專利名稱：用于半導體制成中的噴膠處理裝置的制作方法
技術(shù)領域：
本實用新型涉及微機電(mems)工藝中的噴膠處理技術(shù)，具體為一種半導體制成 過程中使用的噴膠處理裝置，它是在表面崎嶇或有深孔的晶圓表面均勻涂覆光刻膠或保護 隔離層的一種裝置，適用于半導體領域上的三維(3d)封裝。
技術(shù)背景 部分凸點封裝工藝，要求在表面高度起伏的晶圓表面，或有深孔的晶圓上涂覆光 刻膠或保護隔離層，這層隔離層無論是斜坡拐角處等都要求各點厚度均勻一致，而傳統(tǒng)滴 膠旋涂的工藝只能將起伏不平或深孔填滿，形成一個平面，由于各點涂覆厚度不同，致使后 續(xù)工藝加工制成過程中出現(xiàn)各種缺陷而不能滿足制成要求，這是旋涂所不能實現(xiàn)的
實用新型內(nèi)容
為了實現(xiàn)上述工藝，本實用新型提供一種半導體制成過程中使用的噴膠處理裝 置，該裝置不僅適用那些普通的光致抗腐蝕劑，同時也適用那些較高粘稠度的光致抗腐蝕 劑，高粘稠度的光致抗腐蝕劑可通過稀釋調(diào)配來降低其粘度，通過超聲霧化噴嘴，將光致抗 腐蝕劑均勻的噴灑到崎嶇不平的晶圓上，確保被加工的晶圓的工藝要求。 本實用新型解決其技術(shù)問題所采用的技術(shù)方案是 —種用于半導體制成中的噴膠處理裝置，該噴膠處理裝置的單元基面上方設有直 線執(zhí)行器，直線執(zhí)行器上安裝用于對晶圓噴膠的噴嘴，單元基面上設有用于放置晶圓的載 片臺。 所述的噴膠處理裝置，單元基面上還設有保護杯罩，載片臺設置于保護杯罩內(nèi)側(cè)。 所述的噴膠處理裝置，晶圓底部設置真空吸盤，真空吸盤位于載片臺的中心位置。 所述的噴膠處理裝置，在保護杯罩所在的單元基面下方，連有排氣管道。 所述的噴膠處理裝置，在載片臺內(nèi)設有加熱裝置，加熱裝置的連線與載片臺軸上 安裝的導電滑環(huán)連接，加熱裝置的溫度控制在50-ll(TC范圍內(nèi)。 所述的噴膠處理裝置，在單元基面的下方，設有旋轉(zhuǎn)電機，旋轉(zhuǎn)電機的輸出軸與用 于安裝載片臺的載片臺軸通過同步帶連接，使載片臺轉(zhuǎn)動的角度控制在30。 、45° 、90°或 180° 。 所述的噴膠處理裝置，在單元基面的下方，設有氣缸，氣缸與可沿載片臺上的開孔 升降的支架連接。 所述的噴膠處理裝置，噴嘴采用超聲波霧化噴嘴，超聲波霧化噴嘴的內(nèi)部要附加 具有壓力的氣體，加壓到霧化顆粒上，氣體為N2或者是壓縮空氣，壓力控制在0. 5-2巴范圍 內(nèi)。 所述的噴膠處理裝置，直線執(zhí)行器采用可以沿橫向和縱向兩個方向掃描移動的雙 軸型直線執(zhí)行器。 所述的噴膠處理裝置，調(diào)整直線執(zhí)行器的移動距離和移動速度，控制超聲波霧化噴嘴在晶圓上面的運行路徑，調(diào)整直線執(zhí)行器的移動速度控制在50-130mm/s，掃描間距控 制在3-10mm，超聲波霧化噴嘴距離晶圓的高度控制在10-30mm。 本實用新型的有益效果是 1、采用本實用新型可以將粘度為IOOCP(粘度高的可通過合適的稀釋劑稀釋)以
內(nèi)的光致抗腐蝕劑通過超聲霧化噴嘴霧化噴灑到晶圓上，對于表面上有深孔圖型的晶圓，
為了保證霧化顆粒能夠到達深孔各點，可調(diào)整噴嘴壓力大小，來保證霧化顆粒均勻的噴到。 2、本實用新型的載片臺通過電機驅(qū)動轉(zhuǎn)動角度，來保證個深孔斜面被噴灑到。 3、本實用新型的霧化噴嘴通過雙軸直線驅(qū)動執(zhí)行器驅(qū)動在整個晶圓上部實施噴
灑，調(diào)整雙軸直線執(zhí)行器移動的間距，來保證噴灑的均勻性，雙軸直線執(zhí)行器移動的速度，
可控制噴灑的膜厚厚度。 4、為了防止光致抗腐蝕劑噴灑后在晶圓上流動，在載片臺內(nèi)部設有加熱裝置，這 個加熱裝置使膠體在噴灑到晶圓上各點迅速固化，無論頂點底角還是斜面各點，這樣就確 保了涂膠后的均勻性。 5、本實用新型結(jié)構(gòu)簡單巧妙，適用于所有噴膠工藝的制成。同時，也適用于一些光 照掩膜的工藝制成。

圖1是本實用新型的俯視圖。 圖2是圖1的A向視圖。 圖中，1直線執(zhí)行器；2噴嘴；3保護杯罩；4載片臺；5單元基面；6旋轉(zhuǎn)電機；7導 電滑環(huán)；8同步帶；9支架；10排氣管道；11真空吸盤；12載片臺軸；13氣缸。
具體實施方式

以下結(jié)合附圖和實施例對本實用新型進一步說明。 如圖1-2所示，本實用新型噴膠處理裝置主要包括直線執(zhí)行器1、噴嘴2、保護杯 罩3、載片臺4、單元基面5、旋轉(zhuǎn)電機6、導電滑環(huán)7、同步帶8、支架9、排氣管道10、真空吸 盤11等，單元基面5上設有保護杯罩3、載片臺4、真空吸盤ll，載片臺4和真空吸盤11設 置于保護杯罩3內(nèi)側(cè)，載片臺4用于放置晶圓，晶圓底部設置真空吸盤ll，真空吸盤11位于 載片臺4的中心位置。在單元基面5的上方設有直線執(zhí)行器1，噴嘴2安裝于直線執(zhí)行器1 上。在單元基面5的下方，設有旋轉(zhuǎn)電機6、排氣管道10和氣缸13 ;其中，氣缸13與支架9 連接，支架9可沿載片臺4上的開孔升降；旋轉(zhuǎn)電機6的輸出軸與用于安裝載片臺4的載片 臺軸12通過同步帶8連接，同步帶8通過齒輪傳送，帶動載片臺4轉(zhuǎn)動；在載片臺4內(nèi)設有 加熱裝置，加熱裝置的連線與載片臺軸12上安裝的導電滑環(huán)7連接；另外，在保護杯罩3所 在的單元基面5下方，連有排氣管道10。 本實用新型的工作過程如下 待加工的晶圓裝載在由氣缸驅(qū)動上升的支架9上，當裝載晶圓用支架9落下后，晶 圓與帶有加熱裝置(加熱裝置的溫度控制在50-ll(TC范圍內(nèi))的載片臺4接觸，通過真空 吸附的方式，真空吸盤ll與晶圓緊緊吸附在一起，超聲波霧化噴嘴2固定在雙軸型的直線 執(zhí)行器l上，通過直線執(zhí)行器l的驅(qū)動，可沿著x軸(橫向)和y軸(縱向)兩個方向掃描移動。調(diào)整直線執(zhí)行器1的移動距離和移動速度，控制超聲波霧化噴嘴2在晶圓上面的運 行路徑，該裝置移動速度控制在50-130mm/s，掃描間距控制在3-10mm。 超聲波霧化噴嘴2距離晶圓的高度對噴灑效果也有很大影B向，該裝置控制在 10-30mm的高度。當超聲波霧化噴嘴2在晶圓上掃描噴涂一次后，旋轉(zhuǎn)電機6旋轉(zhuǎn)，通過傳 送齒輪和同步帶8傳動，使載片臺4轉(zhuǎn)動，轉(zhuǎn)動的角度控制在30。 、45° 、90°或180°等。 由于載片臺4需要加熱，載片臺4內(nèi)部的加熱裝置連線是通過轉(zhuǎn)動的導電滑環(huán)7連接的。為 了讓深孔各點都噴附上，超聲波霧化噴嘴2的內(nèi)部要附加具有一定壓力的氣體，加壓到霧 化顆粒上，氣體為A或者是壓縮空氣，壓力控制在0.5-2巴(BAR)范圍內(nèi)。噴灑時會產(chǎn)生 大量廢氣，可通過保護杯罩3下面均勻分布的廢棄排氣管道10排除。當噴涂完畢后，旋轉(zhuǎn) 電機6轉(zhuǎn)動，驅(qū)動載片臺4轉(zhuǎn)回到原始位置，氣缸驅(qū)動裝載晶圓用支架9上升，托起晶圓。
權(quán)利要求一種用于半導體制成中的噴膠處理裝置，其特征在于該噴膠處理裝置的單元基面上方設有直線執(zhí)行器，直線執(zhí)行器上安裝用于對晶圓噴膠的噴嘴，單元基面上設有用于放置晶圓的載片臺。
2. 按照權(quán)利要求l所述的噴膠處理裝置，其特征在于單元基面上還設有保護杯罩，載 片臺設置于保護杯罩內(nèi)側(cè)。
3. 按照權(quán)利要求2所述的噴膠處理裝置，其特征在于晶圓底部設置真空吸盤，真空吸 盤位于載片臺的中心位置。
4. 按照權(quán)利要求2所述的噴膠處理裝置，其特征在于在保護杯罩所在的單元基面下 方，連有排氣管道。
5. 按照權(quán)利要求l所述的噴膠處理裝置，其特征在于在載片臺內(nèi)設有加熱裝置，加熱裝置的連線與載片臺軸上安裝的導電滑環(huán)連接，加熱裝置的溫度控制在50-ll(TC范圍內(nèi)。
6. 按照權(quán)利要求l所述的噴膠處理裝置，其特征在于在單元基面的下方，設有旋轉(zhuǎn)電 機，旋轉(zhuǎn)電機的輸出軸與用于安裝載片臺的載片臺軸通過同步帶連接，使載片臺轉(zhuǎn)動的角度控制在30。 、45° 、90°或180° 。
7. 按照權(quán)利要求1所述的噴膠處理裝置，其特征在于在單元基面的下方，設有氣缸， 氣缸與可沿載片臺上的開孔升降的支架連接。
8. 按照權(quán)利要求1所述的噴膠處理裝置，其特征在于噴嘴采用超聲波霧化噴嘴，超 聲波霧化噴嘴的內(nèi)部要附加具有壓力的氣體，加壓到霧化顆粒上，氣體為N2或者是壓縮空 氣，壓力控制在O. 5-2巴范圍內(nèi)。
9. 按照權(quán)利要求1所述的噴膠處理裝置，其特征在于直線執(zhí)行器采用可以沿橫向和 縱向兩個方向掃描移動的雙軸型直線執(zhí)行器。
10. 按照權(quán)利要求1所述的噴膠處理裝置，其特征在于調(diào)整直線執(zhí)行器的移動距離和移動速度，控制超聲波霧化噴嘴在晶圓上面的運行路徑，調(diào)整直線執(zhí)行器的移動速度控制在50-130mm/s，掃描間距控制在3-10mm，超聲波霧化噴嘴距離晶圓的高度控制在10-30mm。
專利摘要本實用新型涉及微機電工藝中的噴膠處理技術(shù)，具體為一種半導體制成過程中使用的噴膠處理裝置，它是在表面崎嶇或有深孔的晶圓表面均勻涂覆光刻膠或保護隔離層的一種裝置，適用于半導體領域上的三維封裝。該噴膠處理裝置的單元基面上方設有直線執(zhí)行器，直線執(zhí)行器上安裝用于對晶圓噴膠的噴嘴，單元基面上設有用于放置晶圓的載片臺。該裝置不僅適用那些普通的光致抗腐蝕劑，同時也適用那些較高粘稠度的光致抗腐蝕劑，高粘稠度的光致抗腐蝕劑可通過稀釋調(diào)配來降低其粘度，通過超聲霧化噴嘴，將光致抗腐蝕劑均勻的噴灑到崎嶇不平的晶圓上，確保被加工的晶圓的工藝要求。
文檔編號B81C3/00GK201473309SQ20092020344
公開日2010年5月19日 申請日期2009年9月18日 優(yōu)先權(quán)日2009年9月18日
發(fā)明者汪明波 申請人:沈陽芯源微電子設備有限公司