專利名稱：拋光劑組合物的制作方法
技術(shù)領(lǐng)域：
本發(fā)明涉及一種拋光鋁盤(disk)或表面具有二氧化硅的基體以得到具有較小平均波度的拋光表面的拋光劑組合物，該組合物中SiO2的濃度為0.5-50重量％，并含有具有不同的單一形態(tài)粒子尺寸數(shù)值分布的膠態(tài)二氧化硅粒子團(tuán)。
在這里，鋁盤的拋光是指拋光由鋁或其合金構(gòu)成的磁存儲(chǔ)盤基體自身的表面，或拋光在基體上具有鎳-磷(Ni-P)或鎳-硼(Ni-B)鍍層尤其是由90-92％的Ni和8-10％的P構(gòu)成的非電解鎳-磷(Ni-P)硬鍍層和氧化鋁層的表面。
表面具有二氧化硅的基體的拋光是指拋光基體的含有50重量％或更多二氧化硅的表層。這樣的拋光的例子包括拋光水晶、光掩模用的石英玻璃、半導(dǎo)體設(shè)備上的氧化硅膜和結(jié)晶玻璃制硬盤，或者是鋁硅酸鹽玻璃制硬盤，或者是鈉鈣玻璃制硬盤。
由于本發(fā)明的拋光劑組合物能有效提供高精度的光滑拋光表面，其也能精密拋光僅由硅制成的半導(dǎo)體晶片、由化合物如砷化鎵、磷化鎵或磷化銦制成的半導(dǎo)體晶片和半導(dǎo)體多級(jí)連接基體的連接金屬如銅和鋁、氮化物膜和碳化物膜等，以及終拋光藍(lán)寶石、鉭酸鋰和鈮酸鋰等單晶和GMR磁頭。
特別地，對(duì)于鋁盤和玻璃制硬盤，要求有更為精密的平均波度，以滿足記憶容量密度增加導(dǎo)致盤旋轉(zhuǎn)更快、盤和磁頭之間間隙減小的要求。近來，人們需求平均波度小于3的盤。
在這里，本發(fā)明成功地制備了一種拋光劑組合物，其含有膠態(tài)二氧化硅粒子，SiO2的濃度為0.5-50重量％，通過使用水分散穩(wěn)定二氧化硅溶膠，該溶膠含有兩種或三種不同的單一形態(tài)粒子尺寸數(shù)值分布的膠態(tài)二氧化硅粒子團(tuán)，平均粒子尺寸(用氮吸附法測(cè)量粒子尺寸)的比例為0.15-0.80，該粒子團(tuán)與SiO2混合的重量比例為1/0.05-9.0，并成功地得到了一種質(zhì)量好的鋁盤或表面具有二氧化硅的基體。
由氮吸附法測(cè)量的膠態(tài)二氧化硅粒子團(tuán)的粒子尺寸可以根據(jù)公式D＝2720/S(nm)算得，比表面積S(m2/g)用氮吸附法測(cè)量。
更具體地，本發(fā)明的第一個(gè)實(shí)施方案涉及拋光鋁盤的拋光劑組合物，其含有在透射電子顯微鏡上觀察到的具有單一形態(tài)的初級(jí)粒子尺寸為80-120nm的粒子尺寸數(shù)值分布的膠態(tài)二氧化硅粒子團(tuán)，其占總粒子數(shù)的90％或更多，并且其平均粒子尺寸Da(用氮吸附法測(cè)量粒子尺寸)范圍為65-100nm(以下稱作膠態(tài)二氧化硅粒子團(tuán)(a))，和在透射電子顯微鏡上觀察到的具有單一形態(tài)的初級(jí)粒子尺寸為20-40nm的粒子尺寸數(shù)值分布的膠態(tài)二氧化硅粒子團(tuán)，其占總粒子數(shù)的90％或更多，并且其平均粒子尺寸Dc(用氮吸附法測(cè)量粒子尺寸)范圍為15-25nm(以下稱作膠態(tài)二氧化硅粒子團(tuán)(c))，
其中所述組合物的Dc/Da比例為0.15-0.38，為混有SiO2的水分散穩(wěn)定二氧化硅溶膠，其中所述膠態(tài)二氧化硅粒子團(tuán)(a)與所述膠態(tài)二氧化硅粒子團(tuán)(c)的重量比W(a)/W(c)＝1/0.05-9.0，并且含有SiO2濃度為0.5-50重量％的膠態(tài)二氧化硅粒子。
本發(fā)明的第二個(gè)實(shí)施方案涉及含有二氧化硅溶膠的拋光鋁盤的拋光劑組合物，其含有在透射電子顯微鏡上觀察到的具有單一形態(tài)的初級(jí)粒子尺寸為80-120nm的粒子尺寸數(shù)值分布的膠態(tài)二氧化硅粒子團(tuán)，其占總粒子數(shù)的90％或更多，并且其平均粒子尺寸Da(用氮吸附法測(cè)量粒子尺寸)范圍為65-100nm(以下稱作膠態(tài)二氧化硅粒子團(tuán)(a))，在透射電子顯微鏡上觀察到的具有單一形態(tài)的初級(jí)粒子尺寸為20-40nm的粒子尺寸數(shù)值分布的膠態(tài)二氧化硅粒子團(tuán)，其占總粒子數(shù)的90％或更多，并且其平均粒子尺寸Dc(用氮吸附法測(cè)量粒子尺寸)范圍為15-25nm(以下稱作膠態(tài)二氧化硅粒子團(tuán)(c))，和在透射電子顯微鏡上觀察到的具有單一形態(tài)的初級(jí)粒子尺寸為5-15nm的粒子尺寸數(shù)值分布的膠態(tài)二氧化硅粒子團(tuán)，其占總粒子數(shù)的90％或更多，并且其平均粒子尺寸Dd(用氮吸附法測(cè)量粒子尺寸)范圍為8-12nm(以下稱作膠態(tài)二氧化硅粒子團(tuán)(d))，其中所述組合物的Dc/Da比例為0.15-0.38，Dd/Dc比例為0.26-0.80，為混有SiO2的水分散穩(wěn)定二氧化硅溶膠，其所述膠態(tài)二氧化硅粒子團(tuán)(a)、所述膠態(tài)二氧化硅粒子團(tuán)(c)和所述膠態(tài)二氧化硅粒子團(tuán)(d)的重量比W(a)/W(c)/W(d)＝1/0.05-9.0/0.01-1.4，并且含有SiO2濃度為0.5-50重量％的膠態(tài)二氧化硅粒子。
本發(fā)明的第三個(gè)實(shí)施方案涉及一種含有二氧化硅溶膠的拋光鋁盤的拋光劑組合物，其含有在透射電子顯微鏡上觀察到的具有單一形態(tài)的初級(jí)粒子尺寸為40-70nm的粒子尺寸數(shù)值分布的膠態(tài)二氧化硅粒子團(tuán)，其占總粒子數(shù)的90％或更多，并且其平均粒子尺寸Db(用氮吸附法測(cè)量粒子尺寸)范圍為35-50nm(以下稱作膠態(tài)二氧化硅粒子團(tuán)(b))，
在透射電子顯微鏡上觀察到的具有單一形態(tài)的初級(jí)粒子尺寸為20-40nm的粒子尺寸數(shù)值分布的膠態(tài)二氧化硅粒子團(tuán)，其占總粒子數(shù)的90％或更多，并且其平均粒子尺寸Dc(用氮吸附法測(cè)量粒子尺寸)范圍為15-25nm(以下稱作膠態(tài)二氧化硅粒子團(tuán)(c))，或在透射電子顯微鏡上觀察到的具有單一形態(tài)的初級(jí)粒子尺寸為5-15nm的粒子尺寸數(shù)值分布的膠態(tài)二氧化硅粒子團(tuán)，其占總粒子數(shù)的90％或更多，并且其平均粒子尺寸Dd(用氮吸附法測(cè)量粒子尺寸)范圍為8-12nm(以下稱作膠態(tài)二氧化硅粒子團(tuán)(d))，其中所述組合物的Dc/Db比例為0.30-0.71，Dd/Db比例為0.16-0.34，為混有SiO2的水分散穩(wěn)定二氧化硅溶膠，其所述膠態(tài)二氧化硅粒子團(tuán)(c)或所述膠態(tài)二氧化硅粒子團(tuán)(d)和所述膠態(tài)二氧化硅粒子團(tuán)(b)的重量比W(b)/[W(c)或W(d)]＝1/0.05-9.0，并且含有SiO2濃度為0.5-50重量％的膠態(tài)二氧化硅粒子。
根據(jù)第一至第三個(gè)實(shí)施方案的拋光劑組合物，是用來拋光鋁盤和在表面具有二氧化硅的基體的。
在這里，為了得到具有小的平均波度的盤，高速拋光性能也是拋光劑組合物所需的性能之一。因此，添加一種或多于兩種的選自硝酸鋁、硫酸鋁、氯化鋁、堿式硝酸鋁和堿式氨基磺酸鋁的鋁化合物，和一種或多于兩種的選自硝酸鐵(III)、氯化鐵(III)、硫酸鐵(III)和硫酸鐵(III)鉀[KFe(SO4)2]的鐵化合物，作為本發(fā)明的拋光劑組合物的拋光加速劑，以達(dá)到高速拋光。
為了獲得加速拋光的效果并穩(wěn)定拋光性能，可以添加鋁氧化物和對(duì)三價(jià)鐵化合物具有穩(wěn)定作用的羧酸如馬來酸、酒石酸、檸檬酸、蘋果酸、葡糖酸或乳酸。發(fā)明的最佳實(shí)施方式本發(fā)明中，如果具有不同的單一形態(tài)粒子尺寸數(shù)值分布的膠態(tài)二氧化硅粒子團(tuán)的平均粒子尺寸(用氮吸附法測(cè)量的粒子尺寸)的比例小于0.20，對(duì)拋光劑組合物的拋光性能的改善效果小。類似地，如果平均粒子尺寸(用氮吸附法測(cè)量的粒子尺寸)的比例大于0.80，對(duì)拋光劑組合物的拋光性能的改善效果也小。
本發(fā)明中，如果在具有不同的單一形態(tài)粒子粒子尺寸數(shù)值分布的膠態(tài)二氧化硅粒子團(tuán)中的較小的膠態(tài)二氧化硅粒子團(tuán)的SiO2重量比例小于0.05，對(duì)拋光劑組合物的拋光性能的改善效果小。類似地，如果其SiO2重量比例大于9.0，對(duì)拋光劑組合物的拋光性能的改善效果也小。
本發(fā)明的拋光劑組合物可以與膠態(tài)二氧化硅粒子團(tuán)混合，該粒子團(tuán)具有單一形態(tài)粒子尺寸數(shù)值分布，在透射電子顯微鏡上觀察到初級(jí)粒子尺寸大于150nm但是小于250nm，該粒子團(tuán)占總粒子數(shù)的90％或更多，并且平均粒子尺寸Dx(用氮吸附法測(cè)量的粒子尺寸)范圍為100-140nm。
本發(fā)明的拋光劑組合物中的膠態(tài)二氧化硅粒子團(tuán)的含量以SiO2濃度計(jì)為0.2-50重量％，優(yōu)選為1-30重量％。如果SiO2的濃度小于0.2重量％，對(duì)拋光的影響小，而如果SiO2的濃度大于50重量％，溶膠變得不穩(wěn)定。
盡管二氧化硅溶膠可在拋光鋁盤中用作堿性溶膠，更為優(yōu)選的是通過用陽離子交換處理堿性溶膠得到的溶膠，或者是通過添加水溶性酸性物質(zhì)如鹽酸、硫酸、硝酸、磷酸、醋酸或草酸而酸化得到的溶膠。
同樣，除此之外還可以使用硝酸鋁、硫酸鋁、氯化鋁、堿式硝酸鋁或堿式氨基磺酸鋁作為拋光加速劑，它們的含量以Al2O3的濃度計(jì)優(yōu)選為0.01-5.0重量％。如果該含量以Al2O3的濃度計(jì)小于0.01重量％，則對(duì)拋光的影響小，而如果大于5.0重量％，則二氧化硅溶膠變得不穩(wěn)定。
鐵化合物如硝酸鐵(III)、氯化鐵(III)、硫酸鐵(III)或硫酸鐵(III)鉀可以用作拋光加速劑，它們的含量以Fe2O3的濃度計(jì)優(yōu)選為0.01-5.0重量％。如果該含量以Fe2O3濃度計(jì)小于0.01重量％，則對(duì)拋光的加速作用小，而如果大于5.0重量％，則二氧化硅溶膠變得不穩(wěn)定。
另外，羧酸如馬來酸、酒石酸、檸檬酸、蘋果酸、葡糖酸或乳酸的含量?jī)?yōu)選為0.01-5.0重量％。如果含量低于0.1重量％，則其作為拋光加速劑和穩(wěn)定劑的作用小，而如果含量高于5.0重量％，則二氧化硅溶膠變得不穩(wěn)定。
此外，還可添加金屬鹽如硝酸鎳、硝酸氧鋯、硝酸鈰或鉬酸銨作為拋光加速劑。
在堿性二氧化硅溶膠經(jīng)過了陽離子交換處理或通過添加水溶性酸性物質(zhì)如鹽酸、硫酸、硝酸、醋酸或磷酸而酸化之后，可以如在拋光玻璃制硬盤的方法中那樣可使用之。
另外，還可以向本發(fā)明的拋光劑組合物中添加氧化鋁、氧化鋯、硅酸鋯、富鋁紅柱石、二氧化鈰、氧化鐵、三氧化二鉻、二氧化鈦或氧化錫，并且也可以添加水合氧化物如氫氧化鋁、勃姆石和針鐵礦以及非氧化物如金剛石、氮化硼、氮化硅和碳化硅。
也可以添加在拋光劑組合物中通常添加的水溶性醇類如乙醇、丙醇、乙二醇和丙二醇，表面活性劑如烷基苯磺酸鈉和福爾馬林縮合物，多陰離子系列的有機(jī)物質(zhì)如聚丙烯酸鹽，和纖維素類如纖維素、羥乙基纖維素和羧甲基纖維素。
鋁盤，使用的是在鋁基體上具有10μm厚的非電解Ni-P鍍層(非電解Ni-P鍍層的硬層由90-92％的Ni和8-10％的P構(gòu)成)的3.5-英寸φ的基體。將該基體進(jìn)行初始拋光至9.3的平均表面粗糙度。
玻璃制硬盤，使用的是由77.9重量％SiO2、17.3重量％的Al2O3、2.2重量％的ZrO2和1.6重量％的ZnO構(gòu)成的3.5-英寸φ的玻璃制基體。將該基體進(jìn)行初始拋光至7.3的平均表面粗糙度。
將由絨面型聚氨酯(POLITEX DG(商標(biāo))，18-英寸φ，由RodelNitta Co.制造)制成的拋光墊粘貼在LAPMASTER LM18S拋光機(jī)(Lapmaster SFT Corp.)的面板上，面向欲拋光的基體表面，在0.8kPa的負(fù)載下拋光基體。
面板和磁頭的轉(zhuǎn)數(shù)為每分鐘15轉(zhuǎn)，拋光劑組合物的供給速率為15ml/分鐘。將拋光處理過的工件取出，用純水清洗，然后干燥，用重量的減少來計(jì)算去除速率。用New View 100(Zygo Co.)來測(cè)量拋光表面的平均表面粗糙度(Ra)。用差示干涉顯微鏡觀察表面缺陷如凹坑和劃痕。
關(guān)于拋光試驗(yàn)中去除速率、平均表面粗糙度(Ra)和平均波度(Wa)的結(jié)果，鋁盤的見表2，玻璃制盤的見表3。
在目前的拋光試驗(yàn)中，鋁盤和玻璃制盤的拋光表面沒有如凹坑或劃痕的表面缺陷。
表1

表2

表3

在如表2所示的鋁盤的拋光方法中，將混有三種具有不同粒子尺寸分布的膠態(tài)二氧化硅粒子團(tuán)的拋光劑組合物(α)與具有單一粒子尺寸分布的拋光劑組合物(α1)和(α2)相比較，表明拋光劑組合物(α)的去除速率增加，平均波度小于3，并且去除速率與平均波度的比例增加超過兩倍，因此其具有優(yōu)異的拋光性能。
甚至在含有作為拋光加速劑的硝酸鋁的拋光劑組合物的情況下，將混有兩種或三種具有不同粒子尺寸分布的膠態(tài)二氧化硅粒子團(tuán)的拋光劑組合物(β)、(γ)和(δ)與由單一類型的二氧化硅溶膠構(gòu)成的拋光劑組合物(β1)相比較，表明拋光劑組合物(β)、(γ)和(δ)具有類似的拋光性能。
另外，含有作為拋光加速劑的硝酸鐵(III)的拋光劑組合物(ε)、(ζ)、(η)、(ε1)和(θ1)中的每一種均表現(xiàn)出比含有硝酸鋁作為拋光加速劑的拋光劑組合物的去除速率高過兩倍。此外，將其中具有不同粒子尺寸分布的兩種或三種膠態(tài)二氧化硅粒子團(tuán)的拋光劑組合物(ε)、(ζ)和(η)與僅由單一類型的二氧化硅溶膠構(gòu)成的拋光劑組合物(ε1)和(θ1)相比較，表明拋光劑組合物(ε)、(ζ)和(η)具有小于3的平均波度，并且去除速率與平均波度的比例增加超過兩倍，因此具有優(yōu)異的拋光性能。同樣，在含有乳酸的拋光劑組合物(η)的情況下，平均波度得到了改善。
在如表3所示的玻璃制硬盤的拋光中，將其中有三種具有不同粒子尺寸分布的膠態(tài)二氧化硅粒子團(tuán)的拋光劑組合物(θ)與具有單一粒子尺寸分布的拋光劑組合物(θ1)相比較，表明拋光劑組合物(θ)的去除速率得到了改善，平均波度小于3，并且去除速率與平均波度的比例增加超過兩倍，因此拋光劑組合物(θ)具有優(yōu)異的拋光性能。工業(yè)應(yīng)用由于記憶容量密度增加，對(duì)鋁盤和玻璃制盤的平均波度的要求更為嚴(yán)格，以致于盤在更高的速度下旋轉(zhuǎn)，并要求盤和磁頭之間的間隙減小。近來，人們需要具有小于3的平均波度的盤。
本發(fā)明的混有兩種或三種具有不同粒子尺寸分布的膠態(tài)二氧化硅粒子團(tuán)的拋光劑組合物可使拋光在高去除速率下進(jìn)行，平均波度得到改善，并提供平均波度小于3的拋光表面。
另外，本發(fā)明的含有作為拋光加速劑的鋁化合物和三價(jià)鐵化合物的拋光劑組合物提高了拋光鋁盤的去除速率，也改善了平均波度，得到了平均波度小于3的拋光表面。此外，含有羧酸如馬來酸、酒石酸、檸檬酸、蘋果酸、葡糖酸或乳酸的拋光劑組合物可提供類似的拋光表面。
如上所述，本發(fā)明的拋光劑組合物滿足了平均波度必須小于3的要求，另外由于去除速率增加，拋光步驟的生產(chǎn)率能得到改善，從而降低成本。
此外，由于本發(fā)明的拋光劑組合物能有效地提供高精度的光滑拋光表面，因此其也能用于光掩模用石英玻璃、水晶、在表面具有二氧化硅的基體如其上具有氧化硅膜的半導(dǎo)體設(shè)備、單硅的半導(dǎo)體晶片、化合物半導(dǎo)體如砷化鎵、磷化鎵或磷化銦的晶片、和用于多級(jí)連接基體的連接金屬如銅和鋁、氮化物膜和碳化物膜等的精密拋光，以及藍(lán)寶石、鉭酸鋰和鈮酸鋰等的單晶以及GMR磁頭的終拋光。
權(quán)利要求
1.一種含有二氧化硅溶膠的拋光鋁盤的拋光劑組合物，其含有在透射電子顯微鏡上觀察到的具有單一形態(tài)的初級(jí)粒子尺寸為80-120nm的粒子尺寸數(shù)值分布的膠態(tài)二氧化硅粒子團(tuán)，其占總粒子數(shù)的90％或更多，并且其平均粒子尺寸Da(用氮吸附法測(cè)量粒子尺寸)范圍為65-100nm(以下稱作膠態(tài)二氧化硅粒子團(tuán)(a))，和在透射電子顯微鏡上觀察到的具有單一形態(tài)的初級(jí)粒子尺寸為20-40nm的粒子尺寸數(shù)值分布的膠態(tài)二氧化硅粒子團(tuán)，其占總粒子數(shù)的90％或更多，并且其平均粒子尺寸Dc(用氮吸附法測(cè)量粒子尺寸)范圍為15-25nm(以下稱作膠態(tài)二氧化硅粒子團(tuán)(c))，其中所述組合物的Dc/Da比例為0.15-0.38，為混有SiO2的水分散穩(wěn)定二氧化硅溶膠，其中所述膠態(tài)二氧化硅粒子團(tuán)(a)與所述膠態(tài)二氧化硅粒子團(tuán)(c)的重量比W(a)/W(c)＝1/0.05-9.0，并且含有SiO2濃度為0.5-50重量％的膠態(tài)二氧化硅粒子。
2.一種含有二氧化硅溶膠的拋光鋁盤的拋光劑組合物，其含有在透射電子顯微鏡上觀察到的具有單一形態(tài)的初級(jí)粒子尺寸為80-120nm的粒子尺寸數(shù)值分布的膠態(tài)二氧化硅粒子團(tuán)，其占總粒子數(shù)的90％或更多，并且其平均粒子尺寸Da(用氮吸附法測(cè)量粒子尺寸)范圍為65-100nm(以下稱作膠態(tài)二氧化硅粒子團(tuán)(a))，在透射電子顯微鏡上觀察到的具有單一形態(tài)的初級(jí)粒子尺寸為20-40nm的粒子尺寸數(shù)值分布的膠態(tài)二氧化硅粒子團(tuán)，其占總粒子數(shù)的90％或更多，并且其平均粒子尺寸Dc(用氮吸附法測(cè)量粒子尺寸)范圍為15-25nm(以下稱作膠態(tài)二氧化硅粒子團(tuán)(c))，和在透射電子顯微鏡上觀察到的具有單一形態(tài)的初級(jí)粒子尺寸為5-15nm的粒子尺寸數(shù)值分布的膠態(tài)二氧化硅粒子團(tuán)，其占總粒子數(shù)的90％或更多，并且其平均粒子尺寸Dd(用氮吸附法測(cè)量粒子尺寸)范圍為8-12nm(以下稱作膠態(tài)二氧化硅粒子團(tuán)(d))，其中所述組合物的Dc/Da比例為0.15-0.38，Dd/Dc比例為0.26-0.80，為混有SiO2的水分散穩(wěn)定二氧化硅溶膠，其所述膠態(tài)二氧化硅粒子團(tuán)(a)、所述膠態(tài)二氧化硅粒子團(tuán)(c)和所述膠態(tài)二氧化硅粒子團(tuán)(d)的重量比W(a)/W(c)/W(d)＝1/0.05-9.0/0.01-1.4，并且含有SiO2濃度為0.5-50重量％的膠態(tài)二氧化硅粒子。
3.一種含有二氧化硅溶膠的拋光鋁盤的拋光劑組合物，其含有在透射電子顯微鏡上觀察到的具有單一形態(tài)的初級(jí)粒子尺寸為40-70nm的粒子尺寸數(shù)值分布的膠態(tài)二氧化硅粒子團(tuán)，其占總粒子數(shù)的90％或更多，并且其平均粒子尺寸Db(用氮吸附法測(cè)量粒子尺寸)范圍為35-50nm(以下稱作膠態(tài)二氧化硅粒子團(tuán)(b))，在透射電子顯微鏡上觀察到的具有單一形態(tài)的初級(jí)粒子尺寸為20-40nm的粒子尺寸數(shù)值分布的膠態(tài)二氧化硅粒子團(tuán)，其占總粒子數(shù)的90％或更多，并且其平均粒子尺寸Dc(用氮吸附法測(cè)量粒子尺寸)范圍為15-25nm(以下稱作膠態(tài)二氧化硅粒子團(tuán)(c))，或在透射電子顯微鏡上觀察到的具有單一形態(tài)的初級(jí)粒子尺寸為5-15nm的粒子尺寸數(shù)值分布的膠態(tài)二氧化硅粒子團(tuán)，其占總粒子數(shù)的90％或更多，并且其平均粒子尺寸Dd(用氮吸附法測(cè)量粒子尺寸)范圍為8-12nm(以下稱作膠態(tài)二氧化硅粒子團(tuán)(d))，其中所述組合物的Dc/Db比例為0.30-0.71，Dd/Db比例為0.16-0.34，為混有SiO2的水分散穩(wěn)定二氧化硅溶膠，其所述膠態(tài)二氧化硅粒子團(tuán)(c)或所述膠態(tài)二氧化硅粒子團(tuán)(d)和所述膠態(tài)二氧化硅粒子團(tuán)(b)的重量比W(b)/[W(c)或W(d)]＝1/0.05-9.0，并且含有SiO2濃度為0.5-50重量％的膠態(tài)二氧化硅粒子。
4.根據(jù)權(quán)利要求1、2或3的拋光鋁盤的拋光劑組合物，其中所述拋光劑組合物含有作為拋光加速劑的一種或多于兩種的以Al2O3計(jì)的濃度為0.01-5.0重量％的鋁化合物，該鋁化合物選自硝酸鋁、硫酸鋁、氯化鋁、堿式硝酸鋁和堿式氨基磺酸鋁。
5.根據(jù)權(quán)利要求1、2或3的拋光鋁盤的拋光劑組合物，其中所述拋光劑組合物含有作為拋光加速劑的一種或多于兩種的以Fe2O3計(jì)的濃度為0.01-5.0重量％的鐵化合物，該鐵化合物選自硝酸鐵(III)、氯化鐵(III)、硫酸鐵(III)和硫酸鐵(III)鉀[KFe(SO4)2]。
6.根據(jù)權(quán)利要求1、2、3、4或5的拋光鋁盤的拋光劑組合物，其中所述拋光劑組合物含有一種或多于兩種的濃度為0.01-5.9重量％的羧酸，該羧酸選自如馬來酸、酒石酸、檸檬酸、蘋果酸、葡糖酸和乳酸。
7.一種拋光表面具有二氧化硅的基體的拋光劑組合物，其含有在透射電子顯微鏡上觀察到的具有單一形態(tài)的初級(jí)粒子尺寸為80-120nm的粒子尺寸數(shù)值分布的膠態(tài)二氧化硅粒子團(tuán)，其占總粒子數(shù)的90％或更多，并且其平均粒子尺寸Da(用氮吸附法測(cè)量粒子尺寸)范圍為65-100nm(以下稱作膠態(tài)二氧化硅粒子團(tuán)(a))，和在透射電子顯微鏡上觀察到的具有單一形態(tài)的初級(jí)粒子尺寸為20-40nm的粒子尺寸數(shù)值分布的膠態(tài)二氧化硅粒子團(tuán)，其占總粒子數(shù)的90％或更多，并且其平均粒子尺寸Dc(用氮吸附法測(cè)量粒子尺寸)范圍為15-25nm(以下稱作膠態(tài)二氧化硅粒子團(tuán)(c))，其中所述組合物的Dc/Da比例為0.15-0.38，為混有SiO2的水分散穩(wěn)定二氧化硅溶膠，其中所述膠態(tài)二氧化硅粒子團(tuán)(a)與所述膠態(tài)二氧化硅粒子團(tuán)(c)的重量比W(a)/W(c)＝1/0.05-9.0，并且含有SiO2濃度為0.5-50重量％的膠態(tài)二氧化硅粒子。
8.一種拋光表面具有二氧化硅的基體的拋光劑組合物，其含有在透射電子顯微鏡上觀察到的具有單一形態(tài)的初級(jí)粒子尺寸為80-120nm的粒子尺寸數(shù)值分布的膠態(tài)二氧化硅粒子團(tuán)，其占總粒子數(shù)的90％或更多，并且其平均粒子尺寸Da(用氮吸附法測(cè)量粒子尺寸)范圍為65-100nm(以下稱作膠態(tài)二氧化硅粒子團(tuán)(a))，在透射電子顯微鏡上觀察到的具有單一形態(tài)的初級(jí)粒子尺寸為20-40nm的粒子尺寸數(shù)值分布的膠態(tài)二氧化硅粒子團(tuán)，其占總粒子數(shù)的90％或更多，并且其平均粒子尺寸Dc(用氮吸附法測(cè)量粒子尺寸)范圍為15-25nm(以下稱作膠態(tài)二氧化硅粒子團(tuán)(c))，和在透射電子顯微鏡上觀察到的具有單一形態(tài)的初級(jí)粒子尺寸為5-15nm的粒子尺寸數(shù)值分布的膠態(tài)二氧化硅粒子團(tuán)，其占總粒子數(shù)的90％或更多，并且其平均粒子尺寸Dd(用氮吸附法測(cè)量粒子尺寸)范圍為8-12nm(以下稱作膠態(tài)二氧化硅粒子團(tuán)(d))，其中所述組合物的Dc/Da比例為0.15-0.38，Dd/Dc比例為0.26-0.80，為混有SiO2的水分散穩(wěn)定二氧化硅溶膠，其所述膠態(tài)二氧化硅粒子團(tuán)(a)、所述膠態(tài)二氧化硅粒子團(tuán)(c)和所述膠態(tài)二氧化硅粒子團(tuán)(d)的重量比W(a)/W(c)/W(d)＝1/0.05-9.0/0.01-1.4，并且含有SiO2濃度為0.5-50重量％的膠態(tài)二氧化硅粒子。
9.一種拋光表面具有二氧化硅的基體的拋光劑組合物，其含有在透射電子顯微鏡上觀察到的具有單一形態(tài)的初級(jí)粒子尺寸為40-70nm的粒子尺寸數(shù)值分布的膠態(tài)二氧化硅粒子團(tuán)，其占總粒子數(shù)的90％或更多，并且其平均粒子尺寸Db(用氮吸附法測(cè)量粒子尺寸)范圍為35-50nm(以下稱作膠態(tài)二氧化硅粒子團(tuán)(b))，在透射電子顯微鏡上觀察到的具有單一形態(tài)的初級(jí)粒子尺寸為20-40nm的粒子尺寸數(shù)值分布的膠態(tài)二氧化硅粒子團(tuán)，其占總粒子數(shù)的90％或更多，并且其平均粒子尺寸Dc(用氮吸附法測(cè)量粒子尺寸)范圍為15-25nm(以下稱作膠態(tài)二氧化硅粒子團(tuán)(c))，或在透射電子顯微鏡上觀察到的具有單一形態(tài)的初級(jí)粒子尺寸為5-15nm的粒子尺寸數(shù)值分布的膠態(tài)二氧化硅粒子團(tuán)，其占總粒子數(shù)的90％或更多，并且其平均粒子尺寸Dd(用氮吸附法測(cè)量粒子尺寸)范圍為8-12nm(以下稱作膠態(tài)二氧化硅粒子團(tuán)(d))，其中所述組合物的Dc/Db比例為0.30-0.71，Dd/Db比例為0.16-0.34，為混有SiO2的水分散穩(wěn)定二氧化硅溶膠，其所述膠態(tài)二氧化硅粒子團(tuán)(c)或所述膠態(tài)二氧化硅粒子團(tuán)(d)和所述膠態(tài)二氧化硅粒子團(tuán)(b)的重量比W(b)/[W(c)或W(d)]＝1/0.05-9.0，并且含有SiO2濃度為0.5-50重量％的膠態(tài)二氧化硅粒子。
全文摘要
對(duì)于鋁盤和玻璃制硬盤，需要的是平均波度小于3的那些盤，以提高記憶容量密度。本發(fā)明提供能使盤具有光滑拋光表面的拋光劑組合物。該拋光劑組合物為拋光鋁盤或表面具有二氧化硅的基體的拋光劑組合物，其含有具有不同粒子尺寸分布的膠態(tài)二氧化硅粒子團(tuán)，并且SiO
文檔編號(hào)B82Y10/00GK1434846SQ01809394
公開日2003年8月6日 申請(qǐng)日期2001年5月7日 優(yōu)先權(quán)日2000年5月12日
發(fā)明者太田勇夫, 西村透, 山田元 申請(qǐng)人:日產(chǎn)化學(xué)工業(yè)株式會(huì)社