微粉蠟下料設(shè)備的制造方法
【技術(shù)領(lǐng)域】
[0001]本實(shí)用新型涉及一種微粉蠟生產(chǎn)設(shè)備，尤其涉及一種微粉蠟下料設(shè)備。
【背景技術(shù)】
[0002]目前微粉蠟生產(chǎn)時(shí)上通過(guò)原料加工成高溫液態(tài)蠟，然后將液態(tài)蠟冷卻至微粉蠟成品，現(xiàn)有的冷卻方式是在下料設(shè)備的側(cè)壁上開(kāi)設(shè)吹風(fēng)孔，然后通過(guò)吹風(fēng)機(jī)向下料設(shè)備內(nèi)部吹風(fēng)，從而進(jìn)行冷卻，這種方式冷卻速度比較慢，冷卻效率低，而且冷卻后形成的微粉蠟容易出現(xiàn)溫度回升。
[0003]有鑒于上述的缺陷，本設(shè)計(jì)人，積極加以研究創(chuàng)新，以期創(chuàng)設(shè)一種微粉蠟下料設(shè)備，使其更具有產(chǎn)業(yè)上的利用價(jià)值。
【實(shí)用新型內(nèi)容】
[0004]為解決上述技術(shù)問(wèn)題，本實(shí)用新型的目的是提供一種能夠提高冷卻效率，防止溫度回升的微粉蠟下料設(shè)備。
[0005]本實(shí)用新型提出的一種微粉蠟下料設(shè)備，其特征在于:包括一圓桶狀的冷卻通道和一漏斗狀的下料通道，所述冷卻通道和下料通道均豎直設(shè)置且上下貫通，所述冷卻通道位于所述下料通道的上方，所述冷卻通道和下料通道之間設(shè)有一鏤空隔斷層，所述下料通道的外壁上纏繞有冷卻水管。
[0006]作為本實(shí)用新型的進(jìn)一步改進(jìn)，所述下料通道的底部設(shè)有下料口，所述下料口處可拆卸固定一過(guò)濾網(wǎng)板。
[0007]作為本實(shí)用新型的進(jìn)一步改進(jìn)，還包括一蓄水池，所述蓄水池中防止一抽水栗，所述冷卻水管的一端自由放置在所述蓄水池的底部位置，另一端連接在所述抽水栗上。
[0008]作為本實(shí)用新型的進(jìn)一步改進(jìn)，還包括一熱風(fēng)收集器和一水槽，所述水槽位于所述下料通道的一側(cè)，所述熱風(fēng)收集器為一吸風(fēng)管，所述吸風(fēng)管的一端密封連接在所述冷卻通道的上端側(cè)壁上，另一端密封連接在所述水槽中，所述吸風(fēng)管上靠近所述水槽的位置安裝一吸風(fēng)栗。
[0009]作為本實(shí)用新型的進(jìn)一步改進(jìn)，所述鏤空隔斷層的高度為1-1.5M。
[0010]借由上述方案，本實(shí)用新型至少具有以下優(yōu)點(diǎn):高溫液態(tài)的蠟滴落到冷卻通道中，使冷卻通道中的溫度高于外界溫度，通過(guò)鏤空隔斷層能夠使外界的冷風(fēng)進(jìn)入到冷卻通道中，從而提高高溫液態(tài)蠟的冷卻速度，通過(guò)漏斗狀的下料通道能夠使微粉蠟從下料通道的下料口中集中掉落，通過(guò)冷卻水管能夠降低下料通道內(nèi)壁上的溫度，從而進(jìn)一步冷卻微粉蠟，防止微粉蠟溫度回升，并且能夠?qū)⑷蕴幱谝簯B(tài)的蠟快速降溫變成微粉蠟。
[0011]上述說(shuō)明僅是本實(shí)用新型技術(shù)方案的概述，為了能夠更清楚了解本實(shí)用新型的技術(shù)手段，并可依照說(shuō)明書(shū)的內(nèi)容予以實(shí)施，以下以本實(shí)用新型的較佳實(shí)施例并配合附圖詳細(xì)說(shuō)明如后。
【附圖說(shuō)明】
[0012]圖1是本實(shí)用新型微粉蠟下料設(shè)備的結(jié)構(gòu)示意圖；
[0013]其中:1_冷卻通道；2_下料通道；3_鏤空隔斷層；4_冷卻水管；5_過(guò)濾網(wǎng)板；6-蓄水池；7_抽水栗；8_熱風(fēng)收集器；9_水槽；10_吸風(fēng)栗。
【具體實(shí)施方式】
[0014]下面結(jié)合附圖和實(shí)施例，對(duì)本實(shí)用新型的【具體實(shí)施方式】作進(jìn)一步詳細(xì)描述。以下實(shí)施例用于說(shuō)明本實(shí)用新型，但不用來(lái)限制本實(shí)用新型的范圍。
[0015]實(shí)施例:一種微粉蠟下料設(shè)備，包括一圓桶狀的冷卻通道1和一漏斗狀的下料通道2，所述冷卻通道和下料通道均豎直設(shè)置且上下貫通，所述冷卻通道位于所述下料通道的上方，所述冷卻通道和下料通道之間設(shè)有一鏤空隔斷層3，所述下料通道的外壁上纏繞有冷卻水管4。高溫液態(tài)的蠟滴落到冷卻通道中，使冷卻通道中的溫度高于外界溫度，通過(guò)鏤空隔斷層能夠使外界的冷空氣進(jìn)入到冷卻通道中，從而提高高溫液態(tài)蠟的冷卻速度，通過(guò)漏斗狀的下料通道能夠使微粉蠟從下料通道的下料口中集中掉落，通過(guò)冷卻水管能夠降低下料通道內(nèi)壁上的溫度，從而進(jìn)一步冷卻微粉蠟，防止微粉蠟溫度回升，并且能夠?qū)⑷蕴幱谝簯B(tài)的蠟快速降溫變成微粉蠟。
[0016]所述下料通道的底部設(shè)有下料口，所述下料口處可拆卸固定一過(guò)濾網(wǎng)板5。通過(guò)過(guò)濾網(wǎng)板能夠?qū)ξ⒎巯炦M(jìn)行過(guò)濾，保證微粉蠟的品質(zhì)。
[0017]還包括一蓄水池6，所述蓄水池中防止一抽水栗7，所述冷卻水管的一端自由放置在所述蓄水池的底部位置，另一端連接在所述抽水栗上。通過(guò)抽水栗的作用使冷卻水管中的水形成循環(huán)，提高降溫效果。
[0018]還包括一熱風(fēng)收集器8和一水槽9，所述水槽位于所述下料通道的一側(cè)，所述熱風(fēng)收集器為一吸風(fēng)管，所述吸風(fēng)管的一端密封連接在所述冷卻通道的上端側(cè)壁上，另一端密封連接在所述水槽中，所述吸風(fēng)管上靠近所述水槽的位置安裝一吸風(fēng)栗10。通過(guò)熱風(fēng)收集器能夠吸取熱風(fēng)，從而降低溫度，在吸風(fēng)的過(guò)程中能夠?qū)⒎蹓m和氣體固體雜質(zhì)一個(gè)吸收到水槽中，通過(guò)水槽能夠起到環(huán)保的作用。
[0019]所述鏤空隔斷層的高度為1-1.5M。隔斷層的高度控制了外界冷空氣進(jìn)入速度，保證高溫液態(tài)蠟?zāi)軌蚶鋮s呈固態(tài)微粉蠟。
[0020]以上所述僅是本實(shí)用新型的優(yōu)選實(shí)施方式，并不用于限制本實(shí)用新型，應(yīng)當(dāng)指出，對(duì)于本技術(shù)領(lǐng)域的普通技術(shù)人員來(lái)說(shuō)，在不脫離本實(shí)用新型技術(shù)原理的前提下，還可以做出若干改進(jìn)和變型，這些改進(jìn)和變型也應(yīng)視為本實(shí)用新型的保護(hù)范圍。
【主權(quán)項(xiàng)】
1.一種微粉蠟下料設(shè)備，其特征在于:包括一圓桶狀的冷卻通道和一漏斗狀的下料通道，所述冷卻通道和下料通道均豎直設(shè)置且上下貫通，所述冷卻通道位于所述下料通道的上方，所述冷卻通道和下料通道之間設(shè)有一鏤空隔斷層，所述下料通道的外壁上纏繞有冷卻水管。2.如權(quán)利要求1所述的微粉蠟下料設(shè)備，其特征在于:所述下料通道的底部設(shè)有下料口，所述下料口處可拆卸固定一過(guò)濾網(wǎng)板。3.如權(quán)利要求2所述的微粉蠟下料設(shè)備，其特征在于:還包括一蓄水池，所述蓄水池中防止一抽水栗，所述冷卻水管的一端自由放置在所述蓄水池的底部位置，另一端連接在所述抽水栗上。4.如權(quán)利要求3所述的微粉蠟下料設(shè)備，其特征在于:還包括一熱風(fēng)收集器和一水槽，所述水槽位于所述下料通道的一側(cè)，所述熱風(fēng)收集器為一吸風(fēng)管，所述吸風(fēng)管的一端密封連接在所述冷卻通道的上端側(cè)壁上，另一端密封連接在所述水槽中，所述吸風(fēng)管上靠近所述水槽的位置安裝一吸風(fēng)栗。5.如權(quán)利要求4所述的微粉蠟下料設(shè)備，其特征在于:所述鏤空隔斷層的高度為1-1.5M。
【專利摘要】本實(shí)用新型公開(kāi)了一種微粉蠟下料設(shè)備，包括一圓桶狀的冷卻通道和一漏斗狀的下料通道，所述冷卻通道和下料通道均豎直設(shè)置且上下貫通，所述冷卻通道位于所述下料通道的上方，所述冷卻通道和下料通道之間設(shè)有一鏤空隔斷層，所述下料通道的外壁上纏繞有冷卻水管，高溫液態(tài)的蠟滴落到冷卻通道中，使冷卻通道中的溫度高于外界溫度，通過(guò)鏤空隔斷層能夠使外界的冷風(fēng)進(jìn)入到冷卻通道中，從而提高高溫液態(tài)蠟的冷卻速度，通過(guò)漏斗狀的下料通道能夠使微粉蠟從下料通道的下料口中集中掉落，通過(guò)冷卻水管能夠降低下料通道內(nèi)壁上的溫度，從而進(jìn)一步冷卻微粉蠟，防止微粉蠟溫度回升，并且能夠?qū)⑷蕴幱谝簯B(tài)的蠟快速降溫變成微粉蠟。
【IPC分類】B02C23/02, B02C19/18
【公開(kāi)號(hào)】CN205042580
【申請(qǐng)?zhí)枴緾N201520669221
【發(fā)明人】曹春華
【申請(qǐng)人】揚(yáng)州金橡塑化工材料廠
【公開(kāi)日】2016年2月24日
【申請(qǐng)日】2015年8月31日