專利名稱：光學(xué)平臺及其制造方法、光學(xué)組件、硅晶片基板及晶片的制作方法
技術(shù)領(lǐng)域：
本發(fā)明涉及例如用于搭載光學(xué)部件的基飯、以及其制造方法等，更詳細(xì)地說，涉及在其上形成布線，并加工出規(guī)定的槽的基飯、以及其制造方法等。
背景技術(shù)：
近年來，伴隨著光通訊技術(shù)的快速發(fā)展，例如對用于網(wǎng)絡(luò)的各種部件、器件、以及采用了它們的光學(xué)組件的使用得到提高，并進(jìn)行了活躍的研究。特別是，經(jīng)適當(dāng)?shù)亟M合光纖維、透鏡、激光二極管等部件而成的組件作為其基本元件被廣泛利用。
作為這樣的光學(xué)組件的原有技術(shù)，例如，公布了在Si基板上設(shè)置槽，將球狀的透鏡定位于該槽上而固定下來，或者，在Si基板上形成有規(guī)定布線的光學(xué)組件，例如，參照專利文獻(xiàn)1-特開2002-162542號公報(第3～4頁，圖10)。作為這種組件存在好幾種形態(tài)，其中以作為三維加工技術(shù)的微切削加工(MEMS)在Si晶片上形成槽，在這些槽中固定埋入光纖維或透鏡的方式作為大量生產(chǎn)中優(yōu)越的方法而引人注目。通過該MEMS形成的光學(xué)組件用基板被稱作硅光學(xué)平臺(平臺、光學(xué)平臺)，成為一個關(guān)鍵的器件。
以硅晶片為材料的光學(xué)平臺，由于能夠通過晶片單體的處理來形成而大量生產(chǎn)，然而，在搭載了伴有激光二極管等的布線的部件的場合，卻伴隨著制造過程上的困難。即，布線一般是通過濺射等做成金屬的薄膜來形成，通過對這些薄膜進(jìn)行光刻蝕等形成圖案來制作，然而，由于利用刻蝕來進(jìn)行的Si槽加工用了氫氧化鉀(KOH)等強(qiáng)堿，在前面形成布線的場合，布線材料的金屬被腐蝕。由于抗蝕劑等的保護(hù)膜也對強(qiáng)堿沒有足夠的耐腐蝕性，從而要得到完全保護(hù)是有困難的。因此，實際上是在槽加工后來形成布線。
圖6所示的是現(xiàn)有的平臺制作過程的大致流程圖。首先，在步驟301準(zhǔn)備好的Si晶片上涂上抗蝕劑(步驟302)，蓋上掩模進(jìn)行槽部分的圖案形成(步驟303)。然后，通過氟酸刻蝕去除二氧化硅的膜(步驟304)。再將剩余的SiO2作為掩模施以用強(qiáng)堿的各異性濕刻蝕的KOH深槽加工(步驟305)，在Si晶片上以深刻蝕形成用于安裝光學(xué)部件的槽。
在進(jìn)行該槽加工的場合，槽的外周緣刻蝕成下挖狀，因此氧化膜剩余成變化狀。由于該剩下的氧化膜對涂抹抗蝕劑時的抗蝕劑的流動產(chǎn)生不好的影響，所以通過氟酸處理將氧化膜除去(步驟306)。其結(jié)果，Si晶片表面上的氧化膜全部被除去，為了布線加工再次形成氧化膜(步驟307)。然后，進(jìn)行Ti濺射(步驟308)、Pt濺射(步驟309)、金濺射(步驟310)，經(jīng)過涂抹抗蝕劑(步驟311)、圖案形成(步驟312)，進(jìn)行Au/Pt/Ti刻蝕(步驟313)，在進(jìn)行過槽加工的Si晶片上形成布線。另外，在本例中，以Au/Pt/Ti三層濺射薄膜形成布線，Pt/Ti成為Au粘接到Si上的粘接層。但是，實際上，在該導(dǎo)體布線以外還根據(jù)需要適當(dāng)?shù)匦纬蒚aN等的阻抗膜、以及Au-Sn膜等的高溫焊劑接合區(qū)等，或者，進(jìn)行圖案形成。
然而，在如圖6所示那樣的平臺制作過程中，如前所述，需要進(jìn)行在Si晶片上存在槽的狀態(tài)下用于布線圖案刻蝕的涂抹抗蝕劑、曝光等工程。為此，涂抹效率很低，同時，線形的精度低，導(dǎo)致低的合格率以及低的布線精度。例如，合格率不足50％，布線精度的公差為±5～10μm左右。
另外，為了布線加工，使用了在表面形成了氧化膜的被稱之為帶氧化膜的晶片，但在進(jìn)行槽加工場合，如前所述，槽的外周緣被刻蝕成下挖狀，因此氧化膜剩余成變化狀。由于該剩余的氧化膜對涂抹抗蝕劑時的抗蝕劑流動產(chǎn)生不良影響，如圖6的步驟306所述那樣，需要通過氟酸處理來去除。因此，由于通過氟酸處理，晶片面上的氧化膜全部被除去，為了進(jìn)行布線加工，如圖6的步驟307所述那樣，需要再次形成氧化膜。由于這需要例如1100℃的高溫?zé)崽幚恚蔀橹圃煨实偷闹饕?。另外，因該再次氧化，有可能例如在刻蝕部位產(chǎn)生微小的變化。再有，布線膜的形成全部是通過濺射等薄膜制備過程來進(jìn)行的，因此在生產(chǎn)效率方面不夠理想。

發(fā)明內(nèi)容
本發(fā)明是為了解決以上那種技術(shù)課題而產(chǎn)生的，其目的是明顯提高在基板上加工槽及布線時的效率及合格率，并縮短工時。
另外，其它的目的是在光學(xué)平臺中使布線精度得到提高。
為實現(xiàn)上述目的，在本發(fā)明中，由電鍍進(jìn)行布線的形成，同時，該布線加工是在槽加工前在晶片表面附著有氧化膜的狀態(tài)下來進(jìn)行。即，本發(fā)明是搭載有光學(xué)部件的光學(xué)平臺的制造方法，它包含利用無電解電鍍在基板上形成金屬覆蓋膜的布線圖案的電鍍工程；通過濕處理對以該電鍍工程形成了布線圖案的基板實施槽加工的槽加工工程。
在這里，該電鍍工程以通過無電解電鍍形成布線圖案為特征的話，例如，能夠?qū)⒎磻?yīng)速度設(shè)定成很低，由于得到了剩余畸變小、均勻性高的膜，這是所希望的。這樣，由于得到了與在濺射膜中的微孔膜等不同的致密的膜質(zhì)，從而不會產(chǎn)生細(xì)孔腐蝕等對膜的損傷。因此，能夠得到含有耐堿性的金屬所具有的本來的耐腐蝕性。另外，該電鍍工程包括數(shù)個電鍍工程，該數(shù)個電鍍工程之中的至少一個工程以無掩模在圖案上進(jìn)行無電解電鍍?yōu)樘卣鞯脑?，例如，對能夠以同一圖案進(jìn)行沉積的后續(xù)的層來說，與多層膜相比能夠易于進(jìn)行刻蝕作業(yè)，尺寸精度高。
再有，該槽加工工程能夠?qū)σ怨杈瑸椴牧系幕逋ㄟ^用了濕處理的微切削加工來形成槽為特征。更詳細(xì)地說，該槽加工工程對由電鍍工程形成有布線的基板除去槽部分的氧化膜，通過將該基板浸泡在強(qiáng)堿性溶液中來對除去了氧化膜的部分形成槽為特征的話，例如，就可能將預(yù)先在晶片表面形成的氧化膜作為掩模來形成槽部分。
另外，以還包括，在利用電鍍工程在所形成的布線圖案上涂上保護(hù)膜的保護(hù)膜形成工程；和在經(jīng)過槽加工工程后，除去保護(hù)膜的保護(hù)膜除去工程為特征的話，在通過強(qiáng)堿對Si基板進(jìn)行槽加工時，能夠使布線得到更加堅強(qiáng)的耐腐蝕性。特別是，作為該保護(hù)膜形成工程，假如是含有鎳的金屬的話，從強(qiáng)的耐堿性來說是優(yōu)良的。但是，不形成該保護(hù)膜也能夠達(dá)到本發(fā)明的目的。
另一方面，應(yīng)用了本發(fā)明的光學(xué)平臺包括，形成有用于搭載光學(xué)部件的槽的基板；和設(shè)在該基板上、通過對強(qiáng)堿性溶液有耐腐蝕性的電鍍所形成的金屬覆蓋膜的布線圖案。在這里，該布線圖案以例如含有金電鍍膜和鎳磷電鍍膜的兩層膜，特別是含有鎳磷電鍍膜為特征的話，從成膜性、導(dǎo)電性、耐腐蝕性等的點看來用作電極用布線是較好的。另外，該鎳磷電鍍膜以磷濃度在10％以上為特征的話，例如通過更接近非磁性，適合用于例如光學(xué)組件中激光二極管用布線等高頻布線。再有，使磷的濃度在12％以上的話，能夠使之實質(zhì)上處于非磁性狀態(tài)，從而是特別優(yōu)良的。
從其他的觀點來看的話，應(yīng)用了本發(fā)明的光學(xué)組件包括，在形成槽的同時，形成有對強(qiáng)堿性溶液具有耐腐蝕性的鍍膜的布線圖案的光學(xué)平臺；定位在該光學(xué)平臺的槽中而搭載的光學(xué)部件；設(shè)在該光學(xué)平臺上、介由布線圖案而被驅(qū)動的驅(qū)動部件。
另外，應(yīng)用了本發(fā)明、形成有布線以及槽的硅晶片基板，其特征在于備有，硅晶片基板；形成于該硅晶片基板上的布線圖案；形成于該硅晶片上的深槽，深槽的內(nèi)部沒有形成自然氧化膜以外的氧化膜。作為該深槽的內(nèi)部，在例如經(jīng)過高溫處理強(qiáng)制地氧化的過程的場合，形成有例如數(shù)微米量級的氧化膜，但假如是自然氧化膜的話，則形成充其量為毫微級的氧化膜。在沒有經(jīng)過強(qiáng)制的氧化工程的場合，例如在刻蝕部分沒有殘留變化等從而是優(yōu)良的。另外，該布線圖案能夠以通過對強(qiáng)堿性溶液有耐腐蝕性的無電解電鍍膜形成，或者包含鎳磷鍍膜。
另一方面，在本發(fā)明中，作為這些基板實際使用的方式有通過刻模等在硅平臺等切出單個器件芯片的狀態(tài)和在切出各片之前的晶片狀態(tài)。即，本發(fā)明是備有數(shù)個作為光學(xué)平臺的單片芯片在切出單片芯片前的晶片，其特征在于該單片芯片具備，通過對強(qiáng)堿性溶液具有耐腐蝕性的鍍膜所形成的金屬覆蓋膜的布線圖案；和用于搭載光學(xué)部件的槽。
在這里，形成于該單片芯片上的布線圖案的特征在于，它是通過利用無電解電鍍膜的電鍍工程所形成，形成于單片芯片上的槽是將形成有該布線圖案的基板浸泡在強(qiáng)堿性溶液中，通過利用濕式處理施以槽加工的槽加工工程所形成。另外，在該單片芯片上形成槽的槽加工工程的特征在于，在對形成槽的區(qū)域除去氧化膜后，將基板浸泡在強(qiáng)堿性溶液中。
這樣，采用本發(fā)明，在基板上進(jìn)行槽加工以及布線時，能夠使制造過程的效率飛躍提高，并能提高合格率和縮短工程時間。


圖1(a)、(b)是表示應(yīng)用了本實施方式的光學(xué)平臺的結(jié)構(gòu)的圖。
圖2表示在光學(xué)平臺上形成有布線的截面結(jié)構(gòu)的圖。
圖3用于說明光學(xué)平臺的制造工程的圖。
圖4用于說明光學(xué)平臺的制造工程的圖。
圖5表示應(yīng)用了本實施方式的光學(xué)組件的一個例子的圖。
圖6表示原有的平臺制作過程的大致流程的圖。
圖7表示本實施方式中切出光學(xué)平臺前的晶片狀態(tài)的圖。
圖8表示利用濺射法形成布線的原來的方法所得到的結(jié)果物的狀態(tài)的例子。
圖9表示通過本實施方式所形成的光學(xué)平臺的狀態(tài)的例子。
具體實施例方式
以下基于附圖所示的實施方式來詳細(xì)說明本發(fā)明。
圖1(a)、(b)是表示應(yīng)用了本實施方式的光學(xué)平臺的結(jié)構(gòu)的圖。圖1(a)是光學(xué)平臺的俯視圖，圖1(b)是光學(xué)平臺的側(cè)視圖。應(yīng)用了本實施方式的光學(xué)平臺(硅光學(xué)平臺)10在硅晶片的Si基板11上形成有用于例如定位搭載透鏡等光學(xué)部件的作為深槽的槽12。另外，在Si基板11上形成有由規(guī)定形狀組成的布線13。在本實施方式中，特征之處在于該布線13是由電鍍來形成的。再有，在本實施方式中，在后述的制造工程中，在將布線13形成于Si基板11上之后，再形成槽12。結(jié)果，本實施方式的特征還在于，在形成槽12后不進(jìn)行再氧化處理，在槽12中不形成氧化膜(SiO2)。即，在例如以1100℃的高溫強(qiáng)制地再氧化的原來的技術(shù)中，在槽12的部分形成有2～3微米(數(shù)微米量級)的氧化膜，但在本實施方式中，不形成該氧化膜。但是，即使在不強(qiáng)制地再氧化的本實施方式中，也在槽12的部分形成作為單原子量級的納米(nm)量級的自然氧化而得到的氧化膜。
圖2是表示在光學(xué)平臺10上形成有布線13的截面結(jié)構(gòu)的圖。在這里，在附著有氧化膜的Si基板11上，成為粘接層的鎳膜/鉻膜(Ni/Cr膜)21是由濺射連續(xù)成膜。在它上面形成有通過無電解電鍍所沉積的例如磷濃度為13％的鎳磷膜(Ni-P膜)22。在該Ni-P膜22的上面設(shè)有通過無電解電鍍以0.5μm厚度形成的金膜(Au膜)23，這樣來制作布線13。該布線13的尺寸精度在±3μm以內(nèi)。還有，在圖2所示的例子中，在形成了金電鍍膜的Au膜23后，對布線13，作為對用于形成槽12的KOH的保護(hù)膜，通過無電解電鍍鍍上厚2μm的鎳保護(hù)膜(Ni保護(hù)膜)24。但是，也不一定非要形成該鎳保護(hù)膜24。
在以現(xiàn)有技術(shù)的濺射等的薄膜來形成布線13的場合，膜中存在微孔和針孔，因此，由于在浸泡在KOH等刻蝕液時發(fā)生微孔腐蝕等腐蝕反應(yīng)，所以耐久性降低。在本實施方式中，通過將此置換成致密的電鍍膜，能夠大幅降低該腐蝕反應(yīng)，得到金屬本來具有的耐腐蝕性。這樣，就能夠在布線13形成后進(jìn)行槽12的加工。
作為用于該布線13的電鍍材料，從成膜性、導(dǎo)電性以及耐腐蝕性來考慮，適宜于使用用作一般電極布線用的是在無電解電鍍中所使用的Au膜23以及Ni-P膜22的雙層膜。特別是，由于鎳磷中磷的濃度高而接近于非磁性，所以對例如光學(xué)組件中的激光二極管用布線等高頻布線用來說是優(yōu)良的。具體地說，磷的濃度在10％以上較好，特別是在12％以上則能夠使之處于實際的非磁性狀態(tài)。
另外，如前所述，由于利用無電解電鍍、金電鍍得到致密且均勻的布線膜，所以雖然以其自身就能夠耐強(qiáng)堿刻蝕對Si的加工，通過在它之上設(shè)置作為保護(hù)膜的Ni保護(hù)膜24，就確保了可靠的耐腐蝕性。作為保護(hù)膜材料有各種各樣的，在該場合從耐強(qiáng)堿性來說也適宜于無電解電鍍鎳膜的表面鍍層。還有，如前所述，也不一定非要形成該鎳保護(hù)膜24。
其次就應(yīng)用了本實施方式的光學(xué)平臺10的制造方法加以說明。
圖3以及圖4是用于說明光學(xué)平臺10的制造工程的圖。首先，準(zhǔn)備好在表面形成有氧化膜的Si基板11后，如圖3(a)所示，進(jìn)行Cr濺射和Ni濺射，形成作為粘接層的Ni/Cr膜21。在該Ni/Cr膜21的形成工程中，例如，通過濺射使Ni膜和Cr膜各連續(xù)成膜0.1μm。其次，如圖3(b)所示，通過無電解電鍍形成例如3μm厚度的Ni-P膜22。接下來，如圖3(c)所示，涂抹上抗蝕劑31。然后，如圖3(d)所示，用掩模板進(jìn)行圖案刻蝕(形成圖案)。然后，如圖3(e)所示，利用鹽酸對Ni-P膜22以及Ni/Cr膜21進(jìn)行刻蝕，形成布線13的基本圖案。然后，剝離抗蝕劑31。
其次，在抗蝕劑31被剝離的Ni-P膜22上，如圖3(f)所示那樣，在該基本圖案上利用無電解電鍍形成例如0.5μm厚的Au膜23，來制作布線13。在該Au無電解電鍍工程中，在圖案上以無掩模進(jìn)行無電解電鍍。這樣，在本實施方式中，作為這些電鍍方法，通過使用無電解電鍍，把反應(yīng)速度設(shè)定成很低，就得到了剩余畸變小且均勻性高的膜，有效地防止了因應(yīng)力集中造成地加速腐蝕。另外，用無電解電鍍沉積多層的膜的場合，僅刻蝕第一層來刻蝕出圖案，后續(xù)的層可以在它上面以同一圖案沉積。結(jié)果，與多層膜的場合相比能夠使刻蝕作業(yè)易于進(jìn)行，另外尺寸精度也得以提高，從而能夠使制作效率提高。
用圖4來進(jìn)一步說明制造工程，如前所述那樣制作布線13后，在進(jìn)入用KOH等強(qiáng)堿形成深槽工程之前，如圖4(g)所示那樣，能夠包括進(jìn)行用于保護(hù)布線13的Ni無電解電鍍處理，鍍上例如2μm的Ni保護(hù)膜24的工程。然后，以除去氧化膜(SiO2)為目的，如圖4(h)所示那樣實行涂抹抗蝕劑和圖案形成。其次，在圖4(i)所示那樣的氟酸刻蝕工程中，槽12與形成的圖案吻合，用氟酸把前面在Si基板11上形成的氧化膜除去。然后，在抗蝕劑被除去后，如圖4(j)所示那樣，進(jìn)行用了強(qiáng)堿KOH的各向異性刻蝕，形成搭載透鏡用的槽12。這時，利用KOH在布線13的表面產(chǎn)生若干斑點狀的腐蝕，但是其程度較輕，不會對實用產(chǎn)生障礙。最后，如圖4(k)所示，浸泡在硫酸/硫酸亞鐵溶液中把Ni保護(hù)膜24除去，完成光學(xué)平臺10。在除去Ni保護(hù)膜24后的布線膜方面，在發(fā)明者等的研究中，完全沒有發(fā)生腐蝕。另外，除去Ni保護(hù)膜24時沒有因硫酸/硫酸亞鐵溶液浸泡對Si的腐蝕。再有，布線精度可以在±3μm以內(nèi)。這樣，在本實施方式中，由于布線13的加工在槽12的加工前，即，在Si基板11的晶片表面附著了氧化膜的狀態(tài)下進(jìn)行，所以，不需要以前所必需的高溫氧化處理，能夠顯著縮短工程時間。
還有，在該圖4(j)所示的KOH的加工工程中，例如，通過使氫氧化鉀水溶液的濃度在40wt％(60℃)、刻蝕時間為33個小時，就能夠形成例如0.8mm的槽12。另外，假如容許在加工面產(chǎn)生某種程度的粗糙，作為堿系的刻蝕液，除KOH外，也可以使用例如TMAH(氫氧化四甲基銨)等。
另外，如前所述，圖4(k)所示的Ni保護(hù)膜24的除去是用不會對Si基板11以及Au膜23產(chǎn)生損傷的刻蝕液，例如硫酸系的刻蝕液來進(jìn)行。在設(shè)有規(guī)定的阻抗膜或高溫焊劑接合區(qū)等的場合，也可以使它們合并同樣形成保護(hù)膜并除去。但是，這些阻抗膜等也可以是在槽12加工后通過印刷法來形成。
還有，在圖3以及圖4所示的制造工程是如下構(gòu)成的，通過圖3(f)所示的Au無電解電鍍工程形成了Au膜23后，在圖4(g)所示的Ni無電解電鍍工程形成作為對KOH的保護(hù)膜的厚2μm的Ni保護(hù)膜24，在圖4(k)所示的Ni保護(hù)膜除去工程中除去Ni保護(hù)膜24。然而，除該Ni保護(hù)膜24的形成工程外，在去除圖4(g)以及圖4(k)所示的工程的場合也能夠得到良好的結(jié)果。
圖5(a)、(b)是表示應(yīng)用了本實施方式的光學(xué)組件的一個例子的圖。圖5所示的光學(xué)組件50在光學(xué)平臺10的槽12內(nèi)搭載了作為光學(xué)部件的例如為石英制的透鏡51。另外，在光學(xué)平臺10的布線13上安裝有作為驅(qū)動部件的激光二極管52。在圖5所示的光學(xué)組件50的實例中，在將激光二級管52安裝到布線13上的規(guī)定位置后，透鏡51就被定位。然后，用粘接劑將透鏡51固定在Si基板11上。在本實施方式中，由于通過上述作業(yè)工程制作光學(xué)平臺，布線13的精度高至±3μm以內(nèi)，結(jié)果，可以提高光學(xué)組件50中組裝時的整合性。還有，作為搭載在光學(xué)組件50上的其它光學(xué)部件/驅(qū)動部件有光纖、反射鏡、濾色鏡、開關(guān)等。
圖7是示意本實施方式中切出光學(xué)平臺10前的晶片狀態(tài)的圖。如圖7所示，在晶片60上配置有數(shù)個切出前的單個的芯片61(光學(xué)平臺10)。作為提供給使用者的方式，除了如前所述的芯片61的狀態(tài)的光學(xué)平臺器件外，還有提供加工結(jié)束后的晶片60的狀態(tài)。在該場合，得到晶片60的使用者一方在使用前將其切成單個芯片61。
如上詳細(xì)所述，采用本實施方式，首先，通過不以濺射或薄膜而是以電鍍工程來形成布線13，就能夠提高產(chǎn)量，能夠在成本方面得到較大的益處。另外，除此之外，由于在布線13加工后實施槽12的加工，所以能夠提高制作過程的合格率，從而提高產(chǎn)量。即，在圖6所示的流程的現(xiàn)有技術(shù)的制作過程中，合格率在50％以下，而在圖3以及圖4所示的本實施方式的制作過程中，能夠把合格率提高到75％以上。再有，不形成Ni保護(hù)膜24，在除去圖4(g)以及圖4(k)所示的工程的實施方式中，能夠使合格率達(dá)80％以上。這樣，在本實施方式的制作過程中，由于將濺射替換成電鍍，以及不需要高溫氧化處理，所以工程時間被大幅縮短，處理一枚晶片所需要的時間約縮短到3/5，另外，在不形成Ni保護(hù)膜24的實施方式中，能夠?qū)r間縮短至約1/2。另外，如上那樣形成的本實施方式的光學(xué)平臺10，在槽12的部分，除納米量級的自然氧化膜以外，沒有產(chǎn)生厚的氧化膜。另外，由于槽12的拐角部分不產(chǎn)生SiO2的畸變，所以能夠不要原來那樣在剩余畸變時用于去除畸變的特別的工程。
圖8以及圖9是用于說明用本實施方式所形成的光學(xué)平臺10的狀態(tài)的圖。圖8是表示利用濺射法形成布線的現(xiàn)有的方法所得到的結(jié)果物的狀態(tài)的例子。在所形成的布線71的金屬膜中，存在微孔和針孔等缺陷72。將這樣的布線71浸泡在KOH等強(qiáng)堿刻蝕液中的話，就會產(chǎn)生微孔腐蝕等缺陷。另一方面，圖9是表示通過本實施方式所形成的光學(xué)平臺的狀態(tài)的例子。在本實施方式中，由于布線13的形成是通過電鍍來形成的，所以在布線金屬膜中不存在微孔和針孔等，能夠得到接近堆金屬的膜質(zhì)。結(jié)果，能夠得到金屬固有的高耐腐蝕性，即使在浸泡在KOH等強(qiáng)堿刻蝕液中的場合也不會產(chǎn)生微孔腐蝕等缺陷。這樣，就能夠在用了強(qiáng)堿的濕式處理的深槽形成前來形成布線，能夠使光學(xué)平臺的制造工程簡單化。
本發(fā)明地上述制造方法除用于搭載光學(xué)部件的光學(xué)平臺，硅晶片基板、配置了單片的芯片的晶片之外，還可以應(yīng)用于其他方面。
權(quán)利要求
1.一種光學(xué)平臺的制造方法，是搭載有光學(xué)部件的光學(xué)平臺的制造方法，它包含利用無電解電鍍在基板上形成金屬覆蓋膜的布線圖案的電鍍工程；通過濕處理對以上述電鍍工程形成了上述布線圖案的上述基板實施槽加工的槽加工工程。
2.如權(quán)利要求1所述的光學(xué)平臺制造方法，其特征在于上述電鍍工程通過無電解電鍍來形成上述布線圖案。
3.如權(quán)利要求1所述的光學(xué)平臺制造方法，其特征在于上述電鍍工程包含數(shù)個電鍍工程，該數(shù)個電鍍工程之中至少一個工程在上述布線圖案上以無掩模實施無電解電鍍處理。
4.如權(quán)利要求1所述的光學(xué)平臺制造方法，其特征在于上述槽加工工程對以硅晶片為材料的上述基板通過用了濕處理的微切削加工來形成槽。
5.如權(quán)利要求1所述的光學(xué)平臺制造方法，其特征在于上述槽加工工程對由上述電鍍工程形成有上述布線圖案的基板除去槽部分的氧化膜，通過將該基板浸泡在強(qiáng)堿性溶液中來對除去了該氧化膜的部分形成槽。
6.如權(quán)利要求1所述的光學(xué)平臺制造方法，其特征在于還包括，在利用上述電鍍工程所形成的上述圖案上涂上保護(hù)膜的保護(hù)膜形成工程；和在經(jīng)過上述槽加工工程后，除去上述保護(hù)膜的保護(hù)膜除去工程。
7.如權(quán)利要求6所述的光學(xué)平臺制造方法，其特征在于上述保護(hù)膜形成工程形成含鎳的金屬的保護(hù)膜。
8.一種光學(xué)平臺，其特征在于包括，形成有用于搭載光學(xué)部件的槽的基板；和設(shè)在上述基板上、通過對強(qiáng)堿性溶液有耐腐蝕性的電鍍所形成的金屬覆蓋膜的布線圖案。
9.如權(quán)利要求8所述的光學(xué)平臺，其特征在于上述布線圖案包含鎳磷鍍膜。
10.如權(quán)利要求8所述的光學(xué)平臺，其特征在于在上述布線圖案中的鎳磷鍍膜其磷濃度在10％以上。
11.如權(quán)利要求8所述的光學(xué)平臺，其特征在于上述布線圖案包含金鍍膜。
12.一種光學(xué)組件，其特征在于包括，在形成槽的同時，形成有對強(qiáng)堿性溶液具有耐腐蝕性的鍍膜的布線圖案的光學(xué)平臺；定位在上述光學(xué)平臺的上述槽而搭載的光學(xué)部件。
13.如權(quán)利要求12所述的光學(xué)組件，其特征在于還包括介由設(shè)置在上述光學(xué)平臺上的上述布線圖案而被驅(qū)動的驅(qū)動部件。
14.一種形成有布線圖案以及槽的硅晶片基板，其特征在于備有，硅晶片基板；形成于上述硅晶片上的布線圖案；形成于上述硅晶片上的深槽，上述深槽的內(nèi)部沒有形成自然氧化膜以外的氧化膜。
15.如權(quán)利要求14所述的硅晶片基板，其特征在于上述深槽的內(nèi)部沒有形成數(shù)微米量級的上述氧化膜。
16.如權(quán)利要求14所述的硅晶片基板，其特征在于上述布線圖案是通過對強(qiáng)堿性溶液有耐腐蝕性的無電解電鍍膜形成。
17.如權(quán)利要求14所述的硅晶片基板，其特征在于上述布線圖案包含鎳磷鍍膜。
18.一種晶片，是備有數(shù)個作為光學(xué)平臺的單片芯片在切出該單片芯片前的晶片，其特征在于上述單片芯片具備，通過對強(qiáng)堿性溶液具有耐腐蝕性的鍍膜所形成的金屬覆蓋膜的布線圖案；和用于搭載光學(xué)部件的槽。
19.如權(quán)利要求14所述的硅晶片基板，其特征在于形成于上述單片芯片上的上述布線圖案是通過利用無電解電鍍膜的電鍍工程所形成，形成于上述單片芯片上的上述槽是將形成有該布線圖案的基板浸泡在強(qiáng)堿性溶液中通過利用濕式處理施以槽加工的槽加工工程所形成。
20.如權(quán)利要求19所述的硅晶片，其特征在于在上述單片芯片上形成上述槽的上述槽加工工程在對形成該槽的區(qū)域除去氧化膜后，將上述基板浸泡在上述強(qiáng)堿性溶液中。
全文摘要
在形成搭載有光學(xué)部件的槽的槽加工以及形成有布線的光學(xué)平臺中，使制作過程的效率飛躍提高，提高合格率以及縮短工程時間。備有Si基板(11)、設(shè)在該Si基板(11)上、用于搭載光學(xué)部件的槽(12)、以及用于驅(qū)動光學(xué)部件和驅(qū)動部件的布線(13)，在形成槽(12)的槽工程前，通過規(guī)定的電鍍工程形成該布線(13)。
文檔編號B81C1/00GK1575101SQ20041004811
公開日2005年2月2日 申請日期2004年6月11日 優(yōu)先權(quán)日2003年6月11日
發(fā)明者深尾隆三, 三瓶哲彥 申請人:日立麥克賽爾株式會社