本發(fā)明涉及流體控制領(lǐng)域，具體涉及一種燃?xì)廨啓C(jī)能量再利用系統(tǒng)。

背景技術(shù)：

燃?xì)廨啓C(jī)是一種以連續(xù)流動(dòng)的氣體為介質(zhì)，把熱能轉(zhuǎn)換為機(jī)械功的動(dòng)力機(jī)械，大致包括壓氣部分、燃燒室、燃?xì)馔钙剑╰urbine）三部分，流體系統(tǒng)中包括閥。

而使用過(guò)程中，容易出現(xiàn)燃?xì)廨啓C(jī)氣體利用率不足，氣體剩余物如焦炭殘留等問(wèn)題需要解決，且常出現(xiàn)燃料壓力波動(dòng)以及氣錘現(xiàn)象。

技術(shù)實(shí)現(xiàn)要素：

為了克服上述問(wèn)題，本發(fā)明提出一種燃?xì)廨啓C(jī)能量再利用系統(tǒng)，解決上述問(wèn)題。

本發(fā)明解決其技術(shù)問(wèn)題所采用的技術(shù)方案是：一種燃?xì)廨啓C(jī)能量再利用系統(tǒng)，包括燃料源、燃燒系統(tǒng)、調(diào)節(jié)閥、蓄能器、單向閥、第一電磁閥、第二電磁閥、噴槍、提升閥；燃料源連接燃燒系統(tǒng)，燃燒系統(tǒng)連接調(diào)節(jié)閥，調(diào)節(jié)閥連接蓄能器，蓄能器右側(cè)連接單向閥，單向閥分別連接第一電磁閥與第二電磁閥，第一、第二電磁閥連接提升閥，蓄能器下側(cè)連接噴槍；

其中，提升閥包括閥體、氣缸、閥芯、閥桿、工字活塞；氣缸位于閥體上方，氣缸中設(shè)有工字活塞，工字活塞包括上活塞與下活塞，上活塞上表面下凹，下活塞下表面上凹，上下活塞之間通過(guò)連接桿連接，上活塞位置的氣缸直徑小于下活塞位置的氣缸直徑，上活塞直徑小于下活塞直徑，上活塞上方的氣缸上設(shè)有上氣口，下活塞下方的氣缸上設(shè)有下氣口，氣缸上方設(shè)有法蘭，上活塞與氣缸圍成上活塞腔，下活塞與氣缸圍成下活塞腔；

閥芯包括左閥芯與右閥芯，配合閥體上的閥座；閥桿下端設(shè)有臺(tái)階部，臺(tái)階部下方連接左右閥芯，臺(tái)階部上設(shè)有短柱，臺(tái)階部外部設(shè)有清潔套筒，清潔套筒中設(shè)有軌跡槽，軌跡槽中容納短柱，清潔套筒內(nèi)壁設(shè)置清潔毛刷，清潔套筒位于下活塞腔中；

臺(tái)階部下方設(shè)有滑槽，左右閥芯上端與滑槽連接，左右閥芯中間設(shè)有止擋，所述止擋在維修時(shí)能被按壓進(jìn)入臺(tái)階部；左右閥芯中間設(shè)有彈簧，閥體左下、右下位置均設(shè)有噴氣孔，所述噴氣孔朝向閥芯位置傾斜設(shè)置，噴氣孔中設(shè)有螺紋與堵頭，閥體正下方對(duì)應(yīng)左右閥芯的位置設(shè)有可開啟的封板；第一電磁閥連接上活塞腔，第二電磁閥連接下活塞腔，噴槍可與噴氣孔連接。

優(yōu)選的，第一、第二電磁閥下游設(shè)有壓力傳感器。

優(yōu)選的，所述彈簧設(shè)有2根。

優(yōu)選的，所述閥座包括彈簧，形成補(bǔ)償閥座。

優(yōu)選的，所述閥芯外表面為弧形。

優(yōu)選的，左右閥芯內(nèi)表面設(shè)有凹陷部容納彈簧。

優(yōu)選的，上下氣口位于氣缸同一側(cè)。

優(yōu)選的，關(guān)閉位置時(shí)短柱位于清潔套筒下端。

優(yōu)選的，封板上方形成收集槽。

本發(fā)明的有益效果是：1、采用了凹面活塞與工字活塞，能更穩(wěn)定的驅(qū)動(dòng)，且驅(qū)動(dòng)力更大。2、采用了短柱與軌跡槽的配合，將直線運(yùn)動(dòng)轉(zhuǎn)化為清潔套筒的轉(zhuǎn)動(dòng)，進(jìn)而進(jìn)行清潔，由于清潔套筒位于下活塞腔中，通氣時(shí)可以進(jìn)行自清潔。3、采用了噴氣孔朝向閥芯位置傾斜設(shè)置，在閥芯提升時(shí)，所有面積都可以被吹掃到。4、采用了快捷維修結(jié)構(gòu)，打開封板，用工具按壓止擋，則左右閥芯可以沿滑軌移動(dòng)，方便下活塞腔的雜物排出，也方便人工使用特殊工具清洗閥芯。

附圖說(shuō)明

下面結(jié)合附圖和實(shí)施例對(duì)本發(fā)明進(jìn)一步說(shuō)明。

圖1是本發(fā)明能量再利用系統(tǒng)主體圖。

圖2是本發(fā)明提升閥主體圖。

圖3是本發(fā)明清潔套筒示意圖。

圖中，附圖標(biāo)記如下：1、閥體2、氣缸3、閥芯4、短柱5、下氣孔6、上氣孔7、法蘭8、上活塞9、下活塞、10、閥桿11、清潔套筒12、滑槽13、止擋14、右噴氣口15、封板16、左噴氣口17、臺(tái)階部18、燃料源19、燃燒系統(tǒng)20、調(diào)節(jié)閥21、蓄能器22、單向閥23、第一電磁閥24、第二電磁閥25、噴槍。

具體實(shí)施方式

一種燃?xì)廨啓C(jī)能量再利用系統(tǒng)，包括燃料源、燃燒系統(tǒng)、調(diào)節(jié)閥、蓄能器、單向閥、第一電磁閥、第二電磁閥、噴槍、提升閥；燃料源連接燃燒系統(tǒng)，燃燒系統(tǒng)連接調(diào)節(jié)閥，調(diào)節(jié)閥連接蓄能器，蓄能器右側(cè)連接單向閥，單向閥分別連接第一電磁閥與第二電磁閥，第一、第二電磁閥連接提升閥，蓄能器下側(cè)連接噴槍；

其中，提升閥包括閥體、氣缸、閥芯、閥桿、工字活塞；氣缸位于閥體上方，氣缸中設(shè)有工字活塞，工字活塞包括上活塞與下活塞，上活塞上表面下凹，下活塞下表面上凹，上下活塞之間通過(guò)連接桿連接，上活塞位置的氣缸直徑小于下活塞位置的氣缸直徑，上活塞直徑小于下活塞直徑，上活塞上方的氣缸上設(shè)有上氣口，下活塞下方的氣缸上設(shè)有下氣口，氣缸上方設(shè)有法蘭，上活塞與氣缸圍成上活塞腔，下活塞與氣缸圍成下活塞腔；

閥芯包括左閥芯與右閥芯，配合閥體上的閥座；閥桿下端設(shè)有臺(tái)階部，臺(tái)階部下方連接左右閥芯，臺(tái)階部上設(shè)有短柱，臺(tái)階部外部設(shè)有清潔套筒，清潔套筒中設(shè)有軌跡槽，軌跡槽中容納短柱，清潔套筒內(nèi)壁設(shè)置清潔毛刷，清潔套筒位于下活塞腔中；

臺(tái)階部下方設(shè)有滑槽，左右閥芯上端與滑槽連接，左右閥芯中間設(shè)有止擋，所述止擋在維修時(shí)能被按壓進(jìn)入臺(tái)階部；左右閥芯中間設(shè)有彈簧，閥體左下、右下位置均設(shè)有噴氣孔，所述噴氣孔朝向閥芯位置傾斜設(shè)置，噴氣孔中設(shè)有螺紋與堵頭，閥體正下方對(duì)應(yīng)左右閥芯的位置設(shè)有可開啟的封板；第一電磁閥連接上活塞腔，第二電磁閥連接下活塞腔，噴槍可與噴氣孔連接。

優(yōu)選的，第一、第二電磁閥下游設(shè)有壓力傳感器。

優(yōu)選的，所述彈簧設(shè)有2根。

優(yōu)選的，所述閥座包括彈簧，形成補(bǔ)償閥座。

優(yōu)選的，所述閥芯外表面為弧形。

優(yōu)選的，左右閥芯內(nèi)表面設(shè)有凹陷部容納彈簧。

優(yōu)選的，上下氣口位于氣缸同一側(cè)。

優(yōu)選的，關(guān)閉位置時(shí)短柱位于清潔套筒下端。

優(yōu)選的，封板上方形成收集槽。

其包括三個(gè)清潔部分：1、第一清潔部分：采用了短柱與軌跡槽的配合，將直線運(yùn)動(dòng)轉(zhuǎn)化為清潔套筒的轉(zhuǎn)動(dòng)，進(jìn)而通過(guò)內(nèi)壁毛刷進(jìn)行清潔，由于清潔套筒位于下活塞腔中，通氣時(shí)可以進(jìn)行自清潔。2、第二清潔部分：采用了噴氣孔朝向閥芯位置傾斜設(shè)置，在閥芯提升時(shí)，所有面積都可以被吹掃到。3、第三清潔部分：采用了快捷維修結(jié)構(gòu)，打開封板，用工具按壓止擋，則左右閥芯可以沿滑軌移動(dòng)，方便下活塞腔的雜物排出，也方便人工使用特殊工具清洗閥芯。

上列詳細(xì)說(shuō)明是針對(duì)本發(fā)明可行實(shí)施例的具體說(shuō)明，該實(shí)施例并非用以限制本發(fā)明的專利范圍，凡未脫離本發(fā)明所為的等效實(shí)施或變更，均應(yīng)包含于本案的專利范圍中。

技術(shù)特征：

技術(shù)總結(jié)
一種燃?xì)廨啓C(jī)能量再利用系統(tǒng)，包括燃料源、燃燒系統(tǒng)、調(diào)節(jié)閥、蓄能器、單向閥、第一電磁閥、第二電磁閥、噴槍、提升閥；提升閥包括：1、第一清潔部分：采用了短柱與軌跡槽的配合，將直線運(yùn)動(dòng)轉(zhuǎn)化為清潔套筒的轉(zhuǎn)動(dòng)，進(jìn)而通過(guò)內(nèi)壁毛刷進(jìn)行清潔，由于清潔套筒位于下活塞腔中，通氣時(shí)可以進(jìn)行自清潔。2、第二清潔部分：采用了噴氣孔朝向閥芯位置傾斜設(shè)置，在閥芯提升時(shí)，所有面積都可以被吹掃到。3、第三清潔部分：采用了快捷維修結(jié)構(gòu)，打開封板，用工具按壓止擋，則左右閥芯可以沿滑軌移動(dòng)，方便下活塞腔的雜物排出，也方便人工使用特殊工具清洗閥芯。

技術(shù)研發(fā)人員：尹來(lái)容;馮文明;程正茂;李超穎;李河清
受保護(hù)的技術(shù)使用者：長(zhǎng)沙理工大學(xué)
技術(shù)研發(fā)日：2017.06.07
技術(shù)公布日：2017.09.15