本發(fā)明涉及發(fā)動(dòng)機(jī)技術(shù)領(lǐng)域，尤其是一種發(fā)動(dòng)機(jī)缸蓋加工方法。

背景技術(shù)：

發(fā)動(dòng)機(jī)主要是由缸體和缸蓋構(gòu)成的，通過(guò)曲軸帶動(dòng)活塞在缸體和缸蓋組成的燃燒室內(nèi)運(yùn)動(dòng)，實(shí)現(xiàn)做功。發(fā)動(dòng)機(jī)缸蓋的制作工藝直接影響到整個(gè)發(fā)動(dòng)機(jī)的效能和壽命。中國(guó)發(fā)明專(zhuān)利CN 100351498C、CN 101492806B、CN 102764957 B等現(xiàn)有技術(shù)分別公開(kāi)了多種發(fā)動(dòng)機(jī)缸蓋和缸套的制作方法。但是，使用這些方法生產(chǎn)的發(fā)動(dòng)機(jī)都存在熱效率低、在極端情況下發(fā)生“拉缸”的風(fēng)險(xiǎn)大。

技術(shù)實(shí)現(xiàn)要素：

本發(fā)明要解決的技術(shù)問(wèn)題是提供一種發(fā)動(dòng)機(jī)缸蓋加工方法，能夠解決現(xiàn)有技術(shù)的不足，提高發(fā)動(dòng)機(jī)的運(yùn)行質(zhì)量。

為解決上述技術(shù)問(wèn)題，本發(fā)明所采取的技術(shù)方案如下。

一種發(fā)動(dòng)機(jī)缸蓋加工方法，將缸蓋主體和缸套進(jìn)行一體化鑄造，缸蓋主體上鑄造有排氣管路和進(jìn)氣管路，缸套固定在排氣管路和進(jìn)氣管路下方，排氣管路的底部為圓柱形，排氣管路的中間部位為圓環(huán)形，排氣管路的頂部為圓錐形，排氣管路的中間部位設(shè)置有排氣閥安裝孔，進(jìn)氣管路的底部和頂部為圓柱形，進(jìn)氣管路的中間部位為圓環(huán)形，進(jìn)氣管路的中間部位鑄造有進(jìn)氣閥安裝孔；排氣閥安裝孔側(cè)壁的背風(fēng) 面部分鑄造有第一導(dǎo)流槽,第一導(dǎo)流槽的兩側(cè)鑄造有對(duì)稱(chēng)的斜邊，進(jìn)氣閥安裝孔側(cè)壁的迎風(fēng)面部分鑄造有第二導(dǎo)流槽，第二導(dǎo)流槽的外側(cè)邊緣鑄造有對(duì)稱(chēng)的第三導(dǎo)流槽。

作為優(yōu)選，使用濺射方法在缸蓋主體的表面沉積第一膜層，第一膜層包括：5.5wt％的P、3wt％的Ti、1.3wt％的Te、2.7wt％的Si，其余為Al。

作為優(yōu)選，使用濺射方法在缸套的內(nèi)壁沉積第二膜層，第二膜層包括：4.5wt％的W、3.7wt％的Cr、7wt％的C、0.75wt％的Mn，4.7wt％的Ni，其余為Al。

作為優(yōu)選，用濺射方法在排氣管路的圓柱形底部和進(jìn)氣管路的圓柱形底部沉積第三膜層，第三膜層包括：0.5wt％的Mo、1.2wt％的Sn、2.1wt％的Mg、0.7wt％的S、7.5wt％的Ti，其余為Al。

作為優(yōu)選，使用濺射方法在排氣管路的圓環(huán)形中部和圓錐形頂部以及進(jìn)氣管路的圓環(huán)形中部和圓柱形底部沉積第四膜層，第四膜層包括：2.5wt％的Ga、1.3wt％的P、0.6wt％的Cu、0.9wt％的Pt、3.6wt％的W、4.8wt％的Ti，其余為Al。

作為優(yōu)選，對(duì)鑄造出的蓋主體和缸套進(jìn)行離子滲氮處理；氮化爐內(nèi)的反應(yīng)溫度控制在430℃～450℃，氮化爐的真空度控制在小于1000Pa，通入反應(yīng)氣體包括：10wt％的氮?dú)狻?wt％的氫氣、15wt％的氬氣、5wt％的二氧化碳，其余為氨氣。

作為優(yōu)選，進(jìn)行離子滲氮處理前，對(duì)準(zhǔn)備離子滲氮處理的表面進(jìn)行打磨處理，表面粗糙度控制在為Ra0.8～Ra1.0。

采用上述技術(shù)方案所帶來(lái)的有益效果在于：本發(fā)明對(duì)發(fā)動(dòng)機(jī)的缸蓋的制作工藝進(jìn)行了改進(jìn)，通過(guò)對(duì)缸蓋和缸套進(jìn)行一體鑄造成型，并改進(jìn)了鑄造成型的具體結(jié)構(gòu)，提高了缸蓋與缸套連接位置的設(shè)計(jì)剛性，改善了缸體與內(nèi)部閥體和活塞的接觸貼合度，降低了摩擦系數(shù)，優(yōu)化了氣體流動(dòng)通道，使得整個(gè)發(fā)動(dòng)機(jī)缸體的熱效率和耐用度得到了明顯的提升。

附圖說(shuō)明

圖1是本發(fā)明的一個(gè)具體實(shí)施例的結(jié)構(gòu)圖。

圖2是本發(fā)明的一個(gè)具體實(shí)施例中第一導(dǎo)流槽的結(jié)構(gòu)圖。

圖3是本發(fā)明的一個(gè)具體實(shí)施例中第二導(dǎo)流槽的結(jié)構(gòu)圖。

圖中：1、缸蓋主體；2、缸套；3、排氣管路；4、進(jìn)氣管路；5、排氣閥安裝孔；6、進(jìn)氣閥安裝孔；7、第一導(dǎo)流槽；8、斜邊；9、第二導(dǎo)流槽；10、第三導(dǎo)流槽。

具體實(shí)施方式

參照?qǐng)D1-3，一種發(fā)動(dòng)機(jī)缸蓋加工方法，將缸蓋主體1和缸套2進(jìn)行一體化鑄造，缸蓋主體1上鑄造有排氣管路3和進(jìn)氣管路4，缸套2固定在排氣管路3和進(jìn)氣管路4下方，排氣管路3的底部為圓柱形，排氣管路3的中間部位為圓環(huán)形，排氣管路3的頂部為圓錐形，排氣管路3的中間部位設(shè)置有排氣閥安裝孔5，進(jìn)氣管路4的底部和頂部為圓柱形，進(jìn)氣管路4的中間部位為圓環(huán)形，進(jìn)氣管路4的中間部位鑄造有進(jìn)氣閥安裝孔6；排氣閥安裝孔5側(cè)壁的背風(fēng)面部分鑄造有第一導(dǎo)流槽7,第一導(dǎo)流槽7的兩側(cè)鑄造有對(duì)稱(chēng)的斜邊8，進(jìn)氣閥安 裝孔6側(cè)壁的迎風(fēng)面部分鑄造有第二導(dǎo)流槽9，第二導(dǎo)流槽9的外側(cè)邊緣鑄造有對(duì)稱(chēng)的第三導(dǎo)流槽10。排氣管路3的圓柱形底部與缸套2的夾角為27°，進(jìn)氣管路4的圓柱形底部與缸套2的夾角為36°。排氣管路3的圓柱形部分與進(jìn)氣管路4的圓柱形部分的直徑之比為5:4，排氣管路3的圓錐形頂部的底面直徑與頂面直徑之比為7:6。斜邊8向內(nèi)側(cè)傾斜設(shè)置，第一導(dǎo)流槽7與斜邊8的夾角為65°，第二導(dǎo)流槽10與第三導(dǎo)流槽11的深度之比為3:2。

使用濺射方法在缸蓋主體1的表面沉積第一膜層，第一膜層包括：5.5wt％的P、3wt％的Ti、1.3wt％的Te、2.7wt％的Si，其余為Al。使用濺射方法在缸套2的內(nèi)壁沉積第二膜層，第二膜層包括：4.5wt％的W、3.7wt％的Cr、7wt％的C、0.75wt％的Mn，4.7wt％的Ni，其余為Al。使用濺射方法在排氣管路3的圓柱形底部和進(jìn)氣管路4的圓柱形底部沉積第三膜層，第三膜層包括：0.5wt％的Mo、1.2wt％的Sn、2.1wt％的Mg、0.7wt％的S、7.5wt％的Ti，其余為Al。使用濺射方法在排氣管路3的圓環(huán)形中部和圓錐形頂部以及進(jìn)氣管路4的圓環(huán)形中部和圓柱形底部沉積第四膜層，第四膜層包括：2.5wt％的Ga、1.3wt％的P、0.6wt％的Cu、0.9wt％的Pt、3.6wt％的W、4.8wt％的Ti，其余為Al。在缸蓋主體1和缸套2的連接處使用濺射方法沉積第五膜層，第五膜層包括：5.5wt％的Cr、0.5wt％的Zn、1.5wt％的Se、0.4wt％的Cd、8wt％的Ti、1.2wt％的Pb，其余為Fe。

進(jìn)行完上述濺射沉積處理后，對(duì)鑄造出的蓋主體1和缸套2進(jìn)行離子滲氮處理；氮化爐內(nèi)的反應(yīng)溫度控制在435℃，氮化爐的真空度 控制在小于600Pa，通入反應(yīng)氣體包括：10wt％的氮?dú)狻?wt％的氫氣、15wt％的氬氣、5wt％的二氧化碳，其余為氨氣。在進(jìn)行離子滲氮處理前，對(duì)準(zhǔn)備離子滲氮處理的表面進(jìn)行打磨處理，表面粗糙度控制在為Ra0.8～Ra1.0。

使用本發(fā)明提供的方法制作的發(fā)動(dòng)機(jī)缸蓋，耐熱耐沖擊能力強(qiáng)，活塞運(yùn)動(dòng)磨損少，可以提高發(fā)動(dòng)機(jī)的整體熱效率，使發(fā)動(dòng)機(jī)的平均壽命提高5～8萬(wàn)公里。

上述描述僅作為本發(fā)明可實(shí)施的技術(shù)方案提出，不作為對(duì)其技術(shù)方案本身的單一限制條件。