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一種微波冶煉反應(yīng)裝置的制造方法

文檔序號(hào):10583554閱讀:449來源:國(guó)知局
一種微波冶煉反應(yīng)裝置的制造方法
【專利摘要】本發(fā)明提供一種微波冶煉反應(yīng)裝置,包括殼體、微波源、設(shè)置在殼體內(nèi)部的反應(yīng)腔體和設(shè)置在反應(yīng)腔體內(nèi)的反應(yīng)容器;微波源由磁控管和波導(dǎo)管組成;反應(yīng)腔體設(shè)置有兩個(gè)端口,分別為第一端口和第二端口;第一端口處設(shè)置有四氟乙烯隔板和擋板,四氟乙烯隔板位于擋板內(nèi)側(cè);波導(dǎo)管穿過擋板,波導(dǎo)管的一端與磁控管連接,另一端位于四氟乙烯隔板與擋板組成的腔體內(nèi);殼體上設(shè)置有第一導(dǎo)氣管,反應(yīng)腔體的第二端口處設(shè)置有第二導(dǎo)氣管。本發(fā)明的微波源設(shè)置在反應(yīng)腔體端口,微波輻射到反應(yīng)物時(shí)的效果佳,通過第一導(dǎo)氣管向微波冶煉爐內(nèi)通入反應(yīng)氣氛或?qū)ξ⒉ㄒ睙挔t內(nèi)抽真空,通過第二導(dǎo)氣管使得微波冶煉爐內(nèi)原料反應(yīng)產(chǎn)生的氣體能夠順利排出。
【專利說明】
一種微波冶煉反應(yīng)裝置
技術(shù)領(lǐng)域
[0001]本發(fā)明屬于微波加熱化學(xué)裝置技術(shù)領(lǐng)域,具體涉及一種微波冶煉反應(yīng)裝置。
【背景技術(shù)】
[0002]微波是一種頻率范圍從0.3?300GHz的電磁波,微波作為一種傳輸介質(zhì)和加熱能源已被廣泛應(yīng)用于各學(xué)科領(lǐng)域。與傳統(tǒng)加熱相比,微波加熱具有:(I)微波加熱是物質(zhì)在電磁場(chǎng)中因本身介質(zhì)損耗而引起的體積加熱,可實(shí)現(xiàn)分子水平上的攪拌,加熱均勻、溫度梯度小;(2)由于物質(zhì)吸收微波能的能力取決于自身的介電特性,因此可對(duì)混合物料中的各個(gè)組分進(jìn)行選擇性加熱;(3)微波加熱無滯后效應(yīng),當(dāng)關(guān)閉微波源后,再無微波能量傳向物質(zhì);
(4)微波加熱能量利用效率很高,物質(zhì)升溫非常迅速;(5)微波加熱可使反應(yīng)速率大大加快。目前,具有微波加熱功能的微波反應(yīng)裝置廣泛應(yīng)用于化學(xué)合成領(lǐng)域?,F(xiàn)有的微波冶煉反應(yīng)裝置結(jié)構(gòu)較為復(fù)雜,微波源多設(shè)置在微波爐外壁,微波輻射到達(dá)反應(yīng)物時(shí)其效果會(huì)被減弱。

【發(fā)明內(nèi)容】

[0003]本發(fā)明的目的是提供一種微波冶煉反應(yīng)裝置,以客服現(xiàn)有的微波冶煉反應(yīng)裝置微波源設(shè)置在微波爐外壁,微波輻射到達(dá)反應(yīng)物時(shí)其效果會(huì)被減弱的問題。
[0004]本發(fā)明采用的技術(shù)方案為:
[0005]一種微波冶煉反應(yīng)裝置,包括殼體、微波源裝置、設(shè)置在殼體內(nèi)部的反應(yīng)腔體和設(shè)置在反應(yīng)腔體內(nèi)的反應(yīng)容器;微波源裝置由磁控管和波導(dǎo)管組成;反應(yīng)腔體設(shè)置有兩個(gè)端口,分別為第一端口和第二端口;第一端口內(nèi)設(shè)置有四氟乙烯隔板和擋板,四氟乙烯隔板位于擋板內(nèi)側(cè);波導(dǎo)管穿過擋板,波導(dǎo)管的一端與磁控管連接,另一端位于四氟乙烯隔板、擋板和第一端口內(nèi)壁組成的腔體內(nèi);殼體上設(shè)置有第一導(dǎo)氣管,反應(yīng)腔體的第二端口處設(shè)置有第二導(dǎo)氣管;反應(yīng)腔體內(nèi)部與殼體內(nèi)部相通。
[0006]上述反應(yīng)腔體的底部為網(wǎng)狀的透氣隔板,反應(yīng)容器放置在透氣隔板上。
[0007]上述透氣隔板的底面與殼體內(nèi)壁之間設(shè)置有多根支柱。
[0008]其中,第一導(dǎo)氣管的一端位于殼體內(nèi)部,另一端位于殼體外部;第一導(dǎo)氣管上設(shè)置有第一閥門。
[0009]另外,反應(yīng)腔體的第二端口內(nèi)設(shè)置有堵塞,第二導(dǎo)氣管穿過堵塞并固定在堵塞上;第二導(dǎo)氣管的一端位于反應(yīng)腔體內(nèi)部,另一端位于殼體外部;第二導(dǎo)氣管上設(shè)置有第二閥門。
[0010]本發(fā)明的有益效果是,1.微波源設(shè)置在反應(yīng)腔體端口,微波輻射到反應(yīng)物時(shí)的效果佳;2.設(shè)置了第一導(dǎo)氣管和第二導(dǎo)氣管,通過第一導(dǎo)氣管向微波冶煉爐內(nèi)通入反應(yīng)氣氛或?qū)ξ⒉ㄒ睙挔t內(nèi)抽真空,通過第二導(dǎo)氣管使得微波冶煉爐內(nèi)原料反應(yīng)產(chǎn)生的氣體能夠順利排出。
【附圖說明】
[0011]圖1是本發(fā)明微波冶煉反應(yīng)裝置的結(jié)構(gòu)示意圖。
[0012]圖中:1-殼體,2-反應(yīng)腔體,3-反應(yīng)容器,4-第一導(dǎo)氣管,5-第二導(dǎo)氣管,6_透氣隔板,7-支柱,8-磁控管,9-波導(dǎo)管,10-第一閥門,11-堵塞,12-第二閥門,13-第一端口,14-第二端口,15-四氟乙烯隔板,16-擋板。
【具體實(shí)施方式】
[0013]下面結(jié)合附圖對(duì)本發(fā)明進(jìn)行詳細(xì)說明:
[0014]如圖1所示,本發(fā)明提供一種微波冶煉反應(yīng)裝置,包括殼體1、微波源裝置、設(shè)置在殼體I內(nèi)部的反應(yīng)腔體2和設(shè)置在反應(yīng)腔體2內(nèi)的反應(yīng)容器3;微波源裝置由磁控管8和波導(dǎo)管9組成;反應(yīng)腔體2設(shè)置有兩個(gè)端口,分別為第一端口 13和第二端口 14;第一端口 13內(nèi)設(shè)置有四氟乙烯隔板15和擋板16,四氟乙烯隔板15位于擋板16內(nèi)側(cè);波導(dǎo)管9穿過擋板16,波導(dǎo)管9的一端與磁控管8連接,另一端位于四氟乙烯隔板15、擋板16和第一端口 13內(nèi)壁組成的腔體內(nèi)。
[0015]殼體I上設(shè)置有第一導(dǎo)氣管4,反應(yīng)腔體2的第二端口14處設(shè)置有第二導(dǎo)氣管5。第一導(dǎo)氣管4的一端位于殼體I內(nèi)部,另一端位于殼體I外部,第一導(dǎo)氣管4上設(shè)置有第一閥門10;反應(yīng)腔體2的第二端口 14內(nèi)設(shè)置有堵塞11,第二導(dǎo)氣管5穿過堵塞11并固定在堵塞11上;第二導(dǎo)氣管5的一端位于反應(yīng)腔體2內(nèi)部,另一端位于殼體I外部,第二導(dǎo)氣管5上設(shè)置有第二閥門12。
[0016]反應(yīng)腔體2內(nèi)部與殼體I內(nèi)部是相通的;反應(yīng)腔體2的底部為網(wǎng)狀的透氣隔板6,反應(yīng)容器3放置在透氣隔板6上,透氣隔板6的底面與殼體I內(nèi)壁之間設(shè)置有多根支柱7。
[0017]本發(fā)明的工作原理是,先將原料放入反應(yīng)容器3內(nèi),打開磁控管8對(duì)反應(yīng)腔體2內(nèi)的原料進(jìn)行加熱,微波從磁控管8和波導(dǎo)管9輻射出來,通過聚四氟乙烯隔板15到達(dá)反應(yīng)腔體2內(nèi)部;四氟乙烯隔板15為絕緣體,幾乎不吸收微波能量,微波可以穿透四氟乙烯隔板15向前傳播;并且四氟乙烯隔板15將反應(yīng)腔體2內(nèi)的原料與微波通道腔隔開,使其不影響磁控管8的工作,達(dá)到了連續(xù)的微波輻射目的,微波通道腔也就是四氟乙烯隔板15、擋板16與第一端口 13內(nèi)壁組成的腔體;原料反應(yīng)過程中,如果需要反應(yīng)氣氛或抽真空,打開第一閥門10,通過第一導(dǎo)氣管4向殼體I內(nèi)通入反應(yīng)氣氛或?qū)んwI內(nèi)抽真空;由于透氣隔板6是鏤空的,殼體I與反應(yīng)腔體2是相通的,向殼體I內(nèi)通入反應(yīng)氣氛或抽真空也就相當(dāng)于向反應(yīng)腔體2內(nèi)通反應(yīng)氣氛或抽真空。反應(yīng)過程中,原料產(chǎn)生的氣體可以通過第二導(dǎo)氣管5順利排出。
[0018]以上內(nèi)容是結(jié)合具體的優(yōu)選實(shí)施方式對(duì)本發(fā)明所作的進(jìn)一步詳細(xì)說明,不能認(rèn)定本發(fā)明的【具體實(shí)施方式】?jī)H限于此,對(duì)于本發(fā)明所屬技術(shù)領(lǐng)域的普通技術(shù)人員來說,在不脫離本發(fā)明構(gòu)思的前提下,還可以做出若干簡(jiǎn)單的推演或替換,都應(yīng)當(dāng)視為屬于本發(fā)明由所提交的權(quán)利要求書確定專利保護(hù)范圍。
【主權(quán)項(xiàng)】
1.一種微波冶煉反應(yīng)裝置,其特征在于:包括殼體(I)、微波源裝置、設(shè)置在殼體(I)內(nèi)部的反應(yīng)腔體(2)和設(shè)置在反應(yīng)腔體(2)內(nèi)的反應(yīng)容器(3);所述微波源裝置由磁控管(8)和波導(dǎo)管(9)組成;所述反應(yīng)腔體(2)設(shè)置有兩個(gè)端口,分別為第一端口(13)和第二端口(14);第一端口(13)內(nèi)設(shè)置有四氟乙烯隔板(15)和擋板(16),四氟乙烯隔板(15)位于擋板(16)內(nèi)偵L波導(dǎo)管(9)穿過擋板(16),波導(dǎo)管(9)的一端與磁控管(8)連接,另一端位于四氟乙烯隔板(15)、擋板(16)和第一端口(13)內(nèi)壁組成的腔體內(nèi);所述殼體(I)上設(shè)置有第一導(dǎo)氣管(4),反應(yīng)腔體(2)的第二端口(14)處設(shè)置有第二導(dǎo)氣管(5);反應(yīng)腔體(2)內(nèi)部與殼體(I)內(nèi)部相通。2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的微波冶煉反應(yīng)裝置,其特征在于:所述反應(yīng)腔體(2)的底部為網(wǎng)狀的透氣隔板(6),反應(yīng)容器(3)放置在透氣隔板(6)上。3.根據(jù)權(quán)利要求2所述的微波冶煉反應(yīng)裝置,其特征在于:所述透氣隔板(6)的底面與殼體(I)內(nèi)壁之間設(shè)置有多根支柱(7)。4.根據(jù)權(quán)利要求1所述的微波冶煉反應(yīng)裝置,其特征在于:所述第一導(dǎo)氣管(4)的一端位于殼體(I)內(nèi)部,另一端位于殼體(I)外部;第一導(dǎo)氣管(4)上設(shè)置有第一閥門(10)。5.根據(jù)權(quán)利要求1所述的微波冶煉反應(yīng)裝置,其特征在于:所述反應(yīng)腔體(2)的第二端口(14)內(nèi)設(shè)置有堵塞(11),第二導(dǎo)氣管(5)穿過堵塞(11)并固定在堵塞(11)上;所述第二導(dǎo)氣管(5)的一端位于反應(yīng)腔體(2)內(nèi)部,另一端位于殼體(I)外部;第二導(dǎo)氣管(5)上設(shè)置有第二閥門(12)。
【文檔編號(hào)】B01J19/12GK105944640SQ201610502969
【公開日】2016年9月21日
【申請(qǐng)日】2016年6月30日
【發(fā)明人】魏云雷
【申請(qǐng)人】陜西友力實(shí)業(yè)有限公司
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