專利名稱:微芯片及其制造方法
技術(shù)領(lǐng)域:
本發(fā)明涉及一種具有流路的微芯片及其制造方法。
背景技術(shù):
利用微細(xì)加工技術(shù)在硅或玻璃基板上形成微細(xì)的流路用槽,并接合平板狀密封 部件在該基板上形成流路或電路,從而在微小空間上進(jìn)行核酸、蛋白質(zhì)、血液等液體試樣 的化學(xué)反應(yīng)、分離、分析等,這樣的被稱為微分析芯片或yTAS(Micro Total Analysis Systems)的裝置正在實用化。作為這樣的微芯片的優(yōu)點(diǎn),通常認(rèn)為包括,可以減少樣品、試 劑的使用量或者廢液的排出量,以及能夠?qū)崿F(xiàn)節(jié)省空間且可攜帶搬運(yùn)的廉價系統(tǒng)。另外,由于希望可以削減制造成本,因此也正在對通過樹脂制造的微分析芯片的 基板、密封部件來制造的方法進(jìn)行研究。作為用于接合樹脂基板和樹脂密封部件的方法,已知有如下方法利用粘接劑的 方法、通過溶劑溶解樹脂表面進(jìn)行接合的方法、利用超聲波熔接的方法、利用激光熔接的方 法、利用熱熔接的方法等。但是,在接合平板狀密封部件來形成流路時,在基體材料和密封 部件的形狀即使產(chǎn)生很小的翹曲或彎曲時都會難以生成均勻的流路,特別是在制造要求高 精度的微分析芯片時有時會出現(xiàn)問題。因此,對在形成有微細(xì)流路用槽的樹脂基板上接合有樹脂膜的微分析芯片進(jìn)行了 研究。該微分析芯片由下述部件制成在表面上形成流路用槽、并形成有設(shè)置在流路用槽 的終端等上的貫通孔(試劑導(dǎo)入、排出孔)的樹脂基板,以及接合在樹脂基板表面上的樹脂膜。與由上述樹脂基板和平板狀密封部件構(gòu)成的微分析芯片相同,接合樹脂基板和樹 脂膜的方法可以列舉利用粘接劑的方法、通過溶劑溶解樹脂表面進(jìn)行接合的方法、利用超 聲波熔接的方法、利用激光熔接的方法、通過平板狀或輥狀加壓裝置進(jìn)行熱熔接的方法等。 其中,由于熱熔接可以以低成本實施,因此適合作為以大量生產(chǎn)為前提的接合方法。作為這樣的微分析芯片,已經(jīng)提出在聚甲基丙烯酸甲酯等丙烯酸類樹脂基板上, 熱熔接同樣的丙烯酸類樹脂膜而形成的芯片(例如,專利文獻(xiàn)1)。然而,就在樹脂制基體材料上接合樹脂膜而形成的微分析芯片而言,在制造步驟 中由于微細(xì)流路的變形、分析試樣的漏液等有時會給正確的分析帶來障礙,希望可以對其 進(jìn)行改善。專利文獻(xiàn)1 日本特開2000-310613號公報
發(fā)明內(nèi)容
發(fā)明要解決的問題在利用微分析芯片進(jìn)行分析時,為了確保分析精度,通常通過下述方法進(jìn)行固定 在微分析芯片的周邊部上抵接(當(dāng)接)定位銷(位置決力^ > )等固定部件、或通過鉤爪 狀的定位夾具(治具)等壓制微分析芯片的側(cè)面部和上面部來進(jìn)行固定。這種情況下,有時設(shè)置在周邊部上的樹脂膜會從樹脂基板上剝離,產(chǎn)生漏液等問題。另外,在搬運(yùn)微分析芯片時,為了避免與流路接觸,利用手或搬運(yùn)工具來支撐微分 析芯片的側(cè)面部以進(jìn)行搬運(yùn),這樣有時還是會發(fā)生周邊部的樹脂膜剝離,成為漏液等的原 因。然而,由于設(shè)置在微分析芯片上的流路是非常微細(xì)的,在為了提高樹脂膜和樹脂 基板的接合力而增加粘接劑的量或增高熱熔接時的壓力的情況下,在制造步驟中可能會 使流路形狀產(chǎn)生變形、堵塞流路的現(xiàn)象,難以獲得穩(wěn)定的分析精度,并且沒有有效的應(yīng)對方 法,因此有待對其進(jìn)行改良。為了解決上述問題,本發(fā)明的目的在于提供一種微芯片及其制造方法,該微芯片 是在樹脂基板上接合有樹脂膜的微芯片,其能夠防止由于周邊部的剝離而引起的漏液,并 同時可以防止微細(xì)流路的變形和堵塞。解決問題的方法為了解決上述問題,權(quán)利要求1記載的發(fā)明涉及一種微芯片,其包括具有形成有 流路用槽的第1表面和位于所述第1表面相反側(cè)的第2表面的樹脂基板,以及接合在所述 樹脂基板的第1表面上的樹脂膜,其中,所述樹脂基板和所述樹脂膜的接合面由下述區(qū)域 構(gòu)成包含形成有所述流路用槽的區(qū)域的中央?yún)^(qū)域,以及位于該中央?yún)^(qū)域外周的周邊區(qū)域, 在所述中央?yún)^(qū)域,所述樹脂基板和所述樹脂膜的接合強(qiáng)度大于0. 098N/cm,所述接合面的至 少一部分周邊區(qū)域的接合強(qiáng)度大于所述中央?yún)^(qū)域的接合強(qiáng)度。另外,權(quán)利要求2記載的發(fā)明涉及權(quán)利要求1中記載的微芯片,其中,在所述樹脂 基板第1表面的包含邊緣的部分區(qū)域上,設(shè)置有未設(shè)置所述樹脂膜的非接合區(qū)域。另外,權(quán)利要求3記載的發(fā)明涉及一種微芯片,其包括具有形成有流路用槽的第 1表面和位于所述第1表面相反側(cè)的第2表面的樹脂基板,以及接合在所述樹脂基板的第1 表面上的樹脂膜,其中,所述樹脂基板和所述樹脂膜的接合強(qiáng)度大于0. 098N/cm,在所述樹 脂基板第1表面的包含邊緣的部分區(qū)域上設(shè)置有未設(shè)置所述樹脂膜的非接合區(qū)域。另外,權(quán)利要求4記載的發(fā)明涉及一種微芯片的制造方法,該方法包括下述步驟第1接合步驟在具有形成有流路用槽的第1表面和位于所述第1表面相反側(cè)的 第2表面的樹脂基板的第1表面上,接合樹脂膜,以形成接合面,所述接合面由下述區(qū)域構(gòu) 成所述包含形成有流路用槽的區(qū)域的中央?yún)^(qū)域,以及位于該中央?yún)^(qū)域外周的周邊區(qū)域;第2接合步驟在所述第1接合步驟后,對所述接合面的至少一部分周邊區(qū)域的接 合強(qiáng)度進(jìn)行強(qiáng)化,其中,在所述接合面的中央?yún)^(qū)域,所述樹脂基板和所述樹脂膜的接合強(qiáng)度大于0. 098N/ cm0發(fā)明效果根據(jù)權(quán)利要求1記載的發(fā)明,在樹脂基板和樹脂膜的接合面上,由于在含有微細(xì) 流路的中央?yún)^(qū)域的外周設(shè)置的至少一部分周邊區(qū)域的接合強(qiáng)度大于所述中央?yún)^(qū)域的接合 強(qiáng)度,因此不會引起微細(xì)流路的變形,可以抑制作為分析時出現(xiàn)不良狀況的主要原因即從 接合面周邊區(qū)域開始的膜剝離和漏液。另外,由于接合面中央?yún)^(qū)域的接合強(qiáng)度大于0. 098N/ cm,因此不會發(fā)生從周邊區(qū)域開始的膜剝離,從而可以防止微細(xì)流路發(fā)生漏液。接合面中央 區(qū)域的接合強(qiáng)度在大于0. 098N/cm的范圍內(nèi),并可以適當(dāng)調(diào)整為不會引起流路變形的接合
4強(qiáng)度。根據(jù)權(quán)利要求2記載的發(fā)明,在采用微分析芯片進(jìn)行分析時,通過使固定部件抵 接在所述非接合區(qū)域上,可以進(jìn)一步抑制膜剝離等問題。另外,在搬運(yùn)所述微分析芯片時, 也可以進(jìn)一步抑制由于所述非接合區(qū)域與搬運(yùn)工具或手相抵接來進(jìn)行搬運(yùn)時所導(dǎo)致的膜 剝離等問題。根據(jù)權(quán)利要求3記載的發(fā)明,與權(quán)利要求第2項同樣,在采用微分析芯片進(jìn)行分析 時,通過使固定部件抵接在所述非接合區(qū)域上,可以抑制膜剝離等問題。另外,在搬運(yùn)所述 微分析芯片時,也可以抑制由于所述非接合區(qū)域與搬運(yùn)工具或手相抵接來進(jìn)行搬運(yùn)時所導(dǎo) 致的膜剝離等問題。另外,由于接合面中央?yún)^(qū)域的接合強(qiáng)度大于0. 098N/cm,因此不會引起 從周邊區(qū)域開始的膜剝離,從而可以防止微細(xì)流路漏液的發(fā)生。接合面中央?yún)^(qū)域的接合強(qiáng) 度在大于0. 098N/cm的范圍內(nèi),并可以適當(dāng)調(diào)整為不引起流路變形的接合強(qiáng)度。另外,根據(jù)權(quán)利要求4記載的發(fā)明,可以通過簡單的方法制造權(quán)利要求1記載的膜 剝離和漏液得到抑制的微分析芯片,該方法不會引起微細(xì)流路變形。
[圖1](a)是本發(fā)明實施方式中涉及的微芯片的平面圖,(b)是(a)的IB-IB線剖 面圖。[圖2](a)是使樹脂膜的端部向樹脂基板的中央部方向縮進(jìn)的微芯片的平面圖, (b)是(a)的IIB-IIB線剖面圖。[圖3]是示出樹脂膜接合在樹脂基板的表面上的強(qiáng)度的范圍的圖。[圖4]是將接合在樹脂基板表面的樹脂膜通過粘接劑進(jìn)行再接合而形成的微芯 片的剖面圖。[圖5](a)是使用了定位夾具的微芯片滑動(摺動)試驗的說明圖,(b)是(a)的 VB-VB線剖面圖。符號說明
10樹脂基板
11流路用槽
12表面
13底面
14壁面
15貫通孔
17中央部
18周邊部
181邊緣
20樹脂膜
21下表面
22端部
30定位銷
40粘接劑
50定位夾具
具體實施例方式參照圖1,對本發(fā)明實施方式中涉及的微芯片(有時也稱為微分析芯片)及其制造 方法進(jìn)行說明。圖1(a)是本發(fā)明實施方式中涉及的微芯片的平面圖,(b)是(a)的IB-IB 線剖面圖,(c)是微細(xì)流路部分的放大剖面圖。(微芯片的結(jié)構(gòu))如圖1(a)和(b)所示,在樹脂基板10的表面12(有時也稱為第1表面)上形成 流路用槽11。在樹脂基板10的形成有流路用槽11的表面12上接合有樹脂膜20。通過接 合樹脂基板10和樹脂膜20來制造微芯片。樹脂基板10的表面12與樹脂膜20的下表面 21進(jìn)行接合的面相當(dāng)于微芯片的接合面。如圖1 (a)和(c)所示,通過流路用槽11的底面13和壁面14、及樹脂膜20的下表 面21來構(gòu)成微細(xì)流路。為了向微芯片內(nèi)的微細(xì)流路中注入液體試樣(分析試樣、溶劑試樣、試劑),形成 有被稱為貫通孔15的孔。該孔也稱為穴(well)。通常,在樹脂基板10的流路用槽11的 終端或中間預(yù)先形成貫通孔15,并通過在樹脂基板10的表面12上粘貼樹脂膜20來形成。 從與粘貼有樹脂膜20的表面12相反側(cè)的面(有時也稱為第2表面)導(dǎo)入液體試樣。樹脂基板10和樹脂膜20使用樹脂。作為該樹脂,可以列舉出符合成形性(轉(zhuǎn)印 性、脫模性)良好、透明性高、對于紫外線或可見光的自熒光性低等條件的樹脂,但沒有特 別限定。例如,優(yōu)選聚碳酸酯、聚甲基丙烯酸甲酯、聚苯乙烯、聚丙烯腈、聚氯乙烯、聚對苯 二甲酸乙二醇酯、尼龍6、尼龍66、聚乙酸乙烯酯、聚偏二氯乙烯、聚丙烯、聚異戊二烯、聚乙 烯、聚二甲基硅氧烷、環(huán)狀聚烯烴等。特別優(yōu)選聚甲基丙烯酸甲酯、環(huán)狀聚烯烴等。樹脂基 板10和樹脂膜20可以使用相同的材料,也可以使用不同的材料。樹脂基板10的形狀只要是容易對微芯片進(jìn)行操作的形狀、容易進(jìn)行分析的形狀 即可,可以是任意形狀,例如,優(yōu)選IOmm見方 200mm見方左右的大小,更優(yōu)選為IOmm見 方 IOOmm見方。樹脂基板10、樹脂膜20的形狀與分析方法、分析裝置配合即可,優(yōu)選為正 方形、長方形、圓形等形狀。微細(xì)流路的形狀要考慮能夠減少分析試樣、試劑的使用量、成形模具的制造精度、 轉(zhuǎn)印性、脫模性等,優(yōu)選寬度、深度均為ΙΟμπι 200μπι范圍內(nèi)的值,但沒有特別限定。另 外,長寬比(槽的深度/槽的寬度)優(yōu)選為0.1 3左右,更優(yōu)選為0.2 2左右。另外, 可以根據(jù)微芯片的用途來決定微細(xì)流路的寬度和深度。需要說明的是,為了方便說明,圖1 所示的微細(xì)流路的剖面的形狀為矩形,但該形狀是微細(xì)流路的一個實例,也可以為曲面狀。另外,考慮到成形性,形成有微細(xì)流路的樹脂基板10的板厚優(yōu)選為0. 2mm 5mm 左右,更優(yōu)選為0. 5mm 2mm。發(fā)揮用于覆蓋微細(xì)流路的蓋(cover)的作用的樹脂膜20(片 狀部件)的板厚優(yōu)選為30 μ m 300 μ m,更優(yōu)選為50 μ m 200 μ m。接下來,參照圖1 圖3,對樹脂膜20接合在樹脂基板10的表面12上的強(qiáng)度進(jìn)行 說明。圖2(a)是使樹脂膜的端部向樹脂基板的中央部方向縮進(jìn)的微芯片的平面圖,即,在 樹脂基板10的包含邊緣在內(nèi)的至少部分區(qū)域設(shè)置有未設(shè)置樹脂膜的非接合區(qū)域的微芯片 的平面圖,圖2 (b)是圖2 (a)的IIB-IIB線剖面圖,圖3是示出樹脂基板10的表面12與樹脂膜20的接合強(qiáng)度不同范圍的圖。首先,對在樹脂基板10和樹脂膜20的接合面的中央部17 (有時也稱為中央?yún)^(qū) 域)、以及周邊部18 (有時也稱為周邊區(qū)域)的定義進(jìn)行說明。樹脂基板10和樹脂膜20的 接合面的中央部17是指表面12中形成有流路用槽11和貫通孔15的區(qū)域及其周圍區(qū)域。 在此,對周圍區(qū)域的范圍沒有特別限定,但中央部17的范圍至少為與樹脂膜20的端部不相 連接的范圍,并包含流路用槽11和貫通孔15。另外,在樹脂基板10和樹脂膜20的接合面上的周邊部18是指從所述中央部17 的外周直到樹脂膜20邊緣為止的區(qū)域。樹脂基板10和樹脂膜20的接合面的接合強(qiáng)度,只要在不發(fā)生微細(xì)流路變形的范 圍內(nèi)即可,可以進(jìn)行適當(dāng)調(diào)整,但如果接合強(qiáng)度過弱,則由于會成為漏液的原因,因此必須 大于0. 098N/cm。需要說明的是,在設(shè)置有微細(xì)流路的中央部17上的接合面的接合強(qiáng)度 隨樹脂基板10的材質(zhì)和厚度等發(fā)生變化,但從抑制流路變形的觀點(diǎn)來看,優(yōu)選小于1. 96N/ cm。因此,接合面中央部17的接合強(qiáng)度優(yōu)選為0. 098 1. 96N/cm。為了有效地抑制漏液和膜剝離,樹脂基板10和樹脂膜20的接合面上的周邊部18 的接合強(qiáng)度,必需大于中央部17。在周邊部18上,由于即使增大接合強(qiáng)度也不會引起流路 變形,由此不限定接合強(qiáng)度的上限。但是,當(dāng)在通過再接合來強(qiáng)化周邊部18的接合強(qiáng)度的 情況下,如果施加過度的熱或壓力,則樹脂基板10本身變形較大,有時會影響分析時的定 位,為此優(yōu)選在樹脂基板10不發(fā)生變形的范圍下對該接合強(qiáng)度進(jìn)行調(diào)整。最為優(yōu)選的接合 強(qiáng)度是不導(dǎo)致接合面的中央部17的接合強(qiáng)度引起流路變形的范圍下的最大接合強(qiáng)度,且 周邊部18的接合強(qiáng)度大于中央部17的接合強(qiáng)度。如以上進(jìn)行說明,樹脂基板10和樹脂膜的接合面的中央部17的接合強(qiáng)度的范圍、 以及接合面周邊部18的接合強(qiáng)度的范圍相當(dāng)于圖3中的陰影部分。下面,將樹脂基板10和樹脂膜的接合面的中央部17的接合強(qiáng)度簡稱為“接合面中 央部17的接合強(qiáng)度”。另外,將樹脂基板10和樹脂膜的接合面的周邊部18的接合強(qiáng)度簡 稱為“接合面周邊部18的接合強(qiáng)度”。需要說明的是,在本發(fā)明中,只要接合面周邊部18的至少部分的接合強(qiáng)度大于接 合面中央部17的接合強(qiáng)度即可,該部分之外的周邊部18的接合強(qiáng)度可以與接合面的中央 部17上的接合強(qiáng)度相同。由此,即使當(dāng)操作人員等與微芯片的周邊部直接接觸時,由于強(qiáng) 化了接觸區(qū)域的接合強(qiáng)度,由此可以防止其與樹脂膜20的剝離。在對微芯片進(jìn)行操作時,以及,接合樹脂膜20時,樹脂膜20的端部22由于與操作 人員等直接接觸,因此有可能從樹脂基板10上剝離。作為不會導(dǎo)致樹脂膜20剝離的結(jié)構(gòu), 包括例如如下的結(jié)構(gòu)樹脂膜20的端部22,即樹脂基板10和樹脂膜20的接合面的端部22 不與操作人員直接接觸的結(jié)構(gòu),還包括使接合面的周邊部18上的接合強(qiáng)度大于接合面的 中央部17上的接合強(qiáng)度的結(jié)構(gòu)。下面,參照圖1及圖2,對樹脂膜20的端部22不與操作人員等直接接觸的結(jié)構(gòu)進(jìn) 行說明。圖1示出了樹脂膜20的端部22不與定位銷30直接接觸的微芯片的一個實例。圖1示出了通過使作為樹脂基板10周邊部18的邊緣181的四邊與4個定位銷30 分別抵接,來對樹脂基板10進(jìn)行定位的微芯片。在圖1示出的微芯片中,樹脂膜20的端部 22 (四邊)分別在樹脂基板10的表面12的邊緣181內(nèi),并且在包含該邊緣181 (各邊)的區(qū)域上設(shè)置有未設(shè)置樹脂膜20的非接合面。非接合面從所述樹脂基板的端部22算起的寬 度為例如0. 25mm左右。其特定的長度,可以根據(jù)微芯片的定位夾具的形狀等進(jìn)行適當(dāng)?shù)卣{(diào) 節(jié)。需要說明的是,圖1中示出的是在樹脂膜20端部22 (四邊)的各個外側(cè)上設(shè)置非 接合面的微芯片,但也可以是在樹脂基板10表面12的包含邊緣181在內(nèi)的至少部分區(qū)域 上設(shè)置有未設(shè)置樹脂膜20的非接合面的微芯片。在圖2中,在包含與4個定位銷30對應(yīng)的樹脂基板10的邊緣181 (4處)的區(qū)域 上設(shè)置有未設(shè)置樹脂膜20的非接合面。需要說明的是,可以根據(jù)定位銷30的位置來定位 非接合面的位置。另外,不限于定位銷的位置,例如,也可以在當(dāng)操作人員對微芯片進(jìn)行操 作時,操作人員與樹脂膜20直接接觸的部位,例如在角落部位設(shè)置未設(shè)置樹脂膜20的非接 合面。根據(jù)上述結(jié)構(gòu),由于操作人員不會與樹脂膜20直接接觸,因此可以有效地防止樹脂 膜20的剝離和漏液。接下來,參照圖4對下述結(jié)構(gòu)進(jìn)行說明,在該結(jié)構(gòu)中,樹脂基板10和樹脂膜20的 接合面的周邊部18的接合強(qiáng)度大于接合面中央部17上的接合強(qiáng)度。圖4是將接合在樹脂 基板10的表面12的樹脂膜20通過粘接劑40進(jìn)行再接合的微芯片的剖面圖。圖4示出了 如下微芯片在樹脂基板10的表面12上接合樹脂膜20,通過粘接劑40對該經(jīng)接合后的樹 脂膜20的端部22的整體(四邊)進(jìn)行再接合而得到的微芯片。需要說明的是,也可以通過粘接劑40對樹脂膜20的一部分端部22進(jìn)行再接合。 另外,根據(jù)樹脂基板10及樹脂膜20的材料等可以適宜地選擇粘接劑40的種類。另外,在 樹脂基板10上再接合樹脂膜20的方法不限于采用粘接劑40,還包括例如激光熔粘、高頻熔 粘、熱板熔粘(熱二 f溶著)及超聲波熔粘等。另夕卜,圖1或圖2所示的微芯片是在樹脂基板10的表面12的邊緣181 (四邊)內(nèi), 且包含其邊緣181 (各邊)的區(qū)域上,設(shè)置有未設(shè)置樹脂膜20的非接合面的微芯片,就該微 芯片而言,優(yōu)選利用例如粘接劑40對樹脂膜20的端部22的一部分或整體進(jìn)行再接合。根 據(jù)上述結(jié)構(gòu),通過再接合,可以增大樹脂膜20與樹脂基板10的周邊部18的接合強(qiáng)度,為 此,即使例如當(dāng)操作人員與樹脂膜20直接接觸時,也可以防止樹脂膜20的剝離。接下來,對微芯片的制造方法進(jìn)行說明。該制造方法是分別制作樹脂基板10及樹 脂膜20,并將樹脂基板10和樹脂膜20接合的方法。利用注塑成型機(jī)使樹脂基板10成形為特定的大小及厚度。另外,在該成形時,同 時形成流路用槽11及貫通孔15。需要說明的是,流路用槽11及貫通孔15也可以在注塑成 型后形成。另外,將特定厚度的膜切割成特定大小以制作樹脂膜20。在樹脂基板10和樹脂膜20的接合中,包括下述1次接合步驟接合樹脂膜,形成 由包含所述形成有流路用槽的區(qū)域的中央?yún)^(qū)域、以及該中央?yún)^(qū)域外周的周邊區(qū)域構(gòu)成的接 合面。另外,在1次接合步驟之后,還可以含有下述2次接合步驟,該步驟是對接合在樹脂 基板10的表面12上的樹脂膜20與樹脂基板10的表面12的至少一部分周邊部18進(jìn)行再 接合的步驟。在樹脂基板10和樹脂膜20的接合中,是否包括2次接合步驟,是依據(jù)該微芯片是 否在樹脂基板10的包括邊緣181 (各邊)在內(nèi)的區(qū)域上設(shè)置未設(shè)置樹脂膜20的非接合面 來進(jìn)行適當(dāng)選擇的。
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(剝離試驗)下面,對本發(fā)明中用于測定接合強(qiáng)度的微芯片剝離試驗進(jìn)行說明。為了評價樹脂膜與樹脂基板的接合強(qiáng)度,以JIS Z 0237中規(guī)定的90°剝離法為 基準(zhǔn)進(jìn)行測定。在測定本發(fā)明的接合強(qiáng)度時,為了確保有發(fā)生剝離的部分,切取與樹脂膜相同的 材料構(gòu)成的膜,并使在4邊中的至少1邊上比樹脂基板多余出IOmm左右,通過接合力強(qiáng)的 粘接劑等將其堅固地接合在接合有樹脂膜的微芯片的樹脂膜上。隨后,用夾具夾住從樹脂 基板上露出的長度IOmm的樹脂膜,在90度垂直方向上進(jìn)行拉伸,并以剝離負(fù)重除以發(fā)生剝 離的接合面的接合寬度得到的值作為接合強(qiáng)度。接合面的周邊區(qū)域的接合強(qiáng)度采用從接 合面的邊緣剝離2mm時的平均值,微芯片中央部的接合強(qiáng)度采用將接合面的周邊區(qū)域剝離 后,從包含接合面中央部(重心)的區(qū)域剝離2mm時的平均值。(周邊部的再接合)下面,對微芯片周邊部的再接合進(jìn)行說明。作為僅對樹脂基板和樹脂膜的接合面的周邊部進(jìn)行強(qiáng)化的方法,可以列舉利用粘 接劑、激光熔粘、高頻熔粘、熱板熔粘、超聲波熔粘等方法等,但并不限于上述這些方法,只 要是能夠僅強(qiáng)化微芯片周邊部的接合力的方法即可。(基板和膜的材料)下面,對樹脂基板10和樹脂膜20的材料進(jìn)行說明。樹脂基板10的材料沒有特 別限定,可以使用聚烯烴類樹脂、聚乙烯類樹脂、丙烯酸類樹脂、有機(jī)硅樹脂、聚碳酸酯類 樹脂等,但特別優(yōu)選使用聚甲基丙烯酸甲酯(PMMA)等丙烯酸類樹脂。丙烯酸類樹脂包括 Mitsubishi Rayon公司(三菱^ ^ 3 >社)制造的Acrypet ( 7夕U :ν卜)、住友化學(xué)公 司制造的Sumipex ( ^ ^ ^ )、旭化成公司制造的Delpet ( r ^ “ 7卜)、Kuraray公 司(夕,>社)制造的Parapet ( ^,《7卜)等。作為樹脂膜20的材料,可以使用與樹 脂基板相同的樹脂,沒有特別的限定,但優(yōu)選使用丙烯酸類樹脂。作為在樹脂膜中使用的丙 烯酸類樹脂有Mitsubishi Rayon公司制造的Acryplen ( r >7 V > )、住友化學(xué)公司制 造的Technolloy (歹々7 口 4 ) ,Kaneka公司(力才、力社)制造的Sandyuren (寸 > 尹二 l· > )等。但是,樹脂基板10的材料和樹脂膜20的材料并不限于上述這些材料。[實施例]下面,參照圖1和表1,對具體的實施例及比較例進(jìn)行說明。表1為表示微芯片的 制作條件及評價結(jié)果的表。以下,對各實施例進(jìn)行說明。實施例1 實施例5是在樹脂基板10和樹脂膜20 接合后,進(jìn)行再度接合的實例。實施例6是在樹脂基板10和樹脂膜20接合后,不進(jìn)行再度 接合的實例。(實施例1) 下面,對實施例1進(jìn)行說明。(微芯片的接合)在樹脂基板10的制作中,利用注塑成型機(jī)使丙烯酸類樹脂(旭化成制造,Delpet 70NH)成形。由此,在外形尺寸為50. OmmX 50. OmmX Imm的板狀部件上成形寬度50 μ m,深 度50 μ m的多個流路用槽11和內(nèi)徑2mm的多個貫通孔15。
在樹脂膜20的制作中,將丙烯酸類樹脂膜(三菱Mitsubishi Rayon制造, Acryplen,厚度75 μ m)切割成50. Omm X 50. 0mm。樹脂基板10相對于樹脂膜20的尺寸差在 縱橫方向上均為0. 0mm。在樹脂基板10和樹脂膜20的接合中,在形成有流路用槽11的樹脂基板10的表 面12上,準(zhǔn)確地疊合樹脂膜20,利用熱壓機(jī),以90°C的壓制溫度、98N/cm2的壓力對樹脂膜 20整體進(jìn)行壓合(壓著),使樹脂基板10和樹脂膜20接合。在樹脂基板10和樹脂膜20的再接合中,將亞克力(7々U > )用UV粘接劑 (Adell( ^-r^ )制造,0PM55)40涂布在接合面的周邊(四邊),利用3000mJ UV光進(jìn)行 照射使其固化。(接合強(qiáng)度的測定)分別對接合面中心區(qū)域的接合強(qiáng)度及周邊區(qū)域的接合強(qiáng)度進(jìn)行測定,結(jié)果顯示接 合面中央?yún)^(qū)域上的接合強(qiáng)度為0. 147N/cm,接合面周邊區(qū)域上的接合強(qiáng)度為4. 9N/cm。(接合后的微芯片評價)樹脂基板10和樹脂膜20進(jìn)行再接合后,對微芯片的外觀進(jìn)行檢查、并進(jìn)行漏液試 驗及滑動試驗。(滑動試驗)參照圖5,對滑動試驗的方法進(jìn)行說明。圖5(a)是使用定位夾具50的微芯片滑動 試驗說明圖,(b)是沿(a)的VB-VB線剖面圖。本發(fā)明的微芯片充分利用了可以廉價地大 量的特征,可以考慮將其應(yīng)用于醫(yī)療診斷(蛋白質(zhì)、DNA分析)。為了降低每次診斷成本,希 望實現(xiàn)分析系統(tǒng)的自動化,并且還期望能夠?qū)崿F(xiàn)自動地進(jìn)行微芯片的安裝。此時,需要在流 路寬度為幾十微米的流路檢出部分上聚焦激光等,為此必需準(zhǔn)確地進(jìn)行微芯片的安裝和定 位。此時,認(rèn)為與定位夾具接觸會引發(fā)膜的剝離。因此,為了對膜的抗剝離性進(jìn)行評價,假 定其為實際的自動分析裝置,進(jìn)行如附圖所示的滑動試驗。如圖5(a)、(b)所示在微芯片的4個角落上設(shè)置定位夾具50。通過設(shè)置使定位夾 具50的內(nèi)側(cè)尺寸比樹脂基板10的外形尺寸寬20微米。在豎直方向上,對10片粘貼有樹 脂膜20的微芯片進(jìn)行嵌入、取出的操作,并觀察樹脂膜20接合狀態(tài)的變化。如果10片中 有1片出現(xiàn)剝離,則從試驗的可靠性的觀點(diǎn)來看,由于無法將其裝入自動分析裝置中,因此 僅0片剝離時為合格。(漏液試驗)對漏液試驗進(jìn)行說明。利用水性油墨(Pilot ( "Μ 口 7卜)制造,Blue Black ( &一y 7 η)對制成的微芯片進(jìn)行漏液試驗。具體地,向各流路、貫通孔15中裝滿水性 油墨,常溫放置24小時后,通過顯微鏡來確認(rèn)是否有水性油墨從流路周邊、貫通孔15周邊 滲漏。觀察到油墨滲漏時用X表示,沒有觀察到時用〇表示。在微芯片的外觀檢查中,對微芯片的接合面和微細(xì)流路進(jìn)行觀察。由于受再接合 的影響的僅為微芯片的周邊部,因此未產(chǎn)生微細(xì)流路的變形。另外,確認(rèn)了在微芯片的漏液 試驗及滑動試驗中均未出現(xiàn)問題。從上述結(jié)果可以判斷根據(jù)實施例1的條件制成的微芯片能夠用于實際應(yīng)用。對實 施例1微芯片的評價如表1所示。
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權(quán)利要求
一種微芯片,其包括樹脂基板,其具備形成有流路用槽的第1表面和位于所述第1表面相反側(cè)的第2表面;以及樹脂膜,其接合在所述樹脂基板的第1表面上,其中,所述樹脂基板和所述樹脂膜的接合面由下述區(qū)域構(gòu)成包含形成有所述流路用槽的區(qū)域的中央?yún)^(qū)域,以及位于該中央?yún)^(qū)域外周的周邊區(qū)域,在所述中央?yún)^(qū)域,所述樹脂基板和所述樹脂膜的接合強(qiáng)度大于0.098N/cm,所述接合面的至少一部分周邊區(qū)域的接合強(qiáng)度大于所述中央?yún)^(qū)域的接合強(qiáng)度。
2.權(quán)利要求1中所記載的微芯片,其中,在所述樹脂基板第1表面的包含邊緣在內(nèi)的部 分區(qū)域上,設(shè)置有未設(shè)置所述樹脂膜的非接合區(qū)域。
3.—種微芯片,其包括樹脂基板,其具有形成有流路用槽的第1表面和位于所述第1表面相反側(cè)的第2表面;以及樹脂膜,其接合在所述樹脂基板的第1表面上,其中, 所述樹脂基板和所述樹脂膜的接合強(qiáng)度大于0. 098N/cm,所述樹脂基板第1表面的包含邊緣在內(nèi)的部分區(qū)域上設(shè)置有未設(shè)置所述樹脂膜的非 接合區(qū)域。
4.一種微芯片的制造方法,其包括下述步驟第1接合步驟在具有形成有流路用槽的第1表面和位于所述第1表面相反側(cè)的第2 表面的樹脂基板的第1表面上,接合樹脂膜,以形成接合面,所述接合面由下述區(qū)域構(gòu)成 所述包含形成有流路用槽的區(qū)域的中央?yún)^(qū)域、以及位于該中央?yún)^(qū)域外周的周邊區(qū)域;第2接合步驟在所述第1接合步驟后,對所述接合面的至少一部分周邊區(qū)域的接合強(qiáng) 度進(jìn)行強(qiáng)化,其中,在所述接合面的中央?yún)^(qū)域,所述樹脂基板和所述樹脂膜的接合強(qiáng)度大于0. 098N/cm0 全文摘要
本發(fā)明提供一種微芯片及其制造方法,所述微芯片是在樹脂基板上接合有樹脂膜的微芯片,其可以防止由于周邊部的剝離而導(dǎo)致的漏液,并同時防止微細(xì)流路的變形和堵塞。本發(fā)明所提供的微芯片,其包括具有形成有流路用槽的第1表面和與所述第1表面相反側(cè)的第2表面的樹脂基板,以及接合在所述樹脂基板的第1表面上的樹脂膜,其中,所述樹脂基板和所述樹脂膜的接合面由下述區(qū)域構(gòu)成包含形成有所述流路用槽的區(qū)域的中央?yún)^(qū)域,及該中央?yún)^(qū)域外周的周邊區(qū)域,在中央?yún)^(qū)域上樹脂基板和所述樹脂膜的接合強(qiáng)度大于0.098N/cm,且至少部分接合面的周邊區(qū)域的接合強(qiáng)度大于中央?yún)^(qū)域的接合強(qiáng)度。
文檔編號B81B1/00GK101952731SQ20098010490
公開日2011年1月19日 申請日期2009年1月21日 優(yōu)先權(quán)日2008年2月15日
發(fā)明者平山博士, 波多野卓史 申請人:柯尼卡美能達(dá)精密光學(xué)株式會社