專利名稱：：封裝材料組合物及封裝材料的制造方法
技術(shù)領(lǐng)域：
：本發(fā)明是涉及一種封裝材料組合物，特別是涉及一種用于制備具有高透光率封裝材料的封裝材料組合物以及封裝材料的制造方法，其適用于固態(tài)發(fā)光元件的封裝以提高透光效率。
背景技術(shù)：
：近年來(lái)，隨著光電產(chǎn)業(yè)的發(fā)展，如有機(jī)發(fā)光二極管、發(fā)光二極管以及太陽(yáng)能電池等光電裝置也相繼問(wèn)世。然而，這些光電裝置內(nèi)的電子元件極易受到空氣中的水氣與氧氣的影響而縮短了其使用壽命。因此，這些光電裝置需經(jīng)過(guò)適當(dāng)封裝以阻絕其內(nèi)的電子元件接觸到外界的水氣與氧氣，以提升其使用壽命。已知封裝材料是采用熱制程而制備完成，其是先將樹(shù)脂單體合成為樹(shù)脂之后，然后再加入填充料與硬化劑與之混合而得到。如此的熱制程極為耗時(shí)，通常需耗數(shù)個(gè)小時(shí)甚至十?dāng)?shù)個(gè)小時(shí)以完成樹(shù)脂的合成。此外，由于上述熱制程中采用了溶劑，故需精準(zhǔn)地控制樹(shù)脂合成的反應(yīng)條件以及制程的安全性。因此，恐不易降低封裝材料的制作成本和制造時(shí)間。如此，便需要新穎的封裝材料的制造方法以及封裝材料組合物，其可以應(yīng)用于較為快速且安全地制備出封裝材料，以改善已知采用熱制程制備的封裝材料的制備的耗時(shí)、高制造成本以及危險(xiǎn)性等缺點(diǎn)。
發(fā)明內(nèi)容有鑒于此，本發(fā)明的目的在于提供一種封裝材料組合物以及封裝材料的制造方法，其具有低制造成本、高安全性以及快速制作等優(yōu)點(diǎn)。依據(jù)一實(shí)施例，本發(fā)明的封裝材料組合物，包括至少一樹(shù)脂單體，其中該樹(shù)脂單體是擇自由壓克力樹(shù)脂單體、環(huán)氧樹(shù)脂單體及硅氧樹(shù)脂單體所組成的族群；一填充料，其中該填充料為0.115重量份，優(yōu)選515重量份，以該樹(shù)脂單體為100重量份；以及一引發(fā)劑。依據(jù)另一實(shí)施例，本發(fā)明的封裝材料的制造方法，包括提供一封裝材料組合物，包括至少一樹(shù)脂單體、一填充料與一引發(fā)劑，其中該樹(shù)脂單體是擇自由壓克力樹(shù)脂單體、環(huán)氧樹(shù)脂單體及硅氧樹(shù)脂單體所組成的族群，且該填充料為0.115重量份，優(yōu)選515重量份，以該樹(shù)脂單體為100重量份；以及以一微波源實(shí)施一加熱制程，以聚合該封裝材料組合物。在傳統(tǒng)加熱制程中，熱能是通過(guò)傳導(dǎo)及對(duì)流的方式加以傳遞，例如，一容器中的溶液通過(guò)加熱容器以熱傳導(dǎo)的方式加熱。然而，在微波加熱制程中，熱能是通過(guò)輻射的方式加以傳遞，例如，一反應(yīng)物通過(guò)微波輻射的方式直接加熱，具有較佳加熱效率。與傳統(tǒng)加熱制程相較，本發(fā)明的方法使用微波加熱制程，可降低熱能損失及在一變動(dòng)的微波場(chǎng)下通過(guò)分子偶極矩轉(zhuǎn)動(dòng)可增加反應(yīng)速率(有效碰撞機(jī)率)。此外，本發(fā)明使用微波加熱制程也不須使用有機(jī)溶劑，因而制程的安全性得以提高。圖1是依據(jù)本發(fā)明的一實(shí)施例的-一種有機(jī)發(fā)光二極管裝置；圖2是依據(jù)本發(fā)明的一實(shí)施例的-一種可撓式發(fā)光二極管裝置；圖3是依據(jù)本發(fā)明的一實(shí)施例的-一種炮彈型發(fā)光二極管裝置；以及圖4是依據(jù)本發(fā)明的一實(shí)施例的-一種有機(jī)太陽(yáng)能電池裝置；其中，主要元件符號(hào)說(shuō)明100玻璃基板；102、202ITO層；104、204電子傳輸層;106、206發(fā)光層；108、208電子注入層；110、210陰極；170、270、370、470封裝層;180、280、380、480光線;200PET基板；300炮彈型透光外殼；302支架；304藍(lán)光芯片；306焊線;400ITO玻璃;402空穴傳輸層；404主動(dòng)層；406電子注入層；408陰極。具體實(shí)施例方式為讓本發(fā)明的上述目的、特征及優(yōu)點(diǎn)能更明顯易懂，下文特舉一較佳實(shí)施例，并配合所附附圖，作詳細(xì)說(shuō)明如下本發(fā)明提供封裝材料組合物以及封裝材料的制造方法，以于較低制造成本、較高安全性以及較為快速的條件下制備出所需的封裝材料。本發(fā)明所制備出的封裝材料也具有優(yōu)異的阻水、阻氣及透光率等表現(xiàn)，因而適用于封裝如發(fā)光二極管等發(fā)光元件的封裝材料的制備。在一實(shí)施例中，本發(fā)明所提供的封裝材料組合物主要成分為一樹(shù)脂單體、一填充料與一引發(fā)劑，可依照不同比例調(diào)配而制成具有高透光率且無(wú)色的透明封裝材料。于本發(fā)明所提供的封裝材料組合物中，樹(shù)脂單體占100重量份，而填充料與引發(fā)劑則分別約占0.115重量份以及約占0.11重量份，其是以樹(shù)脂單體所占的100重量份為基準(zhǔn)，其中填充料約占樹(shù)脂單體組合物0.115wt^，較佳約占樹(shù)脂單體組合物515wt%。在一實(shí)施例中，本發(fā)明所提供的封裝材料組合物包括至少一種樹(shù)脂單體，例如為壓克力樹(shù)脂單體、環(huán)氧樹(shù)脂單體、硅氧樹(shù)脂單體(在本發(fā)明也稱作硅氧_壓克力樹(shù)脂單體)及上述單體的組合。在一實(shí)施例中，所使用的壓克力樹(shù)脂單體具有以下化學(xué)式oIIH2c=—C—0—RiR2&及R2可為碳數(shù)112的烷基、叔丁基、碳數(shù)112的醚基、碳數(shù)112的烷醇基或碳數(shù)212的環(huán)烷氧基。6在一實(shí)施例中，環(huán)氧樹(shù)脂單體具有以下化學(xué)式<formula>formulaseeoriginaldocumentpage7</formula>&可為碳數(shù)112的烷基、叔丁基、碳數(shù)112的醚基、碳數(shù)112的烷醇基或碳數(shù)212的環(huán)烷氧基。在一實(shí)施例中，硅氧樹(shù)脂單體具有以下化學(xué)式<formula>formulaseeoriginaldocumentpage7</formula>R/、V，及V"可為相同或不同，R/、R/'、R/"、R2及R3可為碳數(shù)112的烷基、叔丁基、碳數(shù)112的醚基、碳數(shù)112的烷醇基或碳數(shù)212的環(huán)烷氧基。在一實(shí)施例中，本發(fā)明所提供的封裝材料組合物的填充料包括例如氧化硅或氧化鋁的金屬氧化物、例如氯化鋅的金屬鹵化物、例如氮化鋁的金屬氮化物或例如碳酸鈣的其它粉體。在一實(shí)施例中，本發(fā)明所提供的封裝材料組合物的引發(fā)劑包括例如過(guò)氧化苯的過(guò)氧化物、例如偶氮二異丁腈(azobisisobutyronitrile，AIBN)的偶氮化合物、例如1-羥基環(huán)己基苯基酮(l-Hydroxy-cyclohexyl-phenyl-ketone)的自由基引發(fā)劑、例如4-甲基苯基碘(Iodonium4-methylphenyl)及4-(2-甲基丙基)苯基-六氟磷酸鹽(4_(2_methylpropyl)phenyl_hexafluorophosphate)的陽(yáng)離子弓l發(fā)劑或例如二(n_5_2，4_環(huán)戊二烯-1-基)二[2，6-二氟-3_(1H-吡咯-1-基)苯基]鈦(Bis(eta-5-2，4_cyclopentadien_l_yl)Bis[2，6_difluoro_3_(lH_pyrrol_l_yl)phenyl]titanium)的茂金屬絡(luò)合物(metallocenecomplex)。于一實(shí)施例中，本發(fā)明所提供的封裝材料組合物主要成分包括例如甲基丙烯酸苯甲酯(BZMA)、甲基丙烯酸甲酯(MAA)及2-羥基乙基甲基丙烯酸酯(2-HEMA)的數(shù)個(gè)壓克力單體、例如二氧化硅的填充料以及例如偶氮二異丁腈(AIBN)的引發(fā)劑，藉以制備出一壓克力共聚物。于本實(shí)施例中的封裝材料中，填充料占樹(shù)脂單體的0.115wt%，較佳約占樹(shù)脂單體組合物515wt^，適量的引發(fā)劑占樹(shù)脂單體的0.l-lwt^，余者皆為壓克力單體，其中BZMA、MAA與2-HEMA的比例為117:86:130。于另一實(shí)施例中，本發(fā)明所提供的封裝材料組合物主要成分包括聚氨酯-壓克力共單體、例如二氧化硅的填充料以及例如偶氮二異丁腈(AIBN)的引發(fā)劑，藉以制備出一聚氨酯_壓克力共聚物。于本實(shí)施例中的封裝材料中，填充料占樹(shù)脂單體的0.115wt%，較佳約占樹(shù)脂單體組合物515wt^，適量的引發(fā)劑占樹(shù)脂單體的0.l-lwt^，余者皆為聚氨酯-壓克力共單體。于又一實(shí)施例中，本發(fā)明所提供的封裝材料組合物主要成分包括硅氧-壓克力共單體、例如二氧化硅的填充料以及例如偶氮二異丁腈(AIBN)的引發(fā)劑，藉以制備出一硅氧-壓克力共聚物。于本實(shí)施例中的封裝材料中，填充料占樹(shù)脂單體的O.115wt^，較佳約占樹(shù)脂單體組合物515wt%，適量的引發(fā)劑占樹(shù)脂單體的0.l-lwt%，余者皆為硅氧-壓克力單體。于另一實(shí)施例中，本發(fā)明所提供的封裝材料組合物主要成分包括環(huán)氧樹(shù)脂單體、例如二氧化硅的填充料以及例如2-乙基-4_甲基咪唑(2-ethyl-4-methylimidazole，EMID)的引發(fā)劑，藉以制備出一環(huán)氧樹(shù)脂聚合物。于本實(shí)施例中的封裝材料中，填充料占樹(shù)脂單體的0.115wt^，較佳約占樹(shù)脂單體組合物515wt^，適量的引發(fā)劑占樹(shù)脂單體的0.l-lwt^，余者皆為環(huán)氧樹(shù)脂單體。本發(fā)明所提供的封裝材料組合物可通過(guò)一微波源加熱聚合而形成一封裝材料，其加熱時(shí)間與微波源功率可適當(dāng)調(diào)整以制備粘度介于1100，000cps，較佳介于5，00030，OOOcps，以及透光率高于85%的封裝材料，其適用于例如有機(jī)光二極管或發(fā)光二極管的發(fā)光元件以及太陽(yáng)能電池等電子元件的封裝。本發(fā)明的封裝材料組合物具有以下優(yōu)點(diǎn)(1)通過(guò)填充料的調(diào)配可調(diào)整所形成的封裝材料的透光率，進(jìn)而制備出透光率高于85%，甚至是高于90%的無(wú)色透明封裝材料。(2)粘著度極佳，可達(dá)2.1Kg/cm。(3)所制備出的封裝材料的阻水、阻氣特性優(yōu)于采用已知熱制程所制備得到的封裝材料的特性，有助于提升電子元件的使用壽命。(4)可使用于例如發(fā)光二極管、有機(jī)發(fā)光二極管、太陽(yáng)能電池等光電裝置封裝，業(yè)界可接受度高。另外，在一實(shí)施例中，本發(fā)明提供封裝材料的制造方法，包括提供上述封裝材料組合物，以及以一微波源實(shí)施一加熱制程，以聚合封裝材料組合物。加熱制程實(shí)施的時(shí)間介于1200分鐘，而使用的微波源功率介于120，000瓦特。此外，于上述加熱制程后，所得到的封裝材料仍可能具備一定的流動(dòng)性，可通過(guò)例如旋轉(zhuǎn)涂布方式形成于電子元件之上，藉以扮演一最終封裝膜層。在一實(shí)施例中，本發(fā)明所提供封裝材料的制造方法可更包括通過(guò)一光源實(shí)施一照光制程，以固化封裝材料。照光制程實(shí)施的時(shí)間介于1200分鐘，而使用的光源功率介于120，000瓦特。于上述照光制程中所使用的光源可視所施行的封裝材料組合物內(nèi)所使用的引發(fā)劑的種類而定，可例如為紫外光光源、可見(jiàn)光光源或紅外光光源。本發(fā)明的封裝材料的制造方法具有以下優(yōu)點(diǎn)(1)制程中僅需持續(xù)地?cái)嚢璺庋b材料組合物而無(wú)須控制系統(tǒng)的反應(yīng)壓力與反應(yīng)溫度，因而可大幅簡(jiǎn)化制程系統(tǒng)的設(shè)置情形，所應(yīng)用的制程系統(tǒng)較已知熱制程系統(tǒng)來(lái)得簡(jiǎn)化。(2)制程中無(wú)須使用溶劑，可提高制程安全性。(3)可于制程中完成封裝材料的合成，可大幅節(jié)省封裝材料的制造時(shí)間與制造成本。(4)封裝材料中的填充料分散性極佳，可提升封裝材料的阻水、阻氣表現(xiàn)，進(jìn)而改善被封裝元件的使用壽命。(5)可通過(guò)調(diào)整填充料的成分，而控制所形成的封裝材料的透光率，進(jìn)而制備出透光率高于90%的無(wú)色透明封裝材料。(6)可使用于例如發(fā)光二極管、有機(jī)發(fā)光二極管、太陽(yáng)能電池等光電裝置封裝，業(yè)界可接受度高。在傳統(tǒng)加熱制程中，熱能是通過(guò)傳導(dǎo)及對(duì)流的方式加以傳遞，例如，一容器中的溶液通過(guò)加熱容器以熱傳導(dǎo)的方式加熱。然而，在微波加熱制程中，熱能是通過(guò)輻射的方式加以傳遞，例如，一反應(yīng)物通過(guò)微波輻射的方式直接加熱，具有較佳加熱效率。與傳統(tǒng)加熱制程相較，微波加熱制程可降低熱能損失及在一變動(dòng)的微波場(chǎng)下通過(guò)分子偶極矩轉(zhuǎn)動(dòng)可增加反應(yīng)速率(有效碰撞機(jī)率)。此外，微波加熱制程也不須使用有機(jī)溶劑。以下為本發(fā)明的封裝材料組合物以及封裝材料的制造方法的各實(shí)施例的配方與制備方式，以及比較例的配方與制備。首先提供以下實(shí)施例中所使用的化學(xué)品的化學(xué)式及其來(lái)源，表1所示為所應(yīng)用的單體相關(guān)信息，表2所示為所應(yīng)用的引發(fā)劑的相關(guān)信息，表3所示為所應(yīng)用的光學(xué)元件材料的相關(guān)信息。表1:所應(yīng)用的樹(shù)脂單體單體名稱來(lái)源廠商說(shuō)明/備注BZMAUCBCo.液態(tài)單體分子式CuH1202;分子量176MMUCBCo.液態(tài)單體分子式C4H602;分子量862-HEMAUCBCo.液態(tài)單體分子式:C6H1003;分子量:130聚氨酯-壓克力共單體aUCBCo.液態(tài)單體分子式:C15H1204NC1;分子量305.5聚氨酯-壓克力共單體bUCBCo.液態(tài)單體分子式C25H3。08N2;分子量486聚氨酯-壓克力共單體cUCBCo.液態(tài)單體分子式C28H4608N2;分子量553硅氧樹(shù)脂單體aAldrichCo.液態(tài)單體分子式:C10H1705Si;分子量:245環(huán)氧樹(shù)脂單體aUCBCo.液態(tài)單體分子式C21H2404;分子量340上述單體的化學(xué)式分別如下所示o°—IIC=C—C~OH一；—c—BZMAMAAOC=c—C~OOHcm2-HEMA9<formula>formulaseeoriginaldocumentpage10</formula>表2:所應(yīng)用的光引發(fā)劑<table>tableseeoriginaldocumentpage10</column></row><table>上述引發(fā)劑的化學(xué)式如下所示<formula>formulaseeoriginaldocumentpage11</formula><table>tableseeoriginaldocumentpage11</column></row><table>表3:所應(yīng)用的光電元件材料上述光電元件材料的化學(xué)式分別如下所示PCBM實(shí)施例實(shí)施例l秤取117g的甲基丙烯酸苯甲酯(Benzylmethacrylate，BZMA)、86g的甲基丙烯酸甲酯(MethylMethacrylate,MAA)、130g的2_羥基乙基甲基丙烯酸酯(2-hydroxylethylmathacrylate，2-HEMA)、39g的二氧化硅以及4g的引發(fā)劑AIBN并將上述材料置于一容器中，于常溫常壓下利用機(jī)械攪拌器攪拌并混合上述材料而得到一封裝材料組合物。接著，以一微波源(其功率約為800W)實(shí)施一加熱制程10分鐘，以聚合此封裝材料組合物。關(guān)閉微波源，并加入6g的1-184。待機(jī)械攪拌30分鐘后，制備得一壓克力共聚物I。壓克力共聚物I(AcrylicsI)是依照下述反應(yīng)式(1)所示反應(yīng)聚合形成。<formula>formulaseeoriginaldocumentpage12</formula><formula>formulaseeoriginaldocumentpage13</formula>反應(yīng)式(1)接著測(cè)量所得到的壓克力共聚物I的粘度、分子量、粘著強(qiáng)度、硬度、透光率以及折射率等物理性質(zhì)，所得到的結(jié)果如同表5與表6所示。關(guān)于壓克力共聚物I的物理性質(zhì)的測(cè)量?jī)x器/測(cè)量方法則如以下表4所示，其中關(guān)于粘度與分子量的測(cè)量可直接測(cè)量適當(dāng)量的共聚物，而關(guān)于粘著強(qiáng)度、硬度、透光率、折射率等性質(zhì)的測(cè)量則可將所得到的壓克力共聚物涂布于如載玻片的一基板上成為5cm見(jiàn)方的一試樣，并將此試樣經(jīng)過(guò)深紫外光的光源照光3分鐘后使之硬化，接著以表列的測(cè)量?jī)x器與測(cè)量方法進(jìn)行后續(xù)的物理性質(zhì)測(cè)量。表4:物理性質(zhì)的測(cè)量?jī)x器/測(cè)量方法<table>tableseeoriginaldocumentpage13</column></row><table>實(shí)施例2秤取333g的聚氨酯-壓克力共單體a(PU/Acrylicsa)、39g的二氧化硅以及6g的引發(fā)劑AIBN并將上述材料置于一容器中，于常溫常壓下利用機(jī)械攪拌器攪拌并混合上述材料而得到一封裝材料組合物。接著，以一微波源(其功率約為800W)實(shí)施一加熱制程IO分鐘，以聚合此封裝材料組合物。關(guān)閉微波源，并加入6g的1-184及4g的1-369。待機(jī)械攪拌30分鐘后，制備得一聚氨酯_壓克力共聚物I。聚氨酯_壓克力共聚物I(PU/AcrylicsI)是依照下述反應(yīng)式(2)所示反應(yīng)聚合形成。<formula>formulaseeoriginaldocumentpage14</formula>反應(yīng)式(2)接著將實(shí)施例2所制得的聚氨酯_壓克力共聚物I同實(shí)施例1的方式進(jìn)行物性測(cè)量，所得到的結(jié)果如表5與表6所示。實(shí)施例3秤取333g的聚氨酯-壓克力共單體b(PU/Acrylicsb)、39g的二氧化硅以及6g的引發(fā)劑AIBN并將上述材料置于一容器中，于常溫常壓下利用機(jī)械攪拌器攪拌并混合上述材料而得到一封裝材料組合物。接著，以一微波源(其功率約為800W)實(shí)施一加熱制程IO分鐘，以聚合此封裝材料組合物。關(guān)閉微波源，并加入6g的1-184及4g的1-369。待機(jī)<formula>formulaseeoriginaldocumentpage15</formula>反應(yīng)式(3)接著將實(shí)施例3所制得的聚氨酯_壓克力共聚物II同實(shí)施例1的方式進(jìn)行物性測(cè)量，所得到的結(jié)果如表5與表6所示。實(shí)施例4秤取333g的聚氨酯-壓克力共單體c(PU/Acryicsc)、39g的二氧化硅以及6g的引發(fā)劑AIBN并將上述材料置于一容器中，于常溫常壓下利用機(jī)械攪拌器攪拌并混合上述材料而得到一封裝材料組合物。接著，以一微波源(其功率約為800W)實(shí)施一加熱制程IO分鐘，以聚合此封裝材料組合物。關(guān)閉微波源，并加入6g的1-184及4g的1-369。待機(jī)械攪拌30分鐘后，制備得一聚氨酯-壓克力共聚物III(PU/AcrylicsIII)。聚氨酯-壓克力共聚物III是依照下述反應(yīng)式(4)所示反應(yīng)聚合形成。械攪拌30分鐘后，制備得一聚氨酯-壓克力共聚物II(PU/Acrylics11)。聚氨酯-壓克力共聚物II是依照下述反應(yīng)式(3)所示反應(yīng)聚合形成。AIBN,silica1-184，1-369microwave(800W，lOmin)stir,30minOO——(CH2)6—C—O~^PU/Acrylicsbo=cI01RI01o=c(H2)6R:01COINHPU/AcrylicsII-CH~CH,o=cHoIIoHo=co15反應(yīng)式(4)接著將實(shí)施例4所制得的聚氨酯_壓克力共聚物III同實(shí)施例1的方式進(jìn)行物性測(cè)量，所得到的結(jié)果如表5與表6所示。實(shí)施例5秤取333g的硅氧樹(shù)脂單體a(Si1iconea)、39g的二氧化硅以及6g的引發(fā)劑AIBN并將上述材料置于一容器中，于常溫常壓下利用機(jī)械攪拌器攪拌并混合上述材料而得到一封裝材料組合物。接著，以一微波源(其功率約為800W)實(shí)施一加熱制程10分鐘，以聚合此封裝材料組合物。關(guān)閉微波源，并加入3g的1-184、1.5g的1-369及1.5g的I-ITX。待機(jī)械攪拌30分鐘后，制備得一硅氧樹(shù)脂-壓克力共聚物I(Silicone/AcrylicsI)。硅氧樹(shù)脂-壓克力共聚物I系依照下述反應(yīng)式(5)所示反應(yīng)聚合形成。[O川]AIBN,sihcai-i84,1-369-;-^-microwave(800W,lOmin)stir,30minmR:(H2)6OCONHPU/Aciylics邁62HcIIc—oIRIo—coo16CH3OOCH3riiiH2C=C—C—O—(CH2)3—T—OCH3Siliconea6CH3AIBN，silica1-184，1-369,I-ITXmicrowave(800W，lOmin)stir,30minOCH3IH3CO——*~~OCH3H2)3OSilicone/Acrylics:0=CC一CH，CH3反應(yīng)式(5)接著將實(shí)施例5所制得的硅氧樹(shù)脂-壓克力共聚物I同實(shí)施例1的方式進(jìn)行物性測(cè)量，所得到的結(jié)果如表5與表6所示。實(shí)施例6秤取166.5g的硅氧樹(shù)脂單體a、166.5g的2_羥基乙基甲基丙烯酸酯(2-HEMA)、39g的二氧化硅以及6的引發(fā)劑AIBN并將上述材料置于一容器中，于常溫常壓下利用機(jī)械攪拌器攪拌并混合上述材料而得到一封裝材料組合物。接著，以一微波源(其功率約為800W)實(shí)施一加熱制程10分鐘，以聚合此封裝材料組合物。關(guān)閉微波源，并加入3g的1-184、1.5g的1-369及1.5g的I-ITX。待機(jī)械攪拌30分鐘后，制備得一硅氧樹(shù)脂_壓克力共聚物II(Silicone/Acrylics11)。硅氧樹(shù)脂_壓克力共聚物II是依照下述反應(yīng)式(6)所示反應(yīng)聚合形成。<formula>formulaseeoriginaldocumentpage18</formula>反應(yīng)式(6)接著將實(shí)施例6所制得的硅氧樹(shù)脂_壓克力共聚物II同實(shí)施例1的方式進(jìn)行物:，所得到的結(jié)果如表5與表6所示。實(shí)施例7秤取166.5g的硅氧樹(shù)脂單體a、166.5g的聚氨酯_壓克力共單體b(PU/Acrylicsb)、39g的二氧化硅以及6g的引發(fā)劑AIBN并將上述材料置于一容器中，于常溫常壓下利用機(jī)械攪拌器攪拌并混合上述材料而得到一封裝材料組合物。接著，以一微波源(其功率約為800W)實(shí)施一加熱制程10分鐘，以聚合此封裝材料組合物。關(guān)閉微波源，并加入2.7g的1-184、1.35g的1-369、1.35g的I-ITX及0.6g的1-127。待機(jī)械攪拌30分鐘后，制備得一硅氧樹(shù)脂-聚氨酯-壓克力共聚物I(Silicone/PU/AcrylicsI)。硅氧樹(shù)脂_聚氨酯_壓克力共聚物I是依照下述反應(yīng)式(7)所示反應(yīng)聚合形成?！?ntch3H2C=C—C—O—(CH2)3—J;—OCH3+SiliconeaOCH3OO-O—C-I—OCNH-AffiN，silica1-184，1-369,I-ITX，1-127microwave(800W,lOmin)stir,30minOCH3ICO——OCH3O(CH2)3RII0o1I國(guó)HC——CH2C=0R:("2)601COINH-c一c一反應(yīng)式(7)接著將實(shí)施例7所制得的硅氧樹(shù)脂_聚氨酯-壓克力共聚物I依照實(shí)施例1的方式進(jìn)行物性測(cè)量，所得到的結(jié)果如表5與表6所示。實(shí)施例8秤取333g的環(huán)氧樹(shù)脂單體a、39g的二氧化硅、6g的引發(fā)劑2-乙基_4_甲基咪唑(EMID)并將上述材料置于一容器中，于常溫常壓下利用機(jī)械攪拌器攪拌并混合上述材料而得到一封裝材料組合物。接著，以一微波源(其功率約為800W)實(shí)施一加熱制程10分鐘，以聚合此封裝材料組合物。關(guān)閉微波源，并加入6g的1-250。待機(jī)械攪拌30分鐘后，制備19得一環(huán)氧樹(shù)脂聚合物I。環(huán)氧樹(shù)脂聚合物I是依照下述反應(yīng)式(8)所示反應(yīng)聚合形成cCIrkOHO()R-EMID，二氧化硅1-250微波(800W,10min)攪拌，30minc-y反應(yīng)式(8)接著將實(shí)施例8所制得的環(huán)氧樹(shù)脂聚合物I依照實(shí)施例1的方式進(jìn)行物性測(cè)量，所得到的結(jié)果如表5與表6所示。比較例l秤取117g的甲基丙稀酸苯甲酯(BZMA)、86g的甲基丙烯酸甲酯(MAA)、130g的2-羥基乙基甲基丙烯酸酯(2-HEMA)、39g的二氧化硅、6g的AIBN引發(fā)劑與300g丙二醇甲醚醋酸酯(Propyleneglycolmonomethyletheracetate,PGMEA)的溶劑并將上述材料置于一容器中，于常溫常壓下利用機(jī)械攪拌器攪拌并混合上述材料而得到一封裝材料組合物并開(kāi)始加熱至9(TC后，維持此溫度6小時(shí)。關(guān)閉加熱器，并加入6g的1-184。待機(jī)械攪拌30分鐘后，制備得一壓克力共聚物(Acrylics)。壓克力共聚物是依照下述反應(yīng)式(9)所示反應(yīng)聚合形成。反應(yīng)式(9)接著將比較例1所制得的壓克力共聚物依照實(shí)施例1的方式進(jìn)行物性測(cè)量，所得到的結(jié)果如表5與表6所示。表5:封裝材料的粘度與分子量封裝材料粘度(cps)重量分子量(Mw)數(shù)量分子量(Mn)Mw/Mn壓克力共聚物I16，200245，600128，1001.92聚氨酯-壓克力共聚物I9，300138，60074，9001.86聚氨酯-壓克力共聚物II24，600283，000152，■1.95聚氨酯-壓克力共聚物III23，900276，000133，1002.07硅氧樹(shù)脂-壓克力共聚物I7，■87，20052，6001.66硅氧樹(shù)脂-壓克力共聚物II9，500115，70063，9001.81硅氧樹(shù)脂-聚氨酯-壓克力共聚物I13，■127，40079，2001.61環(huán)氧樹(shù)脂聚合物I12，■115，20061，6001.87壓克力共聚物(比較例1)8，100112，30055，■2.01OOc=f—c—o'CH3BZMAOII+c=f—c—o'CHCOHj3—C—OHCH3MAAAIBN,silicaPGMEAI-184~—-~—-^heat(120oC,6hr)stir,30min2-HEMAAcrylics:c—c—c—o.co21表6:封裝材料的物理性質(zhì)<table>tableseeoriginaldocumentpage22</column></row><table>實(shí)施例9請(qǐng)參閱圖l，將形成有ITO層102的一玻璃基板100浸泡含丙酮、甲醇及去離子的潔凈溶液后，以超音波洗凈五分鐘。之后，以氧氣等離子體(02plasma)處理90秒。采用蒸鍍方式依序于ITO層102上形成一電子傳輸層104(采用NPB材料，厚度為50納米)、一發(fā)光層106(采用Alq3，厚度為50納米)、一電子注入層108(采用氟化鋰，厚度為3納米)以及一陰極110(采用鋁，厚度為80納米)。接著，以旋轉(zhuǎn)涂布方式將前述實(shí)施例7所制備得到的硅氧樹(shù)脂-聚氨酯-壓克力共聚物作為封裝材料而將之涂布(stageI:l，500rpm20秒；stageII:3，500rpm30秒)至陰極110上并包覆上述堆棧膜層的側(cè)壁。接著，以紫外光照射上述封裝材料10秒以固化之。因而于上述堆棧膜層的頂面及側(cè)壁表面上形成一封裝層170，并完成了有機(jī)發(fā)光二極管(0LED)裝置的封裝。在此，有機(jī)發(fā)光二極管(0LED)裝置可朝向遠(yuǎn)離玻璃基板100的方向發(fā)出如綠光的一光線180。與傳統(tǒng)以加熱制程制備所得的封裝材料封裝的0LED(衰減時(shí)間為35小時(shí))相較，以微波制程制備所得的封裝材料封裝的0LED具有一較長(zhǎng)95小時(shí)的衰減時(shí)間，可延長(zhǎng)元件壽命。實(shí)施例10采用如前述實(shí)施例9的制備步驟，僅將玻璃基板100替換成為PET(polyethyleneter印hthalate)基板200，因而完成了可撓式有機(jī)光二極管裝置的封裝。在此，于圖2中，可撓式有機(jī)發(fā)光二極管(0LED)裝置內(nèi)的構(gòu)件除了PET基板200之外都與實(shí)施例9內(nèi)的相同，此些構(gòu)件于圖2內(nèi)的標(biāo)號(hào)是采用圖1內(nèi)的標(biāo)號(hào)加上100表示，其代表了相同的構(gòu)件。此外，如圖2所示，可撓式有機(jī)發(fā)光二極管(0LED)裝置可朝向遠(yuǎn)離PET基板200的方向發(fā)出如綠光的一光線280。與傳統(tǒng)以加熱制程制備所得的封裝材料封裝的OLED(衰減時(shí)間為14小時(shí))相較，以微波制程制備所得的封裝材料封裝的0LED具有一較長(zhǎng)40小時(shí)的衰減時(shí)間，可延長(zhǎng)元件壽命。實(shí)施例ll將熒光粉(Nichia公司產(chǎn)制)摻混于前述實(shí)施例7所制備得到的硅氧樹(shù)脂-聚氨酯-壓克力共聚物的封裝材料中(重量比為熒光粉硅壓克力-聚氨酯-壓克力共聚物=16:84)。接著，將上述材料倒入裝置有藍(lán)光芯片304(厚度為460納米，15milsquare大小，ekcoreCo.，Taiwan產(chǎn)制)的支架302的一部上，其中藍(lán)光芯片304是透過(guò)焊線306連結(jié)于支架302的另一部。然后，以UV光固化上述混合材料一分鐘。接著，將裝置有藍(lán)光芯片304與熒光粉的封裝材料放入炮彈型透光外殼300內(nèi)。接著，將硅氧樹(shù)脂_聚氨酯_壓克力共聚物材質(zhì)的封裝層370完全填滿炮彈型外殼300的內(nèi)部并以UV光照射上述材料5分鐘以固化之，進(jìn)而完成了一炮彈型發(fā)光二極管的建構(gòu)，如圖3所示。此外，如圖3所示，炮彈型發(fā)光二極管可朝向遠(yuǎn)離支架302的方向發(fā)出如白光的一光線380。在此，硅氧樹(shù)脂-聚氨酯_壓克力共聚物材質(zhì)的封裝層370于固化仍保有85%之上的透光率，不會(huì)劣化炮彈型發(fā)光二極管的發(fā)光效率。與傳統(tǒng)填入加熱制程制備所得的封裝材料的炮彈型OLED(衰減時(shí)間為17，000小時(shí))相較，以微波制程制備所得的封裝材料填入的炮彈型OLED具有一較長(zhǎng)36，000小時(shí)的衰減時(shí)間，可延長(zhǎng)元件壽命。實(shí)施例12將ITO玻璃400浸泡含丙酮、甲醇及去離子的潔凈溶液后，以超音波洗凈五分鐘。之后，以氧氣等離子體(02plasma)處理90秒。采用旋轉(zhuǎn)涂布方式依序于ITO玻璃400上形成一空穴傳輸層402(采用PEDOT材料)以及一主動(dòng)層404(采用P3HT/PCBM材料，重量比為1:1)?？昭▊鬏攲?02的旋轉(zhuǎn)涂布條件為stageI:l，500rpm20秒；stageII:3，500rpm30秒。主動(dòng)層404的旋轉(zhuǎn)涂布條件為stageI:1，OOOrpm20秒；stageII:2，OOOrpm30秒。接著，采用蒸鍍方式依序形成一電子注入層406(采用氟化鋰)以及一陰極408(采用鋁)于主動(dòng)層404上。接著，以旋轉(zhuǎn)涂布方式將前述實(shí)施例7所制備得到的硅氧樹(shù)脂_聚氨酯_壓克力共聚物作為封裝材料而將之涂布至陰極408上并包覆上述堆棧膜層的側(cè)壁(旋轉(zhuǎn)涂布條件為stageI:1，500rpm20秒；stageII:3，500rpm30秒)。接著，以紫外光照射上述封裝材料10秒以固化之，因而于上述堆棧膜層的頂面及側(cè)壁表面上形成一封裝層470，并完成了有機(jī)太陽(yáng)能電池裝置的封裝，如圖4所示。在此，有機(jī)太陽(yáng)能電池裝置可透過(guò)ITO玻璃400以接收外來(lái)的光線480。48小時(shí)后，與傳統(tǒng)以加熱制程制備所得的封裝材料封裝的太陽(yáng)能電池(衰減率為55%)相較，以微波制程制備所得的封裝材料封裝的太陽(yáng)能電池具有一較小14%的衰減率，可延長(zhǎng)元件壽命。雖然本發(fā)明已以較佳實(shí)施例揭露如上，然其并非用以限定本發(fā)明，任何熟習(xí)此項(xiàng)技藝者，在不脫離本發(fā)明的精神和范圍內(nèi)，當(dāng)可作更動(dòng)與潤(rùn)飾，因此本發(fā)明的保護(hù)范圍當(dāng)視后附的權(quán)利要求書(shū)所界定的范圍為準(zhǔn)。2權(quán)利要求一種封裝材料組合物，包括至少一樹(shù)脂單體，其中該樹(shù)脂單體是擇自由壓克力樹(shù)脂單體、環(huán)氧樹(shù)脂單體及硅氧樹(shù)脂單體所組成的族群；一填充料，其中該填充料為0.1～15重量份，以該樹(shù)脂單體為100重量份；以及一引發(fā)劑。2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的封裝材料組合物，其中該封裝材料組合物的粘度介于1100，000cps。3.根據(jù)權(quán)利要求l所述的封裝材料組合物，其中該封裝材料組合物的透光率高于85%。4.根據(jù)權(quán)利要求1所述的封裝材料組合物，其中該壓克力樹(shù)脂單體具有以下化學(xué)式<formula>formulaseeoriginaldocumentpage2</formula>其中&及R2為碳數(shù)112的烷基、叔丁基、碳數(shù)112的醚基、碳數(shù)112的烷醇基或碳數(shù)212的環(huán)烷氧基。5.根據(jù)權(quán)利要求1所述的封裝材料組合物，其中該環(huán)氧樹(shù)脂單體具有以下化學(xué)式<formula>formulaseeoriginaldocumentpage2</formula>其中&為碳數(shù)112的烷基、叔丁基、碳數(shù)112的醚基、碳數(shù)112的烷醇基或碳數(shù)212的環(huán)烷氧基。6.根據(jù)權(quán)利要求1所述的封裝材料組合物，其中該硅氧樹(shù)脂單體具有以下化學(xué)式<formula>formulaseeoriginaldocumentpage2</formula>其中V、V，及V"為相同或不同，以及V、V，、V"、R2及R3為碳數(shù)112的烷基、叔丁基、碳數(shù)112的醚基、碳數(shù)112的烷醇基或碳數(shù)212的環(huán)烷氧基。7.根據(jù)權(quán)利要求1所述的封裝材料組合物，其中該填充料為金屬氧化物、金屬鹵化物或金屬氮化物。8.根據(jù)權(quán)利要求1所述的封裝材料組合物，其中該引發(fā)劑為過(guò)氧化物、偶氮化合物、自由基引發(fā)劑、陽(yáng)離子引發(fā)劑或茂金屬絡(luò)合物。9.根據(jù)權(quán)利要求1所述的封裝材料組合物，其中該填充料為515重量份，以該樹(shù)脂單體為100重量份。10.根據(jù)權(quán)利要求1所述的封裝材料組合物，其中該封裝材料組合物應(yīng)用于發(fā)光元件的封裝。11.根據(jù)權(quán)利要求io所述的封裝材料組合物，其中該發(fā)光元件為一有機(jī)發(fā)光二極管或一發(fā)光二極管。12.根據(jù)權(quán)利要求1所述的封裝材料組合物，其中該封裝材料組合物應(yīng)用于太陽(yáng)能電池的封裝。13.—種封裝材料的制造方法，包括提供一封裝材料組合物，包括至少一樹(shù)脂單體、一填充料與一引發(fā)劑，其中該樹(shù)脂單體是擇自由壓克力樹(shù)脂單體、環(huán)氧樹(shù)脂單體及硅氧樹(shù)脂單體所組成的族群，且該填充料為0.115重量份，以該樹(shù)脂單體為100重量份；以及以一微波源實(shí)施一加熱制程，以聚合該封裝材料組合物。14.根據(jù)權(quán)利要求13所述的封裝材料的制造方法，還包括以一光源實(shí)施一照光制程，以固化該封裝材料組合物。15.根據(jù)權(quán)利要求13所述的封裝材料的制造方法，其中實(shí)施該加熱制程的時(shí)間介于1200分鐘。16.根據(jù)權(quán)利要求14所述的封裝材料的制造方法，其中實(shí)施該照光制程的時(shí)間介于1200分鐘。17.根據(jù)權(quán)利要求13所述的封裝材料的制造方法，其中該微波源的功率介于120，000瓦特。18.根據(jù)權(quán)利要求14所述的封裝材料的制造方法，其中該光源的功率介于120，000瓦特。19.根據(jù)權(quán)利要求13所述的封裝材料的制造方法，其中該封裝材料組合物的粘度介于1100，000cps。20.根據(jù)權(quán)利要求13所述的封裝材料的制造方法，其中該封裝材料組合物的透光率高于85%。21.根據(jù)權(quán)利要求13所述的封裝材料的制造方法，其中該壓克力樹(shù)脂單體具有以下化學(xué)式〇IIH2C^C—C一0—F^其中&及R2為碳數(shù)112的烷基、叔丁基、碳數(shù)112的醚基、碳數(shù)112的烷醇基或碳數(shù)212的環(huán)烷氧基。22.根據(jù)權(quán)利要求13所述的封裝材料的制造方法，其中該環(huán)氧樹(shù)脂單體具有以下化學(xué)式〇其中&為碳數(shù)112的烷基、叔丁基、碳數(shù)112的醚基、碳數(shù)112的烷醇基或碳數(shù)212的環(huán)烷氧基。23.根據(jù)權(quán)利要求13所述的封裝材料的制造方法，其中該硅氧樹(shù)脂單體具有以下化學(xué)式1一Rr=〇=CH2其中V、V，及V"為相同或不同，以及V、V，、V"、R2及R3為碳數(shù)112的烷基、叔丁基、碳數(shù)112的醚基、碳數(shù)112的烷醇基或碳數(shù)212的環(huán)烷氧基。24.根據(jù)權(quán)利要求13所述的封裝材料的制造方法，其中該填充料為金屬氧化物、金屬鹵化物或金屬氮化物。25.根據(jù)權(quán)利要求13所述的封裝材料的制造方法，其中該引發(fā)劑為過(guò)氧化物、偶氮化合物、自由基引發(fā)劑、陽(yáng)離子引發(fā)劑或茂金屬絡(luò)合物。26.根據(jù)權(quán)利要求13所述的封裝材料的制造方法，其中該填充料為515重量份，以該樹(shù)脂單體為100重量份。27.根據(jù)權(quán)利要求13所述的封裝材料的制造方法，其中該封裝材料組合物應(yīng)用于發(fā)光元件的封裝。28.根據(jù)權(quán)利要求27所述的封裝材料的制造方法，其中該發(fā)光元件為一有機(jī)發(fā)光二極管或一發(fā)光二極管。29.根據(jù)權(quán)利要求13所述的封裝材料的制造方法，其中該封裝材料組合物應(yīng)用于太陽(yáng)能電池的封裝。30.根據(jù)權(quán)利要求14所述的封裝材料的制造方法，其中該光源為一紫外光光源、一可見(jiàn)光光源或一紅外光光源。Rlll^lRIOICIC—R全文摘要本發(fā)明提供一種封裝材料組合物，包括至少一樹(shù)脂單體，其中該樹(shù)脂單體是擇自由壓克力樹(shù)脂單體、環(huán)氧樹(shù)脂單體及硅氧樹(shù)脂單體所組成的族群；一填充料，其中該填充料為0.1～15重量份，以該樹(shù)脂單體為100重量份；以及一引發(fā)劑。本發(fā)明還提供一種封裝材料的制造方法。文檔編號(hào)H01L33/56GK101787099SQ20091020644公開(kāi)日2010年7月28日申請(qǐng)日期2009年11月13日優(yōu)先權(quán)日2008年12月16日發(fā)明者劉榮昌,張至芬,許宗儒,鐘明樺,陳人豪申請(qǐng)人:財(cái)團(tuán)法人工業(yè)技術(shù)研究院