有機(jī)氣態(tài)污染物的冷凝處理設(shè)備的制造方法
【專(zhuān)利摘要】本發(fā)明有關(guān)一種有機(jī)氣態(tài)污染物的冷凝處理設(shè)備，該處理設(shè)備于基座內(nèi)部通道二側(cè)分別設(shè)有氣體入口、氣體出口，可供外部含污染物質(zhì)的氣體由氣體入口進(jìn)入，并經(jīng)通道內(nèi)部處理系統(tǒng)處理后的潔凈氣體由氣體出口輸出，且基座的通道一側(cè)氣體入口往另一側(cè)氣體出口方向，依序排列處理系統(tǒng)的氧化單元、加濕單元、第一冷凝單元、水洗單元及第二冷凝單元，通過(guò)氧化單元以光觸媒光源對(duì)氣體中的污染物質(zhì)進(jìn)行裂解，再增加氣體的濕度后進(jìn)行冷卻降溫，并對(duì)氣體沖洗后再次冷卻降溫，則將凈化氣體由氣體出口排出，達(dá)到將含污染物的氣體處理形成潔凈空氣的目的。
【專(zhuān)利說(shuō)明】
有機(jī)氣態(tài)污染物的冷凝處理設(shè)備
技術(shù)領(lǐng)域
[0001]本發(fā)明提供一種有機(jī)氣態(tài)污染物的冷凝處理設(shè)備，尤指可將含有污染物質(zhì)氣體進(jìn)行凈化處理的設(shè)備，利用基座內(nèi)部處理系統(tǒng)將污染氣體進(jìn)行光觸媒裂解、加濕、冷凝、水洗及再次冷凝等處理步驟，達(dá)到高效率凈化空氣的目的。
【背景技術(shù)】
[0002]按，隨著高科技時(shí)代進(jìn)步，各式電子、電氣產(chǎn)品盛行，智慧型手機(jī)、平板電腦及筆記型電腦等可攜式電子裝置廣為社會(huì)大眾應(yīng)用，也使得相關(guān)生產(chǎn)制造業(yè)紛紛設(shè)立，其中又以半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)的成長(zhǎng)速度提高，而半導(dǎo)體制造不論是在硅晶圓、積體電路制造或是IC晶片構(gòu)裝等，生產(chǎn)制程均相當(dāng)繁雜，并在制程中所使用的化學(xué)物質(zhì)種類(lèi)亦相當(dāng)多，而這些化學(xué)物質(zhì)或溶劑的使用，業(yè)成為半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)于生產(chǎn)制程中產(chǎn)生對(duì)空氣污染的主要污染源，也因此使得半導(dǎo)體的生產(chǎn)制造對(duì)空氣污染呈現(xiàn)量少但種類(lèi)繁多的特性。
[0003]再者，晶圓及積體電路制造過(guò)程中幾乎每個(gè)步驟皆分別使用各式各樣的酸堿物質(zhì)、有機(jī)溶劑及毒性氣體等，而各種物質(zhì)經(jīng)過(guò)反應(yīng)后又形成種類(lèi)頗為復(fù)雜的產(chǎn)物，各制程不同所使用的化學(xué)物質(zhì)亦不同，故所有制程也都可能是空氣的污染源，且生產(chǎn)制程所產(chǎn)生的廢氣皆為連續(xù)排放，并依污染物的特性予以歸類(lèi)，可將晶圓及積體電路制程造成對(duì)空氣污染的情況區(qū)分為:氧化擴(kuò)散及化學(xué)蒸著沉積制程中所使用具有毒性、可燃性的氣體以及反應(yīng)后所生成的氣體，蝕刻及清洗制程中所產(chǎn)生的酸堿氣體，黃光室制程中所產(chǎn)生的有機(jī)溶劑氣體;至于晶圓切割成晶片，再經(jīng)過(guò)一連串的構(gòu)裝作業(yè)，可能的空氣污染元包括有電鍍區(qū)產(chǎn)生的酸堿廢氣、浸錫區(qū)產(chǎn)生的錫煤煙，以及清洗過(guò)程中產(chǎn)生的酸氣與有機(jī)溶劑蒸氣等幾類(lèi)，在這些制程中皆會(huì)產(chǎn)生含有大量具有毒性的總有機(jī)化合物(Tota I OrganicCompounds，TOCs)的廢氣，為避免廢氣對(duì)環(huán)境造成污染與公害，必須將該廢氣中的有害物質(zhì)予以?xún)艋コ螅拍芘欧胖镣饨绱髿庵小?br>[0004]而目前所知的處理半導(dǎo)體含TOCs廢氣的技術(shù)主要分為高溫焚化技術(shù)、活性碳吸附技術(shù)及濕式洗滌技術(shù)等，其中以高溫焚化技術(shù)來(lái)說(shuō)，需要消耗大量的燃料來(lái)產(chǎn)生高溫火焰，將廢氣中的可燃性性有害物質(zhì)燃燒成灰燼，但廢氣中種具強(qiáng)力侵蝕性的氟化性氣體，并需要在一千度(°c)以上的高溫才能夠被分解成無(wú)害氣體，因或焰燃燒的區(qū)域也僅只有位在燃?xì)獾某隹诙耍沟酶邷鼗鹧嫒紵拿芏纫草^為松散，使廢氣能夠輕易由火焰燃燒的空隙中穿過(guò)，而無(wú)法將廢氣逐一凈化，另當(dāng)廢氣中影和的物質(zhì)被燃燒成灰燼后還是會(huì)有二次溢散污染的問(wèn)題產(chǎn)生，故此種高溫焚化的技術(shù)仍有待改善;再者，活性碳吸收的技術(shù)需要使用大量的活性碳來(lái)除去廢氣中的有害物質(zhì)，但活性碳于短時(shí)間使用之后，其吸附能力會(huì)逐漸下降，勢(shì)必經(jīng)常進(jìn)行更換活性碳進(jìn)行去除廢氣中的有害物質(zhì)，則相對(duì)所耗用的成本也會(huì)提高，較不符經(jīng)劑效益。
[0005]另，濕式洗滌技術(shù)則是利用廢氣中有害物質(zhì)幾乎溶于水的特性，將氣相中的有害物質(zhì)轉(zhuǎn)移至液相中，再加以氧化去除，一般來(lái)說(shuō)大多是用噴霧式洗滌技術(shù)，來(lái)將洗滌液霧化成粒徑為I至500微米大小的霧滴，而利用水霧來(lái)抓取廢氣中的粉末、可溶性或親水性的有害物質(zhì)，再利用高液氣比的水霧，使水霧形成過(guò)飽和狀態(tài)，以避免水霧再蒸發(fā)而影響效率，而后利用如塑膠擋水簾等來(lái)濾除水珠，藉由水分的排除以達(dá)到去除有害物質(zhì)的目的，然而，此種濕式洗滌技術(shù)要完全百分之百避免水霧再蒸發(fā)是很難作到的(尤其是TOCs廢氣)，亦無(wú)法持續(xù)維持高去除效率，也容易使供給水廢氣中的有害物質(zhì)起反應(yīng)而生成不溶性化合物的離子的問(wèn)題產(chǎn)生，如水霧中含有鈣離子，而空氣中含有氟瓦斯(F2)或是氨氣(NH3)時(shí)，則容易生成不溶性的氟化鈣或堿性化合物，也容易產(chǎn)生固態(tài)的腐蝕性的生成物及帶堿性物質(zhì)，這些不溶性及腐蝕性生成物所產(chǎn)生的污垢沉積容易導(dǎo)致洗滌設(shè)備阻塞，進(jìn)而造成洗滌設(shè)備損壞而降低使用壽命，因此使得其洗滌設(shè)備所使用的品質(zhì)勢(shì)必要求很高，由于需維持高品質(zhì)水質(zhì)方能維持一定的凈化及空氣加濕效果，因此換水及補(bǔ)水率相當(dāng)高，耗水操作成本相對(duì)提高，進(jìn)而需引進(jìn)設(shè)備更昂貴的循環(huán)過(guò)濾水設(shè)備，也造成廢氣處理的成本再增加。
[0006]是以，如何解決目前工業(yè)廢氣造成對(duì)空氣污染嚴(yán)重、廢氣處理設(shè)備無(wú)法有效凈化污染廢氣的問(wèn)題與困擾，且各式廢氣處理設(shè)備的效果不佳、成本又高等的缺失及麻煩，即為從事此行業(yè)的相關(guān)廠商所亟欲研究改善的方向所在。

【發(fā)明內(nèi)容】

[0007]故，發(fā)明人有鑒于上述的問(wèn)題與缺失，乃搜集相關(guān)資料，經(jīng)由多方評(píng)估及考量，并以從事于此行業(yè)累積的多年經(jīng)驗(yàn)，經(jīng)由不斷試作及修改，始設(shè)計(jì)出此種可將廢氣中有害污染物質(zhì)，經(jīng)由基座內(nèi)部處理系統(tǒng)予以?xún)艋幚恚_(dá)到有效降低廢氣對(duì)空氣污染的程度的有機(jī)氣態(tài)污染物的冷凝處理設(shè)備的發(fā)明專(zhuān)利誕生。
[0008]本發(fā)明的主要目的乃在于該處理設(shè)備于基座內(nèi)部的通道二側(cè)分別設(shè)有氣體入口、氣體出口，可供外部含污染物質(zhì)的氣體由氣體入口進(jìn)入，并經(jīng)通道內(nèi)部供處理系統(tǒng)處理后的潔凈氣體由氣體出口輸出，且由基座的通道一側(cè)氣體入口往另一側(cè)氣體出口方向，依序排列處理系統(tǒng)的氧化單元、加濕單元、第一冷凝單元、水洗單元及第二冷凝單元，通過(guò)氧化單元以光觸媒光源對(duì)氣體中的污染物質(zhì)進(jìn)行裂解，再增加氣體的濕度后進(jìn)行冷卻降溫，并對(duì)氣體沖洗后再次冷卻降溫，則將凈化氣體由氣體出口排出，達(dá)到將含污染物氣體處理形成潔凈空氣的目的。
[0009]本發(fā)明的次要目的乃在于該處理系統(tǒng)的氧化單元，包括可發(fā)射紫外線(xiàn)光(UV)的光觸媒光源，可藉以對(duì)氣體中的污染物質(zhì)進(jìn)行裂解，視污染物質(zhì)的分子大小，分別予以分解為無(wú)害的二氧化碳(CO2)或親水性物質(zhì)后再藉水洗而去除;至于加濕單元及水洗單元，分別包括有第一水液處理器、第二水液處理器，分別由第一水液處理器供水的第一供水管、由第二水液處理器供水的第二供水管，位于第一供水管上的多個(gè)第一水霧噴頭、位于第二供水管上的多個(gè)第二水霧噴頭，通過(guò)加濕單元增加廢氣中的相對(duì)濕度，使廢氣的濕度達(dá)到飽和線(xiàn)，以供后續(xù)冷凝處理效率提升，而水洗單元?jiǎng)t是利用水霧與氣體中的污染物質(zhì)撞擊，讓污染物質(zhì)被水霧吸附抓取，并可予以排除;且第一冷凝單元、第二冷凝單元為分別包括有第一冷凝盤(pán)管、第二冷凝盤(pán)管，且第一冷凝盤(pán)管具有第一入水口、第一出水口，第二冷凝盤(pán)管則具有第二入水口及第二出水口，藉以對(duì)含有濕氣的氣體進(jìn)行冷凝，而使氣體中的污染物質(zhì)被冷凝后去除。
[0010]本發(fā)明的另一目的乃在于該氧化單元的光觸媒光源，可發(fā)射區(qū)段為184.9nm或185nm紫外線(xiàn)光(UV)的光激發(fā)，直接形成反應(yīng)活化性強(qiáng)的臭氧(03)，臭氧進(jìn)一步被光觸媒分解為氧(O)或水(H2O)反應(yīng)成氫氧有機(jī)化合物(OH.)，藉由此連鎖反應(yīng)，產(chǎn)生更多的自由基，可對(duì)污染物質(zhì)進(jìn)行更為激烈的氧化作用，因氫氧化有機(jī)化合物(0H.)的能力高于臭氧的109-101()，可使有機(jī)氣態(tài)污染物被裂解的小片段污染物質(zhì)分子進(jìn)行礦化分解，最終將會(huì)被分解為無(wú)害的二氧化碳(CO2)后排放至空氣中，若污染物質(zhì)為較大的分子，也可先氧化為親水性物質(zhì)后，再藉水洗而去除。
【附圖說(shuō)明】
[0011]圖1為本發(fā)明的側(cè)視剖面圖；
[0012]圖2為本發(fā)明另一方向的側(cè)視剖面圖。
[0013]附圖標(biāo)記說(shuō)明:1、基座；10、通道；11、氣體入口；12、氣體出口；2、處理系統(tǒng)；21、氧化單元；22、加濕單元；221、第一水液處理器；2211、清水注入管道；2212、廢水排出管道；222、第一供水管;223、第一水霧噴頭;23、第一冷凝單元;231、第一冷凝盤(pán)管;2311、第一入水口； 2312、第一出水口； 24、水洗單元;241、第二水液處理器;2411、清水注入管道;2412、廢水排出管道;242、第二供水管；243、第二水霧噴頭；25、第二冷凝單元;251、第二冷凝盤(pán)管；2511、第二入水口；2512、第二出水口。
【具體實(shí)施方式】
[0014]為達(dá)成上述目的與功效，本發(fā)明所采用的技術(shù)手段及其構(gòu)造、實(shí)施的方法等，茲繪圖就本發(fā)明的較佳實(shí)施例詳加說(shuō)明其特征與功能如下，以利完全了解。
[0015]請(qǐng)參閱圖1、2所示，分別為本發(fā)明的側(cè)視剖面圖、另一方向的側(cè)視剖面圖，由圖中所示可以清楚看出，本發(fā)明的有機(jī)氣態(tài)污染物的冷凝處理設(shè)備，包括基座1、處理系統(tǒng)2，其中:
[0016]該基座I內(nèi)部具有中空狀的通道10，并于通道10二側(cè)分別設(shè)有氣體入口11、氣體出口 12，可供貫通至外部。
[0017]該處理系統(tǒng)2包括氧化單元21、加濕單元22、第一冷凝單元23、水洗單元24及第二冷凝單元25，而氧化單元21設(shè)有可發(fā)射紫外線(xiàn)光(UV)的光觸媒光源;且加濕單元22設(shè)有第一水液處理器221，并由第一水液處理器221連設(shè)第一供水管222，再于第一供水管222表面設(shè)有多個(gè)第一水霧噴頭223;另第一冷凝單元23設(shè)有第一冷凝盤(pán)管231，并于第一冷凝盤(pán)管231 二側(cè)分別設(shè)有第一入水口 2311、第一出水口 2312;又該水洗單元24設(shè)有第二水液處理器241，且第二水液處理器241為連設(shè)第二供水管242，而于第二供水管242上設(shè)有多個(gè)第二水霧噴頭243;再者，該第二冷凝單元25則設(shè)有第二冷凝盤(pán)管251，并于第二冷凝盤(pán)管251 二側(cè)分別設(shè)有第二入水口 2511、第二出水口 2512。
[0018]上述各構(gòu)件于實(shí)際組構(gòu)時(shí)，是于基座I的通道10內(nèi)由氣體入口11往另一側(cè)氣體出口 12處，依序組裝處理系統(tǒng)2的氧化單元21、加濕單元22、第一冷凝單元23、水洗單元24及第二冷凝單元25，藉以將氣體入口 11處引進(jìn)的外部氣體，通過(guò)處理系統(tǒng)2進(jìn)行滅菌、除臭、濾除污染物質(zhì)等處理作業(yè)后，產(chǎn)生無(wú)害的氣體由另一側(cè)氣體出口 12處向外排出，而利用基座I及處理系統(tǒng)2組構(gòu)成本發(fā)明的處理設(shè)備，并可達(dá)到凈化空氣、降低空氣污染現(xiàn)象的目的。
[0019]而上述處理系統(tǒng)2的氧化單元21，設(shè)有可發(fā)射區(qū)段為184.9nm或185nm紫外線(xiàn)光(UV的光觸媒光源，通過(guò)紫外線(xiàn)光(UV)激發(fā)直接形呈反應(yīng)活性強(qiáng)的臭氧(O3)，且臭氧進(jìn)一步被光觸媒分解為氧(O)，或供臭氧(O3)與水(H2O)反應(yīng)形成氫氧有機(jī)化合物(OH.)，則可藉由此連鎖反應(yīng)，產(chǎn)生更多的自由基，即可對(duì)污染物質(zhì)進(jìn)行更為激烈的氧化作用，因氫氧化有機(jī)化合物(OH.)氧化反應(yīng)的能力為臭氧(O3)的19?101()倍，可使有機(jī)氣態(tài)污染物被裂解的小片段污染物質(zhì)分子進(jìn)行礦化分解，最終將會(huì)被分解為無(wú)害的二氧化碳(CO2)后排放至空氣中，若污染物質(zhì)為較大的分子，也可先氧化為親水性物質(zhì)后，再藉水洗而去除;而經(jīng)由光觸媒光源照射后[紫外線(xiàn)(UV)光的波長(zhǎng)為I?380nm，本發(fā)明的較佳實(shí)施例中所應(yīng)用的紫外線(xiàn)光區(qū)段，可為184.9nm或185nm，但并不因此局限本發(fā)明紫外線(xiàn)光區(qū)段的實(shí)施態(tài)樣]，即可藉由光觸媒光源產(chǎn)生的二氧化鈦(T12)粒子達(dá)到納米級(jí)時(shí)所產(chǎn)生性質(zhì)的改變、變得較為活潑，提供二氧化鈦(T12)粒子的表面電子跳脫出來(lái)，則使二氧化鈦(T12)粒子表面形成電洞，使得空氣中的氧氣一接觸到二氧化鈦(T12)粒子表面的電洞，就會(huì)形成超氧離子(O2)及空氣中的水分子(相對(duì)濕度)生成氫氧自由基(0H)，便會(huì)產(chǎn)生去搶奪空氣中的微小有機(jī)物質(zhì)中的碳原子(C)、并形成氧化還原效應(yīng)，則使空氣中的微小有機(jī)物質(zhì)(例如細(xì)菌、臭味、病毒、霉菌或塵螨等)，受到多個(gè)光觸媒光源投射光線(xiàn)中的紫外線(xiàn)光波長(zhǎng)，產(chǎn)生光觸媒轉(zhuǎn)換的作用反應(yīng)，即使空氣被轉(zhuǎn)換為二氧化碳(CO2)和水氣(H2O),降低對(duì)空氣污染的程度。
[0020]再者，處理系統(tǒng)2的加濕單元22、水洗單元24，通過(guò)第一水液處理器221供水至第一供水管222、第二水液處理器241供水至第二供水管242，再藉由第一供水管222上的多個(gè)第一水霧噴頭223、第二供水管242上的多個(gè)第二水霧噴頭243，分別向基座I的通道10內(nèi)噴灑水霧，并可增加廢氣的氣體中的相對(duì)濕度，以供氣體中的污染物質(zhì)的濕度達(dá)到飽和線(xiàn)，而供氣體進(jìn)入后續(xù)的第一冷凝單元23及第二冷凝單元25處，提高氣體被冷凝的效率，可將氣體中大多數(shù)的污染物質(zhì)被冷凝的凝核效果，增加氣體中污染物質(zhì)的第一道去除行程;而第一水液處理器221、第二水液處理器241，可分別設(shè)有清水注入管道2211、2411，由外部注入清水后分別供應(yīng)至第一供水管222、第二供水管242，且經(jīng)第一水霧噴頭223、第二水霧噴頭243噴灑的水霧滴落入第一水液處理器221、第二水液處理器241后，即可利用過(guò)濾設(shè)備(圖中未示出)將第一水液處理器221、第二水液處理器241中的水液進(jìn)行凈化處理，使第一水液處理器221、第二水液處理器241內(nèi)的水液保持潔凈狀態(tài);并可在預(yù)定時(shí)間后，將被水霧撞擊抓取的污染物質(zhì)形成水滴后滴入第一水液處理器221、第二水液處理器241內(nèi)，所形成的無(wú)污染性廢水，通過(guò)第一水液處理器221、第二水液處理器241的廢水排出管道2212、2412，將無(wú)污染性的廢水向外排放。
[0021]至于處理系統(tǒng)2的第一冷凝單元23、第二冷凝單元25，則是藉由第一冷凝盤(pán)管231、第二冷凝盤(pán)管251分別形成連續(xù)環(huán)轉(zhuǎn)式的盤(pán)旋延伸，填滿(mǎn)在基座I的通道10空間內(nèi)，并可通過(guò)第一冷凝盤(pán)管231的第一入水口 2311、第二冷凝盤(pán)管251的第二入水口 2511分別注入低溫的冷水或冰水(其入水溫度約可為7°C)，使冷水經(jīng)由第一冷凝盤(pán)管231、第二冷凝盤(pán)管251的循旋流動(dòng)，可對(duì)進(jìn)入基座I的通道10內(nèi)的氣體進(jìn)行冷卻、凝結(jié)，而通過(guò)第一冷凝單元23將氣體溫度降至9.8°C、第二冷凝單元25再將氣體溫度降至8.5°C，可有效提高對(duì)氣體中含帶的大多數(shù)污染物質(zhì)被冷凝的凝核效果，即可將氣體中的污染物質(zhì)藉由冷凝的凝核方式予以去除，而第一冷凝盤(pán)管231中的冷水由第一入水口 2311注入后，再由第一出水口 2312排出(其出水溫度約為9°C);至于第二冷凝盤(pán)管251中的冷水由第二入水口 2511注入后，再由第二出水口 2512排出(其出水溫度約為8.5°C)，以供第一冷凝盤(pán)管23與第二冷凝盤(pán)管251中的低溫冷水或冰水等(可依實(shí)際應(yīng)用時(shí)作選擇，并不因此局限本發(fā)明的低溫冷水或冰水等的應(yīng)用方式)可以循環(huán)流動(dòng)。
[0022]而當(dāng)基座I的氣體入口11處引進(jìn)外部氣體，氣體中含有有機(jī)的污染物質(zhì)[如DMSO —化學(xué)式(C2H6OS)、MEA—化學(xué)式(C2H7NO)、NMP—化學(xué)式(C5H9NO)或Ethylene Glycol —化學(xué)式(C2H6O2)等]，使氣體先經(jīng)過(guò)近氣體入口 11處的氧化單元21以光觸媒的紫外線(xiàn)光源照射，可將氣體中的污染物質(zhì)被裂解的小片段污染物質(zhì)分子進(jìn)行礦化分解，且最終將會(huì)被分解為無(wú)害的二氧化碳(CO2)后排放至空氣中，若污染物質(zhì)為較大的分子，也可先氧化為親水性物質(zhì)后，待氣體進(jìn)入后續(xù)的加濕單元22時(shí)，通過(guò)第一供水管222上的多個(gè)第一水霧噴頭223對(duì)氣體噴灑水霧，使氣體的相對(duì)濕度增加，并供氣體及污染物質(zhì)的相對(duì)濕度達(dá)到飽和線(xiàn)，則當(dāng)氣體及污染物質(zhì)進(jìn)入第一冷凝單元23時(shí)，即利用第一冷凝盤(pán)管231中循環(huán)的低溫冷水或冰水等，對(duì)氣體及污染物質(zhì)進(jìn)行冷凝的凝核作用，則氣體及污染物質(zhì)進(jìn)入水洗單元24時(shí)，再藉第二供水管242上的多個(gè)第二水霧噴頭243對(duì)氣體的污染物質(zhì)噴灑水霧，利用水霧撞擊污染物質(zhì)后，即可抓取氣體中的污物質(zhì)，藉由水洗將氣體中相對(duì)濕度飽和且經(jīng)凝核處理的污染物質(zhì)利用撞擊、抓取予以洗去，而可有效去除氣體中大多數(shù)的污染物質(zhì)，可將氣體中絕大多數(shù)的污染物質(zhì)予以洗去后，使氣體再進(jìn)入第二冷凝單元25中，并對(duì)氣體進(jìn)行再次冷凝處理，可避免有機(jī)污染物質(zhì)再揮發(fā)，將污染物質(zhì)予以再度冷凝后，使氣體中的污染物質(zhì)有效被去除，即可將經(jīng)由處理系統(tǒng)2處理后的潔凈氣體通過(guò)氣體出口 12向外排出，使氣體出口 12排出的凈化空氣不致對(duì)外部空氣或環(huán)境造成污染，亦能維護(hù)空氣的品質(zhì)，確實(shí)對(duì)含有污染物質(zhì)的氣體進(jìn)行強(qiáng)而有力的凈化處理作業(yè)。
[0023]又，基座I內(nèi)部通道10中裝設(shè)的處理系統(tǒng)2，經(jīng)由依序排列的氧化單元21、加濕單元
22、第一冷凝單元23、水洗單元24及第二冷凝單元25的凈化處理作業(yè)，并不必裝設(shè)昂貴的機(jī)具設(shè)備，成本不會(huì)提高，且基座I及處理系統(tǒng)2的使用壽命長(zhǎng)，可降低廢氣處理的費(fèi)用，更符合經(jīng)濟(jì)效益。
[0024]是以，以上所述僅為本發(fā)明的較佳實(shí)施例而已，非因此局限本發(fā)明的專(zhuān)利范圍，本發(fā)明的有機(jī)氣態(tài)污染物的冷凝處理設(shè)備，于基座I內(nèi)部通道10的氣體入口 11處往氣體出口12處，依序組裝處理系統(tǒng)2的氧化單元21、加濕單元22、第一冷凝單元23、水洗單元24及第二冷凝單元25，并使外部氣體由氣體入口 11處進(jìn)入通道10內(nèi)，利用處理系統(tǒng)2的氧化單元21以光觸媒光源照射后，再經(jīng)過(guò)加濕單元22增加氣體的相對(duì)濕度，通過(guò)第一冷凝單元23進(jìn)行冷凝的凝核作用，且通過(guò)水洗單元24以水霧撞擊氣體中的污染物質(zhì)后，抓取污染物質(zhì)，再經(jīng)第二冷凝單元25進(jìn)行第二次冷凝處理，以可達(dá)到將氣體中的污染物質(zhì)去除、使空氣凈化的目的，并可有效將氣體中的大多數(shù)污染物質(zhì)予以轉(zhuǎn)化成不影響空氣、降低對(duì)空氣或環(huán)境破壞程度的功效，有效將空氣濾清并避免對(duì)環(huán)境造成污染，故舉凡可達(dá)成前述效果的結(jié)構(gòu)、裝置皆應(yīng)受本發(fā)明所涵蓋，此種簡(jiǎn)易修飾及等效結(jié)構(gòu)變化，均應(yīng)同理包含于本發(fā)明的專(zhuān)利范圍內(nèi)，合予陳明。
[0025]故，本發(fā)明為主要針對(duì)有機(jī)氣態(tài)污染物的冷凝處理設(shè)備進(jìn)行設(shè)計(jì)，利用基座內(nèi)部通道供組裝處理系統(tǒng)的氧化單元、加濕單元、第一冷凝單元、水洗單元及第二冷凝單元，以供外部氣體由基座一側(cè)氣體入口進(jìn)入通道內(nèi)后，受到氧化單元的光觸媒光源照射后，再經(jīng)加濕單元增加氣體的相對(duì)濕度至飽和線(xiàn)，且利用第一冷凝單元進(jìn)行冷凝處理后，即利用水洗單元以水霧撞擊氣體以抓取氣體中含帶的污染物質(zhì)，并經(jīng)第二冷凝單元處理后，而可達(dá)到將氣體中污染物質(zhì)通過(guò)處理系統(tǒng)處理后，成為凈化空氣由氣體出口排出為主要保護(hù)重點(diǎn)，且基座與處理系統(tǒng)可將氣體中污染物質(zhì)處理后，成為對(duì)空氣無(wú)害的氣體，乃僅使避免污染空氣或環(huán)境的優(yōu)勢(shì)，以供維護(hù)空氣品質(zhì)，然而，以上所述僅為本發(fā)明的較佳實(shí)施例而已，非因此即局限本發(fā)明的專(zhuān)利范圍，故舉凡運(yùn)用本發(fā)明說(shuō)明書(shū)及圖式內(nèi)容所為的簡(jiǎn)易修飾及等效結(jié)構(gòu)變化，均應(yīng)同理包含于本發(fā)明的專(zhuān)利范圍內(nèi)，合予陳明。
[0026]綜上所述，本發(fā)明上述的有機(jī)氣態(tài)污染物的冷凝處理設(shè)備于實(shí)際應(yīng)用、實(shí)施時(shí)，為確實(shí)能達(dá)到其功效及目的，故本發(fā)明誠(chéng)為一實(shí)用性?xún)?yōu)異的研發(fā)，為符合發(fā)明專(zhuān)利的申請(qǐng)要件，爰依法提出申請(qǐng)，盼審委早日賜準(zhǔn)本案，以保障發(fā)明人的辛苦研發(fā)、創(chuàng)設(shè)，倘若鈞局審委有任何稽疑，請(qǐng)不吝來(lái)函指示，發(fā)明人定當(dāng)竭力配合，實(shí)感德便。
【主權(quán)項(xiàng)】
1.一種有機(jī)氣態(tài)污染物的冷凝處理設(shè)備，包括基座及位于該基座內(nèi)部的處理系統(tǒng)，其特征在于: 該基座內(nèi)部具有中空狀的通道，并于該基座的通道二側(cè)分別設(shè)有供外部氣體進(jìn)入的氣體入口、供處理后氣體輸出的氣體出口，且該通道內(nèi)供組裝處理系統(tǒng);及 該處理系統(tǒng)由該基座的通道一側(cè)該氣體入口往另一側(cè)該氣體出口間依序排列，則包括將氣體污染物分解的氧化單元、使氣體濕度增加的加濕單元、將氣體冷卻降溫的第一冷凝單元、對(duì)氣體沖洗的水洗單元及對(duì)氣體再次冷卻降溫的第二冷凝單元。2.如權(quán)利要求1所述有機(jī)氣態(tài)污染物的冷凝處理設(shè)備，其中該處理系統(tǒng)的氧化單元包括將氣體中污染物進(jìn)行裂解的一組以上的光觸媒光源，而該光觸媒光源為發(fā)射184.9nm或185nm紫外線(xiàn)光的光源。3.如權(quán)利要求1所述有機(jī)氣態(tài)污染物的冷凝處理設(shè)備，其中該處理系統(tǒng)的加濕單元包括第一水液處理器、通過(guò)該第一水液處理器提供水源的第一供水管及將該第一供水管內(nèi)部水源以水霧方式噴灑的多個(gè)第一水霧噴頭。4.如權(quán)利要求1所述有機(jī)氣態(tài)污染物的冷凝處理設(shè)備，其中該處理系統(tǒng)的第一冷凝單元包括第一冷凝盤(pán)管，該第二冷凝單元?jiǎng)t包括第二冷凝盤(pán)管，而該第一冷凝盤(pán)管及該第二冷凝盤(pán)管分別設(shè)有供冷凝水進(jìn)入的第一入水口、第二入水口，且該第一冷凝盤(pán)管及該第二冷凝盤(pán)管再分別設(shè)有供冷凝水排出的第一出水口、第二出水口。5.如權(quán)利要求1所述有機(jī)氣態(tài)污染物的冷凝處理設(shè)備，其中該處理系統(tǒng)的水洗單元包括第二水液處理器、通過(guò)該第二水液處理器提供水源的第二供水管及將該第二供水管內(nèi)部水源以水霧方式噴灑的多個(gè)第二水霧噴頭。
【文檔編號(hào)】B01D53/76GK106000086SQ201510960174
【公開(kāi)日】2016年10月12日
【申請(qǐng)日】2015年12月18日
【發(fā)明人】林素妃
【申請(qǐng)人】兆廣國(guó)際股份有限公司