60cm3/min。
[0024]根據(jù)本發(fā)明更進(jìn)一步的技術(shù)方案,在步驟B中,所述處理的條件為控制射頻處理功 率為80~600W、射頻頻率為10~15MHz,在溫度為30~150°C的條件下處理40~500s。
[0025]根據(jù)本發(fā)明更進(jìn)一步的技術(shù)方案,在步驟B中,所述處理的條件為控制射頻處理功 率為100~500W、射頻頻率為13.56MHz,在溫度為50~120°C的條件下處理60~300s。
[0026]根據(jù)本發(fā)明更進(jìn)一步的技術(shù)方案,在步驟B中,所述用去離子水?dāng)嚢枨逑词侵赣脺?度為40~60°C的去離子水?dāng)嚢枨逑?0~15h。
[0027]下面將詳細(xì)地說(shuō)明本發(fā)明。
[0028]本發(fā)明中,所述浸漬過(guò)程中保持密封的目的是為了防止溶液揮發(fā)。浸漬過(guò)程中,控 制親水基團(tuán)的溶液的濃度為5wt %~45wt %,過(guò)高則親水性單體會(huì)發(fā)生自聚或均聚反應(yīng),會(huì) 增大反應(yīng)體系的黏度,減弱體系的流動(dòng)性,導(dǎo)致膜表面沉積過(guò)厚的親水涂層,這會(huì)影響等離 子體撞擊脫氟的有效性,進(jìn)而影響膜表面親水改性效果,過(guò)低則膜表面沉積的親水涂層太 薄,導(dǎo)致膜表面接枝的親水基團(tuán)太少,親水改性效果不顯著。在進(jìn)行射頻等離子體處理時(shí), 將浸漬結(jié)束的聚四氟乙烯中空纖維膜懸空放置于等離子處理器中的反應(yīng)室內(nèi),然后啟動(dòng)真 空栗抽真空至2~5Pa;通入氮?dú)馇逑磁懦龇磻?yīng)室和管路中殘余的空氣,調(diào)節(jié)針閥控制氣體 流量在10~90cm 3/min,如果氮?dú)饬髁窟^(guò)大,則造成等離子體發(fā)生器中真空度降低,氮?dú)夥?子密度過(guò)大,顯著縮短了射頻放電產(chǎn)生的高能粒子的活性自由程度,進(jìn)而不能充分激發(fā)電 離反應(yīng)器中的氣體分子,影響親水改性效果;如果氮?dú)饬髁窟^(guò)小,則等離子體發(fā)生器中氮粒 子密度太小,離子化氣體的更新速度太慢,以至于不能高頻有效的轟擊膜表面,減弱脫氟作 用,導(dǎo)致親水改性效果不理想。
[0029] 然后調(diào)節(jié)氣壓使壓強(qiáng)達(dá)到20~80Pa。控制射頻處理功率為80~600W、射頻頻率為 10~15MHz,在溫度為30~150 °C的條件下處理40~500s。其中,處理功率的高低代表著膜表 面所能接受到能量的多少,功率增大使得定量氮?dú)夥肿荧@得的能量也隨之增大,氮?dú)獾碾?離度以及活性粒子的平均能量變大,導(dǎo)致活性粒子對(duì)PTFE膜表面的轟擊強(qiáng)度增大,進(jìn)而使 得膜表面分子的化學(xué)鍵被打開(kāi)的機(jī)率升高,以及進(jìn)一步與等離子體中的自由基結(jié)合形成極 性基團(tuán)的數(shù)目增加,從而降低了膜與水的接觸角,增加了膜表面改性效果。但是當(dāng)射頻源功 率過(guò)大時(shí),等離子體產(chǎn)生的大量自由基之間相互結(jié)合反應(yīng)的概率和數(shù)量也會(huì)增大,而不能 與膜表面的自由基有效結(jié)合,所以等離子體處理功率并不是越大越好。
[0030] 溫度過(guò)低,不能充分活化膜表面的自由基和親水涂層;溫度過(guò)高,則引起親水性單 體的自聚反應(yīng)而阻礙接枝,最終影響親水改性效果。
[0031] 在等離子體處理時(shí)間較短時(shí),等離子體中的活性粒子轟擊PTFE膜表面產(chǎn)生刻蝕, 導(dǎo)致膜表面的化學(xué)鍵發(fā)生斷裂,脫掉一部分氟元素并生成了很多可引發(fā)反應(yīng)的過(guò)氧化物, 也就是自由基,這些膜表面的自由基與等離子體中的自由基重新結(jié)合,在膜表面形成極性 基團(tuán)。由于膜表面增加了大量的極性基團(tuán),從而顯著提高了PTFE膜表面的潤(rùn)濕性。隨著處理 時(shí)間的延長(zhǎng),膜表面聚合的極性基團(tuán)的數(shù)量也逐漸增多,接觸角也持續(xù)下降。
[0032]當(dāng)?shù)入x子體處理時(shí)間增至一定限度時(shí),PTFE膜表面產(chǎn)生的自由基也達(dá)到一臨界 值,再延長(zhǎng)處理時(shí)間,等離子體作用生成的新自由基團(tuán)之間交聯(lián)反應(yīng)的速率和幾率增大,而 引發(fā)接枝的自由基數(shù)目反而減少,極性基團(tuán)增加和交聯(lián)反應(yīng)速率達(dá)到動(dòng)態(tài)平衡,因而接觸 角稍有變大至不再發(fā)生明顯變化。
[0033]本發(fā)明在射頻反應(yīng)完成后取溫度為40~60°C的去離子水?dāng)嚢枨逑?0~15h,以洗 去樣品表面吸附的均聚
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