專利名稱：半導(dǎo)體裝置及其制造方法
技術(shù)領(lǐng)域：
本發(fā)明涉及能夠使圖像傳感器、MEMS (Micro Electro MechanicalSystem，微機(jī)電 系統(tǒng))器件等封裝小型化、薄型化的半導(dǎo)體裝置和其制造方法。本申請(qǐng)主張2007年12月25日提出的日本專利申請(qǐng)第2007-331695號(hào)的優(yōu)選權(quán)， 并在此引用其內(nèi)容。
背景技術(shù)：
近年來，隨著便攜式電話等電子設(shè)備的小型化、高性能化，要求在它們中使用的電 子器件等更加小型化。為了實(shí)現(xiàn)該要求，不僅需要器件自身的小型化，也必須進(jìn)行面向器件 的封裝的小型化、高性能化的技術(shù)開發(fā)。作為使器件的封裝小型化的一種技術(shù)，提出了運(yùn)用 晶片級(jí)封裝技術(shù)的各種器件封裝，向MEMS器件、圖像傳感器的應(yīng)用被人們所期待。(例如參 照非專利文獻(xiàn)1)。在MEMS器件、圖像傳感器器件的封裝中，為了確保收納微小機(jī)構(gòu)的驅(qū)動(dòng)空間、微 透鏡的收納空間，需要確保一定大小的空腔(空間)?，F(xiàn)有技術(shù)中，作為在晶片級(jí)封裝中形成空腔的方法，提出了下述方案將預(yù)先圖案 化的感光性樹脂用作粘接劑，由此在基板貼合后，沒有樹脂的部分形成空腔(參照非專利 文獻(xiàn)2)。但是，在使用該方法的晶片級(jí)封裝的制作中，對(duì)已形成有空腔的貼合后的基板進(jìn) 行研削而使其成為薄板，在存在空腔的部分和不存在空腔的部分，研削時(shí)的加重的施加方 法不同，在研削后的基板表面以與空腔的有無對(duì)應(yīng)的圖案產(chǎn)生凹凸，根據(jù)情況可能會(huì)發(fā)生 在基板上產(chǎn)生裂紋的問題。因此基板的薄板化存在極限。非專利文獻(xiàn)1伊藤達(dá)也，「電子材料」2007年1月號(hào)，P. 60-64非專利文獻(xiàn)2S. Yamamoto 及其他，ICEP2006 予稿集，P. 259-26
發(fā)明內(nèi)容
本發(fā)明是鑒于這樣的現(xiàn)有技術(shù)的情況而提出的，第一目的在于提供一種半導(dǎo)體裝 置的制造方法，其能夠以更簡單的工序制造一種半導(dǎo)體裝置，該半導(dǎo)體裝置能夠避免由空 腔的有無引起的研削后的凹凸或裂紋的產(chǎn)生，能夠更均勻地使基板薄板化，能夠有助于器 件和搭載有該器件的電子設(shè)備的小型化。此外，本發(fā)明的第二目的在于提供一種半導(dǎo)體裝置，其能夠避免由空腔的有無引 起的凹凸或裂紋的產(chǎn)生，能夠更均勻地使基板薄板化，能夠有助于器件和搭載有該器件的 電子設(shè)備的小型化。本發(fā)明的半導(dǎo)體裝置的制造方法包括貼合工序，其將具有光透過性的第一基板 和在一面上具有功能元件的第二基板，以上述功能元件與上述第一基板相對(duì)的方式貼合； 薄板化工序，其使上述第一基板和上述第二基板中的至少一方薄板化；以及貫通孔形成工 序，其在上述第一基板和上述第二基板的貼合部的至少一部分，形成空腔和與該空腔連通的貫通孔。本發(fā)明的半導(dǎo)體裝置的制造方法優(yōu)選的是，在上述貼合工序中，對(duì)貼合部分供給 感光性樹脂，使該感光性樹脂曝光而固化，由此貼合上述第一基板和上述第二基板，在上述 貫通孔形成工序中，通過除去固化后的上述感光性樹脂的規(guī)定部分，形成上述空腔。本發(fā)明的半導(dǎo)體裝置的制造方法優(yōu)選的是，在上述貫通孔形成工序中，在上述第 一基板的規(guī)定位置照射激光而形成改性部，通過除去該改性部形成上述空腔。本發(fā)明的半導(dǎo)體裝置的制造方法優(yōu)選的是，在上述貫通孔形成工序之后，還具有 形成對(duì)上述空腔進(jìn)行氣密密封的密封部的密封部形成工序。本發(fā)明的半導(dǎo)體裝置包括第一基板，其具有光透過性；第二基板，其在一面上具 有功能元件，以該功能元件與上述第一基板相對(duì)的方式進(jìn)行貼合；空腔，其配置在上述第一 基板與上述第二基板的貼合部中與上述功能元件對(duì)應(yīng)的部分；以及貫通孔，其配置為與該 空腔連通。在本發(fā)明的半導(dǎo)體裝置中，上述功能元件優(yōu)選是攝像元件。在本發(fā)明的半導(dǎo)體裝置中，上述功能元件優(yōu)選是壓力傳感器元件。本發(fā)明，在貼合第一基板和第二基板之后，使至少一方的基板薄板化，之后形成空 腔。由此，能夠避免由空腔的有無引起的研削后的凹凸或裂紋的產(chǎn)生，能夠更均勻地進(jìn)行薄 晶片的研削。由此，相比于現(xiàn)有技術(shù)，能夠使封裝的厚度更薄。結(jié)果，可提供能夠以更簡便 的工序制造本發(fā)明中有助于器件和搭載有它們的電子設(shè)備的小型化的半導(dǎo)體裝置的半導(dǎo) 體裝置的制造方法。此外，在本發(fā)明中，能夠避免由空腔的有無引起的凹凸或裂紋的產(chǎn)生，基板能夠更 均勻地被薄板化。由此，可提供能夠有助于器件和搭載有它們的電子設(shè)備的小型化的半導(dǎo) 體裝置。


圖1是表示本發(fā)明的半導(dǎo)體裝置的一個(gè)例子的截面圖；圖2A是以工序順序表示圖1所示的半導(dǎo)體裝置的制造方法的截面圖；圖2B是以工序順序表示圖1所示的半導(dǎo)體裝置的制造方法的截面圖；圖2C是以工序順序表示圖1所示的半導(dǎo)體裝置的制造方法的截面圖；圖2D是以工序順序表示圖1所示的半導(dǎo)體裝置的制造方法的截面圖；圖2E是以工序順序表示圖1所示的半導(dǎo)體裝置的制造方法的截面圖；圖3是表示本發(fā)明的半導(dǎo)體裝置的另一個(gè)例子的示意性的截面圖；圖4A是以工序順序表示圖3所示的半導(dǎo)體裝置的制造方法的截面圖；圖4B是以工序順序表示圖3所示的半導(dǎo)體裝置的制造方法的截面圖；圖4C是以工序順序表示圖3所示的半導(dǎo)體裝置的制造方法的截面圖；圖4D是以工序順序表示圖3所示的半導(dǎo)體裝置的制造方法的截面圖；以及圖4E是以工序順序表示圖3所示的半導(dǎo)體裝置的制造方法的截面圖。附圖符號(hào)說明IAUB(I)半導(dǎo)體裝置；11、21第一基板；12、22第二基板；13、23功能元件；14感光 性樹脂；15,24空腔；16,25貫通孔；17,26密封部
具體實(shí)施例方式以下基于

本發(fā)明的半導(dǎo)體裝置的一個(gè)實(shí)施方式。(第一實(shí)施方式)首先說明本發(fā)明的第一實(shí)施方式。圖1是表示本實(shí)施方式的半導(dǎo)體裝置的一個(gè)例子的示意性的截面圖。該半導(dǎo)體裝置IA(I)包括具有光透過性的第一基板11 ；在一面上具有功能元件 13，以該功能元件13與上述第一基板11相對(duì)的方式與第一基板11貼合的第二基板12 ；配 置在上述第一基板11與上述第二基板12的貼合部中與上述功能元件13對(duì)應(yīng)的部分的空 腔15 ；配置為與該空腔15連通的貫通孔16 ；以及密封空腔15和貫通孔16的密封部17。在該半導(dǎo)體裝置IA中，第一基板11和第二基板12由感光性樹脂14貼合。本發(fā)明的半導(dǎo)體裝置IA能夠避免由空腔的有無引起的凹凸或裂紋的產(chǎn)生，基板 能夠更均勻地薄板化。由此能夠有助于器件和搭載有它們的電子設(shè)備的小型化。作為第一基板11，沒有特別限定，作為優(yōu)選的結(jié)構(gòu)，能夠舉例表示玻璃、硅等半導(dǎo) 體、藍(lán)寶石等單晶體、樹脂、或它們的復(fù)合材料構(gòu)成的透明基板。特別是，為了能夠?qū)雽?dǎo)體 裝置IA應(yīng)用于圖像傳感器封裝，第一基板11優(yōu)選使用在可見區(qū)域中透明的玻璃基板(例 如Pyrex(注冊(cè)商標(biāo))制造)。第一基板11的厚度并無特別限定，但例如優(yōu)選為150μπι Imm左右。第二基板12例如由半導(dǎo)體基板構(gòu)成。作為半導(dǎo)體基板，可以是硅晶片等半導(dǎo)體晶 片，也可以是將半導(dǎo)體晶片截?cái)?切割，dicing)為芯片尺寸的半導(dǎo)體芯片。此外，在第二基板12的表面安裝有功能元件13。在該第二基板12中，雖然沒有特 別圖示，但設(shè)置有用于使功能元件13與外部的電路等導(dǎo)通的硼(boron)的擴(kuò)散層、貫通第 二基板12的表面和背面而設(shè)置的貫通電極等。功能元件13，在本實(shí)施方式中，例如是CCD元件等攝像元件或壓力傳感器元件。此外，作為功能元件13的其它例子，例如能夠使用IC芯片、光元件、微繼電器、微 開關(guān)、加速度傳感器、高頻濾波器、微反射鏡、微反應(yīng)器、μ -TAS、DNA芯片、MEMS系統(tǒng)、微燃 料電池等。接著，說明這樣的半導(dǎo)體裝置IA的制造方法。本發(fā)明的半導(dǎo)體裝置的制造方法依次具有工序α，其將具有光透過性的第一基 板11和在一面上具有功能元件13的第二基板12，以該功能元件13與第一基板11相對(duì)的 方式進(jìn)行貼合；工序β，其使上述第一基板11和上述第二基板12中至少一方(此處為第 二基板12)薄板化；以及工序Y，其在上述第一基板11和上述第二基板12的貼合部的至 少一部分形成空腔15和與該空腔15連通的貫通孔16。在本發(fā)明中，在貼合第一基板11和第二基板12之后，使一方的基板薄板化，之后 形成空腔15。由此，能夠避免由空腔15的有無引起的研削后的凹凸或裂紋的產(chǎn)生，能夠更 均勻地進(jìn)行薄基板的研削。由此，相比于現(xiàn)有技術(shù)，能夠使封裝的厚度更薄。結(jié)果，能夠以更簡便的工序制造 本發(fā)明的能夠有助于器件和搭載有它們的電子設(shè)備的小型化的半導(dǎo)體裝置。圖2Α 2Ε是表示本實(shí)施方式的制造方法中的各工序的示意性的截面圖。
以下，對(duì)各工序進(jìn)行詳細(xì)說明。另外，在以下的說明中，舉出具體的例子進(jìn)行說明， 但本發(fā)明并不限定于此。(1)首先，如圖2A所示，將具有光透過性的第一基板11和在一面上具有功能元件 13的第二基板12，以該功能元件13與第一基板11相對(duì)的方式進(jìn)行貼合(工序α )。在本實(shí)施方式中，對(duì)貼合部分供給感光性樹脂14，在之后的工序中使其曝光、固 化，由此貼合第一基板11和第二基板12。作為第一基板11，為了能夠應(yīng)用于圖像傳感器封裝，使用在可見區(qū)域中透明的玻 璃基板(Pyrex (注冊(cè)商標(biāo))，4英寸，厚度500 μ m)。作為第二基板12，使用在一面上作為功能元件13配置有MEMS器件、圖像傳感器的 Si基板(4英寸，厚度525 μ m)。另外，在第一基板11上，在形成空腔15的位置預(yù)先形成有一個(gè)貫通孔16。作為感光性樹脂14，并沒有特別限定，例如能夠使用聚酰亞胺、環(huán)氧樹脂、硅樹脂寸。樹脂的涂敷方法并無特別限定，例如能夠使用沖壓、分配(dispense)、旋轉(zhuǎn)涂膠、 噴涂等方法。此處，作為感光性樹脂14，使用被曝光的位置固化的負(fù)型的感光性樹脂。(2)接著，如圖2B所示，使上述第一基板11和上述第二基板12的至少一方薄板化 (工序β)。在貼合第一基板11和第二基板12之后，進(jìn)行第二基板12的研削使其薄板化。在 本實(shí)施例中，在機(jī)械研削第二基板12(Si基板)之后，進(jìn)行拋光加工，使第二基板12的厚度 為 100 μ m。(3)接著，如圖2C所示，在上述第一基板11和上述第二基板12的貼合部的至少一 部分形成空腔15 (工序γ )。由此，預(yù)先形成的貫通孔16成為與空腔15連通的狀態(tài)。此處，在本實(shí)施方式中，通過除去固化后的感光性樹脂14的規(guī)定部分，形成上述 空腔15。首先，從第一基板11側(cè)對(duì)感光性樹脂14照射光，進(jìn)行曝光而使其固化。此時(shí)，使 希望形成空腔15的位置的感光性樹脂14為非曝光(圖中表示為非曝光部14a)，在后面的 工序中利用藥液而除去。由此，能夠使該位置成為空腔15。另外，從第一基板11側(cè)照射光 是因?yàn)?，第一基?1由玻璃構(gòu)成，因此光能夠透過而進(jìn)行感光性樹脂14的曝光。接著，如圖2D所示，利用藥液除去非曝光部14a，形成空腔15。此時(shí)，在向非曝光 部14a的藥液的導(dǎo)入中，使用形成在第一基板11的貫通孔16。該貫通孔16可以預(yù)先形成 在第一基板11，此外也可以在基板貼合后再形成。(5)之后，如圖2E所示，形成對(duì)上述空腔15進(jìn)行氣密密封的密封部17 (工序δ)。在形成空腔15之后，可以利用由低熔點(diǎn)玻璃、樹脂等構(gòu)成的密封部17堵塞上述貫 通孔16。由此，能夠?qū)涨?5進(jìn)行氣密密封。此外，能夠?qū)⑼ㄟ^研削薄板化后的空腔15上 的第二基板12用作具有可撓性的膜片，能夠追加壓力傳感等新的功能。如上所述得到圖1所示的半導(dǎo)體裝置1Α。這樣得到的半導(dǎo)體裝置1Α，能夠避免由空腔的有無引起的凹凸或裂紋的產(chǎn)生，基 板更均勻地薄板化。由此能夠有助于器件和搭載有它們的電子設(shè)備的小型化。
另外，第二基板12和第一基板11可以是本實(shí)施例以外的組合，也可以是 Pyrex(注冊(cè)商標(biāo))基板或者其它的玻璃和Si晶片等。此外，其厚度也能夠適當(dāng)?shù)卦O(shè)定于 150μπι Imm左右。感光性樹脂14也可以是曝光部能夠被藥液除去的正型的樹脂。并且， 用于藥液導(dǎo)入的貫通孔16的個(gè)數(shù)也可以為多個(gè)。(第二實(shí)施方式)接著，說明本發(fā)明的第二實(shí)施方式。圖3是表示本實(shí)施方式的半導(dǎo)體裝置的一個(gè)例子的示意性的截面圖。該半導(dǎo)體裝置IB(I)包括具有光透過性的第一基板21 ；在一面上具有功能元件 23，以該功能元件23與上述第一基板21相對(duì)的方式與第一基板21貼合的第二基板22 ；配 置在上述第一基板21與上述第二基板22的貼合部中與上述功能元件23對(duì)應(yīng)的部分的空 腔24 ；配置為與該空腔24連通的貫通孔26 ；以及密封空腔24和貫通孔25的密封部26。本發(fā)明的半導(dǎo)體裝置IB能夠避免由空腔24的有無引起的凹凸或裂紋的產(chǎn)生，基 板能夠更均勻地薄板化。由此能夠有助于器件和搭載有它們的電子設(shè)備的小型化。第一基板21、第二基板22和功能元件23分別能夠使用與上述的第一基板11、第 二基板12和功能元件13相同的結(jié)構(gòu)。接著，說明這樣的半導(dǎo)體裝置IB的制造方法。本發(fā)明的半導(dǎo)體裝置的制造方法依次具有工序α，其將具有光透過性的第一基 板21和在一面上具有功能元件23的第二基板22，以該功能元件23與第一基板21相對(duì)的 方式進(jìn)行貼合；工序β，其使上述第一基板21和上述第二基板22中至少一方(此處為第 二基板22)薄板化；以及工序Y，其在上述第一基板21和上述第二基板22的貼合部的至 少一部分形成空腔24和與該空腔24連通的貫通孔25。在本發(fā)明中，在貼合第一基板21和第二基板22之后，使一方的基板薄板化，之后 形成空腔24。由此，能夠避免由空腔24的有無引起的研削后的凹凸或裂紋的產(chǎn)生，能夠更 均勻地進(jìn)行薄晶片的研削。由此，相比于現(xiàn)有技術(shù)，能夠使封裝的厚度更薄。結(jié)果，能夠以更簡便的工序制造本發(fā)明的能夠有助于器件和搭載有它們的電子設(shè) 備的小型化的半導(dǎo)體裝置。圖4Α 4Ε是表示本實(shí)施方式的制造方法中的各工序的示意性的截面圖。以下，對(duì)各工序進(jìn)行詳細(xì)說明。另外，在以下的說明中，舉出具體的例子進(jìn)行說明， 但本發(fā)明并不限定于此。(1)首先，如圖4Α所示，將具有光透過性的第一基板21和在一面上具有功能元件 23的第二基板22，以該功能元件23與第一基板21相對(duì)的方式進(jìn)行貼合(工序α )。首先，貼合第二基板22和第一基板21。在本實(shí)施例中，作為第一基板21，使用 Pyrex (注冊(cè)商標(biāo))玻璃基板(4英寸，厚度500 μ m)，作為第二基板22，使用在一面上作為功 能元件23配置有MEMS器件、圖像傳感器的Si基板(4英寸，厚度525 μ m)，通過陽極接合使 兩者貼合。接著，如圖4B所示，使上述第一基板21和上述第二基板22的至少一方薄板化(工 序β)。在貼合第一基板21和第二基板22之后，進(jìn)行第二基板22的研削使其薄板化。在 本實(shí)施例中，在機(jī)械研削第二基板22之后，進(jìn)行拋光加工，使第二基板22的厚度為100 μ m。
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(3)接著，如圖4C所示，在上述第一基板21和上述第二基板22的貼合部的至少一 部分形成空腔24和與該空腔24連通的貫通孔25 (工序γ )。此處，在本實(shí)施方式中，對(duì)上述第一基板21的規(guī)定位置照射激光L，形成改性部 21a、21b，通過除去該改性部21a、21b，分別形成貫通孔25和空腔24。對(duì)第一基板21與第二基板22的接合界面附近照射激光L進(jìn)行改性。在本實(shí)施例 中，首先從第一基板21即Pyrex(注冊(cè)商標(biāo))玻璃的表面在垂直方向形成改性部21a，接著 對(duì)接合界面附近的Pyrex (注冊(cè)商標(biāo))玻璃以與希望形成的空腔24的大小相對(duì)應(yīng)的方式進(jìn) 行改性，形成改性部21b。在本實(shí)施方式中，作為激光L，使用飛秒激光(平均功率800mW， 脈沖寬度250fs，反復(fù)頻率2kHz，波長800nm)，通過對(duì)Pyrex(注冊(cè)商標(biāo))玻璃內(nèi)部進(jìn)行 聚光照射，形成改性部2la、2lb。進(jìn)一步，如圖4D所示，利用藥液蝕刻改性部2la、21b，形成空腔24和貫通孔25。此 處，改性部21a、21b與沒有改性的部分相比，更快被蝕刻，因此，結(jié)果能夠分別形成空腔24 和貫通孔25。(5)之后，如圖4E所示，形成對(duì)上述空腔24進(jìn)行氣密密封的密封部26 (工序δ)。在形成空腔24之后，可以利用由低熔點(diǎn)玻璃、樹脂等構(gòu)成的密封部26堵塞上述貫 通孔25。由此，能夠?qū)涨?4進(jìn)行氣密密封。此外，能夠?qū)⑼ㄟ^研削薄板化后的空腔24上 的第一基板21用作具有可撓性的膜片，能夠追加壓力傳感等新的功能。如上所述得到圖3所示的半導(dǎo)體裝置1Β。這樣得到的半導(dǎo)體裝置1Β，能夠避免由空腔的有無引起的凹凸或裂紋的產(chǎn)生，基 板更均勻地薄板化。由此能夠有助于器件和搭載有它們的電子設(shè)備的小型化。另外，第一基板21和第二基板22可以是本實(shí)施例以外的組合，也可以是 Pyrex (注冊(cè)商標(biāo))基板或者其它的玻璃和Si晶片等。在此情況下，激光L的波長被適當(dāng)?shù)?設(shè)定為能夠透過該基板。此外，其厚度也能夠適當(dāng)?shù)卦O(shè)定于150μπι Imm左右。接合方法 并不限定于陽極接合，也可以使用常溫接合或粘接劑。進(jìn)一步，縱方向的改性部也可以為多 個(gè)。以上說明了本發(fā)明的優(yōu)選實(shí)施例，但本發(fā)明并不限定于這些實(shí)施例。能夠在不脫 離本發(fā)明的主旨的范圍內(nèi)，進(jìn)行結(jié)構(gòu)的追加、省略、置換和其它變更。本發(fā)明并不限定于前 面所敘述的內(nèi)容，僅由權(quán)利要求的范圍所限定。產(chǎn)業(yè)上的可利用性本發(fā)明能夠廣泛地應(yīng)用于具有空腔的半導(dǎo)體裝置和其制造方法。
權(quán)利要求
一種半導(dǎo)體裝置的制造方法，其包括貼合工序，其將具有光透過性的第一基板和在一面上具有功能元件的第二基板，以所述功能元件與所述第一基板相對(duì)的方式貼合；薄板化工序，其使所述第一基板和所述第二基板中的至少一方薄板化；以及貫通孔形成工序，其在所述第一基板和所述第二基板的貼合部的至少一部分，形成空腔和與該空腔連通的貫通孔。
2.如權(quán)利要求1所述的半導(dǎo)體裝置的制造方法，其中，在所述貼合工序中，對(duì)貼合部分供給感光性樹脂，使該感光性樹脂曝光而固化，由此貼 合所述第一基板和所述第二基板，在所述貫通孔形成工序中，通過除去固化后的所述感光性樹脂的規(guī)定部分，形成所述空腔。
3.如權(quán)利要求1所述的半導(dǎo)體裝置的制造方法，其中， 在所述貫通孔形成工序中，對(duì)所述第一基板的規(guī)定位置照射激光而形成改性部，通過 除去該改性部形成所述空腔。
4.如權(quán)利要求1所述的半導(dǎo)體裝置的制造方法，其中，在所述貫通孔形成工序之后，還具有形成對(duì)所述空腔進(jìn)行氣密密封的密封部的密封部 形成工序。
5.一種半導(dǎo)體裝置，其包括 第一基板，其具有光透過性；第二基板，其在一面上具有功能元件，以該功能元件與所述第一基板相對(duì)的方式進(jìn)行 貼合；空腔，其配置在所述第一基板與所述第二基板的貼合部中與所述功能元件對(duì)應(yīng)的部 分；以及貫通孔，其配置為與該空腔連通。
6.如權(quán)利要求5所述的半導(dǎo)體裝置，其中， 所述功能元件是攝像元件。
7.如權(quán)利要求5所述的半導(dǎo)體裝置，其中， 所述功能元件是壓力傳感器元件。
全文摘要
本發(fā)明提供半導(dǎo)體裝置和其制造方法。本發(fā)明的半導(dǎo)體裝置的制造方法包括貼合工序，其將具有光透過性的第一基板和在一面上具有功能元件的第二基板，以上述功能元件與上述第一基板相對(duì)的方式貼合；薄板化工序，其使上述第一基板和上述第二基板中的至少一方薄板化；以及貫通孔形成工序，其在上述第一基板和上述第二基板的貼合部的至少一部分，形成空腔和與該空腔連通的貫通孔。根據(jù)本發(fā)明，能夠避免由空腔的有無引起的研削后的凹凸或裂紋的產(chǎn)生，能夠使基板更均勻地薄板化。此外，能夠以更簡便的工序制造能夠有助于器件和搭載有它們的電子設(shè)備的小型化的半導(dǎo)體裝置。
文檔編號(hào)B81C3/00GK101897018SQ20088012071
公開日2010年11月24日 申請(qǐng)日期2008年12月12日 優(yōu)先權(quán)日2007年12月25日
發(fā)明者山本敏, 橋本廣和 申請(qǐng)人:株式會(huì)社藤倉