專利名稱：：表面改性的半導體納米粒子的制作方法表面改性的半導體納米粒子發(fā)明背景本發(fā)明涉及具有半導體性質的納米粒子，通常其可以用于電子和電氣應用，特別是那些需要半導體性質的應用。特征尺寸為幾個納米至幾百個納米的半導體納米粒子是廣泛研究型材料，其中尺寸效應支配疏松材料的性質。通常，根據(jù)具體的材料及其應用，三種不同的與尺寸有關的現(xiàn)象可以改變納米粒子的電子、光學、熱和機械性質1.與已知的體相相比，不同的結構和組成；2.更高的表面體積比率，從而引起表面狀態(tài)和工藝占優(yōu)勢；以及3.在物體尺寸類似于或小于基本激發(fā)的波長和相干長度(電子態(tài)、光波長或聲子激發(fā))時的量子限制效應。還應當理解，裸露的未封端硅表面僅僅在超高真空條件下是穩(wěn)定的。上述問題以及對于納米技術是需要復雜的合成和處理技術的昂貴的、高技術選擇的理解限制了這種技術用于實際的電氣和電子器件。本發(fā)明的一個目的在于提供適宜特別是在電氣和電子應用中使用的納米粒子，以及用于這種應用的器件。發(fā)明概述根據(jù)本發(fā)明，提供納米粒子，其包含單一元素或包含多種元素的化合物，所述的元素在第II、III、IV、V和VI族中的一族或多族中，所述的納米粒子具有半導體性質，在lnm至500nm范圍內的尺寸，并且包含0.1至20原子％的取代基，所述的取代基選自包含氧和氫的組中。在此說明書中的術語"半導體性質"是指電荷載流子，特別是電子和/或空穴到粒子上、離開粒子或通過粒子的輸送。電荷的流動可以通過粒子體或被限制到其表面區(qū)域，并且可以發(fā)生在兩個相鄰的粒子之間，或在粒子和外部電氣連接之間。優(yōu)選所述的納米粒子的尺寸在30nrn至200nrn范圍內。在一個優(yōu)選的實施方案中，所述納米粒子的平均直徑可以為60nm。在另一個優(yōu)選的實施方案中，所述納米粒子具有在幾十個nm至400nm范圍內的相對大的尺寸分布，其中中值最大尺度為200nm。在再一個優(yōu)選的實施方案中，所述納米粒子的平均尺寸可以為約100nm。所述納米粒子可以包含本征硅。在一個優(yōu)選的實施方案中，硅可以是冶金級硅，例如純度為98%。備選地，所述的納米粒子可以包含摻雜硅。所述的硅可以摻雜有第V或VI族元素如銻或磷，并且具有n-型性質。備選地，所述的硅可以摻雜有第II或ni族元素如硼，并且具有p-型性質。備選地，所述的納米粒子可以包含特別是Ge、GaAs、AlGaAs、GaN、InP、SiC和SiGe合金。包含氧或氫的取代基可以位于每個納米粒子的表面。每個納米粒子的表面可以全部或部分地被氧化物覆蓋，所述的納米粒子包含所述氧化物中的至少一種元素。所述的氧化物在納米粒子表面有效地限定鈍化層。所述的氧化物可以是天然氧化物或熱或化學合成的氧化物，其可以被改性以允許電荷通過它輸送。例如，所述的氧化物可以被蝕刻，以降低其厚度和/或提高其孔隙率。備選地，在所述氧化物的合成過程中，在氧化物中可以包含給予所述氧化物半導體性質的物質。將本發(fā)明中這樣的表面鈍化視為產(chǎn)生穩(wěn)定粒子結構的化學處理，而不是例如如發(fā)光粒子所需要的電鈍化。既沒有對于電荷輸送的絕緣層(已知這是由厚氧化物涂層實現(xiàn)的)，也沒有電荷載流子到定域態(tài)的飽和(完全)捕獲。每個納米粒子的表面可以被氧或氫部分或全部封端。備選地，每個納米粒子的表面可以被羥基(OH)部分或全部封端?？梢缘氖敲總€納米粒子的表面可以被氧、氫和羥基的組合部分或全部封端。此外，根據(jù)本發(fā)明，提供一種可印刷組合物，其包含如上定義的納米粒子和粘合劑。所述的粘合劑可以是無機粘合劑，其是導電、半導電或絕緣的。備選地，所述的粘合劑可以是聚合物粘合劑，其是導電、半導電或絕緣的。此外，備選地，所述的粘合劑是具有與所述納米粒子材料反應的組分的化學活性粘合劑，以提供其所述的半導體性質。再有，根據(jù)本發(fā)明，提供一種復合材料，其包含如上定義的納米粒子和固體基質，其中所述納米粒子分散在所述的固體基質中。所述納米粒子可以隨機地或者以規(guī)則的排列分散在所述的基質中。再有，根據(jù)本發(fā)明，提供一種復合材料，其包含根據(jù)如上定義的納米粒子，其中所述的納米粒子形成互連網(wǎng)絡或密實體。本發(fā)明提供一種活性半導體層或結構，其結合有如上定義的納米粒子和如上定義的可印刷組合物或如上定義的復合材料。本發(fā)明還提供一種半導體器件、部件或電路元件，其包括至少一種這樣的半導體層或結構。本發(fā)明還提供一種電子部件的電氣或電子電路或組件，其包括至少一種這樣的半導體器件。根據(jù)本發(fā)明的再一方面，提供一種制備納米粒子的方法，該方法包括以下步驟在氧和/或氫存在下，將原料粉碎以制備納米粒子，所述的原料包含單一元素或包含多種元素的化合物，所述的元素在第n、m、iv、v和VI族中的一族或多族中，所述的納米粒子具有n-型或p-型半導體性質,在lnm至500nm范圍內的尺寸，并且包含0.1至20原子％的取代基，所述的取代基選自包含氧和氫的組中。在本發(fā)明的一個優(yōu)選實施方案中，所述原料包含摻雜或本征硅。優(yōu)選在空氣存在下進行所述原料的粉碎。附圖簡述圖l(a)至l(e)是顯示通過(lll)晶面的橫截面的單晶硅納米粒子的示意性表示，它顯示不同的可能表面改性，包括(a)未封端表面；(b)氧封端表面；(c)氫封端表面；(d)羥基封端表面；和(e)氧化物表面；圖2是顯示具有分形幾何的納米粒子互連網(wǎng)絡的印刷納米微粒硅復合材料的掃描電子顯微照片；圖3(a)和3(b)是根據(jù)本發(fā)明，含有納米微粒半導體層和聚合物電介質的絕緣柵極(金屬絕緣體半導體)場效應晶體管的側視圖和俯視圖；圖4是顯示根據(jù)實施例1的方法制造的圖3(a)和3(13)的晶體管的源極-漏極特性的曲線圖；和圖5是顯示根據(jù)實施例2的方法制造的類似晶體管的源極-漏極特性的曲線圖。實施方案描述一般而言，如上所述和下面示例的本發(fā)明關注具有半導體性質的納米粒子在電子和和電氣應用中的使用，特別是在需要半導體性質的那些應用中的使用。優(yōu)選納米粒子由本征或摻雜硅形成，盡管可以使用其它元素的或化合物的半導體材料，包括尤其是Ge，GaAs，AlGaAs，GaN,InP，SiC和SiGe合金。在基礎科學研究中，納米粒子需要穩(wěn)定的良好特性化的表面，這導致納米技術被認為是需要復雜的合成和處理技術的昂貴的、高技術的選擇。裸露的未加裝飾(undercoated)的硅表面只有在超高真空條件下是穩(wěn)定的。許多由濕法化學合成而制備的納米粒子，例如硅粒子，如由Baldwin等(化學通訊(ChemicalCommunications)1822(2002))描述的那些硅粒子，是用長烷基鏈封端的，所述的長垸基鏈起表面活性劑的作用，以防止聚集和更大粒子的生長。除了由Liu禾QKauzlarich(材料科學與工程(MaterialsScience&Engineering)B9672-75(2002))報道的由硅量子點的濕法化學合成導致的氫封端外，避免了元素和化合物半導體涉及氧和氫的自然表面改性。但是，存在它們在常規(guī)半導體加工中的使用。通常經(jīng)由氫氟酸浸漬實現(xiàn)的氫鈍化在硅器件制造中是重要的中間步驟。熱和天然氧化物層保留硅技術中的大多數(shù)電介質的基礎。但是，在納米粒子應用中，氧化物通常只作為半導體粒子本身發(fā)生，如在染料太陽能電池中，或作為晶體或玻璃質的二氧化硅基質或封裝發(fā)生。已經(jīng)將具有厚氧化物的封裝應用于電鈍化發(fā)光粒子，從而穩(wěn)定它們的發(fā)光性質(Korgel，美國專利6,918,946)，此外作為蝕刻處理以控制硅核的尺寸(Swihart，US2004/0229447)。但是，只要關注納米粒子的電子性質，就得系統(tǒng)地避免同時接觸空氣和水分，以及由此的氧化和水合處理。重要地并且相反地，在本發(fā)明中，在氧、氫或兩者的混合物存在下改性納米粒子的表面，用這樣的方法使得盡管處于改性的形式，但保持粒子的半導體功能性。如在圖l(b)至(e)中所示，表面的氫和氧可以以薄天然氧化物的形式存在，或者作為橋氧基團、羥基和氫存在。圖l(a)至l(e)的視圖是結晶硅納米粒子的示意性表示，其對于不同的可能表面改性顯示了通過(lll)晶面的橫截面。只示出了四個硅鍵中的三個，第四個從視圖平面垂直出來的。虛曲線是指粒子近似自由的表面。圖l(a)顯示具有未封端的，但重構的硅表面的納米粒子?；疑膱A表示額外的硅原子，并且虛線表示對于這些原子的額外鍵。該結構是高度變形的，并且這樣的表面除了在高真空中外通常是不穩(wěn)定的。圖l(b)顯示具有的氧封端表面的納米粒子。白色的圓表示氧原子，每個氧原子具有到未封端硅原子的兩個鍵。圖l(c)顯示具有氫封端表面的納米粒子，其中氫原子表示為更小的黑色圓。圖1(d)顯示具有羥基封端表面的納米粒子，其中羥基占有未封端的硅鍵。硅結構是未扭變的，并且預期該表面是穩(wěn)定的。圖l(e)顯示在兩上彎曲的虛線之間顯示的區(qū)域中，納米粒子表面上的無定形氧化硅的薄層。在此情況下，氧化物層約為一個單層厚。在塊狀硅表面上，熱氧化物可以是數(shù)十，或者甚至數(shù)百微米厚，并且取決于溫度和濕度，天然氧化物正常地生長到5-10nm的厚度。這樣厚的層顯示將使任何納米粒子絕緣，并且控制其電氣性質。在本發(fā)明中，使用的是本發(fā)明人的觀察包含一種或多種相關元素并且在限定尺寸范圍內的納米粒子中的氧化在一個單層或以下是自我限制的，并且形成穩(wěn)定的表面。這些觀察由在文獻中對納米結構的硅的氧化的一些基礎科學研究所支持，例如Okada等(應用物理通訊(Appl.Phys.Lett.)58(15)，1991年4月15日，第1662-1663頁)禾卩Ostraat等(固態(tài)科學(SolidStateSciences)7(2005)第882-890頁)，盡管至今，這種知識僅應用到開發(fā)厚硅氧化物的合成技術。如由Ostraat等在直接沉積的硅納米粒子層中也觀察到的，在互連粒子之間，導電性可能不受阻礙地發(fā)生。但是，這些作者將導電性歸因于氧化物的不存在，從而在粒子之間的連接處和與襯底的界面上得到直接的硅-硅連接，所述的連接處和界面不受外部環(huán)境影響。在本發(fā)明中，本發(fā)明涉及自由納米粉末-在下面的實施例2和3中通過在空氣中的機械研磨而制備的-這種情形是不同的，并且申請人必須斷定表面封端本身允許電荷通過。氧或氧化物的存在可以為羥基(-OH)、氫(-H)和烷基(-(CH2)nH)提供優(yōu)先的吸附位，盡管這些只容易吸附在未封端的硅和其它半導體表面上，因此可以形成競爭的表面改性。所有這些基團，包括氧，封端懸空鍵，防止在帶隙中和表面上形成定域態(tài)。對于分散粒子，它們也可以起表面活性劑的作用，并且進一步使表面穩(wěn)定。在由納米粒子和粘合劑制備的復合材料如油墨或類似組合物中，表面基團可以與粘合劑相互作用，以實現(xiàn)粒子的分散或聚集。在需要粒子互連網(wǎng)絡的情況下，表面改性應當不抑制相鄰粒子之間的電荷傳遞。但是，可以通過經(jīng)由表面狀態(tài)的導電而改變電荷輸送。對于通常的納米技術應用，粒子應當在1至500nm的尺寸范圍內，但是對于本文所示的示例性應用，優(yōu)選30至200nm的尺寸。通常，納米粒子應當足夠大以具有可清楚限定的核和表面區(qū)域，但是應當足夠小以具有與塊材料明顯不同的性質。在晶體硅的情況下，在lnm直徑的下限，全部原子的60%應當占據(jù)表面位，而微米級的粒子應當具有塊狀結構，并且出現(xiàn)厚的氧化物。在此情況下，還優(yōu)選避免在10nm級的單個量子態(tài)，但是，仍然保持粒子足夠小以具有顯著的表面貢獻。此外，越大的粒子越不適宜于包裝入互連粒子的緊密層中。其它的益處由健康、安全和處置問題產(chǎn)生，這些可能影響用于制造或使用納米粒子的任何工業(yè)方法的成本效率，甚至適宜性。根據(jù)由J.Heyder在2003UKInstituteofPhysicsMayneordPhillipsSummerSchool發(fā)表的在lOOnm范圍內的粒子至少容易沉積在人的呼吸道中。尺寸小于約10nm的粒子可能被吸收通過皮膚和大多數(shù)細胞膜。在微米范圍內的越大粒子越容易包封在組織中。下面的實施例舉例說明本發(fā)明的各種性質和益處。實施例l:由商購自MTICrystalsCorp.的本征硅納米粉末制備半導體油墨。原始的粉末是通過在無氧環(huán)境中激光分解硅烷氣體而制備的。這正常是在保證氧濃度為1至2%的干氮氣氣氛中裝運的。未規(guī)定氫濃度，并且未檢測其它雜質。制造商在它們的分析證書中指出"硅納米粉末對空氣非常敏感。粉末必須在惰性氣體環(huán)境中打開、貯存和操作，以避免爆炸和02污染"。他們還推薦，為了消除氧，"將粉末在真空或氮氣中于12(TC焙燒1小時"。然而，本發(fā)明人確定，接觸環(huán)境大氣得到穩(wěn)定的粉末，該粉末具有需要的氧和氫表面封端，適宜用于具有有機聚合物粘合劑的納米微粒半導體復合材料中。通過使用包括氯仿在內的各種溶劑，聚苯乙烯和乙酸丁酸纖維素(CAB)是成功用作粘合劑的聚合物的實例。因而，將硅納米粉末暴露于空氣，并且分別通過彈性反沖檢測分析(ERDA)和盧瑟福后方散射隨時測定納米粉末中的氫和氧濃度。在暴露于空氣后的最初幾個小時中，氫和氧濃度分別為1和2原子％。在一周后，這些穩(wěn)定為1.2原子％氫和5原子％氧。X射線衍射表明粒子是晶體硅，并且沒有晶體氧化物。使用上面所述的Si納米粉末和不同的惰性粘合劑制備的印刷層，如霍耳效應測量所見，全部顯示出輕n-型導電性，盡管所供給的粉末名義上是本征的。印刷層的掃描電子顯微檢査表明離子形成具有分形幾何的互連簇的網(wǎng)絡。如在圖2的掃描電子顯微顯微照片中所示，單個粒子是平均直徑為60nm的球體。形成近似球體的簇，其中直徑為幾百個納米、幾個微米和幾十個微米。能量分散X射線熒光表明平均氧濃度約為5%，其中在簇的表面具有更高的分數(shù)。在60nm的直徑時，以氧化物表面形式的5%氧的厚度為2.5埃。根據(jù)在國際專利申請WO2004/068536中所述的方法，將上面所述的油墨用來印刷簡單的結型場效晶體管和光電二極管。器件的電特性與上面確定的材料的性質一致。結合上述技術和材料的電子器件的實例是如圖3(a)和(b)中所示的復合無機/有機絕緣的柵極場效晶體管。器件包含印刷在紙襯底12上的活性納米微粒半導體層10。印刷的銀油墨源極和漏極觸頭14和16重疊層10，并且將中央刪極區(qū)18限定在它們相鄰的最內端乏間。.將柵極絕緣體或電介質層20印刷在源極和漏極觸頭和半導體層10的中央?yún)^(qū)域的內端之上，并且將銀油墨柵極觸頭22印刷到電介質層20上，從而避免半導體層10與源極和漏極觸頭接觸。得到的器件是絕緣柵極(金屬絕緣體半導體)場效晶體管或MISFET。半導體層10包含在CAB粘合劑中的上述Si粉末，其中氯仿作為溶劑。在此情況下的柵極電介質是CAB的印刷層，并且金屬接觸是來自DuPontMicrocircuitMaterials的印刷銀5000導體。如上所述制造的MISFET的源極-漏極特性示于圖4中。實施例2:具有如上限定的半導體功能性的納米粒子的第二個實施例關注通過Czochralski-生長的摻雜單晶Si晶片的機械研磨而制備的納米微粒硅。將這些在環(huán)形粉磨機中高速在空氣中研磨一小時，而不預先除去在晶片上的天然氧化物。因此，預期高的氧濃度，盡管這仍然需要得到證實。得到的粒子形狀不規(guī)則，具有大的尺寸分布，范圍從幾十個納米至400nm，具有200nm的中值最大尺度。具有中值尺寸的粒子是通過離心和從甲醇的懸浮液中沉積而分離的。在空氣中干燥后，由銻摻雜n-型和硼摻雜p-型硅納米粉末這兩者，使用CAB和氯仿分別作為粘合劑和溶劑，以與實施例1所用的相同方式，制備油墨?；舳獪y量表明保持了n-或p-型導電性，與塊體硅相比，稍微改變了載流子遷移率。所述的油墨主要用來印刷在絕緣柵極場效應晶體管和光電二極管中的半導體層。對于與圖3中所示類似的晶體管設計，但是使用p-型硅納米粉末的源極-漏極曲線示于圖4中。實施例3具有如上限定的半導體功能性的納米粒子的第三個實施例關注通過機械研磨由南非Polokwane的SiliconSmelters(Pty)Ltd提供的98%純度的冶金級硅而制備的納米微粒硅。在旋轉球磨機中，在空氣中，使用15mm直徑的釔穩(wěn)定的氧化鋯研磨介質(由lnfmmatInc供給)并且使用乙醇作為潤滑劑，將硅原料研磨5天。得到的粒子尺寸，通過與由相同的材料使用環(huán)形粉碎機研磨2小時得到的粉末比較，估計約為100nm。沒有進行硅的預先處理，并且發(fā)現(xiàn)具有與由Si晶片制備的粉末(實施例2)類似的氧和氫濃度。使用由兩種方法研磨的粉末制備的具有91%粉末體積分數(shù)的納米微粒油墨具有類似的電特性，是電阻率為2.2MQcm的n-型。下面的表1中給出了在一些情況下，采用不同體積分數(shù)的相同粘合劑，對于由實施例1至3的方法制備的不同類型的粉末的霍耳效應數(shù)據(jù)。表l<table>tableseeoriginaldocumentpage13</column></row><table>本發(fā)明的可能應用包括單電子器件(量子點)；光子陣列；電致發(fā)光材料和染料敏化太陽能電池(DSC)。進一步的應用包括有機和無機半導體油墨、印刷的半導體層和印刷的器件。根據(jù)應用，可以將單個粒子隨機地分散在基質(量子點、OLED、DSC電池、有機半導體油墨)中，規(guī)則排列(光子陣列)，或形成互連結構(無機半導體油墨)。后者可以是密集結構，隨機網(wǎng)絡或不同的按大小分級的族的分形聚集體。權利要求1.納米粒子，其包含單一元素或包含多種元素的化合物，所述的元素在第II、III、IV、V和VI族中的一族或多族中，所述的納米粒子具有半導體性質，在1nm至500nm范圍內的尺寸，并且包含0.1至20原子％的取代基，所述的取代基選自包含氧和氫的組中。2.根據(jù)權利要求1的納米粒子，其尺寸在30nm至200nm范圍內。3.根據(jù)權利要求2的納米粒子，其平均直徑為約60nm。4.根據(jù)權利要求l的納米粒子，其尺寸分布在20nm至400腿范圍內，并且中值最大尺度為約200nm。5.根據(jù)權利要求1的納米粒子，其平均尺寸為約lOOrnn。6.根據(jù)權利要求1至5任何一項的納米粒子，其包含本征硅。7.根據(jù)權利要求1至5任何一項的納米粒子，其中所述的半導體是冶金級硅。8.根據(jù)權利要求1至5任何一項的納米粒子，其包含摻雜硅。9.根據(jù)權利要求8的納米粒子，其中所述的硅摻雜有第V或VI族元素，并且具有n-型性質。10.根據(jù)權利要求9的納米粒子，其中所述的硅摻雜有銻或磷。11.根據(jù)權利要求8的納米粒子，其中所述的硅摻雜有第II或III族元素，并且具有p-型性質。12.根據(jù)權利要求ll的納米粒子，其中所述的硅摻雜有硼。13.根據(jù)權利要求1至5任何一項的納米粒子，其包含Ge、GaAs、AlGaAs、GaN、InP、SiC和SiGe合金中的一種或多種。14.根據(jù)權利要求1至13任何一項的納米粒子，其中包含氧或氫的取代基位于各個納米粒子的表面。15.根據(jù)權利要求1至14任何一項的納米粒子，其中每個納米粒子的表面至少部分地被氧化物覆蓋，所述的納米粒子包含所述氧化物中的至少一種元素。16.根據(jù)權利要求15的納米粒子，其中所述的氧化物是天然氧化物。17.根據(jù)權利要求15的納米粒子，其中所述的氧化物是通過熱或化學合成制備的，然后改性以允許電荷流動。18.根據(jù)權利要求17的納米粒子，其中所述的氧化物被蝕刻，以降低其厚度和/或提高其孔隙率。19.根據(jù)權利要求17的納米粒子，其中在所述氧化物的合成過程中，在氧化物中包含給予所述氧化物半導體性質的物質。20.根據(jù)權利要求1至14任何一項的納米粒子，其中每個納米粒子的表面被氧或氫部分或全部封端。21.根據(jù)權利要求1至14任何一項的納米粒子，其中每個納米粒子的表面被羥基(OH)部分或全部封端。22.根據(jù)權利要求1至14任何一項的納米粒子，其中每個納米粒子的表面被氧、氫和羥基的組合部分或全部封端。23.—種可印刷組合物，其包含根據(jù)權利要求1至22任何一項的納米粒子和粘合劑。24.根據(jù)權利要求23的可印刷組合物，其中所述的粘合劑是無機粘合劑，其是導電、半導電或絕緣的。25.根據(jù)權利要求23的可印刷組合物，其中所述的粘合劑是聚合物粘合劑，其是導電、半導電或絕緣的。26.根據(jù)權利要求23的可印刷組合物，其中所述的粘合劑是具有與所述納米粒子的材料反應的組分的化學活性粘合劑，以提供其所述的半導體性質。27.—種復合材料，其包含根據(jù)權利要求1至22任何一項的納米粒子和固體基質，所述納米粒子分散在所述的固體基質中。28.根據(jù)權利要求27的復合材料，其中所述納米粒子隨機地分散在所述的基質中。29.根據(jù)權利要求27的復合材料，其中所述納米粒子以規(guī)則的排列分散在所述的基質中。30.—種復合材料，其包含根據(jù)權利要求1至22任何一項的納米粒子，其中所述的納米粒子形成互連網(wǎng)絡或密實體。31.—種活性半導體層或結構，其包含根據(jù)權利要求23至26任何一項的可印刷組合物或根據(jù)權利要求27至30任何一項的復合材料。32.—種半導體器件、部件或電路元件，其包括根據(jù)權利要求31的至少一種半導體層或結構。33.—種電子部件的電氣或電子電路或組件，其包含根據(jù)權利要求32的至少一種半導體器件。34.—種制備納米粒子的方法，該方法包括以下步驟在氧和/或氫存在下，將原料粉碎以制備納米粒子，所述的原料包含單一元素或包含多種元素的化合物，所述的元素在第II、III、IV、V和VI族中的一族或多族中，所述的納米粒子具有半導體性質，在lnm至500nm范圍內的尺寸，并且包含0.1至20原子％的取代基，所述的取代基選自包含氧和氫的組中。35.根據(jù)權利要求34的方法，其中所述原料包含摻雜或本征硅。36.根據(jù)權利要求34或35的方法，其中在空氣存在下進行所述原料的粉碎。全文摘要本發(fā)明涉及半導體納米粒子。本發(fā)明的納米粒子包含單一元素或包含多種元素的化合物，所述的元素在第II、III、IV、V、VI族中的一族或多族中。納米粒子的尺寸在1nm至500nm范圍內，并且包含0.1至20原子％的氧或氫。納米粒子典型地通過粉碎塊狀高純度硅而形成。納米粒子的一種應用在于制備油墨，所述的油墨可以通過簡單的印刷方法用來限定半導體器件的活性層或結構。文檔編號B82B3/00GK101218168SQ200680023528公開日2008年7月9日申請日期2006年6月29日優(yōu)先權日2005年6月30日發(fā)明者大衛(wèi)·托馬斯·布里頓,馬爾吉特·黑廷申請人:開普敦大學