本發(fā)明涉及半導(dǎo)體技術(shù)領(lǐng)域，特別涉及一種LED芯片的檢測(cè)方法。

背景技術(shù)：

發(fā)光二極管(英文：Light Emitting Diode，簡(jiǎn)稱LED)是一種可以把電能轉(zhuǎn)化成光能的半導(dǎo)體二極管。

LED芯片是LED的核心組件。由于LED芯片采用批量生產(chǎn)，因此在制作出LED芯片之后，通常采用分選機(jī)從大量LED芯片中挑除不良芯片。

在實(shí)現(xiàn)本發(fā)明的過程中，發(fā)明人發(fā)現(xiàn)現(xiàn)有技術(shù)至少存在以下問題：

隨著芯片越來越小，分選機(jī)受到抓取部件尺寸的限制，抓取不良芯片的難度越來越大，加上分選機(jī)無法識(shí)別外觀不良(如殘缺)的芯片等需要挑除的芯片，因此最后人工利用顯微鏡進(jìn)行目檢的時(shí)候，往往有大量芯片需要人為采用吸筆吸除，消耗了大量的人工、設(shè)備和時(shí)間成本，生產(chǎn)效率低下，而且還存在吸到良好芯片的問題，影響了產(chǎn)品良率。

技術(shù)實(shí)現(xiàn)要素：

為了解決現(xiàn)有技術(shù)的問題，本發(fā)明實(shí)施例提供了一種LED芯片的檢測(cè)方法。所述技術(shù)方案如下：

本發(fā)明實(shí)施例提供了一種LED芯片的檢測(cè)方法，所述檢測(cè)方法包括：

提供若干LED芯片；

對(duì)所述LED芯片進(jìn)行光電參數(shù)測(cè)試，確定光電參數(shù)不良的所述LED芯片；

對(duì)所述LED芯片的外觀進(jìn)行檢測(cè)，確定外觀不良的所述LED芯片；

在光電參數(shù)不良的所述LED芯片和外觀不良的所述LED芯片上點(diǎn)上UV膠；

在若干所述LED芯片上放置一塊玻璃板；

透過所述玻璃板對(duì)所述UV膠進(jìn)行曝光，點(diǎn)上UV膠的所述LED芯片粘附在所述玻璃板上；

移開所述玻璃板，完成光電參數(shù)不良的所述LED芯片和外觀不良的所述LED芯片的挑除。

在本發(fā)明實(shí)施例一種可能的實(shí)現(xiàn)方式中，所述在光電參數(shù)不良的所述LED芯片和外觀不良的所述LED芯片上點(diǎn)上UV膠，包括：

接收光電參數(shù)不良的所述LED芯片和外觀不良的所述LED芯片的位置信息；

基于所述位置信息在所述LED芯片上點(diǎn)上UV膠。

在本發(fā)明實(shí)施例另一種可能的實(shí)現(xiàn)方式中，若干所述LED芯片粘附在同一張藍(lán)膜上，各個(gè)所述LED芯片的間距大于0。

可選地，所述檢測(cè)方法還包括：

在所述完成光電參數(shù)不良的所述LED芯片和外觀不良的所述LED芯片的挑除之后，將所述藍(lán)膜按照設(shè)定尺寸進(jìn)行切割。

優(yōu)選地，所述檢測(cè)方法還包括：

對(duì)切割后的所述藍(lán)膜上的所述LED芯片進(jìn)行人工檢測(cè)。

進(jìn)一步地，所述對(duì)所述LED芯片進(jìn)行光電參數(shù)測(cè)試，確定光電參數(shù)不良的所述LED芯片，包括：

使用光電參數(shù)測(cè)試儀對(duì)所述LED芯片進(jìn)行光電參數(shù)測(cè)試，確定光電參數(shù)不良的所述LED芯片，并在確定的光電參數(shù)不良的所述LED芯片上點(diǎn)上墨水。

在本發(fā)明實(shí)施例又一種可能的實(shí)現(xiàn)方式中，當(dāng)所述LED芯片為AlGaInP LED芯片時(shí)，所述提供若干LED芯片，包括：

在襯底上依次生長(zhǎng)緩沖層、N型腐蝕停層、N型歐姆接觸層、N型電流擴(kuò)展層、N型限制層、有源層、P型限制層、P型電流擴(kuò)展層、P型歐姆接觸層；

在所述P型歐姆接觸層上形成金屬反射層；

將導(dǎo)電基板與所述金屬反射層鍵合；

去除所述N型腐蝕停層、所述緩沖層、以及所述襯底；

在所述N型電流擴(kuò)展層上設(shè)置N型電極，在所述導(dǎo)電基板上設(shè)置P型電極。

可選地，所述檢測(cè)方法還包括：

在所述對(duì)所述LED芯片進(jìn)行光電參數(shù)測(cè)試之前，在所述N型電流擴(kuò)展層上開設(shè)延伸至所述金屬反射層的切割道；

在所述對(duì)所述LED芯片進(jìn)行光電參數(shù)測(cè)試之后，沿所述切割道劈開所述導(dǎo)電基板，若干所述LED芯片相互獨(dú)立。

在本發(fā)明實(shí)施例又一種可能的實(shí)現(xiàn)方式中，當(dāng)所述LED芯片為GaN LED芯片時(shí)，所述提供若干LED芯片，包括：

在襯底上依次形成緩沖層、N型層、多量子阱層、P型層；

在所述P型層上開設(shè)延伸至所述N型層的凹槽；

在所述P型層上形成透明導(dǎo)電層；

在所述透明導(dǎo)電層上設(shè)置P型電極，在所述N型層上設(shè)置N型電極。

可選地，所述檢測(cè)方法還包括：

在所述對(duì)所述LED芯片進(jìn)行光電參數(shù)測(cè)試之前，在所述N型層上形成延伸至所述襯底的切割道；

沿所述切割道劈開所述襯底，若干所述LED芯片相互獨(dú)立。

本發(fā)明實(shí)施例提供的技術(shù)方案帶來的有益效果是：

通過在光電參數(shù)不良的LED芯片和外觀不良的LED芯片上點(diǎn)上UV膠，再在所有LED芯片上一塊玻璃板，并透過玻璃板對(duì)UV膠進(jìn)行曝光，使光電參數(shù)不良的LED芯片和外觀不良的LED芯片通過UV膠粘附在玻璃板上，只需移開玻璃板，即可實(shí)現(xiàn)光電參數(shù)不良的LED芯片和外觀不良的LED芯片的挑除，大大減少了人工目檢的工作量，極大地降低了人工、設(shè)備和時(shí)間成本，有效提高生產(chǎn)效率，效率可提升200％以上，而且可以避免人工吸筆吸除造成的吸到良好芯片而影響產(chǎn)品良率的問題，降低損失率。

附圖說明

為了更清楚地說明本發(fā)明實(shí)施例中的技術(shù)方案，下面將對(duì)實(shí)施例描述中所需要使用的附圖作簡(jiǎn)單地介紹，顯而易見地，下面描述中的附圖僅僅是本發(fā)明的一些實(shí)施例，對(duì)于本領(lǐng)域普通技術(shù)人員來講，在不付出創(chuàng)造性勞動(dòng)的前提下，還可以根據(jù)這些附圖獲得其他的附圖。

圖1是本發(fā)明實(shí)施例一提供的一種LED芯片的檢測(cè)方法的流程圖；

圖2是本發(fā)明實(shí)施例二提供的另一種LED芯片的檢測(cè)方法的流程圖；

圖3是本發(fā)明實(shí)施例三提供的又一種LED芯片的檢測(cè)方法的流程圖；

圖4是本發(fā)明實(shí)施例四提供的又一種LED芯片的檢測(cè)方法的流程圖。

具體實(shí)施方式

為使本發(fā)明的目的、技術(shù)方案和優(yōu)點(diǎn)更加清楚，下面將結(jié)合附圖對(duì)本發(fā)明實(shí)施方式作進(jìn)一步地詳細(xì)描述。

實(shí)施例一

本發(fā)明實(shí)施例提供了一種LED芯片的檢測(cè)方法，適用于所有類型的LED芯片的檢測(cè)，參見圖1，該檢測(cè)方法包括：

步驟101：提供若干LED芯片。

步驟102：對(duì)LED芯片進(jìn)行光電參數(shù)測(cè)試，確定光電參數(shù)不良的LED芯片。

可選地，該步驟102可以包括：

使用光電參數(shù)測(cè)試儀對(duì)LED芯片進(jìn)行光電參數(shù)測(cè)試，確定光電參數(shù)不良的LED芯片，并在確定的光電參數(shù)不良的LED芯片上點(diǎn)上墨水，以方便人工檢測(cè)時(shí)發(fā)現(xiàn)光電參數(shù)不良的LED芯片。

在實(shí)際應(yīng)用中，光電參數(shù)測(cè)試儀會(huì)測(cè)試LED芯片的光電參數(shù)，并將LED芯片的光電參數(shù)與設(shè)定的光電參數(shù)進(jìn)行比較，若LED芯片的光電參數(shù)不符合設(shè)定的光電參數(shù)，則會(huì)記下LED芯片的位置信息。

步驟103：對(duì)LED芯片的外觀進(jìn)行檢測(cè)，確定外觀不良的LED芯片。

具體地，該步驟103可以包括：

使用自動(dòng)光學(xué)檢測(cè)設(shè)備(英文：Automatic Optic Inspection，簡(jiǎn)稱AOI)對(duì)LED芯片的外觀進(jìn)行檢測(cè)，確定外觀不良的LED芯片。

在實(shí)際應(yīng)用中，AOI會(huì)對(duì)LED芯片的外觀進(jìn)行檢測(cè)，若LED芯片的外觀不良，則會(huì)記下LED芯片的位置信息。

步驟104：在光電參數(shù)不良的LED芯片和外觀不良的LED芯片上點(diǎn)上紫外(英文：Ultraviolet Rays，簡(jiǎn)稱UV)膠。

具體地，該步驟104可以包括：

點(diǎn)膠機(jī)接收光電參數(shù)不良的LED芯片和外觀不良的LED芯片的位置信息；

點(diǎn)膠機(jī)基于位置信息在LED芯片上點(diǎn)上UV膠。

在實(shí)際應(yīng)用中，點(diǎn)膠機(jī)可以通過在光電參數(shù)測(cè)試儀或AOI上加裝點(diǎn)膠裝置實(shí)現(xiàn)，以降低實(shí)現(xiàn)成本。

進(jìn)一步地，點(diǎn)膠機(jī)可以自帶空洞點(diǎn)膠功能，對(duì)于識(shí)別不到的芯片和沒有測(cè)試數(shù)據(jù)的芯片進(jìn)行點(diǎn)膠，方便處理無法識(shí)別的芯片、以及只起標(biāo)識(shí)作用的芯片。

需要說明的是，由于點(diǎn)膠是在芯片點(diǎn)上一個(gè)液滴，只要芯片的厚度一致，點(diǎn)膠效果即可保證，不會(huì)如分選機(jī)那樣受到芯片表面粗糙度和芯片形狀的影響。同時(shí)點(diǎn)膠量可以根據(jù)芯片大小控制，所以也不會(huì)如分選機(jī)那樣無法處理小尺寸的芯片。

步驟105：在若干LED芯片上放置一塊玻璃板。

步驟106：透過玻璃板對(duì)UV膠進(jìn)行曝光，點(diǎn)上UV膠的LED芯片粘附在玻璃板上。

具體地，該步驟106可以包括：

使用UV燈照射UV膠，UV膠產(chǎn)生粘性，將LED芯片粘附在玻璃板上。

需要說明的是，為了獲得良好的粘附效果，需要嚴(yán)格控制曝光量，通常為10000～20000mj/cm2，以使LED芯片牢牢粘附在玻璃板上。

步驟107：移開玻璃板，完成光電參數(shù)不良的LED芯片和外觀不良的LED芯片的挑除。

本發(fā)明實(shí)施例通過在光電參數(shù)不良的LED芯片和外觀不良的LED芯片上點(diǎn)上UV膠，再在所有LED芯片上一塊玻璃板，并透過玻璃板對(duì)UV膠進(jìn)行曝光，使光電參數(shù)不良的LED芯片和外觀不良的LED芯片通過UV膠粘附在玻璃板上，只需移開玻璃板，即可實(shí)現(xiàn)光電參數(shù)不良的LED芯片和外觀不良的LED芯片的挑除，大大減少了人工目檢的工作量，極大地降低了人工、設(shè)備和時(shí)間成本，有效提高生產(chǎn)效率，效率可提升200％以上，而且可以避免人工吸筆吸除造成的吸到良好芯片而影響產(chǎn)品良率的問題，降低損失率。

實(shí)施例二

本發(fā)明實(shí)施例提供了一種LED芯片的檢測(cè)方法，為實(shí)施例一提供的檢測(cè)方法的一種具體實(shí)現(xiàn)，適用于AlGaInP LED正裝芯片的檢測(cè)，參見圖2，該檢測(cè)方法包括：

步驟201：提供若干LED芯片。

具體地，該步驟201可以包括：

在襯底的第一表面上依次生長(zhǎng)緩沖層、布拉格反射鏡、N型限制層、有源層、P型限制層、P型電流擴(kuò)展層；

在P型電流擴(kuò)展層上形成P型電極；

減薄襯底；

在襯底的第二表面設(shè)置N型電極，襯底的第二表面為與襯底的第一表面相反的表面。

可選地，該制作方法還可以包括：

進(jìn)行退火處理，分別襯底與N型電極、P型電流擴(kuò)展層與P型電極形成歐姆接觸。

步驟202：在P型電流擴(kuò)展層上開設(shè)延伸至緩沖層的切割道。該步驟202為可選步驟。

具體地，該步驟202可以包括：

使用切割機(jī)的刀片從P型電流擴(kuò)展層切到緩沖層，形成切割道。

步驟203：對(duì)LED芯片進(jìn)行光電參數(shù)測(cè)試，確定光電參數(shù)不良的LED芯片。

具體地，該步驟203可以與實(shí)施例一中的步驟102相同，在此不再詳述。

步驟204：沿切割道劈開襯底，若干LED芯片相互獨(dú)立。該步驟204為可選步驟。

具體地，該步驟204可以包括：

使用切割機(jī)的刀片切割道劈開襯底，將LED芯片分成獨(dú)立的個(gè)體。

在實(shí)際應(yīng)用中，會(huì)將所有LED芯片粘附在同一張藍(lán)膜上，并通過擴(kuò)膜使各個(gè)LED芯片的間距大于0。進(jìn)一步地，可以通過倒膜將芯片背面粘附在藍(lán)膜上，以在外觀檢測(cè)時(shí)芯片正面朝上放置。

步驟205：對(duì)LED芯片的外觀進(jìn)行檢測(cè)，確定外觀不良的LED芯片。

具體地，該步驟205可以與實(shí)施例一中的步驟103相同，在此不再詳述。

步驟206：在光電參數(shù)不良的LED芯片和外觀不良的LED芯片上點(diǎn)上UV膠。

具體地，該步驟206可以與實(shí)施例一中的步驟104相同，在此不再詳述。

步驟207：在若干LED芯片上放置一塊玻璃板。

具體地，玻璃板和藍(lán)膜貼合在一起，將LED芯片夾在中間。

步驟208：透過玻璃板對(duì)UV膠進(jìn)行曝光，點(diǎn)上UV膠的LED芯片粘附在玻璃板上。

具體地，該步驟208可以與實(shí)施例一中的步驟106相同，在此不再詳述。

步驟209：移開玻璃板，完成光電參數(shù)不良的LED芯片和外觀不良的LED芯片的挑除。

具體地，該步驟209可以包括：

將玻璃板與藍(lán)膜剝離，剝離時(shí)光電參數(shù)不良的LED芯片和外觀不良的LED芯片通過UV膠粘附在玻璃板上，從而從藍(lán)膜上去除，實(shí)現(xiàn)光電參數(shù)不良的LED芯片和外觀不良的LED芯片的挑除。

步驟210：將藍(lán)膜按照設(shè)定尺寸進(jìn)行切割。

在具體實(shí)現(xiàn)中，設(shè)定尺寸可以按照用戶要求進(jìn)行設(shè)定。

步驟211：對(duì)切割后的藍(lán)膜上的LED芯片進(jìn)行人工檢測(cè)。

可以理解地，人工通過顯微鏡對(duì)LED芯片進(jìn)行目檢，若發(fā)現(xiàn)不良芯片，則利用吸筆吸除。人工檢測(cè)之后，將沒有問題的芯片入庫保存。

本發(fā)明實(shí)施例通過在光電參數(shù)不良的LED芯片和外觀不良的LED芯片上點(diǎn)上UV膠，再在所有LED芯片上一塊玻璃板，并透過玻璃板對(duì)UV膠進(jìn)行曝光，使光電參數(shù)不良的LED芯片和外觀不良的LED芯片通過UV膠粘附在玻璃板上，只需移開玻璃板，即可實(shí)現(xiàn)光電參數(shù)不良的LED芯片和外觀不良的LED芯片的挑除，大大減少了人工目檢的工作量，極大地降低了人工、設(shè)備和時(shí)間成本，有效提高生產(chǎn)效率，效率可提升200％以上，而且可以避免人工吸筆吸除造成的吸到良好芯片而影響產(chǎn)品良率的問題，降低損失率。

實(shí)施例三

本發(fā)明實(shí)施例提供了一種LED芯片的檢測(cè)方法，為實(shí)施例一提供的檢測(cè)方法的另一種具體實(shí)現(xiàn)，適用于AlGaInP LED倒裝芯片的檢測(cè)，參見圖3，該檢測(cè)方法包括：

步驟301：提供若干LED芯片。

具體地，該步驟301可以包括：

在襯底上依次生長(zhǎng)緩沖層、N型腐蝕停層、N型歐姆接觸層、N型電流擴(kuò)展層、N型限制層、有源層、P型限制層、P型電流擴(kuò)展層、P型歐姆接觸層；

在P型歐姆接觸層上形成金屬反射層；

將導(dǎo)電基板與金屬反射層鍵合；

去除N型腐蝕停層、緩沖層、以及襯底；

在N型電流擴(kuò)展層上設(shè)置N型電極，在導(dǎo)電基板上設(shè)置P型電極。

可選地，該制作方法還可以包括：

進(jìn)行退火處理，N型電流擴(kuò)展層與N型電極、導(dǎo)電基板與P型電極形成歐姆接觸。

步驟302：在N型電流擴(kuò)展層上開設(shè)延伸至金屬反射層的切割道。該步驟302為可選步驟。

具體地，該步驟302可以包括：

使用切割機(jī)的刀片從N型電流擴(kuò)展層切到金屬反射層，形成切割道。

步驟303：對(duì)LED芯片進(jìn)行光電參數(shù)測(cè)試，確定光電參數(shù)不良的LED芯片。

具體地，該步驟303可以與實(shí)施例一中的步驟102相同，在此不再詳述。

步驟304：沿切割道劈開導(dǎo)電基板，若干LED芯片相互獨(dú)立。該步驟304為可選步驟。

具體地，該步驟304可以包括：

使用切割機(jī)的刀片切割道劈開導(dǎo)電基板，將LED芯片分成獨(dú)立的個(gè)體。

在實(shí)際應(yīng)用中，會(huì)將所有LED芯片粘附在同一張藍(lán)膜上，并通過擴(kuò)膜使各個(gè)LED芯片的間距大于0。進(jìn)一步地，可以通過倒膜將芯片背面粘附在藍(lán)膜上，以在外觀檢測(cè)時(shí)芯片正面朝上放置。

步驟305：對(duì)LED芯片的外觀進(jìn)行檢測(cè)，確定外觀不良的LED芯片。

具體地，該步驟305可以與實(shí)施例一中的步驟103相同，在此不再詳述。

步驟306：在光電參數(shù)不良的LED芯片和外觀不良的LED芯片上點(diǎn)上UV膠。

具體地，該步驟206可以與實(shí)施例一中的步驟104相同，在此不再詳述。

步驟307：在若干LED芯片上放置一塊玻璃板。

具體地，該步驟307可以與實(shí)施例二中的步驟207相同，在此不再詳述。

步驟308：透過玻璃板對(duì)UV膠進(jìn)行曝光，點(diǎn)上UV膠的LED芯片粘附在玻璃板上。

具體地，該步驟308可以與實(shí)施例一中的步驟106相同，在此不再詳述。

步驟309：移開玻璃板，完成光電參數(shù)不良的LED芯片和外觀不良的LED芯片的挑除。

具體地，該步驟309可以與實(shí)施例二中的步驟209相同，在此不再詳述。

步驟310：將藍(lán)膜按照設(shè)定尺寸進(jìn)行切割。該步驟310為可選步驟。

具體地，該步驟310可以與實(shí)施例二中的步驟210相同，在此不再詳述。

步驟311：對(duì)切割后的藍(lán)膜上的LED芯片進(jìn)行人工檢測(cè)。該步驟311為可選步驟。

具體地，該步驟311可以與實(shí)施例二中的步驟211相同，在此不再詳述。

本發(fā)明實(shí)施例通過在光電參數(shù)不良的LED芯片和外觀不良的LED芯片上點(diǎn)上UV膠，再在所有LED芯片上一塊玻璃板，并透過玻璃板對(duì)UV膠進(jìn)行曝光，使光電參數(shù)不良的LED芯片和外觀不良的LED芯片通過UV膠粘附在玻璃板上，只需移開玻璃板，即可實(shí)現(xiàn)光電參數(shù)不良的LED芯片和外觀不良的LED芯片的挑除，大大減少了人工目檢的工作量，極大地降低了人工、設(shè)備和時(shí)間成本，有效提高生產(chǎn)效率，效率可提升200％以上，而且可以避免人工吸筆吸除造成的吸到良好芯片而影響產(chǎn)品良率的問題，降低損失率。

實(shí)施例四

本發(fā)明實(shí)施例提供了一種LED芯片的檢測(cè)方法，為實(shí)施例一提供的檢測(cè)方法的又一種具體實(shí)現(xiàn)，適用于GaN LED芯片的檢測(cè)，參見圖4，該檢測(cè)方法包括：

步驟401：提供若干LED芯片。

具體地，該步驟401可以包括：

在襯底上依次形成緩沖層、N型層、多量子阱層、P型層；

在P型層上開設(shè)延伸至N型層的凹槽；

在P型層上形成透明導(dǎo)電層；

在透明導(dǎo)電層上設(shè)置P型電極，在N型層上設(shè)置N型電極。

可選地，該制作方法還可以包括：

進(jìn)行退火處理，N型層與N型電極、透明導(dǎo)電層與P型電極形成歐姆接觸。

步驟402：在N型層上形成延伸至襯底的切割道。該步驟402為可選步驟。

具體地，該步驟402可以包括：

采用光刻技術(shù)在N型層上形成延伸至襯底的切割道。

步驟403：沿切割道劈開襯底，若干LED芯片相互獨(dú)立。該步驟403為可選步驟。

具體地，該步驟403可以包括：

采用激光沿切割道在襯底上燒灼出溝道；

采用劈刀沿溝道將襯底劈斷，將LED芯片分成獨(dú)立的個(gè)體。

在實(shí)際應(yīng)用中，會(huì)將所有LED芯片粘附在同一張藍(lán)膜上，并通過擴(kuò)膜使各個(gè)LED芯片的間距大于0。進(jìn)一步地，可以通過倒膜將芯片背面粘附在藍(lán)膜上，以在檢測(cè)時(shí)芯片正面朝上放置。

步驟404：對(duì)LED芯片進(jìn)行光電參數(shù)測(cè)試，確定光電參數(shù)不良的LED芯片。

具體地，該步驟404可以與實(shí)施例一中的步驟102相同，在此不再詳述。

步驟405：對(duì)LED芯片的外觀進(jìn)行檢測(cè)，確定外觀不良的LED芯片。

具體地，該步驟405可以與實(shí)施例一中的步驟103相同，在此不再詳述。

步驟406：在光電參數(shù)不良的LED芯片和外觀不良的LED芯片上點(diǎn)上UV膠。

具體地，該步驟406可以與實(shí)施例一中的步驟104相同，在此不再詳述。

步驟407：在若干LED芯片上放置一塊玻璃板。

具體地，該步驟407可以與實(shí)施例二中的步驟207相同，在此不再詳述。

步驟408：透過玻璃板對(duì)UV膠進(jìn)行曝光，點(diǎn)上UV膠的LED芯片粘附在玻璃板上。

具體地，該步驟408可以與實(shí)施例一中的步驟106相同，在此不再詳述。

步驟409：移開玻璃板，完成光電參數(shù)不良的LED芯片和外觀不良的LED芯片的挑除。

具體地，該步驟409可以與實(shí)施例二中的步驟209相同，在此不再詳述。

步驟410：將藍(lán)膜按照設(shè)定尺寸進(jìn)行切割。

具體地，該步驟410可以與實(shí)施例二中的步驟210相同，在此不再詳述。

步驟411：對(duì)切割后的藍(lán)膜上的LED芯片進(jìn)行人工檢測(cè)。

具體地，該步驟411可以與實(shí)施例二中的步驟211相同，在此不再詳述。

本發(fā)明實(shí)施例通過在光電參數(shù)不良的LED芯片和外觀不良的LED芯片上點(diǎn)上UV膠，再在所有LED芯片上一塊玻璃板，并透過玻璃板對(duì)UV膠進(jìn)行曝光，使光電參數(shù)不良的LED芯片和外觀不良的LED芯片通過UV膠粘附在玻璃板上，只需移開玻璃板，即可實(shí)現(xiàn)光電參數(shù)不良的LED芯片和外觀不良的LED芯片的挑除，大大減少了人工目檢的工作量，極大地降低了人工、設(shè)備和時(shí)間成本，有效提高生產(chǎn)效率，效率可提升200％以上，而且可以避免人工吸筆吸除造成的吸到良好芯片而影響產(chǎn)品良率的問題，降低損失率。

以上所述僅為本發(fā)明的較佳實(shí)施例，并不用以限制本發(fā)明，凡在本發(fā)明的精神和原則之內(nèi)，所作的任何修改、等同替換、改進(jìn)等，均應(yīng)包含在本發(fā)明的保護(hù)范圍之內(nèi)。