專利名稱：具有微帽蓋的元件、模組及其晶圓級封裝方法
技術(shù)領(lǐng)域：
本發(fā)明涉及一種微機(jī)電元件的封裝結(jié)構(gòu)及其晶圓級封裝方法，特別是涉及一種 具有微帽蓋的元件及其晶圓級封裝方法，以及一種具有微帽蓋的元件模組及其晶圓 級封裝方法。
背景技術(shù)：
一般微機(jī)電(McrO"Electro-Mechanical System, MEMS)元件，例如微致動(dòng)器 (actuator)、感測器(sensor)、微加速度計(jì)(accelerometer)等，大多利用半導(dǎo)體制 程技術(shù)制造，但是后段的封裝制程，則因?yàn)槲C(jī)電元件為三維可動(dòng)式結(jié)構(gòu)，除了與 半導(dǎo)體元件一樣需要形成一個(gè)密閉式空間以避免外在環(huán)境，例如水氣及微粒子的干 擾之外，還必須能提f繊元件在做機(jī)械式運(yùn)動(dòng)時(shí)的活動(dòng)空間，使得微機(jī)電元件的封 慰隹度高于半導(dǎo)體元件，而不會(huì)喧接禾,現(xiàn)有的半導(dǎo)體封裝制^^紫微機(jī)電元件。
以微加速度計(jì)為例，目前封裝微加速度計(jì)的方式主要是將一微加速度計(jì)芯片與 一ASIC芯片置于一陶瓷封裝體內(nèi)，再以一上蓋密封而與外界隔絕。由于該微加速度 計(jì)芯片置入陶^^寸裝體之前，是由一晶圓(wafer)經(jīng)過切害U芯片(dicing)的流程后所 形成，芯片切割時(shí)會(huì)與外界直^觸，容易受到水或切削的物質(zhì)攻擊，使微加速度 計(jì)損壞，影響其制程良率。
為了改善芯片切割時(shí)造成微加速度計(jì)損壞的缺點(diǎn)，有人以沉積薄膜方式在微加 速度計(jì)上方形成微帽蓋，由于薄膜要包覆微加速度計(jì)所需面積約在數(shù)百 平方以 上，而利用沉積方^iM形成的薄膜，例如氮化硅或多晶硅薄膜，其厚度只能達(dá)至擻 ，使得以薄麟成的微帽蓋具有高表面積與厚度比的特性，在芯片切割的時(shí)候， 仍然容易受到水或切削所剩余的物質(zhì)等的外力攻擊而被破壞，而未能達(dá)到，微加 速度計(jì)的效果。再者，由于薄膜制的微帽蓋抗壓力不足，易受灌膠的壓力而，， 所以無法利用成: 低的塑料封裝，仍須利用陶，裝體封裝。
此外，制作薄,式的微帽蓋亦帝在許多缺點(diǎn)。由于其犧牲層通常為二氧化硅 層，當(dāng)沉積薄膜形成微帽蓋結(jié)構(gòu)后，必須在薄膜開蝕刻 L洞以便于微帽蓋結(jié)構(gòu)能被 釋脫懸浮，但是一般微加速度計(jì)是i糊SOI芯片制作，其犧牲層亦為二氧化硅層，因此在釋放微帽蓋及微加速度計(jì)結(jié)構(gòu)時(shí)，必須同時(shí)考量到微帽蓋及微加速度計(jì)的二 氧化硅的蝕亥附間。若蝕刻時(shí)間過多，容易使微加速度計(jì)底切現(xiàn)象過于嚴(yán)重，影響
微加速度計(jì)的靈敏度；若蝕刻時(shí)間過少，貝微帽蓋的二氧化硅未蝕亥烷畢，微帽蓋 則無法完全被釋放。而在釋放結(jié)構(gòu)后，還要在薄膜上沉積一層物質(zhì)以封閉蝕刻孔洞， 方能使微加速度計(jì)與外界隔絕，也增加制程工序及時(shí)間。
綜上戶脫，目前微機(jī)電元件缺少能抵微卜力攻擊的微帽蓋，不但在切割芯片吋 容易損壞元件，且大多須以陶瓷封裝，使得封裝成本增加，且封裝尺寸無法大幅縮 小。

發(fā)明內(nèi)容
為了解決前述課題，發(fā)明人經(jīng)由多方研究與實(shí)驗(yàn)發(fā)現(xiàn)，利用光阻作為制作微帽 蓋的犧牲層材料，可以與一般微機(jī)電元件的犧牲層材料二氧化硅區(qū)隔，在釋放微帽 蓋結(jié)構(gòu)時(shí)可用光組清洗劑將微帽蓋的犧牲層移除，而在釋放微機(jī)電元件的可動(dòng)結(jié)構(gòu) 時(shí)，則利用氫氟酸將二氧化硅犧牲層移除，無需考量蝕刻時(shí)間長短會(huì)對微帽蓋及微 機(jī)電元件造成不良影響，并能達(dá)到晶圓級封裝的水準(zhǔn)。再者，微帽蓋的結(jié)構(gòu)層是以 涂布高分子材料或電鍍金屬材料所形成，可以達(dá)到數(shù)十微米以上的厚度，使得本發(fā) 明所形成的微帽蓋具有優(yōu)異的強(qiáng)度，不但能抵抗芯片切割時(shí)的外力攻擊，且能抵擋 灌膠封裝時(shí)的壓力而不破裂，所以除了能有效保護(hù)微機(jī)電元件，進(jìn)一步地，還會(huì)隨 用成械為低廉的塑料封裝方式進(jìn)行最后段的封裝制程。
本發(fā)明的一 目的是在提供一種具有微帽蓋的元件及其晶圓級封裝方法。 本發(fā)明的另一 目的，在提供一種具有微帽蓋的元件與電路芯片所形成的元件模
組及其晶圓級封裝方法。
本發(fā)明的另一 目的，在提供一種具有微帽蓋的微加速度計(jì)的晶圓級封裝方法。
本發(fā)明的又一目的，在提供一種微加速度計(jì)模組的晶圓級封裝方法。
于是，依據(jù)本發(fā)明的一方向，本發(fā)明具有微帽蓋元件的晶圓級封裝方法，其特
征在于步驟包括在一預(yù)先形成有多數(shù)個(gè)元件單元的元件晶圓上，涂布一光阻層 以作為犧牲層；圖案化該犧牲層；再于該犧牲層上形成一帽蓋結(jié)構(gòu)層；移除該犧牲 層，而在各該元件單元上形成一微帽蓋。
依據(jù)本發(fā)明的另一方向，本發(fā)明具有微帽蓋的元件，其特征在于包括一元件 本體，及一體形成于該元件本體上的一微帽蓋;該微帽蓋由金屬或苯并環(huán)丁烯(BCB)
6所制成。
依據(jù)本發(fā)明的另一方向，本發(fā)明元件模組的晶圓級封裝方法，其特征在于歩 驟包括
^f共一元件晶圓，該元件晶圓可依據(jù)前述具有微帽蓋元件的晶圓級封裝方法所 制成；
提供一電路晶圓，該電路晶圓形成有多數(shù)個(gè)對應(yīng)于所述元件單元的電路單元，
并于該電路晶圓上形成具有定義圖案的接合材料層；
使各該元件單元與各該電路單^t位后，利用該接合材料層接合；及 切割已接合的該元件晶圓及該電路晶圓，而形成多數(shù)個(gè)元件模組。 依據(jù)本發(fā)明的另一方向，本發(fā)明元件模組，包括 一元件本體、 一形成于該元
件本體正面的微帽蓋，及一接合于該元件本體底面的電路芯片。
依據(jù)本發(fā)明的另一方向，本發(fā)明具有微帽蓋的微加速度計(jì)的晶圓級封裝方法，
其特征在于步驟包括
提供一晶圓，該晶圓形成有多數(shù)個(gè)尚未將可動(dòng)結(jié)構(gòu)釋放的微加速度計(jì)預(yù)成體； 以蝕亥仿式于該晶圓正面定義出各該微加速度計(jì)預(yù)成體正面結(jié)構(gòu)的形狀； 于該晶圓正面涂布光阻以形成一犧牲層； 圖案化該犧牲層，以定義預(yù)定形成微帽蓋的固定柱的位置； 于該犧牲層上形成一帽蓋結(jié)構(gòu)層，并圖案化該帽蓋結(jié)構(gòu)層，以定義出多數(shù)個(gè)對
應(yīng)于各該微加速度計(jì) 賊體的微帽蓋的形狀；
以蝕刻方式于該晶圓背面定義出各該微加速度計(jì)預(yù)成體背面結(jié)構(gòu)的形狀； 釋放所述微加速度計(jì)預(yù)成體的可動(dòng)結(jié)構(gòu)；及
移除該犧牲層，而形成多數(shù)個(gè)微加速度計(jì)及多數(shù)個(gè)位于各該微加速度計(jì)的正面 上的微帽蓋。
依據(jù)本發(fā)明的另一方向，本發(fā)明微加速度計(jì)模組的晶圓級封裝方法，其特征在 于步驟包括
提供一元件晶圓，該元件晶圓可依據(jù)前述具有微帽蓋的微加速度計(jì)的晶圓級封 裝方法所制成；
提供一電路晶圓，該電路晶圓形成有多數(shù)個(gè)對應(yīng)于戶;M微加速度計(jì)的電路單元，
并于該電路晶圓上形成具有定義圖案的接合材料層；
使各該微加速度計(jì)與各該電路單自位后，禾,該接合材料層接合；及
7切割已接合的該元件晶圓及該電路晶圓，而形成多數(shù)個(gè)微加速度計(jì)模組。 本發(fā)明的有益效果在于本發(fā)明的微帽蓋可利用晶圓級封裝方法希喊，并具有 極佳的強(qiáng)度，可抵擋芯片切割時(shí)外力的影響以保護(hù)微加速度計(jì)的可動(dòng)結(jié)構(gòu)。而且， 再進(jìn)一步使形成有微帽蓋的元件晶圓與電路晶圓接合形成元件模組，不但能使元件 模組達(dá)到晶圓級封裝且具有真空封裝的效果，并在進(jìn)行元件模組的芯片切割時(shí)，更 能借由微帽絲電路芯片完衝呆護(hù)微加速度計(jì)的可動(dòng)結(jié)構(gòu)。再者，元件模組可利用 成本較低的塑料封裝方式形成封裝體，可大幅縮減封裝體的體積和面積，并能節(jié)省 封裝時(shí)間及成本。


圖1 (a) ~ (h)是說明本發(fā)明具有微帽蓋元件的晶圓級封裝方法的實(shí)施例1的
流程圖，及說明本發(fā)明具有微帽蓋元件的實(shí)施例l;
圖2 (a) ~ (h)是說明本發(fā)明具有微帽蓋元件的晶圓級封裝方法的實(shí)施例2的
流程圖，及說明本發(fā)明具有微帽蓋元件的實(shí)施例2;
圖3 (a) ~ (d)是說明本發(fā)明具有微帽蓋的元件的元件模組的晶圓級封裝方法
的實(shí)施例3的流程圖，并說明本發(fā)明具有微帽蓋的元件的元件模組的實(shí)施例3; 圖4 (a)是說明該實(shí)施例3進(jìn)一步封裝所形成的封裝體； 圖4 (b)是說明該實(shí)施例3進(jìn)一步封裝所形成的另一形式的封裝體； 圖5 (a) ~ (c)是說明本發(fā)明具有微帽蓋的元件的元件模組的晶圓級封裝方法
的實(shí)施例4的流程圖，并說明本發(fā)明具有微帽蓋的元件的元件模組的實(shí)施例4; 圖6 (a)是說明該實(shí)施例4進(jìn)一步封裝所形成的封裝體；及 圖6 (b)是說明該實(shí)施例4進(jìn)一步封裝所形成的另一形式的封裝體。
具體實(shí)施例方式
下面結(jié)合附圖及實(shí)施例對本發(fā)明進(jìn)行詳細(xì)說明 <微帽蓋的制作>
在以下實(shí)施例中所形成的微機(jī)電元件是以微加速度計(jì)為例說明，但是并不以微 加速度計(jì)為限。而且以下實(shí)施例的實(shí)施步驟主要說明微帽蓋的制作方法，由于微帽 蓋的制作流程可配合微加速度計(jì)的后段制程(可動(dòng)結(jié)構(gòu)的釋放)，因此微加纖計(jì)的 前段制程步驟在以下實(shí)施例中即不詳加說明。
8實(shí)施例1
參閱圖1 (a) ~ (h)，為本發(fā)明具有微帽蓋的元件的晶圓級封裝方法的實(shí)施例1 的制作流程圖，以及其所滯幌的具有微帽蓋的元件，圖1 (a) ~ (h)中只以晶圓上 的一個(gè)元件單元(在晶圓切割后可成一芯片)為例說明。
如圖l (a)所示，提供一元件晶圓IO (圖中只示出該晶圓的一部份)，元件晶 圓10上已形成有多數(shù)個(gè)具有微加3ffi計(jì)的基本結(jié)構(gòu)的元件單元1。元件單元1包括 一質(zhì)塊硅層11、 一形成于質(zhì)塊硅層11下側(cè)(晶圓背面)的化硅層12、 一形成 于質(zhì)i央硅層11上側(cè)的二氧化硅絕緣層13、 一形成于絕緣層13上的結(jié)構(gòu)硅層14，及 一形成于結(jié)構(gòu)硅層14上的金屬接點(diǎn)(pad) 15。在二氧化硅層12及結(jié)構(gòu)硅層14上 形成有定義微加M計(jì)結(jié)構(gòu)的圖案。如圖1 (b)所示，利用旋轉(zhuǎn)涂布豐幾(spincoater) 在元件晶圓10上涂布光阻，而在各元件單元1的結(jié)構(gòu)硅層14與金屬接點(diǎn)15上形成 一犧牲層16，其厚度約5 。如圖1 (c)所示，利用第一道光罩將犧牲層16圖 案化，以定義微帽蓋的固定柱(anchor)位置161，在本實(shí)施例中，固定柱位置161 為一環(huán)^^勾，其內(nèi)徑略大于元件，以加速計(jì)為例，內(nèi)徑約為lmm、外徑約為1.2mm， 也就是說，環(huán)形溝寬度大約200 。如圖1 (d)所示，再禾,旋轉(zhuǎn)涂布機(jī)在犧牲 層16上涂布感光型苯并環(huán)丁烯(BCB， Bisbenzocycbbutene)約20 厚度，以作 為帽蓋結(jié)構(gòu)層17，并利用第二道光罩將帽蓋結(jié)構(gòu)層17案化，形成如圖1 (e)所示 的微帽蓋結(jié)構(gòu)18。如圖1 (f)所示，禾傭感應(yīng)耦合電漿離^ft^係統(tǒng)(ICP)定義
微加速度計(jì)背面結(jié)構(gòu)的皿。如圖i (g)所示，將晶圓io浸泡于氫氟酸中m仁氧
化硅層12及部分絕緣層13，以釋放微加速度計(jì)的可動(dòng)結(jié)構(gòu)2，同時(shí)可使微帽蓋結(jié)構(gòu) 18內(nèi)的犧牲層16部分顯露出來(位于結(jié)構(gòu)硅層14的缺口部分)。如圖1 (h)所示， 利用光阻清洗劑移除犧牲層16，以釋放微帽蓋結(jié)構(gòu)18，并使微加速度計(jì)的可動(dòng)結(jié)構(gòu) 2完全釋放，而在，加速度計(jì)的可動(dòng)結(jié)構(gòu)2上形成一微帽蓋3。再借由芯片切割步 驟，即可形成多數(shù)個(gè)如圖l (h)所示的具有微帽蓋的微加速度計(jì)芯片20。 實(shí)施例2
參閱圖2 (a) ~ (h)，為本發(fā)明具有微帽蓋的元件的晶圓級封^法的 例2 的制作流程亂以及其戶顧幌的具有微帽蓋的元件，圖2 (a) ~ (h)中只以晶圓上 的一個(gè)元件單元(在晶圓切割后可成一芯片)為例說明。
圖2 (a) ~ (b)所示的實(shí)施步驟與實(shí)施例1的圖1 (a) ~ (b)所示者相同，而 在元件晶圓10上涂布光PI^成犧牲層16。如圖2 (c)所示，禾,第一道光罩圖案
9化犧牲層16以定義微帽蓋的固定柱健。如圖2 (d)所示，禾傭電子槍蒸 統(tǒng)在 晶圓10正面被覆金屬鈦(Ti)，厚度約1000A，以作為晶種層(seedlayer) 41,并利 用第二道光罩將晶種層41圖案化，以定義后續(xù)電鍍制程步驟的電鍍沉積區(qū)域。如圖 2 (e)所示，再于晶圓10表面進(jìn)行第二次光阻涂布，形成厚度約20微米的光阻層 42，并利用第三道光罩將光阻層42圖案化形成光阻鑄模(PRMold)，以定義微帽蓋 結(jié)構(gòu)的糊犬；再以電鍍制程沉積鎳(Ni)金屬層約20 厚度，而形成微帽蓋結(jié)構(gòu) 層43。如圖2 (f) ~ (h)所示，此等步驟與實(shí)施例1相同，先利用ICP蝕刻晶圓10 背面，定義微加速度計(jì)的背面結(jié)構(gòu)，再分別以氫氟艦光阻清洗齊鵬放微加速度計(jì) 的可動(dòng)結(jié)構(gòu)2及微帽蓋5，其中犧牲層16及光阻層42所用的光阻材料相同，即可利 用一種光阻清洗劑同時(shí)將兩者移除，而在微加速度計(jì)的可動(dòng)結(jié)構(gòu)2上形成微帽蓋5 。 在本實(shí)施例中，晶種層41是4頓金屬鈦，但亦可使用例如金屬銅(Cu)、金屬鋁(A1) 等。而微帽蓋結(jié)構(gòu)層43除了可使用金屬鎳之外，亦可f頓例如金屬銅、鎳鐵合金 (Ni-Fe)等，并不以本實(shí)施例為限。 〈與電路芯片的模組皿裝〉
參閱圖3 (a) ~ (d)，說明本發(fā)明具有微帽蓋的元件與電路芯片形成的元件模組 的晶圓級封裝方法的實(shí)施例3的流程圖，且圖3 (d)并說明本發(fā)明具有微帽蓋的元 件的元件模組的實(shí)施例3。
如圖3 (a)所示，樹共一已形成有多數(shù)個(gè)具有微帽蓋612的元件單元611的元 件晶圓61，元件晶圓61可利用實(shí)施例1或?qū)嵤├?的實(shí)施步驟所審暢，在本實(shí)施例 的圖式是以實(shí)施例1的實(shí)施步驟所制得的元件晶圓為4撥，其中元件單元611即為 未經(jīng)過芯片切害啲微加速度計(jì)。另^i共一電路晶圓62，電路晶圓62上形成有多數(shù)個(gè) 與前述元件晶圓61的元件單元611相對應(yīng)的電路單元621，并形成有電,點(diǎn)(ASIC Pad)622，在本實(shí)施例中，電路單元621為ASIC(Application Specific Integrated Circuit) 電路。再于電路晶圓62正面涂布芯片接合材料并定義接合lig，形成圖案化的接合 材料層7，而具有多數(shù)個(gè)接合位置71。在本實(shí)施例中，芯片接合材料是4頓BCB; 如圖3 (b)所示，i^;件晶圓61上的各元件單元611與電路晶圓62上的各對應(yīng)電 路單元621對位后，將元件晶圓61的背面與與電路晶圓62的正面貼合，并加熱接 合材料至其接合離約250。C，而使各元件單元611與電路單元621接合在一起；如 圖3 (c)所示，將元件晶圓61與電路晶圓62接合后，進(jìn)行芯片切割步驟，先以較 寬的刀具，切割元件晶圓61以將各元件單元611分離；如圖3 (d)所示，再利用較以將各電路單元621分離，而形成多數(shù)個(gè)由微加速度 計(jì)芯片611與電路芯片621組成的微加速度計(jì)模組6。
如圖4 (a)所示，微加鞭計(jì)模組6可利用一般的陶^^寸裝(Ceramic Package) 進(jìn)行最后的封裝，形成一封裝體81;或如圖4(b)所示，利用塑料封裝法(Post-molded Package)進(jìn)行最后的封裝，形成另一形式的封裝體82。 實(shí)施例4
參閱圖5 (a) ~ (c)，說明本發(fā)明具有微帽蓋的元件的元件模組的晶圓級封裝方 法的實(shí)施例4的流程圖，且圖5 (c)并說明本發(fā)明具有微帽蓋的元件的元件模組的 實(shí)施例4。
實(shí)施例4與實(shí)施例3的實(shí)施步驟煩相同，但是，實(shí)施例4是在電路晶圓63的 背面涂布芯片接合材料(BCB)，并定義出多數(shù)個(gè)接合位置71。將元件晶圓61與電 路晶圓63借由芯片接合材1 合后，再進(jìn)行芯片切割制程，實(shí)施例4可用同一刀具 將元件晶圓61及電路晶圓63切割，所以只需一次切割程序即可形成多數(shù)個(gè)由微加 速度計(jì)芯片611與電路芯片631組成的微加速度計(jì)模組60，與實(shí)施例3所差異處在 于，微加皿計(jì)模組60的電路芯片631的電路接點(diǎn)632位于微加，計(jì)模組60的 底部。
參閱圖6 (a)及圖6 (b)，微加皿計(jì)模組60亦可如前述實(shí)施例3的封裝方法 進(jìn)行最后的封裝，分別形成不同形式的封裝體83、 84，但是，實(shí)施例4與實(shí)施例3 不同之處在于，微加皿計(jì)模組60的電路芯片631是以覆晶(Flip Chip)方式封裝。
本發(fā)明的微帽蓋的實(shí)施概念亦可應(yīng)用于其它的微機(jī)電元件，例如微致動(dòng)器、感 測器等，并不以前述實(shí)施例為限。
綜上所述，本發(fā)明的微帽蓋可利用晶圓級封駄法制成，并具有極佳的強(qiáng)度， 可抵擋芯片切割時(shí)外力的影響以保護(hù)微加速度計(jì)的可動(dòng)結(jié)構(gòu)。而且，再進(jìn)一步4M 成有微帽蓋的元件晶圓與電路晶圓接合形成元件模組，不但能使元件模組達(dá)到晶圓 級封裝且具有真空封裝的效果，并在進(jìn)行元件模組的芯片切割時(shí)，更能借由微帽蓋 及電路芯片完M^戶微加速度計(jì)的可動(dòng)結(jié)構(gòu)。再者，元件模組可利用成蹄低的塑 料封裝方式形成封裝體，可大幅縮減封裝體的體積和面積，并能節(jié)省封裝時(shí)間及成 本。
ii
權(quán)利要求
1.一種具有微帽蓋元件的晶圓級封裝方法；其特征在于步驟包括在一預(yù)先形成有多數(shù)個(gè)元件單元的元件晶圓上，涂布一光阻層以作為犧牲層；圖案化該犧牲層；再于該犧牲層上形成一帽蓋結(jié)構(gòu)層；移除該犧牲層，而在各該元件單元上形成一微帽蓋。
2. 如權(quán)禾腰求l戶誠的具有微帽蓋元件的晶圓級封裝方法，其特征在于該帽蓋結(jié) 構(gòu)層由金屬層或苯并環(huán)丁烯層所形成。
3. 如權(quán)利要求1或2所述的具有微帽蓋元件的晶圓級封裝方法，其特征在于通過 圖案化該犧牲層以定義該微帽蓋的固定柱的位置。
4. 如權(quán)利要彩所述的具有微帽蓋元件的晶圓級封裝方法，其特征在于該帽蓋結(jié) 構(gòu)層由涂布苯并環(huán)丁烯所形成，該步驟還包括圖案化該帽蓋結(jié)構(gòu)層以定義微帽 蓋的形狀。
5. 如權(quán)禾腰彩戶腿的具有微帽蓋元件的晶圓級封裝方法，其特征在于該帽蓋結(jié) 構(gòu)層由電鍍金屬所形成，該步驟還包括于該犧牲層上先形成有晶種層，再于該 晶種層上形成電鍍金屬層。
6. 如權(quán)禾腰彩戶腿的具有微帽蓋元件的晶圓級封裝方法，其特征在于電鍍金屬 前，先圖案化該晶種層以定義電鍍金屬沉積的區(qū)域。
7. 如權(quán)利要求6戶脫的具有微帽蓋元件的晶圓級封裝方法，其特征在于圖案化該 晶種層后，再涂布一光阻層，并圖案化該光阻層，以定義微帽蓋的形狀，待電 鍍完成后再將該光阻層移除。
8. 如權(quán)利要求l所述的具有微帽蓋元件的晶圓級封裝方法，其特征在于該犧牲層 是利用光阻清洗劑移除。
9. 一種具有微帽蓋的元件，包括一元件本體，及一體形成于該元件本體上的一微 帽蓋；該微帽蓋由金屬或苯并環(huán)丁烯所制成。
10. 如權(quán)利要求9所述的具有微帽蓋的元件，其特征在于該元件本體為一微加鵬計(jì)。
11. 一種元件模組的晶圓級封裝方法，其特征在于步驟包括提供一元件晶圓，是以權(quán)利要求1至8項(xiàng)的任一項(xiàng)所述的方法戶賴喊； 提供一電路晶圓，該電路晶圓形成有多數(shù)個(gè)對應(yīng)于所述元件單元的電路單 元，并于該電路晶圓上形成具有定義圖案的接合材料層；使各該元件單元與各該電路單^t位后，利用該接合材料層接合；及切割已接合的該元件晶圓及該電路晶圓，而形成多數(shù)個(gè)元件模組。
12. 如權(quán)禾腰求ll所述的元件模組的晶圓級封裝方法，其特征在于該接合材料層 形成于該電路晶圓的正面，且切割已接合的該元件晶圓及該電路晶圓時(shí)，分別 以一較寬的刀具切割該元件晶圓及以一較窄的刀具切割該電路晶圓。
13. 如權(quán)利要求ll所述的元件模組的晶圓級封裝方法，其特征在于該接合材料層 形成于該電路晶圓的背面，且可用一刀具切割已接合的該元件晶圓及該電路晶 圓。
14. 如權(quán)利要求ll所述的元件模組的晶圓級封裝方法，其特征在于該接合材料層 由苯并環(huán)丁烯所制成。
15. 如權(quán)利要求ll所述的元件模組的晶圓級封裝方法，其特征在于各該元件單元 為一微加速度計(jì)。
16. —種元件模組，其特征在于包括 一元件本體、 一形成于該元件本體正面的 微帽蓋，及一接合于該元件本體底面的電路芯片。
17. 如權(quán)利要求16所述的元件模組，其特征在于該微帽蓋由金屬或苯并環(huán)丁烯所 制成。
18. 如權(quán)禾腰求16所述的元件模組，其特征在于該元件本體為一微加驗(yàn)計(jì)。
19. 一種具有微帽蓋的微加速度計(jì)的晶圓級封裝方法，其特征在于步驟包括提供一晶圓，該晶圓形成有多數(shù)個(gè)尚未將可動(dòng)結(jié)構(gòu)釋放的微加速度計(jì)預(yù)成體；以蝕亥仿式于該晶圓正面定義出各該微加速度計(jì)預(yù)成體正面結(jié)構(gòu)的形狀； 于該晶圓正面涂布光阻以形成一犧牲層； 圖案化該犧牲層，以定義預(yù)定形成微帽蓋的固定柱的位置； 于該犧牲層上形成一帽蓋結(jié)構(gòu)層，并圖案化該帽蓋結(jié)構(gòu)層，以定義出多數(shù)個(gè) 對應(yīng)于各該微加速度計(jì)預(yù)成體的微帽蓋的形狀；以蝕刻方式于該晶圓背面定義出各該微加速度計(jì)預(yù)成體背面結(jié)構(gòu)的形狀； 釋放所述微加速度計(jì)預(yù)成體的可動(dòng)結(jié)構(gòu)；及移除該犧牲層，而形成多數(shù)個(gè)微加iM計(jì)及多數(shù)個(gè)位于各該微加皿計(jì)的正 面上的微帽蓋。
20. 如權(quán)利要求19所述的具有微帽蓋的微加鵬計(jì)的晶圓級封裝方法，賺征在于該帽蓋結(jié)構(gòu)層由涂布苯并環(huán)丁烯所制成。
21. 如權(quán)禾腰求19所述的具有微帽蓋的微加速度計(jì)的晶圓級封裝方法，其特征在于該帽蓋結(jié)構(gòu)層由電鍍金屬所形成。
22. 如權(quán)利要彩l所求的具有微帽蓋的微加速度計(jì)的晶圓級封裝方法，其特征在于: 該帽蓋結(jié)構(gòu)層是先蒸鍍一晶種層，再電鍍一金屬層所形成。
23. —種微加速度計(jì)，莫組的晶圓級封裝方法，其特征在于步驟包含劍共一元件晶圓，貌件晶圓是依據(jù)權(quán)利要求19至22項(xiàng)的任一項(xiàng)戶腿的方 法所制成；麟一電路晶圓，該電路晶圓形成有多數(shù)個(gè)對應(yīng)于戶誠微加鵬計(jì)的電路單 元，并于該電路晶圓上形成具有定義圖案的接合材料層；使各該微加速度計(jì)與各該電路單，位后，利用該接合材料層接合；及 切割已接合的該元件晶圓及該電路晶圓，而形成多數(shù)個(gè)微加速度計(jì)模組。
全文摘要
本發(fā)明公開了一種具有微帽蓋元件的晶圓級封裝方法，其特征在于步驟包括在一預(yù)先形成有多數(shù)個(gè)元件單元的元件晶圓上，涂布一光阻層以作為犧牲層；圖案化該犧牲層；再于該犧牲層上形成一帽蓋結(jié)構(gòu)層；移除該犧牲層，而在各該元件單元上形成一微帽蓋。本發(fā)明也提供一種具有微帽蓋元件的元件模組的晶圓級封裝方法，以及具有微帽蓋的元件及元件模組。通過該微帽蓋能有效保護(hù)微機(jī)電元件，進(jìn)一步地，還能適用成本較為低廉的塑料封裝方式進(jìn)行最后段的封裝制程。
文檔編號B81C1/00GK101633490SQ20081013537
公開日2010年1月27日 申請日期2008年7月25日 優(yōu)先權(quán)日2008年7月25日
發(fā)明者吳名清, 張佐吉 申請人:亞太優(yōu)勢微系統(tǒng)股份有限公司