、Mo、Pt、W、Cr、Ru、Ti、Si、0、V、Nb、Ge、B、Pd 及其組合。在一些方案中，磁記錄層材料還可包括包含Co、Pt、Cr、Nb和Ta的至少兩種的 合金。在另外的方案中，磁記錄層還可為多層膜，其例如具有交替成層的Co和Pd或Pt。無 論在磁記錄層中包括多少磁記錄層，優(yōu)選所有的磁記錄層可具有類似的（相同的）磁性顆 粒節(jié)距（間距，pitch)。磁性顆粒節(jié)距可歸因于轉(zhuǎn)移至在其上形成的磁性層的最下方磁記 錄層的共形增長(zhǎng)。
[0120] 在磁記錄層1110中的單獨(dú)的磁性顆粒和/或磁性島（例如由多個(gè)磁性顆粒組成） 可通過隔離劑（分離子，segregant)分離。所述隔離劑可包括Ta、W、Nb、V、Mo、B、Si、Co、 Cr、Ti、Al等的氧化物和/或氮化物，或者C或Cr或本領(lǐng)域已知的任何合適的非磁性隔離 劑材料。
[0121] 在優(yōu)選的方案中，磁記錄介質(zhì)1100可為垂直記錄介質(zhì)，因此磁記錄層的磁化方向 將在與記錄層表面基本上垂直的方向上。此外，磁記錄介質(zhì)1100作為模式化的（圖案化 的）磁記錄介質(zhì)（例如位模式化的磁記錄介質(zhì)）也可為特別有用的。
[0122] 在一些方案中，磁記錄介質(zhì)1100可在磁記錄層1110上方包括一個(gè)或多個(gè)任選的 蓋層（capping layer)(在圖11中未示出）。一個(gè)或多個(gè)蓋層可配置為調(diào)解在磁記錄層中 存在的磁性顆粒的粒間耦合。任選的一個(gè)或多個(gè)蓋層例如可包括Co基、CoCr基、CoPtCr基 和/或CoPtCrB基合金，或如本領(lǐng)域技術(shù)人員在閱讀本公開內(nèi)容時(shí)將認(rèn)識(shí)到的適用于蓋層 中的其它材料。
[0123] 如在圖11中所示的，磁記錄介質(zhì)1100還可包括位于磁記錄層1110和/或一個(gè)或 多個(gè)蓋層（如果存在的話）上方的保護(hù)性覆蓋層1112。保護(hù)性覆蓋層1112可配置為保護(hù) 下方的層免受磨損、腐蝕等。該保護(hù)性覆蓋層1112可由例如類金剛石碳、氮化碳、Si-氮化 物、BN或MC等、或者如本領(lǐng)域技術(shù)人員在閱讀本公開內(nèi)容時(shí)將理解的適用于保護(hù)性覆蓋 層的其它這樣的材料制得。
[0124] 磁記錄介質(zhì)1100可額外地包括位于保護(hù)性覆蓋層1112上方的潤(rùn)滑劑層1114。在 各種方案中，潤(rùn)滑劑層可包括單分散的、或者基本上單分散的潤(rùn)滑劑。例如，在這樣的方案 中，潤(rùn)滑劑層1114可包括多個(gè)多齒PFPE結(jié)構(gòu)，其可具有基本上相同的分子量和/或聚合 度。這些多齒PFPE結(jié)構(gòu)各自可具有兩個(gè)末端鏈段和位于其間的中間鏈段。
[0125] 在一些方案中，至少一個(gè)多齒PFPE結(jié)構(gòu)的至少一個(gè)末端鏈段可由如下表示：
[0127] 其中各X獨(dú)立地選自由如下構(gòu)成的組：羥基、胡椒基、胺基、磷腈基及其組合。
[0128] 在另外的方案中，至少一個(gè)多齒PFPE結(jié)構(gòu)的中間鏈段可包括通過偶聯(lián)劑偶聯(lián)在 一起的至少兩個(gè)PFPE骨架。在各種方案中，這些至少兩個(gè)PFPE骨架可具有相同的或不同 的分子量、分子結(jié)構(gòu)和/或聚合度。
[0129] 在一種具體方案中，PFPE骨架中至少一個(gè)可由如下表示：
[0130] -(CF2CF2O)n-,
[0131] 其中η為大于零的整數(shù)。在另一具體方案中，PFPE骨架中至少一個(gè)可由如下表示：
[0132] -(CF2CF2CF2O) n-,
[0133] 其中m為大于零的整數(shù)。在又一具體方案中，PFPE骨架中至少一個(gè)可由如下表示：
[0134] -(CF2CF2CF2CF 2O) χ-,
[0135] 其中X為大于零的整數(shù)。重要的是注意，在各種方案中，PFPE骨架可包括在本文 中描述的全氟聚烷基醚單元的任意組合。
[0136] 在又另外的方案中，至少一個(gè)多齒PFPE結(jié)構(gòu)的中間鏈段可由如下表示：
[0137] -OCH2CF2O- (CF2CF2O) n- (CF2O) p-CF2CH20-，
[0138] 其中η為大于零的整數(shù)，且其中p為大于零的整數(shù)。
[0139] 在再另外的方案中，至少一個(gè)多齒PFPE結(jié)構(gòu)的中間鏈段可包括至少三個(gè)PFPE骨 架。
[0140] 在進(jìn)一步的方案中，至少一個(gè)多齒PFPE結(jié)構(gòu)的末端鏈段可包括配置為連接至表 面的至少一個(gè)反應(yīng)性官能團(tuán)。在一種方案中，該至少一個(gè)反應(yīng)性官能團(tuán)可選自由如下構(gòu)成 的組：羥基、胡椒基、胺基、羧酸、磷腈基及其組合。在優(yōu)選的方案中，至少一個(gè)反應(yīng)性官能團(tuán) 可為羥基。
[0141] 在許多方案中，在潤(rùn)滑劑層1114中包括的多齒PFPE結(jié)構(gòu)中至少一個(gè)可具有如在 圖2B( 即ZTMD)、圖9和/或圖10中所示的分子結(jié)構(gòu)。在另外的方案中，多個(gè)PFPE結(jié)構(gòu)可 包括在本文中公開的PFPE結(jié)構(gòu)的任何組合。
[0142] 在額外的方案中，多齒PFPE結(jié)構(gòu)中至少一個(gè)的至少一個(gè)末端鏈段可包括至少一 個(gè)保護(hù)劑。例如，在這樣的方案中，至少一個(gè)多齒PFPE結(jié)構(gòu)可具有一個(gè)或多個(gè)保護(hù)劑，其結(jié) 合/偶聯(lián)至其末端鏈段的一個(gè)或兩個(gè)。因此，在一些方案中，多個(gè)多齒PFPE結(jié)構(gòu)可包括兩 個(gè)末端鏈段被保護(hù)的那些、僅一個(gè)末端鏈段被保護(hù)的那些、和/或沒有末端鏈段被保護(hù)的 那些。在一些方案中，一個(gè)或多個(gè)保護(hù)劑可包括縮丙酮、碳酸酯、硫代碳酸酯、或者如本領(lǐng)域 技術(shù)人員在閱讀本公開內(nèi)容時(shí)將變得明晰的其它合適的保護(hù)劑。
[0143] 再次參見圖11，磁記錄介質(zhì)1100的形成可通過已知的沉積和加工技術(shù)實(shí)現(xiàn)。例 如，沉積在磁記錄介質(zhì)1100中存在的層（例如粘合層1104、軟磁底層1106、交換斷層1108、 一個(gè)或多個(gè)磁記錄層1110、保護(hù)性覆蓋層1112等）的一個(gè)或多個(gè)可通過DC磁控濺射、RF 磁控濺射、分子束外延等、或者如本領(lǐng)域技術(shù)人員在閱讀本公開內(nèi)容時(shí)將變得明晰的其它 這樣的技術(shù)實(shí)現(xiàn)。
[0144] 在各種方案中，潤(rùn)滑劑層1114可通過浸涂方法形成在磁記錄介質(zhì)1100上，特別地 在保護(hù)性覆蓋層1112上。例如，在一種方案中，其上具有保護(hù)性覆蓋層1112的磁記錄介質(zhì) 1100可浸在包括本文中公開的多齒PFPE結(jié)構(gòu)和碳氟化合物溶劑例如Vertrel-XF的潤(rùn)滑 劑浴中。在預(yù)定量的時(shí)間之后，磁記錄介質(zhì)1100可以受控的速率從潤(rùn)滑劑浴移出。所述溶 劑隨后可蒸發(fā)，留下包含多齒PFPE潤(rùn)滑劑的潤(rùn)滑劑層1114。在潤(rùn)滑之后留在磁記錄介質(zhì) 1100的表面上的多齒PFPE潤(rùn)滑劑的百分比可稱為結(jié)合百分比。結(jié)合百分比通過使經(jīng)潤(rùn)滑 的磁介質(zhì)暴露至在潤(rùn)滑劑浴中使用的溶劑對(duì)于多個(gè)時(shí)間段來量化。在一些方案中，在本文 中公開的多齒PFPE結(jié)構(gòu)的結(jié)合百分比可為約80%至約95%。
[0145] 潤(rùn)滑劑層1114的厚度可通過控制磁記錄介質(zhì)1100在潤(rùn)滑劑浴中的浸入持續(xù)時(shí) 間、磁記錄介質(zhì)1100從涂覆溶液移出的速率、和/或潤(rùn)滑劑（例如多齒PFPE潤(rùn)滑劑）在潤(rùn) 滑劑浴中的濃度來調(diào)整。在一些方案中，可選擇多齒PFPE潤(rùn)滑劑在潤(rùn)滑劑浴中的濃度使得 產(chǎn)生具有約7人至約13λ的厚度的所得潤(rùn)滑劑層。
[0146] 重要的是注意，潤(rùn)滑劑層1114在磁記錄介質(zhì)1100的表面上、特別地在保護(hù)性覆蓋 層1112的表面上的形成不限于浸涂，而是可包括旋涂、噴涂、氣相沉積、其組合、或者如本 領(lǐng)域技術(shù)人員在閱讀本公開內(nèi)容時(shí)將變得明晰的任何其它合適的涂覆方法。
[0147] 在進(jìn)一步的方案中，在圖11中所示的磁記錄介質(zhì)1100可為磁性數(shù)據(jù)存儲(chǔ)系統(tǒng)中 的組件。這種磁性數(shù)據(jù)存儲(chǔ)還可包括至少一個(gè)磁頭、用于使磁記錄介質(zhì)1100經(jīng)過至少一個(gè) 磁頭的驅(qū)動(dòng)機(jī)構(gòu)、和電連接至至少一個(gè)磁頭以控制所述至少一個(gè)磁頭的運(yùn)行的控制器。
[0148] 例如，圖12示出磁盤驅(qū)動(dòng)器1200的一種實(shí)施方式，其可以磁記錄介質(zhì)例如圖11 的磁記錄介質(zhì)1100運(yùn)行。如在圖12中所示的，至少一個(gè)可旋轉(zhuǎn)磁介質(zhì)（例如磁盤）1212 支撐在軸1214上，并通過可包括盤驅(qū)動(dòng)電動(dòng)機(jī)1218的驅(qū)動(dòng)機(jī)構(gòu)旋轉(zhuǎn)。在各盤上的磁記錄 典型地為在盤1212上的同心數(shù)據(jù)軌道的環(huán)形圖案的形式（未示出）。由此，盤驅(qū)動(dòng)電動(dòng)機(jī) 1218優(yōu)選使磁盤1212經(jīng)過磁性讀/寫部分1221，其在下文即刻描述。
[0149] 根據(jù)在本文中所描述的和/或暗示的任何方案，至少一個(gè)滑塊1213在盤1212附 近安置，各滑塊1213支撐例如磁頭的一個(gè)或多個(gè)磁性讀/寫部分1221。隨著盤旋轉(zhuǎn)，滑塊 1213在盤表面1222上徑向地向內(nèi)和向外移動(dòng)，使得部分1221可訪問其中記錄和/或待寫 入期望數(shù)據(jù)的盤的不同軌道。各滑塊1213通過懸架1215連接至致動(dòng)器臂1219。懸架1215 提供輕微的彈簧力，其使滑塊1213針對(duì)盤表面1222偏壓。各致動(dòng)器臂1219均連接至致動(dòng) 器1227。如在圖12中所示的致動(dòng)器1227可為音圈電動(dòng)機(jī)（VCM)。所述VCM包括在固定磁 場(chǎng)內(nèi)可移動(dòng)的線圈，線圈移動(dòng)的方向和速度通過由控制器1229提供的電動(dòng)機(jī)電流信號(hào)控 制。
[0150] 在盤存儲(chǔ)系統(tǒng)的運(yùn)行過程中，盤1212的旋轉(zhuǎn)在滑塊1213和盤表面1222之間產(chǎn)生 空氣軸承，其賦予滑塊向上的力或者上升?？諝廨S承由此抗衡懸架1215的輕微的彈簧力， 并在正常運(yùn)行過程中支撐滑塊1213脫離并略高于盤表面小的基本上恒定的間距。注意，在 一些實(shí)施方式中，滑塊1213可沿著盤表面1222滑動(dòng)。
[0151] 盤存儲(chǔ)系統(tǒng)的各種組件在運(yùn)行中通過由控制器1229產(chǎn)生的控制信號(hào)例如訪問控 制信號(hào)和內(nèi)部時(shí)鐘信號(hào)來控制。典型地，控制單元1229包含邏輯控制電路、存儲(chǔ)器（例如 內(nèi)存）和微處理器。在優(yōu)選方案中，控制單元1229(例如通過電線、電纜、線路等）電連接 至一個(gè)或多個(gè)磁性讀/寫部分1221，用于控制其運(yùn)行。控制單元1229產(chǎn)生用于控制各種系 統(tǒng)運(yùn)行的控制信號(hào)、例如線路1223上的驅(qū)動(dòng)電動(dòng)機(jī)控制信號(hào)以及線路1228上的磁頭位置 和尋找控制信號(hào)。線路1228上的控制信號(hào)提供期望的電流分布（profile)以將滑塊1213 最佳地移動(dòng)并定位至盤1212上期望的數(shù)據(jù)軌道。讀和寫信號(hào)通過記錄通道1225的方式往 返通訊于讀/寫部分1221。
[0152] 典型的磁盤存儲(chǔ)系統(tǒng)的以上描述以及圖12的伴隨說明僅用于說明性的目的。應(yīng) 當(dāng)明晰的是，盤存儲(chǔ)系統(tǒng)可包含大量的盤和致動(dòng)器，且各驅(qū)動(dòng)器可支撐多個(gè)滑塊。
[0153] 還可提供界面用于盤驅(qū)動(dòng)器和主機(jī)（集成的或者外部的）之間的通訊以發(fā)送和接 收數(shù)據(jù)，以及用于控制盤驅(qū)動(dòng)器的運(yùn)行和將盤驅(qū)動(dòng)器的狀態(tài)通訊至主機(jī)，所有均是本領(lǐng)域 技術(shù)人員將理解的。
[0154] 在典型的磁頭中，感應(yīng)（誘導(dǎo)）寫入部分包括在一個(gè)或多個(gè)絕緣層（絕緣堆）中 嵌入的線圈層，絕緣堆位于第一和第二極片層之間。在所述寫入部分的第一和第二極片層 之間通過在磁頭的介質(zhì)面向側(cè)處或其附近的空隙層（在盤驅(qū)動(dòng)器中有時(shí)稱為ABS)形成空 隙。極片層可在背部空隙處連接。電流通過線圈層傳導(dǎo)，其在極片中產(chǎn)生磁場(chǎng)。磁場(chǎng)是跨 越介質(zhì)面向側(cè)處的空隙的邊緣，為了在移動(dòng)介質(zhì)上的軌道中、例如在旋轉(zhuǎn)磁盤上的環(huán)形軌 道中寫入磁場(chǎng)信息位（比特）的目的。
[0155] 第二極片層具有由介質(zhì)面向側(cè)延伸至閃耀點(diǎn)（張開點(diǎn)，flare point)的極端部 分，和由閃耀點(diǎn)延伸至背部空隙的輒（yoke)部分。所述閃耀點(diǎn)為第二極片開始變寬（閃耀） 以形成輒之處。閃耀點(diǎn)的布置直接影響產(chǎn)生用以在記錄介質(zhì)上寫入信息的磁場(chǎng)的大小。
[0156] 圖13A提供縱向記錄介質(zhì)1300的示意性說明，其可與磁盤記錄系統(tǒng)例如在圖12 中所示的一起使用。這種縱向記錄介質(zhì)1300用于在介質(zhì)本身的平面內(nèi)（或平行于介質(zhì)本身 的平面）記錄磁脈沖。這種縱向記錄介質(zhì)1300(