專利名稱：：制造提供氣隙控制的微機電系統(tǒng)裝置的方法
技術(shù)領(lǐng)域：
：本發(fā)明涉及用作干涉式調(diào)制器的微機電系統(tǒng)。更明確地說，本發(fā)明涉及制造在可移動元件與襯底之間具有不同大小腔的微機電系統(tǒng)裝置的改進方法。^狄^微機電系統(tǒng)(MEMS)包含微機械元件、激活器和電子元件?？墒褂贸练e、蝕刻和或其它蝕刻掉襯底和/或已沉積材料層的部分或者添加層以形成電裝置和機電裝置的微加工工藝來產(chǎn)生微機械元件。一種類型的MEMS裝置稱為干涉式調(diào)制器。如本文所使用，術(shù)語干涉式調(diào)制器或干涉式光調(diào)制器指的是一種使用光學(xué)干涉原理選擇性地吸收且/或反射光的裝置。在某些實施例中，干涉式調(diào)制器可包括一對導(dǎo)電板，其中之一或兩者可能整體或部分透明且/或具有反射性，且能夠在施加適當(dāng)電信號時進行相對運動。在特定實施例中，一個板可包括沉積在襯底上的固定層，且另一個板可包括通過氣隙與固定層分離的金屬薄膜。如本文更詳細描述，一個板相對于另一個板的位置可改變?nèi)肷湓诟缮媸秸{(diào)制器上的光的光學(xué)干涉。這些裝置具有廣范圍的應(yīng)用，且在此項技術(shù)中，利用且/或修改這些類型裝置的特性使得其特征可被發(fā)掘用于改進現(xiàn)有產(chǎn)品和創(chuàng)建尚未開發(fā)的新產(chǎn)品，將是有益的。
發(fā)明內(nèi)容一實施例提供一種制造至少兩個類型的微機電系統(tǒng)(MEMS)裝置的方法，所述至少兩個類型的MEMS裝置在移除犧牲材料之后具有不同的釋放狀態(tài)，所述方法包括提供襯底；在所述襯底的至少一部分上方形成第一導(dǎo)電層；在所述第一導(dǎo)電層的至少一部分上方形成第一犧牲層；在所述第一犧牲層上方形成多個導(dǎo)電可移動元件，且在所述襯底上方形成多個撓曲控制器，所述撓曲控制器經(jīng)配置以在移除所述犧牲層時可操作地支撐所述導(dǎo)電可移動元件，且其中所述第一犧牲層是可移除的，以借此釋放所述MEMS裝置且在所述第一導(dǎo)電層與所述可移動元件之間形成具有至少兩個間隙大小的腔。另一實施例提供一種制造至少兩個類型的干涉式調(diào)制器的方法，所述至少兩個類型的干涉式調(diào)制器在移除犧牲材料之后具有不同的腔深度，所述方法包括提供襯底在所述襯底的至少一部分上方形成光學(xué)堆疊；在所述光學(xué)堆疊的至少一部分上方形成第一犧牲材料，其中所述犧牲材料是可移除的，以借此形成腔；在所述第一犧牲材料的部分上方形成第二導(dǎo)電層；以及在所述襯底上方形成至少兩個類型的撓曲控制器，所述撓曲控制器經(jīng)配置以可操作地支撐所述第二導(dǎo)電層，其中所述至少兩個類型的撓曲控制器包含不同大小的組件，所述不同大小的組件經(jīng)配置以在移除所述第一犧牲層之后，在所述第二導(dǎo)電層的部分下方形成不同深度的腔。另一實施例提供一種微機電系統(tǒng)(MEMS)裝置，其包括襯底多個可移動元件，其在所述襯底上方，每一可移動元件通過腔而與所述襯底分離；以及多個撓曲控制器，其在所述襯底上方，所述多個撓曲控制器經(jīng)配置以可操作地支撐所述可移動元件，其中所述多個撓曲控制器包含具有不同尺寸的部分以控制所選擇的撓曲。所述所選擇的撓曲用以在所述襯底與所述多個可移動元件之間形成具有至少兩個間隙大小的腔。另一實施例提供一種控制在包括一個或一個以上薄膜層的裝置的兩個層之間的腔的深度的方法，所述方法包括提供襯底；在所述襯底的至少一部分上方形成犧牲層；在所述犧牲層的至少一部分上方形成第一層；以及在所述襯底上方形成一個或一個以上撓曲控制器，所述撓曲控制器經(jīng)配置以可操作地支撐所述第一層，且在移除所述犧牲層時形成深度大于所述犧牲層的深度約30%或30%以上的腔，其中垂直于所述襯底而測量所述深度。另一實施例提供一種未釋放微機電系統(tǒng)(MEMS)裝置，其包括襯底；犧牲層，其在所述襯底的至少一部分上方；可移動元件，其在所述第一犧牲層上方；以及一個或一個以上撓曲控制器，其在所述襯底上方，所述一個或一個以上撓曲控制器經(jīng)配置以可操作地支撐所述可移動元件，且在移除所述犧牲層時，在所述襯底與所述可移動元件之間形成深度大于所述犧牲層的深度約30%或30%以上的腔，其中垂直于所述襯底而測量所述深度，所述犧牲層可通過蝕刻移除。另一實施例提供一種控制在包含一個或一個以上薄膜層的裝置的兩個層之間的腔的深度的方法，所述方法包括提供襯底；在所述襯底的至少一部分上方形成犧牲層，所述犧牲層可通過蝕刻移除；在所述犧牲層的至少一部分上方形成第一薄膜層；以及在所述襯底上方形成一個或一個以上撓曲控制器，所述撓曲控制器經(jīng)配置以可操作地支撐所述第一薄膜層，且在移除所述犧牲層時使所述薄膜層朝向所述襯底移位。另一實施例提供一種未釋放微機電系統(tǒng)(MEMS)裝置，所述裝置包括襯底；犧牲層，其在所述襯底的至少一部分上方；可移動元件，其在所述第一犧牲層上方；和一9個或一個以上撓曲控制器，其在所述襯底上方，所述一個或一個以上撓曲控制器經(jīng)配置以可操作地支撐所述可移動元件，且在移除所述犧牲層時使所述可移動元件朝向所述襯底移位，所述犧牲層可通過蝕刻移除。圖1是描繪干涉式調(diào)制器顯示器的一個實施例的一部分的等角視圖，其中第一干涉式調(diào)制器的可移動反射層處于松弛位置，且第二干涉式調(diào)制器的可移動反射層處于激活位置。圖2是說明并入有3X3干涉式調(diào)制器顯示器的電子裝置的一個實施例的系統(tǒng)框圖。圖3是圖1的干涉式調(diào)制器的一個示范性實施例的可移動鏡位置對所施加電壓的圖。圖4是可用于驅(qū)動干涉式調(diào)制器顯示器的一組行和列電壓的說明。圖5A說明在圖2的3X3干涉式調(diào)制器顯示器中的顯示數(shù)據(jù)的一示范性幀。圖5B說明可用于寫入圖5A的幀的行和列信號的一示范性時序圖。圖6A和6B是說明包括多個干涉式調(diào)制器的視覺顯示器裝置的實施例的系統(tǒng)框圖。圖7A是圖I的裝置的橫截面。圖7B是千涉式調(diào)制器的替代實施例的橫截面。圖7C是干涉式調(diào)制器的另一替代實施例的橫截面。圖7D是干涉式調(diào)制器的又一替代實施例的橫截面。圖7E是干涉式調(diào)制器的額外替代實施例的橫截面。圖8是說明在制造干涉式調(diào)制器的方法的實施例中的某些步驟的流程圖。圖9A到圖9G是說明在制造具有柱支撐結(jié)構(gòu)的干涉式調(diào)制器的過程中的某些步驟的示意性橫截面。圖10A到圖10D是說明在制造具有鉚釘支撐結(jié)構(gòu)的干涉式調(diào)制器的過程中的某些步驟的示意性橫截面。圖11是說明在制造具有撓曲控制器的干涉式調(diào)制器的一實施例中的某些步驟的流程圖。圖12A到圖12K展示具有可使用圖11的方法而制造的不同撓曲控制器的干涉式調(diào)制器的替代實施例的橫截面。圖13A到圖13F展示經(jīng)設(shè)計以展示在釋放裝置時，改變撓曲控制器結(jié)構(gòu)的特征可對支撐層的偏轉(zhuǎn)具有的影響的分析研究的結(jié)果。具體實施例方式以下詳細描述針對本發(fā)明的某些特定實施例。然而，本發(fā)明可以許多不同方式實施。在本描述內(nèi)容中參看了附圖，附圖中所有相同部分用相同標(biāo)號表示。如從以下描述中將了解，所述實施例可實施在經(jīng)配置以顯示不論運動(例如，視頻)還是固定(例如，靜止圖像)的且不論文字還是圖畫的圖像的任何裝置中。更明確地說，預(yù)期所述實施例可實施在多種電子裝置中或與多種電子裝置關(guān)聯(lián)，所述多種電子裝置例如(但不限于)移動電話、無線裝置、個人數(shù)據(jù)助理(PDA)、手提式或便攜式計算機、GPS接收器/導(dǎo)航器、相機、MP3播放器、攝像機、游戲控制臺、手表、時鐘、計算器、電視監(jiān)視器、平板顯示器、計算機監(jiān)視器、汽車顯示器(例如，里程表顯示器等)、座艙控制器和/或顯示器、相機視圖的顯示器(例如，車輛中后視相機的顯示器)、電子相片、電子廣告牌或指示牌、投影儀、建筑結(jié)構(gòu)、包裝和美學(xué)結(jié)構(gòu)(例如，對于一件珠寶的圖像的顯示器)。具有與本文中描述的裝置類似的結(jié)構(gòu)的MEMS裝置也可用于例如電子切換裝置的非顯示器應(yīng)用中。一實施例提供在襯底上制造具有多個撓曲控制器的MEMS裝置的方法。所述撓曲控制器經(jīng)配置以可操作地支撐導(dǎo)電可移動元件，且在移除犧牲層時提供多個所選撓曲。可移除犧牲層，以借此釋放MEMS裝置且形成具有至少兩個間隙大小的腔。撓曲控制器可實現(xiàn)間隙大小的增加和間隙大小的減小。結(jié)果，多個沉積、遮蔽和蝕刻步驟可由較少沉積、遮蔽和蝕刻步驟替代，因此在MEMS裝置的制造中節(jié)約時間和金錢。圖1中說明包括干涉式MEMS顯示器元件的一個干涉式調(diào)制器顯示器的實施例。在這些裝置中，像素處于明亮狀態(tài)或黑暗狀態(tài)。在明亮("接通"或"開啟")狀態(tài)下，顯示器元件將入射可見光的大部分反射到用戶。當(dāng)在黑暗("斷開"或"關(guān)閉")狀態(tài)下時，顯示器元件將極少的入射可見光反射到用戶。依據(jù)實施例而定，可顛倒"接通"和"斷開"狀態(tài)的光反射性質(zhì)。MEMS像素可經(jīng)配置而主要在選定的顏色處反射，從而允許除了黑白顯示以外的彩色顯示。圖1是描述視覺顯示器的一系列像素中的兩個相鄰像素的等角視圖，其中每一像素包括MEMS干涉式調(diào)制器。在一些實施例中，干涉式調(diào)制器顯示器包括這些干涉式調(diào)制器的一行/列陣列。每一干涉式調(diào)制器包含一對反射層，其定位成彼此相距可變且可控制的距離以形成具有至少一個可變尺寸的諧振光學(xué)腔。在一個實施例中，可在兩個位置之間移動所述反射層之一。在第一位置(本文中稱為松弛位置)中，可移動反射層定位成距固定部分反射層相對較大的距離。在第二位置(本文中稱為激活位置)中，可移動反射層定位成更緊密鄰近所述部分反射層。視可移動反射層的位置而定，從所述兩個層反射的入射光相長地或相消地進行干涉，從而為每一像素產(chǎn)生全反射狀態(tài)或非反射狀態(tài)。圖1中像素陣列的所描繪部分包含兩個相鄰干涉式調(diào)制器12a和12b。在左側(cè)干涉式調(diào)制器12a中，說明可移動反射層14a處于距包含部分反射層的光學(xué)堆疊16a預(yù)定距離處的松弛位置中。在右側(cè)干涉式調(diào)制器12b中，說明可移動反射層14b處于鄰近于光學(xué)堆疊16b的激活位置中。如本文所引用的光學(xué)堆疊16a和16b(統(tǒng)稱為光學(xué)堆疊16)通常包括若干熔合層(fusedlayer)，所述熔合層可包含例如氧化銦錫(ITO)的電極層、例如鉻的部分反射層和透明電介質(zhì)。因此，光學(xué)堆疊16是導(dǎo)電的、部分透明且部分反射的，且可通過(例如)將上述層的一者或一者以上沉積到透明襯底20上來制造。部分反射層可由例如各種金屬、半導(dǎo)體和電介質(zhì)等部分反射的多種材料形成。部分反射層可由一個或一個以上材料層形成，且所述層的每一者可由單一材料或材料的組合形成。在一些實施例中，光學(xué)堆疊的層經(jīng)圖案化成為多個平行條帶，且如下文中進一步描述，可在顯示器裝置中形成行電極?？梢苿臃瓷鋵?4a、14b可形成為沉積金屬層(一層或多層)的一系列平行條帶(與行電極16a、16b垂直)，所述金屬層沉積在柱18和沉積于柱18之間的介入犧牲材料的頂部上。當(dāng)蝕刻移除犧牲材料時，可移動反射層14a、14b通過所界定的間隙19而與光學(xué)堆疊16a、16b分離。例如鋁的高度導(dǎo)電且反射的材料可用于反射層14，且這些條帶可在顯示器裝置中形成列電極。在不施加電壓的情況下，腔19保留在可移動反射層14a與光學(xué)堆疊16a之間，其中可移動反射層14a處于機械松弛狀態(tài)，如圖1中像素12a所說明。然而，當(dāng)將電位差施加到選定的行和列時，形成在相應(yīng)像素處的行電極與列電極的交叉處的電容器變得帶電，且靜電力將所述電極拉在一起。如果電壓足夠高，那么可移動反射層14變形且被迫抵靠光學(xué)堆疊16。光學(xué)堆疊16內(nèi)的電介質(zhì)層(在此圖中未圖示)可防止短路并控制層14與16之間的分離距離，如圖1中右側(cè)的像素12b所說明。不管所施加的電位差的極性如何，表現(xiàn)均相同。以此方式，可控制反射像素狀態(tài)對非反射像素狀態(tài)的行/列激活在許多方面類似于常規(guī)LCD和其它顯示技術(shù)中所使用的行/列激活。圖2到5B說明在顯示器應(yīng)用中使用干涉式調(diào)制器陣列的一個示范性工藝和系統(tǒng)。圖2是說明可并入有本發(fā)明各方面的電子裝置的一個實施例的系統(tǒng)方框圖。在所述示范性實施例中，所述電子裝置包含處理器21，其可為任何通用單芯片或多芯片微處理器(例如ARM、Pentium、PentiumII、PentiumIII、PentiumIV、PentiumPro、8051、12MIPS,PowerPC、ALPHA),或任何專用微處理器(例如數(shù)字信號處理器、微控制器或可編程門陣列)。如此項技術(shù)中常規(guī)的做法，處理器21可經(jīng)配置以執(zhí)行一個或一個以上軟件模塊。除了執(zhí)行操作系統(tǒng)外，所述處理器可經(jīng)配置以執(zhí)行一個或一個以上軟件應(yīng)用程序，包含網(wǎng)絡(luò)瀏覽器、電話應(yīng)用程序、電子郵件程序或任何其它軟件應(yīng)用程序。在一個實施例中，處理器21還經(jīng)配置以與陣列驅(qū)動器22連通。在一個實施例中，所述陣列驅(qū)動器22包含將信號提供到顯示器陣列或面板30的行驅(qū)動器電路24和列驅(qū)動器電路26。在圖2中以線1-1展示圖1中說明的陣列的橫截面。對于MEMS干涉式調(diào)制器來說，行/列激活協(xié)議可利用圖3中說明的這些裝置的滯后性質(zhì)。可能需要(例如)IO伏的電位差來促使可移動層從松弛狀態(tài)變形為激活狀態(tài)。然而，當(dāng)電壓從所述值減小時，可移動層在電壓降回IO伏以下時維持其狀態(tài)。在圖3的示范性實施例中，可移動層直到電壓降到2伏以下時才完全松弛。因此，在圖3中說明的實例中存在約3到7V的電壓范圍，其中存在所施加電壓的窗口，在所述窗口內(nèi)裝置在松弛狀態(tài)或激活狀態(tài)中均是穩(wěn)定的。此窗口在本文中稱為"滯后窗口"或"穩(wěn)定窗口"。對于具有圖3的滯后特性的顯示器陣列來說，可設(shè)計行/列激活協(xié)議使得在行選通期間，已選通行中待激活的像素暴露于約IO伏的電壓差，且待松弛的像素暴露于接近零伏的電壓差。在選通之后，所述像素暴露于約5伏的穩(wěn)態(tài)電壓差使得其維持在行選通使其所處的任何狀態(tài)中。在此實例中，每一像素在被寫入之后經(jīng)歷3-7伏的"穩(wěn)定窗口"內(nèi)的電位差。此特征使圖1中說明的像素設(shè)計在相同的施加電壓條件下在激活或松弛預(yù)存在狀態(tài)下均是穩(wěn)定的。因為干涉式調(diào)制器的每一像素(不論處于激活還是松弛狀態(tài))本質(zhì)上是由固定反射層和移動反射層形成的電容器，所以可在滯后窗口內(nèi)的一電壓下維持此穩(wěn)定狀態(tài)而幾乎無功率消耗。本質(zhì)上，如果所施加的電壓是固定的，那么沒有電流流入像素中。在典型應(yīng)用中，可通過根據(jù)第一行中所需組的激活像素確認所述組列電極來產(chǎn)生顯示幀。接著將行脈沖施加到行1電極，從而激活對應(yīng)于所確認的列線的像素。接著改變所述組已確認列電極以對應(yīng)于第二行中所需組的激活像素。接著將脈沖施加到行2電極，從而根據(jù)已確認的列電極而激活行2中的適當(dāng)像素。行l(wèi)像素不受行2脈沖影響，.目.維持在其在行l(wèi)脈沖期間被設(shè)定的狀態(tài)中。可以連續(xù)方式對整個系列的行重復(fù)此過程以產(chǎn)生幀。通常，通過以每秒某一所需數(shù)目的幀的速度連續(xù)地重復(fù)此過程來用新的顯示數(shù)據(jù)刷新且/或更新所述幀。用于驅(qū)動像素陣列的行和列電極以產(chǎn)生顯示幀的廣泛種類的協(xié)議也是眾所周知的且可結(jié)合本發(fā)明使用。圖4、5A和5B說明用于在圖2的3X3陣列上形成顯示幀的一個可能的激活協(xié)議。圖4說明可用于使像素展示出圖3的滯后曲線的一組可能的列和行電壓電平。在圖4實施例中，激活像素涉及將適當(dāng)列設(shè)定為-Vbias，且將適當(dāng)行設(shè)定為+AV，其分別可對應(yīng)于-5伏和+5伏。松弛像素是通過將適當(dāng)列設(shè)定為+Vbias,且將適當(dāng)行設(shè)定為相同的+AV，從而在像素上產(chǎn)生零伏電位差而實現(xiàn)的。在行電壓維持在零伏的那些行中，不管列處于+Vbias還是-Vbias，像素在任何其最初所處的狀態(tài)中均是穩(wěn)定的。同樣如圖4中所說明，將了解，可使用具有與上述電壓的極性相反的極性的電壓，例如，激活像素可涉及將適當(dāng)列設(shè)定為+Vbias，且將適當(dāng)行設(shè)定為-AV。在此實施例中，釋放像素是通過將適當(dāng)列設(shè)定為-Vbias，且將適當(dāng)行設(shè)定為相同的-AV,從而在像素上產(chǎn)生零伏電位差而實現(xiàn)的。圖5B是展示施加到圖2的3X3陣列的一系列行和列信號的時序圖，所述系列的行和列信號將產(chǎn)生圖5A中說明的顯示器布置，其中被激活像素為非反射的。在對圖5A中說明的幀進行寫入之前，像素可處于任何狀態(tài)，且在本實例中所有行均處于O伏，且所有列均處于+5伏。在這些所施加的電壓的情況下，所有像素在其既有的激活或松弛狀態(tài)中均是穩(wěn)定的。在圖5A的幀中，像素(l，l)、(1，2)、(2，2)、(3,2)和(3，3)被激活。為了實現(xiàn)此目的，在行1的"線時間(linetime)"期間，將列1和2設(shè)定為-5伏，且將列3設(shè)定為+5伏。因為所有像素均保留在3-7伏的穩(wěn)定窗口中，所以這并不改變?nèi)魏蜗袼氐臓顟B(tài)。接著用從0升到5伏且返回零的脈沖選通行1。這激活了(1,1)和(1，2)像素且松弛了(1，3)像素。陣列中其它像素均不受影響。為了視需要設(shè)定行2，將列2設(shè)定為-5伏，且將列1和3設(shè)定為+5伏。施加到行2的相同選通接著將激活像素(2,2)且松弛像素(2，1)和(2，3)。同樣，陣列中其它像素均不受影響。通過將列2和3設(shè)定為-5伏且將列1設(shè)定為+5伏來類似地設(shè)定行3。行3選通設(shè)定行3像素，如圖5A中所示。在對幀進行'與入之后，行電位為零，目.列電位可維持在+5或-5伏，且接著顯示器在圖5A的布置中是穩(wěn)定的。將了解，可將相同程序用于數(shù)十或數(shù)百個行和列的陣列。還將應(yīng)了解，用于執(zhí)行行和列激活的電壓的時序、序列和電平可在上文所概述的一般原理內(nèi)廣泛變化，且上文的實例僅為示范性的，且任何激活電壓方法均可與本文描述的系統(tǒng)和方法一起使用。圖6A和6B是說明顯示器裝置40的實施例的系統(tǒng)方框圖。顯示器裝置40可為(例如)蜂窩式電話或移動電話。然而，顯示器裝置40的相同組件或其稍微變化形式也說明例如電視和便攜式媒體播放器的各種類型的顯示器裝置。顯示器裝置40包含外殼41、顯示器30、天線43、揚聲器45、輸入裝置48和麥克風(fēng)46。外殼41通常由所屬領(lǐng)域的技術(shù)人員眾所周知的多種制造工藝的任一者形成，所述工藝包含注射模制和真空成形。另外，外殼41可由多種材料的任一者制成，所述材14料包含(但不限于)塑料、金屬、玻璃、橡膠和陶瓷，或其組合。在一個實施例中，外殼41包含可移除部分(未圖示)，所述可移除部分可與其它具有不同顏色或含有不同標(biāo)記、圖畫或符號的可移除部分互換。如本文中所描述，示范性顯示器裝置40的顯示器30可為包含雙穩(wěn)態(tài)顯示器(bi-stabledisplay)在內(nèi)的多種顯示器的任一者。在其它實施例中，如所屬領(lǐng)域的技術(shù)人員眾所周知，顯示器30包含例如如上所述的等離子、EL、OLED、STNLCD或TFTLCD的平板顯示器，或例如CRT或其它電子管裝置的非平板顯示器。然而，出于描述本實施例的目的，如本文中所描述，顯示器30包含干涉式調(diào)制器顯示器。圖6B中示意說明示范性顯示器裝置40的一個實施例的組件。所說明的示范性顯示器裝置40包含外殼41且可包含至少部分封圍在所述外殼41中的額外組件。舉例來說，在一個實施例中，示范性顯示器裝置40包含網(wǎng)絡(luò)接口27,所述網(wǎng)絡(luò)接口27包含耦合到收發(fā)器47的天線43。收發(fā)器47連接到處理器21,處理器21連接到調(diào)節(jié)硬件52。調(diào)節(jié)硬件52可經(jīng)配置以調(diào)節(jié)信號(例如，對信號進行濾波)。調(diào)節(jié)硬件52連接到揚聲器45和麥克風(fēng)46。處理器21也連接到輸入裝置48和驅(qū)動器控制器29。驅(qū)動器控制器29耦合到幀緩沖器28且耦合到陣列驅(qū)動器22，所述陣列驅(qū)動器22進而耦合到顯示器陣列30。根據(jù)特定示范性顯示器裝置40設(shè)計的要求，電源50將功率提供到所有組件。網(wǎng)絡(luò)接口27包含天線43和收發(fā)器47使得示范性顯示器裝置40可經(jīng)由網(wǎng)絡(luò)與一個或一個以上裝置通信。在一個實施例中，網(wǎng)絡(luò)接口27也可具有某些處理能力以減輕對處理器21的要求。天線43是所屬領(lǐng)域的技術(shù)人員已知的用于傳輸和接收信號的任何天線。在一個實施例中，所述天線根據(jù)IEEE802.il標(biāo)準(zhǔn)(包含IEEE802.il(a)、(b)或(g))來傳輸和接收RF信號。在另一實施例中，所述天線根據(jù)BLUETOOTH標(biāo)準(zhǔn)來傳輸和接收RF信號。在蜂窩式電話的情況下，所述天線經(jīng)設(shè)計以接收CDMA、GSM、AMPS或其它用于在無線手機網(wǎng)絡(luò)內(nèi)通信的已知信號。收發(fā)器47預(yù)處理從天線43接收到的信號，使得處理器21可接收所述信號并進一步對所述信號進行處理。收發(fā)器47還處理從處理器21接收到的信號使得可經(jīng)由天線43從示范性顯示器裝置40傳輸所述信號。在一替代實施例中，收發(fā)器47可由接收器代替。在又一替代實施例中，網(wǎng)絡(luò)接口27可由可存儲或產(chǎn)生待發(fā)送到處理器21的圖像數(shù)據(jù)的圖像源代替。舉例來說，所述圖像源可為存儲器裝置，例如數(shù)字視頻光盤(DVD)或含有圖像數(shù)據(jù)的硬盤驅(qū)動器，或產(chǎn)生圖像數(shù)據(jù)的軟件模塊。處理器21大體上控制示范性顯示器裝置40的全部操作。處理器21接收例如來自網(wǎng)絡(luò)接口27或圖像源的壓縮圖像數(shù)據(jù)的數(shù)據(jù)，并將所述數(shù)據(jù)處理成原始圖像數(shù)據(jù)或處理成易被處理成原始圖像數(shù)據(jù)的格式。處理器21接著將己處理的數(shù)據(jù)發(fā)送到驅(qū)動器控制器29或發(fā)送到幀緩沖器28以供存儲。原始數(shù)據(jù)通常是指識別圖像內(nèi)每一位置處的圖像特性的信息。舉例來說，這些圖像特性可包含顏色、飽和度和灰度級。在一個實施例中，處理器21包含微控制器、CPU或邏輯單元以控制示范性顯示器裝置40的操作。調(diào)節(jié)硬件52通常包含放大器和濾波器，以用于將信號傳輸?shù)綋P聲器45，且用于從麥克風(fēng)46接收信號。調(diào)節(jié)硬件52可為示范性顯示器裝置40內(nèi)的離散組件，或可并入在處理器21或其它組件內(nèi)。驅(qū)動器控制器29直接從處理器21或從幀緩沖器28取得由處理器21產(chǎn)生的原始圖像數(shù)據(jù)，并適當(dāng)?shù)刂匦赂袷交鲈紙D像數(shù)據(jù)以供高速傳輸?shù)疥嚵序?qū)動器22。具體來說，驅(qū)動器控制器29將原始圖像數(shù)據(jù)重新格式化為具有類似光柵的格式的數(shù)據(jù)流，使得其具有適于在顯示器陣列30上進行掃描的時間次序。接著，驅(qū)動器控制器29將已格式化的信息發(fā)送到陣列驅(qū)動器22。盡管驅(qū)動器控制器29(例如LCD控制器)通常與系統(tǒng)處理器21關(guān)聯(lián)而作為獨立的集成電路(IC)，但可以許多方式實施這些控制器。其可作為硬件嵌入處理器21中，作為軟件嵌入處理器21中，或與陣列驅(qū)動器22完全集成在硬件中。通常，陣列驅(qū)動器22從驅(qū)動器控制器29接收已格式化的信息且將視頻數(shù)據(jù)重新格式化為一組平行波形，所述波形以每秒多次的速度被施加到來自顯示器的x-y像素矩陣的數(shù)百且有時數(shù)千個引線。在一個實施例中，驅(qū)動器控制器29、陣列驅(qū)動器22和顯示器陣列30適用于本文描述的任意類型的顯示器。舉例來說，在一個實施例中，驅(qū)動器控制器29是常規(guī)顯示器控制器或雙穩(wěn)態(tài)顯示器控制器(例如，干涉式調(diào)制器控制器)。在另一實施例中，陣列驅(qū)動器22是常規(guī)驅(qū)動器或雙穩(wěn)態(tài)顯示器驅(qū)動器(例如，干涉式調(diào)制器顯示器)。在一個實施例中，驅(qū)動器控制器29與陣列驅(qū)動器22集成。此實施例在例如蜂窩式電話、手表和其它小面積顯示器的高度集成系統(tǒng)中是普遍的。在又一實施例中，顯示器陣列30是典型的顯示器陣列或雙穩(wěn)態(tài)顯示器陣列(例如，包含干涉式調(diào)制器陣列的顯示器)。輸入裝置48允許用戶控制示范性顯示器裝置40的操作。在一個實施例中，輸入裝置48包含例如QWERTY鍵盤或電話鍵區(qū)的鍵區(qū)、按鈕、開關(guān)、觸敏屏幕、或者壓敏或熱敏薄膜。在一個實施例中，麥克風(fēng)46是用于示范性顯示器裝置40的輸入裝置。當(dāng)使用麥克風(fēng)46將數(shù)據(jù)輸入到所述裝置時，用戶可提供聲音命令以便控制示范性顯示器裝置40的操作。電源50可包含此項技術(shù)中眾所周知的多種能量存儲裝置。舉例來說，在一個實施16例中，電源50是例如鎳鎘電池或鋰離子電池的可再充電電池。在另一實施例中，電源50是可再生能源、電容器或太陽能電池，包含塑料太陽能電池和太陽能電池涂料。在另一實施例中，電源50經(jīng)配置以從壁式插座接收功率。在某些實施方案中，如上文中所描述，控制可編程性駐存在驅(qū)動器控制器中，所述驅(qū)動器控制器可位于電子顯示器系統(tǒng)中的若干位置中。在某些情況中，控制可編程性駐存在陣列驅(qū)動器22中。所屬領(lǐng)域的技術(shù)人員將了解，上述優(yōu)化可實施在任何數(shù)目的硬件和/或軟件組件中且可以各種配置實施。根據(jù)上文陳述的原理而操作的干涉式調(diào)制器的結(jié)構(gòu)的細節(jié)可廣泛變化。舉例來說，圖7A-7E說明可移動反射層14及其支撐結(jié)構(gòu)的五個不同實施例。圖7A是圖1的實施例的橫截面，其中金屬材料條帶14沉積在垂直延伸的支撐件18上。在圖7B中，可移動反射層14在系鏈(tether)32上僅在隅角處附接到支撐件。在圖7C中，可移動反射層14從可包括柔性金屬的可變形層34懸置下來。所述可變形層34直接或間接地連接到圍繞可變形層34的周邊的襯底20。這些連接在本文中稱為支柱。圖7D中說明的實施例具有支柱插塞42，可變形層34擱置在所述支柱插塞42上。如圖7A-7C所示，可移動反射層14保持懸置在隙上方，但可變形層34并不通過填充可變形層34與光學(xué)堆疊16之間的孔而形成所述支柱。而是，支柱由平坦化材料形成，所述平坦化材料用以形成支柱插塞42。圖7E中說明的實施例是基于圖7D中展示的實施例，但也可適于與圖7A-7C中說明的實施例以及未圖示的額外實施例的任一者一起發(fā)揮作用。在圖7E中所示的實施例中，已使用金屬或其它導(dǎo)電材料的額外層來形成總線結(jié)構(gòu)44。這允許信號沿著干涉式調(diào)制器的背面進行路由，從而消除許多原本可能必須形成在襯底20上的電極。在例如圖7中所示的那些實施例的實施例中，干涉式調(diào)制器充當(dāng)直接觀看裝置，其中從透明襯底20的前側(cè)觀看圖像，所述側(cè)與上面布置有調(diào)制器的一側(cè)相對。在這些實施例中，反射層14以光學(xué)方式遮蔽在反射層的與襯底20相對側(cè)的干涉式調(diào)制器的部分，其包含可變形層34。這允許對遮蔽區(qū)域進行配置和操作而不會消極地影響圖像質(zhì)量。這種遮蔽允許實現(xiàn)圖7E中的總線結(jié)構(gòu)44，所述總線結(jié)構(gòu)44提供使調(diào)制器的光學(xué)性質(zhì)與調(diào)制器的機電性質(zhì)(例如，尋址與由所述尋址導(dǎo)致的移動)分離的能力。這種可分離的調(diào)制器結(jié)構(gòu)允許選擇用于調(diào)制器的機電方面和光學(xué)方面的結(jié)構(gòu)設(shè)計和材料且使其彼此獨立而發(fā)揮作用。此外，圖7C-7E中所示的實施例具有源自反射層14的光學(xué)性質(zhì)與其機械性質(zhì)脫離的額外益處，所述益處由可變形層34執(zhí)行。這允許用于反射層14的結(jié)構(gòu)設(shè)計和材料在光學(xué)性質(zhì)方面得以優(yōu)化，且用于可變形層34的結(jié)構(gòu)設(shè)計和材料在所要的機械性質(zhì)方面得以優(yōu)化。圖8為說明在用于干涉式調(diào)制器的制造過程800的一實施例中的某些步驟的流程圖。所述步驟連同在圖8中未圖示的其它步驟可存在于用于制造(例如)在圖1和圖7中說明的一般類型的干涉式調(diào)制器的過程中。參看圖1、圖7和圖8，過程800開始于步驟805處，其中在襯底20上方形成光學(xué)堆疊16。襯底20可為透明襯底(例如玻璃或塑料)，且可已經(jīng)受預(yù)先制備步驟(例如，清洗)以促進光學(xué)堆疊16的有效形成。如上文所論述，光學(xué)堆疊16是導(dǎo)電、部分透明且部分反射的，且可(例如)通過將一個或一個以上層沉積到透明襯底20上而制造。在某些實施例中，所述層可圖案化為平行條帶，且可形成顯示器裝置中的行電極。在某些實施例中，光學(xué)堆疊16包括在一個或一個以上金屬層(例如，反射層和/或?qū)щ妼?上方沉積的絕緣層或電介質(zhì)層。在圖8中說明的過程800在步驟810處繼續(xù)，在步驟810，在光學(xué)堆疊16上方形成犧牲層。隨后移除犧牲層(例如，在步驟825處)以如下文所論述形成腔19，且因此犧牲層未在圖1和圖7中所說明的所得干涉式調(diào)制器12中展示。犧牲層在光學(xué)堆疊16上的形成可包括以經(jīng)選擇以在隨后移除之后提供具有所要大小的腔19的厚度沉積XeF2可蝕刻材料(例如鉬或非晶硅)。使用例如物理氣相沉積(PVD，例如濺射)、等離子增強化學(xué)氣相沉積(PECVD)、熱化學(xué)氣相沉積(熱CVD)或旋涂的沉積技術(shù)，可進行犧牲材料的沉積。在圖8中說明的過程800在步驟815處繼續(xù)，在步驟815，形成支撐結(jié)構(gòu)(例如，在圖1和圖7中說明的柱18或下文論述的鉚釘)。柱18的形成可包括以下步驟圖案化犧牲層以形成支撐結(jié)構(gòu)孔隙，接著使用例如PECVD、熱CVD或旋涂的沉積方法將材料(例如，聚合物或二氧化硅)沉積到所述孔隙中以形成柱18。在某些實施例中，在犧牲層中形成的支撐結(jié)構(gòu)孔隙穿過犧牲層和光學(xué)堆疊16兩者延伸到下伏襯底20，以使得柱18的下端接觸襯底20，如圖7A中所說明。在其它實施例中，在犧牲層中形成的孔隙延伸穿過犧牲層，但未穿過光學(xué)堆疊16。舉例來說，圖7C說明支柱插塞42的與光學(xué)堆疊16接觸的下端。下文給出針對柱和鉚釘?shù)男纬啥峁┑钠渌鼘嵤├母敿氄撌?。在圖8中說明的過程800在步驟820處繼續(xù)，在步驟820，形成可移動反射層(例如在圖1和圖7中說明的可移動反射層14)。通過使用一個或一個以上沉積步驟(例如，反射層(例如鋁、鋁合金)沉積)連同一個或一個以上圖案化、掩蔽和/或蝕刻步驟，可形成可移動反射層14。如上文所論述，可移動反射層14通常是導(dǎo)電的，且本文可將其稱為導(dǎo)電層。因犧牲層仍存在于在過程800的步驟820處形成的部分制成的干涉式調(diào)制器中，所以在此階段，可移動反射層14通常并不可移動。本文可將含有犧牲層的部分18制成的干涉式調(diào)制器稱為"未釋放"干涉式調(diào)制器。在圖8中說明的過程800在步驟825處繼續(xù)，在步驟825，形成腔(例如，在圖1和圖7中說明的腔19)。通過將犧牲材料(在步驟810處所沉積)暴露于蝕刻劑，可形成腔19。舉例來說，通過干式化學(xué)蝕刻(例如，通過將犧牲層暴露于氣態(tài)或蒸氣蝕刻劑(例如從固態(tài)二氟化氙(XeF2)產(chǎn)生的蒸氣)一段可有效移除所要材料量的時間，所述時間通常相對于腔19周圍的結(jié)構(gòu)而選擇)，可移除例如鉬或非晶硅等可蝕刻犧牲材料。還可使用例如濕式蝕刻和/或等離子蝕刻等其它蝕刻方法。因在過程800的步驟825期間移除犧牲層，所以在此階段之后，可移動反射層14通常為可移動的。在移除犧牲材料之后，所得完全或部分制成的干涉式調(diào)制器在本文中可稱為"已釋放"干涉式調(diào)制器。在一個實施例中，支撐結(jié)構(gòu)可采用在可移動層下方的柱結(jié)構(gòu)(例如，在圖1和圖7中展示的柱18)的形式。參看圖9A到圖9G論述用于制造包含支柱的干涉式調(diào)制器的示范性過程。在多個實施例中，制造干涉式調(diào)制器包含在襯底上形成光學(xué)堆疊，所述襯底可為透光襯底，且在其它實施例中為透明襯底。光學(xué)堆疊可包含導(dǎo)電層，其在襯底上或鄰近襯底形成電極層；部分反射層，其反射一些入射光，同時允許一些光到達干涉式調(diào)制器元件的其它組件；和電介質(zhì)層，其使下伏電極層與干涉式調(diào)制器的其它組件絕緣。在圖9A中，可見提供透明襯底100，且導(dǎo)電層102和部分反射層104沉積于襯底100上方。接著，在部分反射層104上方沉積電介質(zhì)層106。在某些實施例中，導(dǎo)電層102是透明的且包含ITO，部分反射層104包含半反射厚度的金屬(例如絡(luò)(Cr)),且電介質(zhì)層106包含二氧化硅(Si02)。電介質(zhì)層還可為包含Si02和Al203的堆疊。在此過程期間的某點處，至少圖案化導(dǎo)電層102(未圖示)以形成將用于尋址干涉式調(diào)制器行的行電極。在一個實施例中，此圖案化在沉積導(dǎo)電層102和部分反射層104之后，但在沉積電介質(zhì)層106之前發(fā)生。將層102、104和106的組合稱為光學(xué)堆疊110，且可出于方便起見在隨后圖式中由單個層指示。應(yīng)了解，光學(xué)堆疊iio的組合物可在層的數(shù)目和那些層的組分上發(fā)生改變，且上文論述的層僅為示范性的。可使用多種方法來執(zhí)行關(guān)于本文所揭示的各種實施例而論述的圖案化和蝕刻工藝。所用蝕刻可為干式蝕刻或濕式蝕刻，且可為各向同性或各向異性的。合適干式蝕刻劑包括(但不限于):SF6/02、CHF3/02、SF2/02、CF4/02和NF3/02。通常，所述蝕刻劑適于蝕刻Si(X、SiNx、SiOxNy、旋涂式玻璃、尼桑(Nissan)硬涂層和TaOx中的一者或一者以上，但此工藝還可蝕刻其它材料。抵抗所述蝕刻劑中的一者或一者以上且因此可用作蝕刻阻擋層的材料包括(但不限于)Al、Cr、Ni和A1203。此外，包括(但不限于)PAD蝕刻劑、BHF、KOH和磷酸的濕式蝕刻劑可用于本文描述的工藝中。通常，所述蝕刻可為各向同性的，但通過使用反應(yīng)性離子蝕刻(R正)(通過離子化蝕刻化學(xué)品且將離子注射于襯底處而實現(xiàn))，可使其成為各向異性的。圖案化可包含接著用于形成掩模的光致抗蝕劑(PR)層(正或負光致抗蝕劑)的沉積?；蛘?，可利用硬掩模。在某些實施例中，硬掩模可包含金屬或SiNx，但應(yīng)了解，硬掩模的組合物可視待蝕刻的下伏材料和待使用的蝕刻劑的選擇性而定。通常使用接著被移除的PR層來圖案化硬掩模，且硬掩模用作用于蝕刻下伏層的掩模。當(dāng)使用濕式蝕刻時，或無論何時在PR掩模無法處理的條件下(例如在高溫下，或當(dāng)使用氧基蝕刻劑時)而經(jīng)由掩模處理時，硬掩模的使用可為尤其有利的。還可利用移除層的替代方法，例如灰化蝕刻或剝離工藝。在圖9B中，可見犧牲材料層112沉積于光學(xué)堆疊110上方。在一實施例中，此犧牲層112包含鉬(Mo)，但在其它實施例中，犧牲層112可包含例如非晶硅(a-Si)的其它材料。在圖9C中，犧牲層112已經(jīng)圖案化和蝕刻以形成楔形孔隙114，所述楔形孔隙114對應(yīng)于柱或支撐區(qū)域的位置?？捎欣厥顾隹紫?14成楔形以促進上覆層的連續(xù).目.共形的沉積。在圖9D中，柱材料層118沉積于圖案化犧牲層114上方，使得柱層118還涂布楔形孔隙114的側(cè)壁和基底。在某些實施例中，柱層118可包含氮化硅(SiNx)或Si02，但可使用多種其它材料。在圖9E中，柱層118經(jīng)圖案化和蝕刻以形成柱120。在圖9E中可見柱120的邊緣優(yōu)選成楔形，此促進上覆層的連續(xù)和共形的沉積(類似于孔隙114的楔形或傾斜的側(cè)壁)。在圖9F中，高反射層122沉積于柱120和犧牲層112的暴露部分上方。接著在高反射層122上方沉積機械層124。出于方便起見，無論何時直接在高反射層122上方沉積機械層124時，則可將高反射層122和機械層124稱為(且在隨后圖中描繪為)可變形反射層130(參看圖9G)。在替代實施例中，可變形反射層130可包含具有所要光學(xué)和機械性質(zhì)的單個層。舉例來說，用于機械開關(guān)的機械或移動層無需包括反射層。因在過程200的此階段仍存在犧牲層112，所以機械層或可變形反射層130通常尚未可移動。本文可將含有犧牲層(在此實施例中的層112)的部分制成的MEMS裝置135(例如，部分制成的干涉式調(diào)制器)稱為"未釋放"MEMS裝置。在圖9G中，執(zhí)行釋放蝕刻以移除犧牲層112，進而形成具有干涉式腔19的干涉式調(diào)制器元件140，可變形反射層130可經(jīng)由所述干涉式腔19移動以改變由已釋放干涉式調(diào)制器元件140反射的顏色。在釋放蝕刻之前，可變形反射層130優(yōu)選經(jīng)圖案化以形成列(未圖示)，且可有利地經(jīng)進一步圖案化以形成促進釋放蝕刻劑進入犧牲層的蝕刻孔(未圖示)。在另一實施例中，支撐結(jié)構(gòu)可采用上覆于機械或可變形反射層130上的鉚釘結(jié)構(gòu)的形式。參看圖IOA到10D論述且描繪用于形成上覆鉚釘結(jié)構(gòu)的過程。在一實施例中，此過程包括圖9A到圖9C的步驟。在圖10A中，可見機械層或可變形反射層130沉積有于圖案化犧牲層112上方，使得可變形反射層130涂布楔形孔隙114的側(cè)壁和基底。在圖10B中，在可變形反射層130上方沉積鉚釘層142。鉚釘層142可包含(例如)Si02、SiNx或Ni,但多種替代材料可用于鉚釘層142。接下來，在圖10C中，鉚釘層經(jīng)圖案化和蝕刻以形成鉚釘結(jié)構(gòu)150。因為在過程200的此階段仍存在犧牲層112,所以機械層或可變形反射層130通常尚未可移動。本文可將含有犧牲層(在此實施例中的層112)的部分制成的MEMS裝置135(例如，部分制成的干涉式調(diào)制器)稱為"未釋放"MEMS裝置。在圖10D中，可見犧牲層112已經(jīng)由釋放蝕刻而移除，從而允許可變形反射層130能夠經(jīng)由已釋放干涉式調(diào)制器140的干涉式腔19移動。應(yīng)了解，經(jīng)由柱120(圖9G)和鉚釘150(圖10D)的組合可提供額外支撐。舉例來說，可在干涉式調(diào)制器中的某些位置中形成鉚釘150,且可在其它位置處形成柱120,或可將鉚釘150形成為上覆于柱120上。在相對于圖9A到圖9G而描述的過程中，可見犧牲層112暴露于圖案化無機柱120(參看圖9E)的蝕刻工藝，且支柱120類似地暴露于移除犧牲層112的釋放蝕刻(參看圖9G)。除非對工藝流程進行修改，否則支柱材料118相對于犧牲材料應(yīng)為可選擇性蝕刻的，且反之亦然。此外，即使存在相對于一者選擇性蝕刻另一者的蝕刻劑，但并不選擇性蝕刻的替代蝕刻劑出于其它原因而可為優(yōu)選的。由于支撐結(jié)構(gòu)和機械層中不平衡應(yīng)力，可發(fā)生支撐結(jié)構(gòu)和機械層的撓曲。在某些情況下，所述不平衡應(yīng)力為在形成支撐結(jié)構(gòu)和機械層的材料內(nèi)的固有應(yīng)力的結(jié)果，其依據(jù)包含那些層的材料而變。不平衡應(yīng)力的額外來源為層的熱膨脹，其依據(jù)兩種不同材料的熱膨脹系數(shù)之間的失配、MEMS裝置的操作溫度、材料的彈性模數(shù)和材料沉積條件而變。當(dāng)鄰接層具有不同熱膨脹系數(shù)時，偏轉(zhuǎn)不僅可由鄰接層大小的相對改變引起，而且總偏轉(zhuǎn)可由于操作溫度而改變。因為所述偏轉(zhuǎn)將改變干涉式腔的高度，且因此影響由干涉式調(diào)制器元件反射的顏色，所以需要在制造具有不同腔高度的干涉式調(diào)制器元件的過程中考慮此撓曲。在一實施例中，應(yīng)用單一厚度的犧牲層，而并非對應(yīng)于多個腔高度而多次沉積犧牲材料，且展現(xiàn)不同撓曲的柱和/或鉚釘在釋放干涉式調(diào)制器時將產(chǎn)生多個腔高度。圖ll為說明在制造裝置(例如具有腔的MEMS裝置)的方法的一實施例中的某些步驟的流程圖。所述步驟連同在圖11中未圖示的其它步驟可存在于用于制造(例如)21在圖1和圖7中說明的一般類型的干涉式調(diào)制器的過程中。在圖11中的過程的多個步驟類似于在圖9和圖IO中示意性描繪的步驟。圖11的過程可用于制造例如在圖12A到圖12K中描繪的各種未釋放和已釋放干涉式調(diào)制器的MEMS裝置。在圖12中展示的裝置包括撓曲控制器，其將產(chǎn)生多個干涉式腔高度，同時需要較少沉積、掩蔽和蝕刻步驟。參看圖9、圖10、圖11和圖12，過程200開始于步驟205處，在步驟205，提供襯底100。在一實施例中，襯底100可包含例如玻璃或塑料的任何透明材料。過程200在步驟210處繼續(xù)，在步驟210，在襯底IOO上形成第一導(dǎo)電層102，如圖9A中所示。如上文所述，第一導(dǎo)電層102可為單層結(jié)構(gòu)或多子層結(jié)構(gòu)。過程200在步驟215處繼續(xù)，在步驟215，形成一個或一個以上其它層，例如，如圖9A中所示的部分反射層104，和在導(dǎo)電層105的至少一部分上方的電介質(zhì)層106。如圖9B和圖12中所示，將層102、104和106的組合稱為光學(xué)堆疊110。過程200在步驟220處繼續(xù)，在步驟220，形成如圖9B中所示的犧牲層112。在圖9、圖IO和圖12A到圖12H中，在可變形反射層130(例如，包括高反射層122和機械層124兩者)與光學(xué)堆疊IIO之間形成單一犧牲層。在圖121、圖12J和圖12K中展示的干涉式調(diào)制器中，在于步驟225處形成可移動反射層14(包括高反射層122)之前，在光學(xué)堆疊IIO上方形成第一犧牲層112A。在圖121、圖12J和圖12K中展示的實施例中，可將可移動反射層14視為通過機械層34而懸置于襯底上方的可移動元件。在不會損失一般性的情況下，術(shù)語可移動元件在本文中將用于描述在MEMS裝置中的任何可移動元件，例如，如圖9和圖10中所示的可移動或可變形反射層130、如圖1和圖7中所示的可移動反射層14、14a或14b中的任一者，或如圖121、圖12J和圖12K中所示的可移動元件14。可通過沉積，接著進行圖案化和蝕刻來形成可移動元件14。在形成可移動元件14之后，在可移動元件14上方沉積第二犧牲層112B。可執(zhí)行對第二犧牲層112B(或單一犧牲層112)的隨后圖案化和蝕刻，以形成如圖9C和圖IOA中所示的支撐結(jié)構(gòu)孔隙114，以及如圖12中所示的用于將機械層34附接到可移動元件14的孔隙。在一優(yōu)選實施例中，在于可移動反射元件14(如圖12中所示)或可變形反射層130(如圖9和圖IO中所示)與襯底之間形成犧牲層112(或112A)的過程中僅執(zhí)行一次沉積。在干涉式調(diào)制器的一實施例中，犧牲層經(jīng)沉積以(在隨后移除時)在可移動層14或可變形反射層130與圖1、圖7和圖12的光學(xué)堆疊16之間形成具有厚度范圍為約1000埃到約5000埃的干涉式腔。在圖121、圖12J和圖12K中展示的雙犧牲層實施例中，過程200在步驟230處繼續(xù)，在步驟230，在犧牲層112B的至少一部分和可移動元件14的至少一部分上方形成機械層34。在圖9和圖10中的單一犧牲層實施例中，由在高反射層122上方形成的機械層124替代機械層34。機械層34和124可由相同或不同的材料構(gòu)成。所述過程在步驟235處繼續(xù)，在步驟235，形成撓曲控制器。在圖11中展示的示范性過程200中，形成具有不同尺寸的多個撓曲控制器，以在移除犧牲層之后提供多個腔大小。在另一實施例中，形成撓曲控制器，以在移除犧牲層之前提供小于或大于腔的所要腔大小。在移除犧牲層112之后，撓曲控制器(例如，柱結(jié)構(gòu)和/或鉚釘結(jié)構(gòu))引發(fā)所述撓曲控制器附接到的隔膜(例如，可變形反射層130)的移位。下文將論述某些示范性撓曲控制器的細節(jié)。過程200在步驟240處繼續(xù)，在步驟240，移除犧牲層112(例如，通過蝕刻)以形成如圖10G中展示的腔19。犧牲層的移除可(例如)通過暴露于蝕刻劑(例如以單獨或組合形式的XeF2、F2或HF)而實現(xiàn)。在一優(yōu)選實施例中，在蝕刻工藝中移除大體上所有犧牲層112。在一實施例中，腔19為在光學(xué)堆疊110與可變形反射層130之間的干涉式腔。在形成腔19之后，所得MEMS裝置(例如，干涉式調(diào)制器)處于"已釋放"狀態(tài)中?，F(xiàn)將論述可在過程200的步驟235處形成的撓曲控制器的某些實例。舉例來說，圖12A展示未釋放裝置(例如，干涉式調(diào)制器)，其包括柱120，所述柱120具有一具有尺寸122、大體上平行于襯底IOO和可變形反射層130的翼形部分。犧牲層112具有厚度126，如垂直于襯底IOO和光學(xué)堆疊IIO所測量。圖12B展示在移除犧牲層112從而形成腔19之后的裝置。圖12B的己釋放裝置具有腔深度128A，如垂直于襯底100和光學(xué)堆疊110所測量。在此實例中，在已釋放可變形層130與光學(xué)堆疊IIO之間的腔的深度(展示為參考數(shù)字128A)可測量地大于在圖12A中展示的未釋放腔深度126。腔深度差異歸因于由柱120與可變形反射層130的組合應(yīng)力而控制的撓曲。圖12C展示未釋放裝置(例如，干涉式調(diào)制器)的第二實例，其包括柱120，所述柱120具有一具有尺寸124、大體上平行于襯底100和可變形反射層130的翼形部分。在此實例中，犧牲層112具有與在圖12A中展示的裝置大致相同的厚度126，如垂直于襯底IOO和光學(xué)堆疊IIO所測量。然而，圖12C的重疊124大于圖12A的重疊122。柱120的重疊122和124為如上文論述且在圖9E中展示的圖案化和蝕刻步驟的結(jié)果。圖12D展示在移除犧牲層112從而形成腔19之后的圖12C的裝置。圖12D的己釋放裝置具有腔深度128B,如垂直于襯底IOO和光學(xué)堆疊IIO所測量。在此實例中，在已釋放可變形層130與光學(xué)堆疊IIO之間的腔的深度(展示為參考數(shù)字128B)可測量地大于在圖12A和圖12C中展示的未釋放腔深度126，且大于在圖12B中展示的已釋放腔深度128A。23腔深度差異歸因于由柱120(與圖12A的重疊122相比，具有重疊124)與可變形反射層130的組合應(yīng)力而控制的撓曲。圖12E和圖12G展示其中撓曲控制器包含上覆于可變形反射層130上的鉚釘150(如上文論述且如圖10中展示)的裝置的實例。圖12E的鉚釘150與圖12G的鉚釘150相比具有較小重疊部分(或翼)(參看尺寸123和125)。在此實例中，對兩個裝置來說，犧牲層112的深度127大致相同。然而，在釋放裝置之后，對應(yīng)腔深度可顯著改變，如由圖12F的深度129A和圖12H的深度129B所描繪。圖121、圖12J和圖12K描繪具有各種撓曲控制柱結(jié)構(gòu)120和鉚釘結(jié)構(gòu)150的未釋放干涉式調(diào)制器的實例。圖12I具有上覆于機械層34上的鉚釘結(jié)構(gòu)150和下伏于機械層34下的柱結(jié)構(gòu)，其中鉚釘150和柱120具有類似重疊。圖12J的鉚釘結(jié)構(gòu)150展現(xiàn)較少重疊，而柱結(jié)構(gòu)120展現(xiàn)較多重疊。圖12K描繪其中與柱結(jié)構(gòu)120相比鉚釘結(jié)構(gòu)具有顯著更大重疊的裝置。在干涉式調(diào)制器的制造期間，觀察到在釋放裝置時(如圖12B和圖12D中所描繪)，可移動反射層的向上撓曲為約500?；?00埃以下。然而，在釋放裝置時(如圖2F和圖12I中所描繪)，通常并不發(fā)生可移動反射層的向下?lián)锨?。通過改變撓曲控制器(例如，柱和/或鉚釘)的大小和/或所包含的材料，可實現(xiàn)隔膜的增加的向上撓曲和/或向下?lián)锨?。舉例來說，沉積較薄柱和/或鉚釘層可導(dǎo)致較少的向上撓曲或增加的向下?lián)锨?。形成較硬材料的撓曲控制器可導(dǎo)致較少撓曲。減少在上覆撓曲控制器(例如，鉚釘)中的張應(yīng)力可降低向上撓曲。減少在下伏撓曲控制器(例如，柱)中的張應(yīng)力可增加向上撓曲。張應(yīng)力趨向于收縮裝置的含有所述張應(yīng)力的部分。相反，壓縮應(yīng)力趨向于膨脹裝置的含有所述壓縮應(yīng)力的部分。所屬領(lǐng)域的技術(shù)人員將認識到，通過改變柱120和/或鉚釘150的相對大小以及改變構(gòu)成柱120和/或鉚釘150的材料，可實現(xiàn)顯著不同的已釋放腔深度。通過如上文論述改變撓曲控制器的大小和/或材料性質(zhì)，可實現(xiàn)以下向上或向下?lián)锨秶?，包括約50埃到100埃、約100埃到150埃、約150埃到200埃、約200埃到250埃、約250埃到300埃、約300埃到350埃、約350埃到400埃、約400埃到450埃、約450埃到500埃、約500埃到550埃、約550埃到600埃、約600埃到650埃、約650埃到700埃、約700埃到750埃、約750埃到800埃、約800埃到850埃、約850埃到900埃、約900埃到950埃、約950埃到1000埃、約1000埃到1050埃、約1050埃到1100埃、約1100埃到1150埃、約1150埃到1200?；?200埃以上。此外，所述范圍的遞增或遞減約5埃、10埃、15埃、20埃和25埃是可能的。本文描述的用于控制MEMS裝置的腔深度的方法可對包括包含腔的MEMS裝置(例如，干涉式調(diào)制器)的各種裝置的制造具有積極效果。舉例來說，表l概述其中在具有相似未釋放犧牲層深度的干涉式調(diào)制器中制造各種柱結(jié)構(gòu)重疊的一組實驗的結(jié)果。對測量為222微米乘222微米的干涉式調(diào)制器像素來說，柱結(jié)構(gòu)重疊(類似于分別在圖12A和圖12C中描繪的重疊122和124)是從1微米到3微米而改變。在所述實驗中，犧牲層的厚度為約1150埃。在釋放干涉式調(diào)制器之后，在可移動元件與光學(xué)堆疊之間的非驅(qū)動腔深度(如垂直于襯底所測量)顯著改變。表1柱重疊(pm)非驅(qū)動腔深度(埃)1.014002.017752.520003.02200在表1中展示，柱重疊的相對較小改變導(dǎo)致非驅(qū)動腔深度從最淺情況到最深情況的大于50%的改變。如上文論述，通過改變柱和/或鉚釘?shù)某叽绾?或材料，可顯示甚至更大的改變。歸因于柱結(jié)構(gòu)中的張應(yīng)力，在測試中使用的柱結(jié)構(gòu)導(dǎo)致間隙大小的增加(參看圖12B和圖12D)。然而，通過利用鉚釘結(jié)構(gòu)和/或柱結(jié)構(gòu)與鉚釘結(jié)構(gòu)的組合，還可實現(xiàn)可變形反射層的降低或下沉(如圖12F和圖12H中所描繪)。如上文所論述，對干涉式調(diào)制器來說，需要約1000埃到約5000埃的腔深度。約2000埃到約4000埃的腔大小范圍優(yōu)選用于調(diào)制可見光，而較小和/或較大的腔大小可用于調(diào)制超譜光(hyperspectmllight)、紫外光和/或紅外光?？蓪崿F(xiàn)腔深度的約30%到40%、約40%到50%、約50%到60%、約60%到70%、約70%到80%、約80%到90%、約90%到100%或100%以上的增加。此外，可獲得對所述范圍的約1%、2%、3%、4%和5%的增量或減量。除展示撓曲控制器的各種結(jié)構(gòu)對腔深度具有的影響的上文論述的實驗之外，還進行了模擬實驗的分析研究，且其指示還可擔(dān)負控制腔深度的額外能力。圖13A到圖13F展示經(jīng)設(shè)計以展示在釋放裝置時，改變撓曲控制器結(jié)構(gòu)的特征可對支撐層的偏轉(zhuǎn)具有的影響的分析研究的結(jié)果。在研究中使用的分析方程式模型化在與鉚釘和柱結(jié)構(gòu)支撐的層中含有的應(yīng)力組合時在各種鉚釘和/或柱結(jié)構(gòu)中含有的張應(yīng)力和收縮應(yīng)力的效應(yīng)。在支撐結(jié)構(gòu)中和在被支撐層中含有的模型化應(yīng)力表示可視形成不同層的條件而產(chǎn)生的應(yīng)力。由研究中的負應(yīng)力水平表示的壓縮應(yīng)力趨向于膨脹裝置的含有所述壓縮應(yīng)力的部分。由在研究中的正應(yīng)力水平表示的張應(yīng)力趨向于收縮裝置的含有所述張應(yīng)力的部分。研究考察柱和/或鉚釘結(jié)構(gòu)的多種組合。研究還模型化撓曲控制器結(jié)構(gòu)的不同部分的特定尺寸范圍和/或特征對所得偏轉(zhuǎn)的影響。進行分析的撓曲控制器結(jié)構(gòu)的尺寸和特征包括裝置的各種部分的層厚度、重疊長度和應(yīng)力水平。分析將撓曲控制器柱和/或鉚釘以及被支撐層作為懸臂梁而模型化。在分析中使用的結(jié)構(gòu)表示若干類型的裝置中的任一者，包括(但不限于)-MEMS裝置、光調(diào)制裝置和包含在薄膜層中的一者與襯底之間和/或在薄膜層中的兩者之間具有腔的一個或一個以上薄膜層的任何裝置。將關(guān)于在圖12中展示的干涉式調(diào)制器實施例來論述在圖13A到圖13F中展示的結(jié)果。應(yīng)注意，干涉式調(diào)制器為可使用此處提供的分析方法而模型化的裝置的實例，且使用上文描述的各種方法還可分析和制造其它裝置。在第一實例中分析的裝置的配置包括由Ni構(gòu)成的1000埃厚(如垂直于襯底100所測量)的可變形反射層130。用400MPa的張應(yīng)力(表示在典型沉積條件下所經(jīng)歷的應(yīng)力水平的類型)模型化Ni層。裝置還包括2000埃厚(如垂直于襯底所測量)的氧化物柱結(jié)構(gòu)120。在分析中模型化的氧化物柱結(jié)構(gòu)包含Si02。柱結(jié)構(gòu)與可變形反射層130重疊3pm，其中所述重疊是如在圖12A和圖12C中展示的尺寸122和124所描繪而測量。用-400MPa壓縮應(yīng)力模型化柱結(jié)構(gòu)。裝置還包括氧化物鉚釘結(jié)構(gòu)150，其中圖13A的鉚釘結(jié)構(gòu)的厚度(如垂直于襯底所測量)為1000埃，且在圖13B的水平軸上是可變的。鉚釘結(jié)構(gòu)與可變形反射層BO重疊3fxm,其中重疊是如在圖12E和圖12G中展示的尺寸123和125所描繪而測量。對在圖13B中展示的分析結(jié)果來說，鉚釘結(jié)構(gòu)的應(yīng)力在水平軸上是可變的，且對在圖13B中展示的分析結(jié)果來說，所述應(yīng)力為-400MPa。圖13A和圖13B展示在釋放犧牲層112從而產(chǎn)生腔19時可變形反射層130的所得偏轉(zhuǎn)。正偏轉(zhuǎn)值表示如圖12B和圖12D中所描繪的從襯底IOO離開的偏轉(zhuǎn)。負偏轉(zhuǎn)值表示如圖12F和圖12H中所描繪的朝向襯底100的偏轉(zhuǎn)。圖13A的結(jié)果展示因壓縮應(yīng)力增加(較大負值)，偏轉(zhuǎn)降低，其展示在-500MPa氧化物鉚釘應(yīng)力下稍高于300埃的所估計偏轉(zhuǎn)。隨壓縮應(yīng)力降為零，偏轉(zhuǎn)變得較大，展示在零MPa壓力水平下大于800埃的所估計偏轉(zhuǎn)。通過形成具有張應(yīng)力水平(正應(yīng)力)的鉚釘結(jié)構(gòu)，可獲得甚至更大值的偏轉(zhuǎn)。在圖13A的實例中，所有偏轉(zhuǎn)為正(從襯底離開)的原因為，-400MPa的組合氧化物柱應(yīng)力和400MPa的可變形反射層應(yīng)力均促成所分析的氧化物鉚釘應(yīng)力水平未克服的正偏轉(zhuǎn)。偏轉(zhuǎn)的較小值(包括負偏轉(zhuǎn)值)可通過若干方法獲得，包括施加更大的負壓縮鉚釘應(yīng)力水平、降低壓縮氧化物柱的厚度、降低氧化物柱的壓縮應(yīng)力、降低壓縮氧化物柱的厚度、增加壓縮氧化物鉚釘?shù)暮穸?、降低壓縮氧化物柱的重疊長度、增加壓縮鉚釘?shù)闹丿B長度和所屬領(lǐng)域的技術(shù)人員所知的其它方法。所述方法均用以降低裝置的促成向上偏轉(zhuǎn)的部分(例如，壓縮柱120和拉伸可變形26反射層130)的能量水平和/或增加裝置的促成向下偏轉(zhuǎn)的部分(例如，壓縮鉚釘150)的能量水平。圖13B的結(jié)果展示，在釋放犧牲層112時，偏轉(zhuǎn)隨壓縮氧化物鉚釘150的厚度增加(增加促進向下偏轉(zhuǎn)的能量)而降低，甚至在鉚釘厚度大于約2000埃時變?yōu)樨撝?。下一實例包括具?400MPa的壓縮應(yīng)力的2000埃厚的氧化物柱120、具有-400MPa的壓縮應(yīng)力的IOOO埃厚的氧化物鉚釘150和具有400MPa的張應(yīng)力的1000埃厚的可變形反射Ni層130。柱120的重疊長度(參看在圖12A中的尺寸122和在圖12C中的尺寸124)與鉚釘150的重疊長度(參看在圖12E中的尺寸123和在圖12G中的尺寸125)相等且從約21im改變?yōu)榧s6pn。圖13C展示在釋放犧牲層112時，可變形反射層130的所估計偏轉(zhuǎn)。增加柱120和鉚釘150的重疊長度增加從襯底IOO離開的偏轉(zhuǎn)。如在以上情況下，壓縮柱120和拉伸可變形反射層130兩者均促進向上偏轉(zhuǎn)，且壓縮鉚釘150促進向下偏轉(zhuǎn)。在此情況下，層130與柱120的組合能量超過鉚釘150的能量，且偏轉(zhuǎn)均為正。通過將氧化物柱120和氧化物鉚釘150的重疊長度從約2pm改變?yōu)榧s6)Lim，層130的偏轉(zhuǎn)可從約200埃改變?yōu)榧s1700埃。圖13D展示在釋放犧牲層112時，在類似于圖13C(除了不存在氧化物鉚釘)的情況下，可變形反射層130的偏轉(zhuǎn)。在此實例中，因為壓縮鉚釘并未對由柱120和可變形反射層130引起的向上偏轉(zhuǎn)起反作用，所以可變形反射層130的正偏轉(zhuǎn)遠大于在無鉚釘情況下的正偏轉(zhuǎn)。通過將氧化物柱120的重疊長度從約2pm改變?yōu)榧s6pm，層130的偏轉(zhuǎn)可從約500埃改變?yōu)榧s5500埃。圖13E展示在釋放犧牲層112時，在類似于圖13D(包括無氧化物鉚釘)，但具有3)im的固定氧化物柱120重疊(參看在圖12A中的尺寸122和在圖12C中的尺寸124)和改變的氧化物柱應(yīng)力水平的情況下，可變形反射層130的偏轉(zhuǎn)。在此實例中，可變形反射層130的正偏轉(zhuǎn)因氧化物柱應(yīng)力的負值變小(較低的壓縮應(yīng)力水平)而降低。對500MPa的壓縮氧化物柱應(yīng)力水平來說，在釋放犧牲層112時，可變形反射層130的向上偏轉(zhuǎn)為約1600埃，且對零應(yīng)力水平來說，所述偏轉(zhuǎn)為約350埃。最終樣本包括具有-400MPa的壓縮應(yīng)力的2000埃厚的氧化物柱120、具有-200MPa的壓縮應(yīng)力的IOOO埃厚的氧化物鉚釘150和具有400MPa的張應(yīng)力的1000埃厚的可變形反射Ni層130。柱120的重疊長度(參看在圖12A中的尺寸122和在圖12C中的尺寸124)與鉚釘150的重疊長度(參看在圖12E中的尺寸123和在圖12G中的尺寸125)相等且從約2)Lim改變?yōu)榧s6^m。圖13F展示在釋放犧牲層112時，可變形反射層130的所估計偏轉(zhuǎn)。增加柱120和鉚釘150兩者的重疊長度增加從襯底IOO離開的偏轉(zhuǎn)。如在以上情況下，壓縮柱120和拉伸可變形反射層130兩者均促進向上偏轉(zhuǎn)，而壓縮鉚釘150促進向下偏轉(zhuǎn)。在此情況下，層130與柱120的組合應(yīng)力水平超過鉚釘150的應(yīng)力水平，且偏轉(zhuǎn)均為正。通過將氧化物柱120和氧化物鉚釘150的重疊長度從約2iim改變?yōu)榧s6pm,層130的所估計偏轉(zhuǎn)從約250埃改變?yōu)榧s2500埃。上文論述的對實例的分析研究展示，在釋放裝置時，組成撓曲控制器結(jié)構(gòu)和/或其它層的多個部分的尺寸和/或特征的改變可影響被支撐層的偏轉(zhuǎn)。所屬領(lǐng)域的技術(shù)人員能夠認識到修改相似類型的裝置的部分以改變已釋放裝置的腔深度的其它方式。未釋放干涉式調(diào)制器的實施例包括第一反射構(gòu)件，其用于反射光；第二反射構(gòu)件，其用于反射光；第一支撐構(gòu)件，其用于支撐第二反射構(gòu)件，其中第一支撐構(gòu)件可通過蝕刻移除；和第二支撐構(gòu)件，其用于支撐第二反射構(gòu)件，且用于在移除第一支撐構(gòu)件時在第一反射構(gòu)件與第二反射構(gòu)件之間形成深度大于第一支撐構(gòu)件的深度約30%或30%以上的腔。參看圖9到圖12，此實施例的方面包括第一反射構(gòu)件為部分反射層104的情況；第二反射構(gòu)件為可移動反射層14的情況；第一支撐構(gòu)件為犧牲層112的情況；和第二支撐構(gòu)件為柱結(jié)構(gòu)120和鉚釘結(jié)構(gòu)150中的至少一者的情況。未釋放干涉式調(diào)制器的另一實施例包括第一反射構(gòu)件，其用于反射光；第二反射構(gòu)件，其用于反射光；第一支撐構(gòu)件，其用于支撐第二反射構(gòu)件；和第二支撐構(gòu)件，其用于支撐第二反射構(gòu)件，月.用于在移除第一支撐構(gòu)件時實現(xiàn)第二反射構(gòu)件朝向第一反射構(gòu)件的移位，其中第一支撐構(gòu)件可通過蝕刻移除。參看圖9到圖12，此實施例的方面包括第一反射構(gòu)件為部分反射層104的情況；第二反射構(gòu)件為可移動反射層14的情況；第一支撐構(gòu)件為犧牲層112的情況；和第二支撐構(gòu)件為柱結(jié)構(gòu)120和鉚釘結(jié)構(gòu)150中的至少一者的情況。盡管以上詳細描述已展示、描述且指出了本發(fā)明在應(yīng)用到各種實施例時的新穎特征，但應(yīng)了解，所屬領(lǐng)域的技術(shù)人員可在不脫離本發(fā)明的精神的情況下對所說明的裝置或工藝的形式和細節(jié)進行各種省略、替代和改變。如將認識到，可在不提供本文闡述的所有特征和益處的形式下實施本發(fā)明，因為某些特征可與其它特征分離地使用或?qū)嵺`。28權(quán)利要求1.一種制造至少兩個類型的微機電系統(tǒng)(MEMS)裝置的方法，所述至少兩個類型的MEMS裝置在移除犧牲材料之后具有不同的釋放狀態(tài)，所述方法包含提供襯底；在所述襯底的至少一部分上方形成第一導(dǎo)電層；在所述第一導(dǎo)電層的至少一部分上方形成第一犧牲層；在所述第一犧牲層上方形成多個導(dǎo)電可移動元件；以及在所述襯底上方形成多個撓曲控制器，所述撓曲控制器經(jīng)配置以在移除所述犧牲層時可操作地支撐所述導(dǎo)電可移動元件；所述第一犧牲層是可移除的，以借此釋放所述MEMS裝置，且在所述第一導(dǎo)電層與所述可移動元件之間形成具有至少兩個間隙大小的腔。1.一種制造至少兩個類型的微機電系統(tǒng)(MEMS)裝置的方法，所述至少兩個類型的MEMS裝置在移除犧牲材料之后具有不同的釋放狀態(tài)，所述方法包含提供襯底；在所述襯底的至少一部分上方形成第一導(dǎo)電層；在所述第一導(dǎo)電層的至少一部分上方形成第一犧牲層；在所述第一犧牲層上方形成多個導(dǎo)電可移動元件；以及在所述襯底上方形成多個撓曲控制器，所述撓曲控制器經(jīng)配置以在移除所述犧牲層時可操作地支撐所述導(dǎo)電可移動元件所述第一犧牲層是可移除的，以借此釋放所述MEMS裝置，且在所述第一導(dǎo)電層與所述可移動元件之間形成具有至少兩個間隙大小的腔。2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的方法，其進一步包含在所述第一導(dǎo)電層上方形成電介質(zhì)層。3.根據(jù)權(quán)利要求1到2中任一權(quán)利要求所述的方法，其中所述第一犧牲層的厚度在所述多個導(dǎo)電可移動元件下方大體上相同。4.根據(jù)權(quán)利要求1到3中任一權(quán)利要求所述的方法，其進一步包含在所述可移動元件上方形成第二犧牲層以及在所述第二犧牲層的至少一部分上方形成機械層，其中所述機械層附接到所述可移動元件且由所述多個撓曲控制器可操作地支撐；所述第二犧牲層是可移除的，以借此形成腔且釋放所述MEMS裝置。5.根據(jù)權(quán)利要求1到4中任一權(quán)利要求所述的方法，其進一步包含移除大體上所有的所述第一犧牲層，借此釋放所述MEMS裝置。6.根據(jù)權(quán)利要求5所述的方法，其中所述第一犧牲層包含鉬和非晶硅中的一者，且移除所述第一犧牲層包含將所述第一犧牲層暴露于從固態(tài)二氟化氙產(chǎn)生的蒸氣。7.根據(jù)權(quán)利要求1到6中任一權(quán)利要求所述的方法，其中所述撓曲控制器包含柱結(jié)構(gòu)和鉚釘結(jié)構(gòu)中的至少一者。8.根據(jù)權(quán)利要求1到3中任一權(quán)利要求所述的方法，其中形成所述撓曲控制器進一步包含形成具有接觸所述可移動元件的不同大小部件的所述至少兩個類型的撓曲控制器。9.根據(jù)權(quán)利要求4所述的方法，其中形成所述撓曲控制器進一步包含形成具有接觸所述機械層的不同大小部件的所述至少兩個類型的撓曲控制器。10.根據(jù)權(quán)利要求9所述的方法，其中所述不同大小部件包含具有柱結(jié)構(gòu)或鉚釘結(jié)構(gòu)的不同大小的翼，其中所述翼大體上平行于所述襯底和所述導(dǎo)電可移動元件而延伸。11.一種制造至少兩個類型的干涉式調(diào)制器的方法，所述至少兩個類型的干涉式調(diào)制器在移除犧牲材料之后具有不同的腔深度，所述方法包含提供襯底；在所述襯底的至少一部分上方形成光學(xué)堆疊；在所述光學(xué)堆疊的至少一部分上方形成第一犧牲材料，其中所述犧牲材料是可移除的，以借此形成腔；在所述第一犧牲材料的部分上方形成第二導(dǎo)電層；以及在所述襯底上方形成至少兩個類型的撓曲控制器，所述撓曲控制器經(jīng)配置以可操作地支撐所述第二導(dǎo)電層，其中所述至少兩個類型的撓曲控制器包含不同大小的組件，所述不同大小的組件經(jīng)配置以在移除所述第一犧牲層之后在所述第二導(dǎo)電層的所述部分下方形成不同深度的腔。12.—種通過根據(jù)權(quán)利要求11所述的方法制造的未釋放干涉式調(diào)制器。13.根據(jù)權(quán)利要求ll所述的方法，其進一步包含移除大體上所有的所述第一犧牲層。14.一種通過根據(jù)權(quán)利要求13所述的方法制造的已釋放干涉式調(diào)制器。15.—種包含根據(jù)權(quán)利要求14所述的已釋放干涉式調(diào)制器的干涉式調(diào)制器陣列。16.—種顯示器裝置，其包含根據(jù)權(quán)利要15所述的干涉式調(diào)制器陣列;處理器，其經(jīng)配置以與所述陣列通信，所述處理器經(jīng)配置以處理圖像數(shù)據(jù)；以及存儲器裝置，其經(jīng)配置以與所述處理器通信。17.根據(jù)權(quán)利要求16所述的顯示器裝置，其進一步包含驅(qū)動器電路，所述驅(qū)動器電路經(jīng)配置以將至少一個命令發(fā)送到所述干涉式調(diào)制器陣列。18.根據(jù)權(quán)利要求17所述的顯示器裝置，其進一步包含控制器，所述控制器經(jīng)配置以將所述圖像數(shù)據(jù)的至少一部分發(fā)送到所述驅(qū)動器電路。19.根據(jù)權(quán)利要求16到18中任一權(quán)利要求所述的顯示器裝置，其進一步包含圖像源模塊，所述圖像源模塊經(jīng)配置以將所述圖像數(shù)據(jù)發(fā)送到所述處理器。20.根據(jù)權(quán)利要求19所述的顯示器裝置，其中所述圖像源模塊包含接收器、收發(fā)器和傳輸器中的至少一者。21.根據(jù)權(quán)利要求16到20中任一權(quán)利要求所述的顯示器裝置，其進一步包含輸入裝置，所述輸入裝置經(jīng)配置以接收輸入數(shù)據(jù)且將所述輸入數(shù)據(jù)傳送到所述處理器。22.—種微機電系統(tǒng)(MEMS)裝置，其包含襯底；多個可移動元件，其在所述襯底上方，每一可移動元件通過腔而與所述襯底分離；以及多個撓曲控制器，其在所述襯底上方，所述多個撓曲控制器經(jīng)配置以可操作地支撐所述可移動元件，其中所述多個撓曲控制器包含具有不同尺寸的部分以控制所選擇的撓曲；其中所述所選擇的撓曲用以在所述襯底與所述多個可移動元件之間形成具有至少兩個間隙大小的所述腔。23.根據(jù)權(quán)利要求22所述的MEMS裝置，其中所述撓曲控制器的所述具有不同尺寸的部分包含不同厚度的所述多個撓曲控制器。24.—種控制包含一個或一個以上薄膜層的裝置的兩個層之間的腔的深度的方法，所述方法包含提供襯底在所述襯底的至少一部分上方形成犧牲層；在所述犧牲層的至少一部分上方形成第一層；以及在所述襯底上方形成一個或一個以上撓曲控制器，所述撓曲控制器經(jīng)配置以可操作地支撐所述第一層，且在移除所述犧牲層時，在所述襯底與所述第一層之間形成深度大于所述犧牲層的深度約30%或30%以上的腔，其中垂直于所述襯底測量深度。25.根據(jù)權(quán)利要求24所述的方法，其中所述撓曲控制器包含柱結(jié)構(gòu)和鉚釘結(jié)構(gòu)中的至少一者。26.根據(jù)權(quán)利要求25所述的方法，其中所述撓曲控制器包含一個或一個以上柱結(jié)構(gòu)和一個或一個以上鉚釘結(jié)構(gòu)，其中所述柱結(jié)構(gòu)和所述鉚釘結(jié)構(gòu)包含不同大小的翼，其中所述翼大體上平行于所述襯底和所述第一層而延伸。27.根據(jù)權(quán)利要求24到26中任一權(quán)利要求所述的方法，其中所述第一層為可移動層。28.—種未釋放微機電系統(tǒng)(MEMS)裝置，其包含襯底；犧牲層，其在所述襯底的至少一部分上方；可移動元件，其在所述第一犧牲層上方；以及一個或一個以上撓曲控制器，其在所述襯底上方，所述一個或一個以上撓曲控制器經(jīng)配置以可操作地支撐所述可移動元件，且在移除所述犧牲層時，在所述襯底與所述可移動元件之間形成深度大于所述犧牲層的深度約30%或30%以上的腔，其中深度垂直于所述襯底而測量；所述犧牲層可通過蝕刻移除。29.根據(jù)權(quán)利要求28所述的MEMS裝置，其中所述一個或一個以上撓曲控制器包含一個或一個以上柱結(jié)構(gòu)和一個或一個以上鉚釘結(jié)構(gòu)，其中所述柱結(jié)構(gòu)和所述鉚釘結(jié)構(gòu)包含接觸所述可移動元件的不同大小的部件。30.根據(jù)權(quán)利要求28到29中任一權(quán)利要求所述的MEMS裝置，其中所述一個或一個以上撓曲控制器經(jīng)形成而具有張應(yīng)力或壓縮應(yīng)力，其中所述撓曲控制器的組合應(yīng)力在移除所述犧牲層時致使所述可移動元件偏轉(zhuǎn)，借此形成所述深度大于所述犧牲層的所述深度約30%或30%以上的所述腔。31.—種未釋放干涉式調(diào)制器，其包含.-第一反射構(gòu)件，其用于反射光；第二反射構(gòu)件，其用于反射光；第一支撐構(gòu)件，其用于支撐所述第二反射構(gòu)件，其中所述第一支撐構(gòu)件可通過蝕刻移除以及第二支撐構(gòu)件，其用于支撐所述第二反射構(gòu)件，且用于在移除所述第一支撐構(gòu)件時，在所述第一反射構(gòu)件與所述第二反射構(gòu)件之間形成深度大于所述第一支撐構(gòu)件的深度約30%或30%以上的腔，其中深度垂直于所述第一反射構(gòu)件而測量。32.根據(jù)權(quán)利要求31所述的未釋放干涉式調(diào)制器，其中所述第一反射構(gòu)件包含部分反射層。33.根據(jù)權(quán)利要求31到32中任一權(quán)利要求所述的未釋放干涉式調(diào)制器，其中所述第二反射構(gòu)件包含可移動反射層。34.根據(jù)權(quán)利要求31到33中任一權(quán)利要求所述的未釋放干涉式調(diào)制器，其中所述第一支撐構(gòu)件包含犧牲層。35.根據(jù)權(quán)利要求31到34中任一權(quán)利要求所述的未釋放干涉式調(diào)制器，其中所述第二支撐構(gòu)件包含柱結(jié)構(gòu)和鉚釘結(jié)構(gòu)中的至少一者。36.—種控制包含一個或一個以上薄膜層的裝置的兩個層之間的腔的深度的方法，所述方法包含提供襯底；在所述襯底的至少一部分上方形成犧牲層，所述犧牲層可通過蝕刻移除；在所述犧牲層的至少一部分上方形成第一薄膜層以及在所述襯底上方形成一個或一個以上撓曲控制器，所述撓曲控制器經(jīng)配置以可操作地支撐所述第一薄膜層，且在移除所述犧牲層時使所述第一薄膜層朝向所述襯底移位。37.—種未釋放微機電系統(tǒng)(MEMS)裝置，其包含襯底；犧牲層，其在所述襯底的至少一部分上方；可移動元件，其在所述第一犧牲層上方；以及一個或一個以上撓曲控制器，其在所述襯底上方，所述一個或一個以上撓曲控制器經(jīng)配置以可操作地支撐所述可移動元件，且在移除所述犧牲層時使所述可移動元件朝向所述襯底移位；所述犧牲層可通過蝕刻移除。38.—種未釋放干涉式調(diào)制器，其包含第一反射構(gòu)件，其用于反射光；第二反射構(gòu)件，其用于反射光；第一支撐構(gòu)件，其用于支撐所述第二反射構(gòu)件；以及第二支撐構(gòu)件，其用于支撐所述第二反射構(gòu)件，且用于實現(xiàn)在移除所述第一支撐構(gòu)件時所述第二反射構(gòu)件朝向所述第一反射構(gòu)件的移位；其中所述第一支撐構(gòu)件可通過蝕刻移除。39.根據(jù)權(quán)利要求38所述的未釋放干涉式調(diào)制器，其中所述第一反射構(gòu)件包含部分反射層。40.根據(jù)權(quán)利要求38到39中任一權(quán)利要求所述的未釋放干涉式調(diào)制器，其中所述第二反射構(gòu)件包含可移動反射層。41.根據(jù)權(quán)利要求38到40中任一權(quán)利要求所述的未釋放干涉式調(diào)制器，其中所述第一支撐構(gòu)件包含犧牲層。42.根據(jù)權(quán)利要求38到41中任一權(quán)利要求所述的未釋放干涉式調(diào)制器，其中所述第二支撐構(gòu)件包含柱結(jié)構(gòu)和鉚釘結(jié)構(gòu)中的至少一者。全文摘要本發(fā)明提供用于控制光調(diào)制裝置的兩個層之間的腔的深度的方法和設(shè)備。一種制造光調(diào)制裝置的方法包括提供襯底；在所述襯底的至少一部分上方形成犧牲層；在所述犧牲層的至少一部分上方形成反射層；以及在所述襯底上方形成一個或一個以上撓曲控制器，所述撓曲控制器經(jīng)配置以可操作地支撐所述反射層，且在移除所述犧牲層時，形成深度可測量地不同于所述犧牲層的厚度的腔，其中垂直于所述襯底測量所述深度。文檔編號B81B3/00GK101484381SQ200780024852公開日2009年7月15日申請日期2007年5月16日優(yōu)先權(quán)日2006年6月30日發(fā)明者利奧爾·科格特,董明皓申請人:高通Mems科技公司