用于產(chǎn)生合成氣的增強(qiáng)型等離子體氣化器的制造方法
【專利摘要】一種等離子體氣化反應(yīng)器及其操作方法，具有以下中的一個或全部：第一，反應(yīng)器頂段的上部部分內(nèi)的驟冷區(qū)，第二，穿過反應(yīng)器中段的側(cè)壁的進(jìn)料口，進(jìn)料口用于將進(jìn)料供給到中段中的進(jìn)料床，進(jìn)料口位于靠近進(jìn)料床處。驟冷區(qū)設(shè)有噴嘴，用于引入流體以充分降低熔融實心塊的溫度從而使在外部管道系統(tǒng)內(nèi)的粘附最小化。中段進(jìn)料口的設(shè)置有助于進(jìn)料中的輕顆粒更加徹底地反應(yīng)，否則輕顆粒將與氣體產(chǎn)物一起排出。對于進(jìn)料口，其可位于進(jìn)料床之上并且向上傾斜以能夠緊挨著進(jìn)料床上表面而沒有嚴(yán)重的輻射加熱，或者其可位于某一高度處以將物料側(cè)向直接供送到進(jìn)料床中，在這種情況下，可提供冷卻裝置和進(jìn)料機(jī)構(gòu)，以有利于進(jìn)料的通過。
【專利說明】用于產(chǎn)生合成氣的增強(qiáng)型等離子體氣化器
【技術(shù)領(lǐng)域】
[0001]本發(fā)明涉及一種等離子體氣化器(本文有時也稱為PGs，其也可稱為等離子體氣化反應(yīng)器或PGRs)，其具有可促進(jìn)諸如合成氣產(chǎn)生的過程的特征。
【背景技術(shù)】
[0002]在大量專利和其它類型的文獻(xiàn)中都論述了用于對各類進(jìn)料(包括例如，諸如城市固體廢棄物(MSW)的廢料)進(jìn)行處理以產(chǎn)生合成氣體或合成氣的等離子體氣化器的結(jié)構(gòu)和操作。這種技術(shù)在廢棄物處理以及棄置廢棄物轉(zhuǎn)化以形成用作燃料的合成氣方面都是很有利的。
[0003]用于這種目的的技術(shù)的一些示例包含于或參考了由Dighe等人轉(zhuǎn)讓給Alter Nrg公司的2010年8月12日的公開美國專利申請第20100199557號以及由WestinghousePlasma公司于2005年公開在描述性公告27-501中的《工業(yè)等離子體火炬系統(tǒng)(IndustrialPlasma Torch Systems)》,所有這些描述都將以引用的方式并入本文。
[0004]在本說明書中，“等離子體氣化反應(yīng)器”和“PGR”意在指無論是適用于氣化或是玻璃化或者適用于這兩者的總體類型相同的反應(yīng)器。除非文中指明，否則本文中使用的術(shù)語例如“氣化器”或“氣化”可以理解為替代性地或附加地應(yīng)用于“玻璃化裝置”或“玻璃化”，反之亦然。
[0005]現(xiàn)有實踐具有一定程度上的成功運(yùn)行，持續(xù)地希望對該運(yùn)行進(jìn)行改進(jìn)。

【發(fā)明內(nèi)容】

`[0006]本申請展示了用于改進(jìn)性能的創(chuàng)新，以實現(xiàn)以下之一或全部:(1)使顆粒進(jìn)料更加徹底地氣化，和(2)使進(jìn)料的與合成氣一起排出反應(yīng)器容器并沉積在從反應(yīng)器容器出口出發(fā)的外部管道系統(tǒng)的內(nèi)壁上的未反應(yīng)的熔融顆粒的存在最少化。
[0007]部分地，本發(fā)明在于提供一種等離子體氣化器和用于操作等離子體氣化器的方法，以便通過涵蓋一種或全部下面的技術(shù)而將諸如廢料轉(zhuǎn)換為合成氣。盡管通常的情況是PGRs可單獨(dú)利用下面的技術(shù)，但將它們結(jié)合使用可以是優(yōu)選的。
[0008]尤其是當(dāng)結(jié)合使用時，可增加從各種各樣的進(jìn)料組分中更多地輸出優(yōu)質(zhì)合成氣的機(jī)會。
[0009]一種技術(shù)是在所述反應(yīng)器容器的頂段的上部部分(例如，頂蓋)中提供驟冷流體入口裝置，并注入流體，所述流體例如但不限于水、蒸汽或水和蒸汽的混合物，以充分冷卻未反應(yīng)進(jìn)料的軟性或熔融塊以使排出所述反應(yīng)器容器并且可能沉積在外部管道系統(tǒng)內(nèi)的這些軟性或熔融塊的量最小化。所述驟冷流體入口裝置(本文有時稱為驟冷系統(tǒng)(或部分驟冷系統(tǒng)))最好與具有額外體積(稱為驟冷區(qū))的反應(yīng)器容器結(jié)合，所述額外體積為來自驟冷流體入口的膨脹的流體的體積留有余地以便使對從所述驟冷區(qū)下的稀相區(qū)域(freeboardregion)到合成氣出口的合成氣流動的任何不利影響最小化。在現(xiàn)有實踐中，從合成氣出口出發(fā)的管道系統(tǒng)經(jīng)常遭受沉積物的聚積，且很難在管道中建造具有良好性能的驟冷系統(tǒng)。[0010]前述的同伴專利申請中還公開了另一種技術(shù)(沒有驟冷系統(tǒng))的一個實施例，該技術(shù)提供了一種具有底段、中段和頂段的反應(yīng)器容器，所述底段用于容納碳質(zhì)床，所述中段用于容納沉積進(jìn)料床，所述頂段包括稀相區(qū)域和在稀相區(qū)域上方的頂蓋，并且該反應(yīng)器容器具有穿過所述中段的側(cè)壁的一個或多個進(jìn)料口，所述進(jìn)料口接近進(jìn)料床的上表面并且位于該上表面之上、或者通入所述床本身中。這使得所述進(jìn)料能夠:(a)對于較重的部分，快速直接地沉積在進(jìn)料床上以便反應(yīng)以及(b)對于被上升的熱氣保持在進(jìn)料床上方的較輕的顆粒(或“懸浮物”)，在容器內(nèi)具有較長的停留時間，所述較長的停留時間促進(jìn)了所述顆粒更加完全的反應(yīng)(氣化)。通入所述床本身中的進(jìn)料口，有時也稱為下部進(jìn)料，可大大地防止懸浮物。對比申請也解釋了這種裝置如何有助于在所述底段的碳質(zhì)床中更少地使用碳。這種裝置與具有僅位于遠(yuǎn)高于進(jìn)料床的頂段中的一個或多個進(jìn)料口的PGRs的一些現(xiàn)有實踐形成了對比。這里，所包括的實施例通過使進(jìn)料口的位置不高于進(jìn)料床之上一段短距離同時使所述頂段中的氣體出口遠(yuǎn)離進(jìn)料床，而使進(jìn)料口和氣體出口之間的距離較大。
[0011]僅僅以示例的方式，反應(yīng)器容器的提及的段，尤其是所述中段和所述頂段，可具有倒置的截頭圓錐形，其上端較寬，這有助于對在所述容器中上升的氣體的增加的量實現(xiàn)大體上恒定的氣體速度(對于這種圓錐形結(jié)構(gòu)，參見上述公開的專利申請)。頂段圓錐形壁相對于所述反應(yīng)器容器的中心軸線所成的角度可比中段圓錐形壁相對于所述反應(yīng)器容器的中心軸線所成的角度?。凰鲰敹尉哂蓄~外的上體積，稱為驟冷區(qū)，在所述驟冷區(qū)中(即，在一個圖示的示例中，在所述頂段的圓錐形部分之上的圓柱形部分中)驟冷流體入口是有效的。
[0012]具體的，但不只是，在具有上面提及的圓錐形特征的反應(yīng)器容器中，本發(fā)明的實施例可將下列特征結(jié)合:底段(可為圓柱形)，所述底段具有碳質(zhì)床(焦炭的或在同伴申請中展示的)和等離子體噴嘴；中段(圓錐形)，所述中段具有多個(例如，兩個或三個)側(cè)向進(jìn)料口，以將處理物料供給到所述碳質(zhì)床上或所述碳質(zhì)床正上方，并且使處理物料在所述中段的內(nèi)部具有良好的分布；所述中段上方的頂段，所述頂段具有稀相區(qū)域(具有圓錐形結(jié)構(gòu)，其角度可小于所述中段)和位于所述稀相區(qū)域上方的驟冷區(qū)(可具有圓柱形結(jié)構(gòu))這兩者，在所述驟冷區(qū)中，注入的流體至少`部分地對與氣態(tài)反應(yīng)產(chǎn)物一起從下面上升到一個或多個位于驟冷區(qū)頂部或接近驟冷區(qū)頂部的出口的實心塊狀物質(zhì)驟冷(即，硬化或使其軟度變小)。
[0013]下面的說明和附圖將幫助理解這些創(chuàng)新及其各種實施例和變體。
【專利附圖】

【附圖說明】
[0014]圖1和圖2分別是等離子體氣化器的示例的正視圖和俯視圖；
[0015]圖3和圖4是反應(yīng)器中的產(chǎn)物氣體流和驟冷流體流的示例圖；
[0016]圖5至圖8是具有位于進(jìn)料床的頂部表面之下的進(jìn)料口的氣化器的示例的截面正視圖。
【具體實施方式】
[0017]圖1和圖2圖示了具有合成氣驟冷系統(tǒng)和進(jìn)料口這兩者的等離子體氣化器的一個示例，所述進(jìn)料口將進(jìn)料引到氣化器反應(yīng)器容器的中段中。
[0018]圖1和圖2中的氣化器示例包括帶耐火材料襯里的反應(yīng)器容器10，反應(yīng)器容器10具有三個主要的區(qū)段，從下至上是底段12、中段22、頂段32。
[0019]底段12包括碳質(zhì)床13、一個或多個等離子體炬風(fēng)口 14、渣和熔融金屬放出口 15(可以有多個放出口)、下部啟動燃燒器口(也用作緊急放出口)16和一個或多個碳床風(fēng)口17。
[0020]底段的碳質(zhì)床13 (有時也稱為C床)可為冶金焦炭或從化石燃料或從非化石源(例如，從如上面提到的同伴申請中公開的各種類型的生物質(zhì))提取的其它碳質(zhì)材料。在本示例中，等離子體炬風(fēng)口 14和C床風(fēng)口 17的數(shù)量可均為六個；它們圍繞底段的圓柱形壁18對稱地布置，從水平面向下傾斜大約15%，并且向中心地指向C床13中。等離子體炬風(fēng)口 14用于將等離子體注入到C床13中。還另外地提供C床風(fēng)口 17以可選地用于將諸如空氣或氧氣的氣體引入C床13中。下部燃燒器口 16可用于通過天然氣(或其它燃料)燃燒器加熱沿著反應(yīng)器容器的壁的耐火材料，以提供高于被引入容器中的諸如碳、氫、CO和合成氣的可燃物的自燃溫度的容器內(nèi)部溫度。這樣，等離子體、進(jìn)料和其它反應(yīng)物的供給可以在更加安全并具有低爆炸風(fēng)險的情況下進(jìn)行。
[0021]所述中段22具有穿過所述中段的圓錐形的向上擴(kuò)展(有助于使氣體的速度更加恒定)的壁24的一個或多個(例如三個)進(jìn)料口 23。所述底段12的圓柱形壁18和所述中段14的圓錐形壁24在可拆卸式底部法蘭接頭25處連接。進(jìn)料口 23從水平面向上成大約15°的角，這有助于使來自潮濕進(jìn)料中的水分的進(jìn)入最小化并且在如下所述的其它方面也會是有利的。在一些實施例中，水平或向下定向的進(jìn)料口也是可接受的。進(jìn)料是通過理想地有助于實現(xiàn)大體上均勻而且連續(xù)的進(jìn)料流量的機(jī)構(gòu)(這里未顯示)從外部供應(yīng)源通過進(jìn)料口 23供給的，所述機(jī)構(gòu)例如是在商業(yè)上已知的類型的壓縮螺旋進(jìn)料器。引入的進(jìn)料在所述底段12的C床13的上方的中段22中形成進(jìn)料床26。所述中段22還具有多個(例如，均為12至24個)進(jìn)料床下風(fēng)口 27和進(jìn)料床上風(fēng)口 28、以及在進(jìn)料床26上方的一個或多個氣室風(fēng)口 29，所述進(jìn)料床下風(fēng)口和所述進(jìn)料床上風(fēng)口可用于將氣體直接注入到所述進(jìn)料床26中。本示例中還另外圖示了用于觀察進(jìn)料床26內(nèi)的觀察鏡29和檢修門31，所述檢修門用于在所述容器(未運(yùn)行)需要內(nèi)部檢查或維修時讓人員進(jìn)入。
[0022]所示出的進(jìn)料床26分別具有上表面線26a和下表面線26b，這兩條線僅代表所述進(jìn)料床26的范圍。在本示例中，將進(jìn)料床26內(nèi)進(jìn)料的供給流量和進(jìn)料的消耗流量調(diào)節(jié)成使所述上表面26a保持在所述進(jìn)料口 23之下以使所述進(jìn)料床26不干擾進(jìn)料的進(jìn)入的程度。(也可提供進(jìn)料床料位傳感器和可視口以確保不會發(fā)生堵塞)。另外，希望所述進(jìn)料口 23和所述進(jìn)料床上表面26a相互接近，對于進(jìn)料中的可以很輕以至于不會下落到進(jìn)料床26上的顆粒，這將促使這些顆粒在所述容器10內(nèi)停留時間更長。在所述容器內(nèi)更長的停留時間將提高這種顆粒在所述進(jìn)料床26之上的所述中段22中和在所述頂段32中氣化的可能性。所述進(jìn)料中的較重的部分立即落下以形成進(jìn)料床26并在所述進(jìn)料床中反應(yīng)(氣化)。通常，在具有中段進(jìn)料口的實施例中，在不會遭遇進(jìn)料口堵塞或遭遇進(jìn)料口中的物料遇到來自所述進(jìn)料床的輻射加熱的問題的情況下，希望所述進(jìn)料口和所述進(jìn)料床的上表面在豎直方向上盡合理可能地相互“靠近”或接近。本示例中所述進(jìn)料口的向上傾角有助于上述避免遇到來自所述進(jìn)料床的輻射加熱的目的。有時所涉及的所述中段22具有包含所述進(jìn)料床26的下部部分和帶有一個或多個進(jìn)料口 23的上部部分，但是仍然認(rèn)為它們相互接近。該布置在進(jìn)料口和氣體出口之間提供了較大的距離，將在下文中描述。使該距離最大化有利于被引入進(jìn)料中的細(xì)顆粒的氣化，其中所述進(jìn)料可以是各種各樣的物料中的任何物料。為了產(chǎn)生合成氣以用作燃料或燃料源，希望所述進(jìn)料包含一些碳?xì)浠衔?；例如，MSW和各種類型的生物質(zhì)(和它們的任何混合物)，它們可包括大量細(xì)顆粒，這些細(xì)顆粒通過具有對于所述反應(yīng)器而言的較長的停留時間而被更好地氣化。
[0023]在下面參照圖5至圖8討論的其它實施例也具有將進(jìn)料直接供應(yīng)到進(jìn)料床中的進(jìn)料口。
[0024]回到圖1和圖2，所述反應(yīng)器容器的頂段32被支撐在固定支撐件33內(nèi)并在線34處與所述中段22接合。如圖所示，所述頂段32在所述反應(yīng)器容器10的上殼體內(nèi)，所述中段22在所述反應(yīng)器容器10的下殼體中。所述頂段32內(nèi)的體積在豎直方向上較大(例如，至少大約等于所述底段12和所述中段22 二者豎向范圍之和)以便在稀相區(qū)域35內(nèi)進(jìn)一步氣化反應(yīng)以及以便具有上驟冷區(qū)35a。在本示例中，所述頂段32具有鄰近中段22的第一部分，該第一部分具有向上擴(kuò)大的圓錐形壁36 (其角度比所述中段22的壁24的角度小)，該圓錐形壁在線37處與具有圓柱形壁38的第二部分接合，所述頂段32具有在第二部分上方的、從線或側(cè)向支撐件39處開始的圓形或穹狀頂蓋40。
[0025]頂段32的壁部分36和38的所示的結(jié)構(gòu)有利于所述容器10的配置。一般來說，不需改變所述頂段的壁角。例如，其整個范圍可大體上為完全的圓錐形。如上面提及的公開的專利申請中所解釋的，擴(kuò)展的圓錐形側(cè)壁可有利于將氣體流動保持在理想水平。擴(kuò)展的圓錐形段減小了氣體速度因而氣體具有較長的停留時間；而且其還有助于使顆粒沉積出來。在本發(fā)明中，具有頂段驟冷系統(tǒng)，不管壁的形狀如何，都在所述頂段內(nèi)為驟冷區(qū)35a提供有增加的體積。即，所述稀相區(qū)域35的尺寸和形狀理想地被設(shè)計成可用于使與來自所述進(jìn)料床26的熱氣體一同上升的物料進(jìn)一步氣化。氣化在所述稀相區(qū)域35中可基本上完成至在高度37處可存在產(chǎn)物合成氣的程度，
[0026]在過去該合成氣典型地立即從在其它方面與容器10大體上相同但在所述稀相區(qū)域上方不具有沒有驟冷區(qū)(例`如驟冷區(qū)35a)的反應(yīng)器容器中排出；相反，在過去，頂蓋緊鄰地位于稀相區(qū)域的頂部，一個或多個排氣口在稀相區(qū)域的側(cè)壁的上部部分上穿過所述頂蓋。如下文討論的，在一些情況下，在驟冷區(qū)35a中可發(fā)生某些進(jìn)一步氣化，這可有助于提高輸出的合成氣的質(zhì)量。
[0027]頂段32內(nèi)的被指定為驟冷區(qū)35a的體積是頂段中的被驟冷流體穿過并且被驟冷流體影響的體積，而下方的體積在此被稱為稀相區(qū)域。為了此目的，所述稀相區(qū)域35和所述驟冷區(qū)35a通常被認(rèn)為是一個位于另一個之上地設(shè)置的兩個區(qū)域。將術(shù)語“稀相”用于全部頂段體積，而使稀相的上部部分內(nèi)具有驟冷區(qū)的術(shù)語定義也是可適用的。在這兩種情況下，驟冷區(qū)對于其它類似的先前反應(yīng)器都是額外的體積。
[0028]在圖1中的實施例中，所述頂段32的頂蓋40具有一個或多個(如圖2所示，此處為兩個)合成氣出口 41和在頂蓋40上對稱地設(shè)置的多個驟冷流體入口 42。變形例可包括僅單個用于將流體注入到所述驟冷區(qū)中的驟冷噴嘴，盡管對于更有效地驟冷而言，通常更優(yōu)選的是設(shè)置多個驟冷噴嘴，尤其是設(shè)置關(guān)于出口對稱的噴嘴陣列。(通常，除非文中另外指明，否則在本申請中提及的任何進(jìn)料口、驟冷噴嘴或氣體出口都表示這種元件中的任何一個或多個)。
[0029]在本示例中，所述驟冷流體入口 42的數(shù)量為六個，并在頂段的位于稀相區(qū)域35的上方的上部部分中的驟冷區(qū)35a內(nèi)組成有效的合成氣驟冷系統(tǒng)。所述驟冷區(qū)35a可被認(rèn)為是在所述頂段32的大約頂部三分之一內(nèi)并且是這樣的區(qū)域:在該區(qū)域中，通過入口 42引入的流體(例如，水、蒸汽或水和蒸汽的混合物、或者可能的循環(huán)利用的合成氣或諸如氮?dú)獾亩栊詺怏w)提供霧化霧，所述霧化霧降低了所述驟冷區(qū)35a內(nèi)的溫度以使與合成氣一同上升進(jìn)入驟冷區(qū)的顆粒不太可能以熔融(或軟化)的狀態(tài)通過所述出口 41排出并粘附或凝結(jié)從所述出口 41出發(fā)的外部管道系統(tǒng)(未顯示)的內(nèi)部。
[0030]通過入口 42進(jìn)行驟冷的所述驟冷區(qū)35a構(gòu)造有容納被注入的流體的體積，所述被注入的流體將在容器中熱膨脹，以便不會明顯影響合成氣從所述稀相區(qū)域35到所述出口41的前進(jìn)。在驟冷區(qū)35a中可發(fā)生某些額外的氣化，但其增加的體積主要用于部分驟冷的功能，如圖3和圖4進(jìn)一步所述。在許多示例中，優(yōu)選的是，驟冷系統(tǒng)流體就其溫度和數(shù)量而言被限制為僅將上升的合成氣和顆?；旌衔锢鋮s到僅足以部分地使軟性或熔融顆粒驟冷，從而它們變得更加固態(tài)化而不會“粘”到排放管道表面。通常不希望引起驟冷區(qū)內(nèi)溫度的任何大幅度下降，因為驟冷區(qū)內(nèi)的較大溫度下降可在所述反應(yīng)器容器中的下部具有不利的熱效應(yīng)。驟冷噴嘴和驟冷區(qū)的額外效果是被注入的流體(例如，水)可使一些顆粒在驟冷區(qū)內(nèi)結(jié)塊并形成較大顆粒，這些較大顆粒向下落回到稀相區(qū)域中，也可能落回到進(jìn)料床中，而不是通過出口排出。這對于降低運(yùn)行費(fèi)用和降低用于所述出口下游的設(shè)備的資金花費(fèi)會是令人滿意的。下面將進(jìn)一步討論驟冷系統(tǒng)和驟冷區(qū)的這些方面。
[0031]所述頂段32還具有上啟動燃燒器口 43，該上啟動燃燒器口如對下啟動燃燒器口16所描述的那樣使用。兩個啟動燃燒器口 16和43的使用為所述容器內(nèi)部提供了更均勻的加熱，并且可燃?xì)怏w在等離子體熱解開始之前被除去。
[0032]通過進(jìn)一步的示例，圖1和圖2的氣化器實施例大體上按比例被示出。作為一個示例，其總高度可大約為22. 5m，最大寬度大約為9m，但較大變化范圍的反應(yīng)器尺寸都可適合于包含本創(chuàng)新的反應(yīng)器。作為一個示例，圓錐形壁24和36與垂直軸所成的角度分別大約為20°和5°。尺寸和結(jié)構(gòu)可與本示例中所示的尺寸和結(jié)構(gòu)有很大差別。
[0033]在其它變形例中，(使用與圖1和圖2中相應(yīng)元件相同的附圖標(biāo)記)具有如上面所述的驟冷區(qū)35a和驟冷流體入口 42的氣化器可設(shè)有具有任何壁結(jié)構(gòu)的容器。另外，這種驟冷系統(tǒng)可設(shè)在具有其它物料進(jìn)料口的氣化器中，所述其它物料進(jìn)料口例如是通入所述頂段內(nèi)的一個或多個進(jìn)料口 ；或者，在中段和頂段二者中的每一個中都可有一個或多個進(jìn)料口。所述驟冷系統(tǒng)可實現(xiàn)的益處并不需要同時具有驟冷系統(tǒng)和中段進(jìn)料口。
[0034]驟冷區(qū)35a和入口 42構(gòu)成的驟冷系統(tǒng)可以例如進(jìn)行部分驟冷，例如，在稀相區(qū)域中上升的合成氣混合物的溫度從大約1000°C至1150°C減少到在出口 41處的大約850°C，這可使熔融或軟性顆粒粘在從出口 41出發(fā)的管道系統(tǒng)的內(nèi)部上的情況減少到最少。典型的適當(dāng)驟冷的例子是，在熔融顆粒到達(dá)出口 41之前，將從稀相區(qū)域35上升的熔融顆粒的溫度減小大約150°C到300°C。另外，參見下面關(guān)于圖3和圖4的闡述，其進(jìn)一步描述了頂段驟冷區(qū)的某些方面及它是如何運(yùn)行的。
[0035]在具有接近進(jìn)料床26的中段進(jìn)料口 23的實施例中，不總是需要具有通入到稀相區(qū)域上方的驟冷區(qū)中的驟冷流體入口。即，即使沒有驟冷系統(tǒng)，也可利用中段進(jìn)料口。例如，驟冷裝置可不存在或可僅僅存在于從合成氣出口出發(fā)的外部管道系統(tǒng)中。如在上面提及的同伴專利申請案中公開的，接近進(jìn)料床的進(jìn)料口的布置可有利于減少C床中的碳消耗，并且在具有或不具有驟冷系統(tǒng)或任何特定形式的驟冷系統(tǒng)的情況下應(yīng)用。
[0036]附加的要點例如是，進(jìn)料除了待處理的諸如MSW的廢料以外還包括或伴隨有額外的碳質(zhì)材料(其可保留在進(jìn)料床中并在進(jìn)料床中被消耗，或其可通過進(jìn)料床下降到所述底段的C床13中)，并且還熔化以調(diào)節(jié)渣的堿性、粘性和熔融溫度，所述渣形成并下降到所述底段中的放出口 15中。另外，任何與輸出合成氣一起帶出反應(yīng)器的顆粒都可在外面被捕獲并與進(jìn)料一起被送回到里面。
[0037]等離子體炬風(fēng)口設(shè)有等離子體炬，該等離子體炬的一個示例是市售的來自“Westinghouse Plasma公司”的MARC-1lLtm等離子體炬。為了這些目的，這種炬除了可使用炬氣體和氧氣或空氣以外，還可使用罩氣(shroud gas),以及其它氣體(見Dighe等人的美國專利4，761，793，其以引用方式并入本文，以用于描述等離子體炬裝置)。由炬引入的氣體可被過熱到超過10000 0F (大約5500°C)的溫度，該溫度遠(yuǎn)遠(yuǎn)超過傳統(tǒng)的燃燒溫度。
[0038]等離子體炬風(fēng)口有時被稱為主風(fēng)口。所述中段22的下風(fēng)口 27和上風(fēng)口 28有時分別被稱為第二風(fēng)口和第三風(fēng)口。風(fēng)口 27和28可用于傳送氧氣以進(jìn)一步幫助控制合成氣溫度和其它可能的功能。
[0039]旨在發(fā)生例如在公開的專利申請20100199557中所描述的化學(xué)反應(yīng)。得到的合成氣的含量(包括CO和H2，以及可能的其它氣體)以及進(jìn)料床和C床的消耗率受通過各段中的風(fēng)口引入的氧氣(或空氣)和可能的蒸汽的影響。
[0040]可選擇性地與所公開的創(chuàng)新一同使用的變形例是合成氣的出口，所述出口具有反應(yīng)器容器內(nèi)的侵入式管道。另外，進(jìn)料口在性質(zhì)上的變化可包括進(jìn)入反應(yīng)器容器中的進(jìn)料口侵入部和/或用以改變進(jìn)料從進(jìn)料口進(jìn)入的角度和距離的機(jī)構(gòu)。這樣的特征的進(jìn)一步的信息可參考所提及的公開的專利申請。
[0041]在很大程度上，整`個氣化器設(shè)計和操作的許多方面可根據(jù)等離子體氣化器中的以往實踐而改變，且仍然包含本文展示的創(chuàng)新，例如但不限于，頂段驟冷系統(tǒng)或接近進(jìn)料床的中段中的一個或多個進(jìn)料口的設(shè)置。
[0042]具有頂段驟冷系統(tǒng)的等離子體氣化器與已知的PG實踐不同，已知的PG實踐有時涉及將慢化氣體直接引入PG的稀相區(qū)域中以使稀相區(qū)域中的氣化停止或最小化。例如，在Dighe等人的2009年12月15日的美國專利7，632，394中公開了將蒸汽引入到稀相區(qū)域以將溫度減小至大約450°C或更低以使在進(jìn)行減少重質(zhì)碳?xì)浠衔锏倪^程中石油餾分的進(jìn)一步裂解最少化。
[0043]通過本發(fā)明，尤其是意在用于將不同的廢料轉(zhuǎn)化為合成氣的過程(盡管不是必須限于這種過程)，驟冷流體被引入驟冷區(qū)中，所述驟冷區(qū)是另外于稀相區(qū)域的區(qū)域并且位于稀相區(qū)域的上方，在稀相區(qū)域中氣化基本上完成。此處的驟冷區(qū)是例如為了避免飛灰中的軟性顆粒的排出，其中所述飛灰包含例如金屬氧化物這樣的具有大約為900°C或更高熔點的物質(zhì)。如這里所公開的驟冷系統(tǒng)能夠降低它們的溫度至大約850°C。驟冷系統(tǒng)不必須并且通常不需要進(jìn)一步地冷卻氣體。驟冷區(qū)中的某些進(jìn)一步氣化可以是有利的；其中包含在驟冷流體中的蒸汽可以是附加的，因為蒸汽可有助于裂解重質(zhì)碳?xì)浠衔?。但是，與使軟性顆粒的排出最少化這一目的相比，在驟冷區(qū)中進(jìn)一步氣化通常不是主要目的。更加重要的考慮是驟冷區(qū)體積(除了稀相區(qū)域的體積以外的體積)容納所有來自被引入的驟冷流體的膨脹氣體，因而從稀相區(qū)域到出口的合成氣的流動是順暢的。[0044]提供圖3和圖4以進(jìn)一步解釋本發(fā)明的具有驟冷系統(tǒng)的一些實施例。這些視圖顯示了反應(yīng)器容器I的某些部分(對于與圖1和圖2中相應(yīng)的元件使用相同的附圖標(biāo)記，盡管它們不是必須相同)，包括(在圖3中)中段22和頂段32，所述中段包括進(jìn)料床26 (在本圖中未完全勾畫出，但其是通過穿過一個或多個進(jìn)料口(未顯示)被引入的進(jìn)料形成的，所述進(jìn)料口可與圖1中的進(jìn)料口 23相似，或者不相似)；所述頂段包括直接在中段22上方的稀相區(qū)域35和在稀相區(qū)域35上方的驟冷區(qū)35a這兩者。驟冷區(qū)35a具有驟冷流體入口或噴嘴42 (可如圖2所示地設(shè)置)。
[0045]圖3中僅部分地圖示了所述反應(yīng)器，沒有具有C床和等離子體炬的底段，例如結(jié)合圖1所示及所描述的底段。所圖示的是，來自進(jìn)料床26的上升的熱氣體固有地是不均勻的或者位置不穩(wěn)定；熱氣體就像壁爐里的火焰一樣四處移動。圖3中的示例的模型示出了從左噴嘴42注入的流體42a如何遇到一股由箭頭50表示的上升的、非常熱的煙流，并且在驟冷區(qū)35a中比從右噴嘴42被注入并遇到氣體流的較冷部分的流體42b更快地消耗。由于較熱氣體改變位置，因此入口 42的陣列中的不同入口類似地受到影響。入口 42的陣列的更全面的圖示與驟冷流體一起顯示在了圖4中，所述驟冷流體相當(dāng)程度地滲透到所述驟冷區(qū)35a中，并根據(jù)遇到的氣體溫度而可變化地消耗。因此，如圖所見，來自所述入口 42的可見噴霧的范圍不必須是均勻的。然而，在其它實施例中，噴嘴42的陣列可配備有氣體溫度感測和流體流量調(diào)節(jié)系統(tǒng)，使得當(dāng)在特定噴嘴處遇到較熱氣體時被注入的流體的體積可增加。
[0046]下面是對側(cè)進(jìn)料式的多個進(jìn)料口的一些方面的其它一些評論，并且可涉及通常甚至沒有驟冷區(qū)的反應(yīng)器，盡管通常希望結(jié)合有驟冷區(qū)。已知當(dāng)進(jìn)料從頂部進(jìn)入時，進(jìn)料床的多孔結(jié)構(gòu)(例如26)通常更高地沿著側(cè)壁或在該側(cè)壁附近。如果使用側(cè)向進(jìn)料口，更多的物料將因為壁與進(jìn)料口鄰近而沉積在壁附近。這就導(dǎo)致沿壁的氣體流動阻力更大。至少有時氣體也通過壁注入(例如，通過風(fēng)口 33和34)。因為環(huán)繞(bypassing)所述床，側(cè)向進(jìn)料口使從C床上升的氣體不與進(jìn)料發(fā)生反應(yīng)地沿著壁前進(jìn)的可能性很小?，F(xiàn)在，因為有了側(cè)進(jìn)料式進(jìn)料口，任何這種傾向都被減到最小并且迫使更多氣體流向所述容器的中心。因此，由于進(jìn)料床在所述容器的壁上積聚得比中央更多，這有時可以是下部側(cè)進(jìn)料式進(jìn)料口的另外的有利方面。因此盡管通常情況是期望進(jìn)料床物料跨中段22基本上均勻，但進(jìn)料口 23導(dǎo)致更多進(jìn)料積聚在壁24上的程度沒有嚴(yán)重的危害并且優(yōu)選使更多的進(jìn)料積聚在容器的中央。
[0047]圖1中進(jìn)料口 23向上傾斜是創(chuàng)新的示例，該創(chuàng)新允許進(jìn)料口在進(jìn)料床26的上表面的上方但又接近該上表面，而進(jìn)料口中的進(jìn)料不會遭受輻射加熱引起堵塞(例如，通過熔化)。否則可能期望為進(jìn)料口提供冷卻裝置。側(cè)向進(jìn)料口具有進(jìn)料機(jī)構(gòu)(例如，柱塞式進(jìn)料器、閥瓣系統(tǒng)、鎖料斗系統(tǒng)、離散進(jìn)料器和螺旋進(jìn)料器)也是有用的。
[0048]至于驟冷系統(tǒng)，在一些應(yīng)用中，可以存在進(jìn)料中復(fù)雜碳?xì)浠衔锖扛叩倪^程，并且會引起對不期望出現(xiàn)的焦油形成的關(guān)注。然而，當(dāng)被注入的流體中包含水和/或蒸汽時，驟冷系統(tǒng)將有助于使從稀相區(qū)域上升到驟冷區(qū)中的任何多環(huán)芳烴(PAHs)轉(zhuǎn)換為C0、C02、H2和&0。多相流體(例如，水和蒸汽一起)可很好地作為驟冷流體工作。蒸汽可用作動力氣體以便比僅具有噴水更好地霧化水。與在注入時可更冷的某些其它氣體相比，無論哪種形式的水、H2CK水在被注入時將快速變?yōu)檎羝?，由于其蒸發(fā)潛熱，都可提供允許使用更少質(zhì)量的流體的優(yōu)點。另外，值得注意的是，反應(yīng)器中驟冷區(qū)的體積可隨著被注入或在驟冷區(qū)形成的流體滴的尺寸而變化。更細(xì)小的水滴將比更大的水滴更快地蒸發(fā)且在容器中下降更小的距離。
[0049]驟冷通常最佳的是根據(jù)被引入的進(jìn)料的流量來進(jìn)行調(diào)節(jié)。系統(tǒng)可設(shè)計為使得進(jìn)料流量的降低導(dǎo)致驟冷流體的注入流量降低，以便控制氣體溫度。
[0050]相關(guān)的反應(yīng)器可具有任何數(shù)量的出口管道，出口管道位于頂蓋或上側(cè)壁中的任何位置。但是在管道中監(jiān)測的溫度可表示溫度差的情況下(該溫度差能用來調(diào)節(jié)流過相應(yīng)的噴嘴的驟冷流體以便在在一個管道中形成優(yōu)先流的情況下幫助使管道輸出更加均勻)，兩個或兩個以上的管道也是有利的。
[0051]如在所討論的示例中，多個進(jìn)料口可各自以不同的流量運(yùn)行以調(diào)節(jié)可發(fā)生在整個進(jìn)料床中的變化。
[0052]前面的示例中的在本發(fā)明的更廣泛范圍內(nèi)的潛在變形例是這樣的實施例，其中，一個或多個中段進(jìn)料口穿過進(jìn)料床(26)的上表面(圖1中的26a)之下的側(cè)壁定位。即，與先前描述相反，這種超低進(jìn)料口(未在圖1中顯示)用于直接將物料進(jìn)給到進(jìn)料床(26)中，并且進(jìn)料床有意地繼續(xù)向上超過那些超低進(jìn)料口。
[0053]圖5-圖8圖示了具有這種超低進(jìn)料口(有時稱為下部進(jìn)料口)的氣化器反應(yīng)器的示例。圖5具有與圖1的容器10相似的反應(yīng)器輪廓110。盡管其它部分與圖1中的反應(yīng)器相似，但在此側(cè)向進(jìn)料口 123位于中段122中接近底段112的C床的很低的高度，以至于進(jìn)料床126向上延伸到進(jìn)料口的高度之上。在圖5中，進(jìn)料口 123向下成角，以便可使某些重力有助于進(jìn)料的進(jìn)入。
[0054]像圖5—樣，圖6-圖8具有某些變形例。在圖6中，進(jìn)料223向上成角。在圖7中，進(jìn)料口 323是水平的，在 圖8中，圖示了單個進(jìn)料口 423分別具有進(jìn)料床下風(fēng)口 427和進(jìn)料床上風(fēng)口 428。(結(jié)合圖1的描述，無論進(jìn)料口的屬性、位置、方向或數(shù)量如何，這種風(fēng)口都可設(shè)置成通入到進(jìn)料床內(nèi))。
[0055]超低進(jìn)料口或下部進(jìn)料口，例如圖5-圖8中所示的進(jìn)料口優(yōu)選地設(shè)有如之前所述的進(jìn)料機(jī)構(gòu)。另外，在大多數(shù)情況下都重要的是，每個這種進(jìn)料口設(shè)有冷卻裝置(例如，供有冷卻劑的線圈，所述冷卻劑例如是環(huán)繞進(jìn)料口的水)以便使所述進(jìn)料保持足夠冷以容易地運(yùn)動通過進(jìn)料口。
[0056]這種超低進(jìn)料口可以是通入反應(yīng)器容器的唯一的進(jìn)料口，或者也可以是一個或多個其它進(jìn)料口的補(bǔ)充，所述其它進(jìn)料口可與進(jìn)料口 23相似或不相似。超低進(jìn)料口可與設(shè)備一起設(shè)置，因此可有效地迫使進(jìn)料進(jìn)入所述進(jìn)料床中。
[0057]超低進(jìn)料口可設(shè)在反應(yīng)器容器中以根據(jù)需要使用。其使用的一個示例可以是當(dāng)進(jìn)料包含較大量的細(xì)顆粒時。通過使這種物料浸在所述進(jìn)料床中，該物料將被最初在進(jìn)料床中的上升的熱氣體攜帶以便在進(jìn)料床本身中或在進(jìn)料床上方進(jìn)行更徹底的氣化。
[0058]某些合適實施例的另一個方面是通常將細(xì)?；蛲ǔ５念w粒從通過出口排出的合成氣中分離出來，并使它們通過任何一個或多個進(jìn)料口或風(fēng)口回收到反應(yīng)器中，所述細(xì)粒或通常的顆粒包括那些進(jìn)給到C床中或直接進(jìn)入到進(jìn)料床中(通過超低進(jìn)料口)或進(jìn)料床上方的細(xì)?；蛲ǔ５念w粒。
[0059]考慮到出口遠(yuǎn)離頂蓋中心導(dǎo)致氣體流向容器的側(cè)壁以及防止漏斗式流或中心流的產(chǎn)生，多個合成氣出口比`單個的、中央氣體出口更好，從而更好地利用了反應(yīng)器的體積。
【權(quán)利要求】
1.一種等離子體氣化器，包括: 帶耐火材料襯里的反應(yīng)器容器，該反應(yīng)器容器在運(yùn)行期間包括底段、中段和頂段，所述底段包含碳質(zhì)床，所述中段包含沉積進(jìn)料床，所述頂段包括所述頂段的下部部分中的稀相區(qū)域、所述頂段的上部部分中的驟冷區(qū)和所述驟冷區(qū)上方的頂蓋； 所述頂段的特征還在于包括一個或多個與外部管道系統(tǒng)連接的合成氣出口以及由多個驟冷流體入口構(gòu)成的裝置，所述由多個驟冷流體入口構(gòu)成的裝置用于將流體注入到所述驟冷區(qū)中。
2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的設(shè)備，其中: 所述一個或多個合成氣出口位于所述頂蓋中。
3.根據(jù)權(quán)利要求2所述的設(shè)備，其中: 所述多個驟冷流體入口位于所述頂蓋中。
4.根據(jù)權(quán)利要求1所述的設(shè)備，其中: 所述多個驟冷流體入口基本上對稱地靠近所述一個或多個合成氣入口設(shè)置。
5.根據(jù)權(quán)利要求4所述的設(shè)備，其中: 所述多個驟冷流體入口均與流體的外部供應(yīng)源連接，所述流體包括水、蒸汽或水和蒸汽的混合物(或者其它一種或多種流體)。
6.根據(jù)權(quán)利要求1所述的設(shè)備，其中: 所述中段具有倒置截頭圓錐體的整體形狀，所述倒置截頭圓錐體在鄰近所述頂段處比在鄰近所述底段處要更寬。
7.根據(jù)權(quán)利要求6所述的設(shè)備，其中: 所述頂段具有包括圓錐形部分的整體形狀，所述圓錐形部分從鄰近整體形狀為截頭圓錐體的中段開始，所述頂段的第一部分的較高端比鄰近所述中段處要更寬。
8.根據(jù)權(quán)利要求7所述的設(shè)備，其中: 所述中段的倒置截頭圓錐體相對于所述容器的中心線的壁角大于所述頂段的圓錐形部分相對于所述容器的中心線的壁角。
9.根據(jù)權(quán)利要求7所述的設(shè)備，其中: 所述頂段的驟冷區(qū)位于所述頂段的圓錐形部分和所述頂蓋之間的圓柱形部分中。
10.根據(jù)權(quán)利要求1所述的設(shè)備，其中: 所述多個驟冷流體入口均與流體的外部供應(yīng)源相連，所述流體包括水、蒸汽或水和蒸汽的混合物、和/或其它流體，讓所述流體以使流過合成氣出口并沉積在所述外部管道系統(tǒng)內(nèi)的熔融顆粒實質(zhì)上最少的量進(jìn)入所述驟冷區(qū)中。
11.根據(jù)權(quán)利要求10所述的設(shè)備，其中: 所述頂段的所述驟冷區(qū)包含在圓柱形結(jié)構(gòu)中，所述圓柱形結(jié)構(gòu)從所述頂段的位于所述驟冷區(qū)之下的圓錐形部分處向上延伸。
12.根據(jù)權(quán)利要求1所述的設(shè)備，其中: 所述容器的所述中段具有一個或多個進(jìn)料口，所述進(jìn)料口延伸穿過所述容器的側(cè)壁。
13.根據(jù)權(quán)利要求12所述的設(shè)備，其中: 所述一個或多個進(jìn)料口包括延伸穿過所述中段的錐形側(cè)壁的多個進(jìn)料口，并且所述一個或多個進(jìn)料口圍繞所述錐形側(cè)壁設(shè)置在基本上對稱的位置處。
14.根據(jù)權(quán)利要求12所述的設(shè)備，其中: 所述一個或多個進(jìn)料口包括從沉積進(jìn)料床之上的水平面處向上傾斜定向的至少一個進(jìn)料口。
15.根據(jù)權(quán)利要求12所述的設(shè)備，其中: 所述一個或多個進(jìn)料口包括至少一個位于沉積進(jìn)料床的上表面之下的進(jìn)料口。
16.根據(jù)權(quán)利要求12所述的設(shè)備，其中: 每個所述進(jìn)料口均被設(shè)置成以大體上連續(xù)且均勻的方式或以不同批量接收進(jìn)料。
17.根據(jù)權(quán)利要求12所述的設(shè)備，其中: 其中一個所述進(jìn)料口包括被設(shè)置成與進(jìn)料機(jī)構(gòu)結(jié)合的至少一個進(jìn)料口，所述進(jìn)料機(jī)構(gòu)選自由柱塞式進(jìn)料器、閥瓣系統(tǒng)、鎖料斗系統(tǒng)、離散進(jìn)料器和螺旋進(jìn)料器組成的組。
18.根據(jù)權(quán)利要求1所述的設(shè)備，其中: 所述反應(yīng)器容器的底段另外還具有直接穿過側(cè)壁進(jìn)入碳質(zhì)床的一個或多個等離子體炬，并且還具有用于熔融金屬和渣的放出口 ； 所述反應(yīng)器容器還設(shè)有任何一個或多個額外入口，所述額外入口包括: 碳床風(fēng)口，所述碳床風(fēng)口用于將氣體注入所述底段中； 通到所述底段中的下部啟動燃燒器口`，； 通到所述頂段中的上部啟動燃燒器口，； 一個或多個進(jìn)料床下風(fēng)口，所述進(jìn)料床下風(fēng)口位于所述中段的鄰近進(jìn)料床的較低區(qū)域中； 一個或多個進(jìn)料床上風(fēng)口，所述進(jìn)料床上風(fēng)口位于所述中段的鄰近進(jìn)料床的較高區(qū)域中； 在進(jìn)料床上方通入所述中段中的氣室風(fēng)口，所述氣室風(fēng)口用于通過引入氧氣和/或空氣進(jìn)行溫度控制，以使氣體溫度升高到超過1000°c。
19.一種用于對固體進(jìn)料進(jìn)行氣化以產(chǎn)生合成氣的方法，所述方法包括以下步驟: 在反應(yīng)器容器的底段中提供等離子加熱的碳質(zhì)床； 將進(jìn)料供送到所述反應(yīng)器容器的中段中，以在底段中的所述碳質(zhì)床的頂部上形成沉積進(jìn)料床； 使進(jìn)料與從所述底段上升的熱氣反應(yīng)； 在所述中段形成合成氣混合物，所述合成氣混合物含有變化量的未反應(yīng)進(jìn)料顆粒；使所述合成氣混合物朝著位于所述頂段的頂部的一個或多個合成氣出口上升到所述反應(yīng)器容器的頂段中； 保持所述容器中的環(huán)境，使得來自所述中段的未反應(yīng)顆粒在位于所述頂段中的下部的第一部分中經(jīng)歷進(jìn)一步反應(yīng)；以及 通過注入水、蒸汽或其混合物，在位于所述頂段中的上部的第二部分中，對所述合成氣混合物的未反應(yīng)顆粒中的至少一些熔融碎塊進(jìn)行至少部分地驟冷，使得這些熔融碎塊充分固化從而不會粘在源自所述合成氣出口的外部管道系統(tǒng)的壁上。
20.根據(jù)權(quán)利要求19所述的方法，其中: 所述將進(jìn)料供送到所述反應(yīng)器容器的中段中包括:從一個或多個外部進(jìn)料源通過所述容器的中段的側(cè)壁的一個或多個進(jìn)料口供應(yīng)進(jìn)料，所述進(jìn)料口位于不高于沉積進(jìn)料床上表面之上但靠近該上表面的位置； 通過所述中段的側(cè)壁進(jìn)料口供應(yīng)進(jìn)料并保持所述反應(yīng)器容器的其它環(huán)境以以下方式進(jìn)行:通過靠近所述進(jìn)料床、延長未反應(yīng)顆粒物質(zhì)的停留時間、并在合成氣混合物到達(dá)出口前促進(jìn)未反應(yīng)顆粒物質(zhì)的額外反應(yīng)來提高進(jìn)料中的顆粒物質(zhì)的反應(yīng)性。
21.根據(jù)權(quán)利要求20所述的方法，其中: 所述進(jìn)料的進(jìn)給以大體上連續(xù)且均勻的方式進(jìn)行。
22.根據(jù)權(quán)利要求19所述的方法，其中: 用通過所述中段的側(cè)壁的一個或多個進(jìn)料口供應(yīng)的另外的碳質(zhì)材料代替所述底段中已反應(yīng)過的碳質(zhì)材料。
23.根據(jù)權(quán)利要求20所述的方法，其中: 進(jìn)料的進(jìn)給包括:使用緊鄰地位于所述沉積進(jìn)料床上方并向上傾斜的一個或多個進(jìn)料口，以避免被進(jìn)料口中進(jìn)料在進(jìn)料床上的反應(yīng)過度加熱。
24.根據(jù)權(quán)利要求20所述的方法，其中: 進(jìn)料的進(jìn)給包括:使用被定位成將物料直接側(cè)向地進(jìn)給到沉積進(jìn)料床中的一個或多個進(jìn)料口，來自所述進(jìn)料口的進(jìn)料的實質(zhì)反應(yīng)在沉積進(jìn)料床本身中進(jìn)行。
25.一種等離子體氣化器，包括: 底段，所述底段具有碳質(zhì)床和一 個或多個等離子體炬入口 ； 中段，所述中段具有一個或多個側(cè)向進(jìn)料口，所述側(cè)向進(jìn)料口用于供應(yīng)進(jìn)料以在所述底段的碳質(zhì)床頂上形成進(jìn)料床，所述進(jìn)料口被定位為成向上的角度，并且位于所述進(jìn)料床上表面之上且與該上表面接近。
26.一種等離子體氣化器，包括: 底段，所述底段具有碳質(zhì)床和一個或多個等離子體炬入口 ； 中段，所述中段具有一個或多個側(cè)向進(jìn)料口，所述側(cè)向進(jìn)料口用于供應(yīng)進(jìn)料以在所述底段的碳質(zhì)床頂上形成進(jìn)料床，所述進(jìn)料口包括位于所述進(jìn)料床上表面之下某一高度處的一個或多個進(jìn)料口。
27.根據(jù)權(quán)利要求26所述的設(shè)備，還包括: 冷卻裝置，該冷卻裝置位于進(jìn)料床上表面之下某一高度處的各個進(jìn)料口處，以避免進(jìn)料口中的進(jìn)料被加熱到堵塞進(jìn)料口的狀態(tài)。
28.根據(jù)權(quán)利要求26所述的裝置，還包括: 進(jìn)料機(jī)構(gòu)，所述進(jìn)料機(jī)構(gòu)位于各個進(jìn)料口處，以迫使進(jìn)料進(jìn)入進(jìn)料床中。
【文檔編號】C10J3/72GK103502400SQ201280012949
【公開日】2014年1月8日 申請日期:2012年1月12日 優(yōu)先權(quán)日:2011年2月5日
【發(fā)明者】A·戈羅德斯基, J·圣揚(yáng)尼, S·恰夫達(dá), S·庫卡迪亞 申請人:阿爾特Nrg公司