專利名稱：非晶磁芯微型磁通門傳感器的制備方法
技術(shù)領(lǐng)域：
本發(fā)明涉及的是一種微機(jī)電(MEM)技術(shù)領(lǐng)域的制備方法，具體是一種非晶磁芯微 型磁通門傳感器的制備方法.
背景技術(shù)：
磁通門傳感器作為一種傳統(tǒng)的弱磁場(chǎng)檢測(cè)器件，一直有著其獨(dú)特的優(yōu)勢(shì)而無(wú)法為 其他磁場(chǎng)傳感器所取代，近年來(lái)更是不斷在新的領(lǐng)域發(fā)現(xiàn)其應(yīng)用潛力，例如小型移動(dòng)設(shè)備 GPS定位、導(dǎo)彈慣性制導(dǎo)、小衛(wèi)星方位姿態(tài)控制、虛擬現(xiàn)實(shí)空間內(nèi)的動(dòng)作檢測(cè)、對(duì)高清電視 (HDTV)的地磁補(bǔ)償和點(diǎn)噪聲補(bǔ)償?shù)?。近年?lái)，由于各種場(chǎng)的應(yīng)用逐漸地?cái)U(kuò)展，對(duì)于器件的要 求趨向于更薄、更輕、更便宜。相應(yīng)地，磁通門傳感器也試圖變得更薄、更輕、更便宜。傳統(tǒng)磁通門傳感器使用一個(gè)堅(jiān)固的骨架作為基座，將軟磁帶狀磁芯固定于骨架 上，然后在其上纏繞一個(gè)通過(guò)電流產(chǎn)生磁場(chǎng)的激勵(lì)線圈，和一個(gè)在激勵(lì)線圈誘發(fā)磁場(chǎng)基礎(chǔ) 上檢測(cè)外部磁場(chǎng)效應(yīng)的磁場(chǎng)感應(yīng)線圈。這使得傳統(tǒng)磁通門傳感器的尺寸大、重量高、靈敏度 低以及長(zhǎng)期穩(wěn)定性差。隨著微機(jī)電系統(tǒng)(MEMS)技術(shù)的發(fā)展，為微型化磁通門傳感器的研制 提供了一條有效可靠的途徑。與傳統(tǒng)磁通門傳感器探頭相比較，MEMS磁通門傳感器探頭結(jié) 構(gòu)緊湊，體積、質(zhì)量小，安裝調(diào)試簡(jiǎn)單，不怕震動(dòng)撞擊，受環(huán)境溫度變化影響小。采用MEMS技 術(shù)研制微型磁通門傳感器成為國(guó)內(nèi)外研究開(kāi)發(fā)的熱點(diǎn)。經(jīng)對(duì)現(xiàn)有技術(shù)的文獻(xiàn)檢索發(fā)現(xiàn)，J. Kubik等(L.Pavel and P. Ripka)在《IEEE SENSOR JOURNAL)) (IEEE 傳感器雜志)(Vol. 7，ppl79_183，2007)上發(fā)表了 "Low-Power Printed Circuit Board Fluxgate Sensor”(低能耗印刷電路板磁通門傳感器)一文，該 文提及了一個(gè)由多層印刷電路板技術(shù)開(kāi)發(fā)的微型磁通門傳感器，磁芯為跑道型結(jié)構(gòu)，采用 的是25微米厚的VitrOVac6025 X非晶軟磁合金薄帶，在IOkHz下磁通門傳感器的靈敏度 是94V/T，能耗只有3. 9mW。由于制作過(guò)程中需要打出通孔來(lái)實(shí)現(xiàn)在磁芯上繞制線圈，傳感 器可能會(huì)在通孔過(guò)程中被損壞。另外，與MEMS技術(shù)相比，根據(jù)這種方法很難減小磁通門傳 感器的尺寸。

發(fā)明內(nèi)容
本發(fā)明的目的在于克服現(xiàn)有技術(shù)的不足，提供一種非晶磁芯微型磁通門傳感器的 制備方法，使得到的微型化磁通門傳感器具有高的靈敏度、寬廣的線性測(cè)量范圍、低的功 耗、好的熱穩(wěn)定性、體積小、重量輕、不怕震動(dòng)撞擊及成本低、成品率高、易于批量化生產(chǎn)等 特點(diǎn)。本發(fā)明是通過(guò)以下技術(shù)方案實(shí)現(xiàn)的本發(fā)明采用微機(jī)電系統(tǒng)(MEMS)技術(shù)，簡(jiǎn)化制造工藝流程，減少了套刻對(duì)準(zhǔn)次數(shù)， 提高了對(duì)準(zhǔn)精度；采用準(zhǔn)-LIGA光刻技術(shù)和微電鍍技術(shù)制備激勵(lì)線圈和接收線圈，以及 高深寬比的連接導(dǎo)體；采用物理刻蝕技術(shù)去除底層，避免濕法工藝帶來(lái)的鉆蝕現(xiàn)象；基于 PAE(paste after etch)磁芯工藝，利用聚酰亞胺絕緣底層線圈和連接導(dǎo)體，同時(shí)采用聚酰亞胺粘貼預(yù)制非晶軟磁合金磁芯，采用定位標(biāo)記提高磁芯水平對(duì)準(zhǔn)精度；采用聚酰亞胺做 絕緣材料，聚酰亞胺不僅起絕緣作用，還起到支撐、包裹的作用；采用精密拋光工藝，有效解 決了激勵(lì)線圈和接收線圈上、下層線圈的互聯(lián)問(wèn)題。本發(fā)明包括如下步驟第一步、在襯底的一面濺射Cr/Cu底層，下面工藝均在此面上進(jìn)行；第二步、旋涂正膠、烘干；曝光、顯影，得到激勵(lì)線圈和感應(yīng)線圈的底層線圈以及定 位標(biāo)記的光刻膠圖形；電鍍底層線圈和定位標(biāo)記；第三步、旋涂正膠、烘干；曝光、顯影，得到連接導(dǎo)體和定位標(biāo)記的光刻膠圖形；電 鍍連接導(dǎo)體和定位標(biāo)記；去光刻膠，刻蝕Cr/Cu底層；第四步、旋涂聚酰亞胺、烘干固化；旋涂聚酰亞胺，逐個(gè)粘貼預(yù)制非晶軟磁合金磁 芯，烘干；第五步、旋涂聚酰亞胺、烘干固化；拋光聚酰亞胺，直到連接導(dǎo)體暴露為止；第六步、濺射Cr/Cu底層；旋涂正膠、烘干；曝光、顯影，得到激勵(lì)線圈和感應(yīng)線圈 的頂層線圈及電極的光刻膠圖形；電鍍底層線圈和電極；去光刻膠，刻蝕Cr/Cu底層。第一步中，所述Cr/Cu底層，厚度為20/80nm。第二步中的技術(shù)要求為旋涂正膠的光刻膠厚度為20 μ m，光刻膠烘干溫度為 95°C，時(shí)間為60分鐘，電鍍底層線圈和定位標(biāo)記的厚度為20 μ m，電鍍材料為銅。第三步中的技術(shù)要求為旋涂正膠光刻膠的厚度為40 μ m，光刻膠烘干溫度為 90°C，時(shí)間為120分鐘，電鍍連接導(dǎo)體和定位標(biāo)記厚度為40 μ m,電鍍材料為銅，用丙酮去除 所有的光刻膠，用Ar等離子體刻蝕工藝刻蝕Cr/Cu底層。第四步中所述的旋涂聚酰亞胺、烘干固化，具體為聚酰亞胺厚度為5μπι;烘干固 化聚酰亞胺。第四步中的技術(shù)要求為聚酰亞胺厚度為5μπι，磁芯厚度為20μπι，烘干溫度為 90°C，時(shí)間為60分鐘，預(yù)制非晶軟磁合金磁芯，通過(guò)采用化學(xué)濕法工藝圖形化刻蝕非晶軟 磁合金薄帶制備獲得，尺寸誤差小于10 μ m，磁芯寬度為200-800 μ m ；粘貼時(shí)依靠定位標(biāo)記 對(duì)準(zhǔn)，磁芯與線圈水平定位對(duì)準(zhǔn)角度偏差小于0. 01°。第四步中所述的化學(xué)濕法工藝圖形化刻蝕非晶軟磁合金薄帶為在襯底上旋涂環(huán) 氧樹脂，粘貼非晶軟磁合金薄帶；旋涂正膠，光刻膠厚度為20 μ m，光刻膠烘干溫度為95°C， 時(shí)間為60分鐘；正面曝光、顯影，得到磁芯圖形；化學(xué)濕法工藝刻蝕非晶軟磁合金薄帶；用 丙酮去除所有的光刻膠，用環(huán)氧樹脂溶劑去除環(huán)氧樹脂，獲得預(yù)制非晶軟磁合金磁芯；第五步中所述的旋涂聚酰亞胺，厚度為50 μ m。第六步的技術(shù)要求為旋涂正膠光刻膠的厚度為20μπι，光刻膠烘干溫度為95°C， 時(shí)間為60分鐘，電鍍頂層線圈和電極的厚度為20 μ m,電鍍材料為銅，用丙酮去除所有的光 刻膠，用Ar等離子體刻蝕工藝刻蝕Cr/Cu底層。第四步和第五步中所述的烘干固化聚酰亞胺為旋涂聚酰亞胺時(shí)先低速800轉(zhuǎn)/ 分鐘維持10秒，再快速2000轉(zhuǎn)/分鐘維持30秒，然后進(jìn)行烘干固化，工藝流程為120°C、 180°C各2小時(shí)，然后250°C真空環(huán)境下固化2小時(shí)，最后隨爐冷卻。本發(fā)明與現(xiàn)有技術(shù)相比，具有以下有益的效果(1)本發(fā)明改變了傳統(tǒng)采用繞線方法制作磁芯結(jié)構(gòu)螺線管型磁通門傳感器，而采用微機(jī)電系統(tǒng)技術(shù)研制微型化磁通門傳感器，微機(jī)電系統(tǒng)技術(shù)可以與大規(guī)模集成電路完全 兼容，易于大批量生產(chǎn)，重復(fù)性好；(2)本發(fā)明采用PAE磁芯工藝，磁芯制備與線圈制備同時(shí)進(jìn)行，與常用集成微型磁 通門傳感器工藝流程相比減少了工藝步驟，有效縮短了生產(chǎn)周期，減小了生產(chǎn)成本，同時(shí)提 高了批次成品率；(3)本發(fā)明采用高性能的非晶軟磁合金薄帶作為磁芯材料，圖形化濕法刻蝕工藝 保證磁芯尺寸誤差小于10 μ m，有效提高了微型化磁通門傳感器性能，增強(qiáng)了微型化磁通門 傳感器的競(jìng)爭(zhēng)力；(4)本發(fā)明采用Ar等離子體刻蝕工藝刻蝕底層，避免了濕法刻蝕出現(xiàn)鉆蝕現(xiàn)象， 得到均勻的激勵(lì)線圈和接收線圈；(5)本發(fā)明采用聚酰亞胺為聚酰亞胺為絕緣層，聚酰亞胺具有很好的熱穩(wěn)定性、優(yōu) 異的機(jī)械性能及良好的抗環(huán)境影響能力；(6)本發(fā)明采用聚酰亞胺材料作為密封材料，密封包裹整個(gè)磁通門傳感器，避免了 長(zhǎng)時(shí)間工作狀態(tài)下線圈和磁芯在空氣中的氧化，延長(zhǎng)了磁通門傳感器的使用壽命；(7)本發(fā)明采用精密拋光技術(shù)，提高了傳感器加工工藝過(guò)程中基片的平整度，有效 解決了激勵(lì)線圈和接收線圈上下層連接出現(xiàn)斷路的問(wèn)題，同時(shí)又解決了傳感器的均勻性和 成品率；(8)本發(fā)明采用微機(jī)電系統(tǒng)技術(shù)研制微型化磁通門傳感器，與傳統(tǒng)磁通門傳感器 相比穩(wěn)定性好、重復(fù)性高，沒(méi)有安裝調(diào)試過(guò)程，更加牢固，不易受環(huán)境溫度變化和外加應(yīng)力 影響；(9)本發(fā)明采用MEMS技術(shù)研制，可直接在本發(fā)明基礎(chǔ)上實(shí)現(xiàn)二軸微型磁通門傳感 器以及磁通門傳感器陣列，同時(shí)工藝過(guò)程與大規(guī)模集成電路工藝相兼容，可直接與接口電 路集成制造，從而提供更多磁測(cè)量功能適應(yīng)不同應(yīng)用領(lǐng)域需求，例如飛機(jī)、導(dǎo)彈和車輛的定 位，虛擬現(xiàn)實(shí)空間內(nèi)的動(dòng)作檢測(cè)，對(duì)高清電視(HDTV)的地磁補(bǔ)償和點(diǎn)噪聲補(bǔ)償，小衛(wèi)星方 位姿態(tài)控制等。
具體實(shí)施例方式下面對(duì)本發(fā)明的實(shí)施例作詳細(xì)說(shuō)明本實(shí)施例在以本發(fā)明技術(shù)方案為前提下進(jìn)行 實(shí)施，給出了詳細(xì)的實(shí)施方式和具體的操作過(guò)程，但本發(fā)明的保護(hù)范圍不限于下述的實(shí)施 例。以下實(shí)施例制備得到的基于微機(jī)電系統(tǒng)技術(shù)的微型化磁通門傳感器，閉合的矩形 磁芯上對(duì)稱繞制兩組相連的三維螺線管激勵(lì)線圈，與激勵(lì)線圈垂直繞制一組三維螺線管接 收線圈。激勵(lì)線圈和接收線圈均位于襯底上，激勵(lì)線圈和接收線圈兩端連接引腳，激勵(lì)線圈 和接收線圈的底層線圈、頂層線圈、連接導(dǎo)體均通過(guò)聚酰亞胺絕緣材料與磁芯絕緣隔離。磁 芯為濕法刻蝕的非晶軟磁合金薄帶。以下實(shí)施例中，所涉及的Cr/Cu底層，其制備參數(shù)為基底的真空為3X 10_4Pa，濺 射條件選擇為濺射Ar氣壓和濺射功率分別為0. 67Pa和600W，氬氣流量為50SCCM。所涉及的采用化學(xué)濕法工藝刻蝕Cr層，其中采用的溶液濃度為HCl H2O = 30 70，溫度為 45°C。
所涉及的烘干固化聚酰亞胺，具體參數(shù)為旋涂聚酰亞胺時(shí)先低速800轉(zhuǎn)/分鐘維 持10秒，再快速2000轉(zhuǎn)/分鐘維持30秒，然后進(jìn)行烘干固化，工藝流程為120°c、180°C各 2小時(shí)，然后250°C真空環(huán)境下固化2小時(shí)，最后隨爐冷卻。實(shí)施例1(1)在襯底的一面(稱為正面)濺射Cr/Cu底層，厚度為80nm。后續(xù)工藝均在正 面上進(jìn)行；(2)旋涂正膠，光刻膠厚度為15 μ m，光刻膠烘干溫度為95°C，時(shí)間為60分鐘；曝 光、顯影，得到激勵(lì)線圈和感應(yīng)線圈的底層線圈以及定位標(biāo)記的光刻膠圖形；然后電鍍激勵(lì) 線圈和感應(yīng)線圈的底層線圈以及定位標(biāo)記，厚度為15 μ m，電鍍材料為銅；旋涂正膠，光刻 膠的厚度為40 μ m，光刻膠烘干溫度為90°C，時(shí)間為120分鐘；曝光、顯影，得到連接導(dǎo)體和 定位標(biāo)記的光刻膠圖形；電鍍連接導(dǎo)體和定位標(biāo)記，厚度為40 μ m，電鍍材料為銅；用丙酮 去除所有的光刻膠，用Ar等離子體刻蝕工藝刻蝕Cr/Cu底層；(3)旋涂聚酰亞胺，厚度為5 μ m ；烘干固化聚酰亞胺；旋涂聚酰亞胺，厚度為5 μ m 逐個(gè)粘貼預(yù)制非晶軟磁合金磁芯，磁芯寬度為200 μ m ；聚酰亞胺烘干溫度為90°C，時(shí)間為 60分鐘；(4)旋涂聚酰亞胺，厚度為50 μ m ；烘干固化聚酰亞胺；拋光聚酰亞胺，直到連接導(dǎo) 體暴露為止；(5)旋涂正膠，光刻膠的厚度為15 μ m，光刻膠烘干溫度為95°C，時(shí)間為60分鐘； 曝光、顯影，得到激勵(lì)線圈和感應(yīng)線圈的頂層線圈及電極的光刻膠圖形；電鍍頂層線圈和電 極，厚度為15 μ m，電鍍材料為銅；用丙酮去除所有的光刻膠，用Ar等離子體刻蝕工藝刻蝕 Cr/Cu底層ο本實(shí)施例制得的基于微機(jī)電系統(tǒng)技術(shù)的微型化磁通門傳感器，尺寸小于 6mmX 5mm,當(dāng)激勵(lì)線圈中通一頻率為40kHz、電流幅值為40mA的交流電流時(shí)，感應(yīng)線圈能夠 探測(cè)到士50nT以下的磁場(chǎng)，線性量程為士 150 μ Τ。實(shí)施例2(1)在襯底的一面(稱為正面)濺射Cr/Cu底層，厚度為80nm。后續(xù)工藝均在正 面上進(jìn)行；(2)旋涂正膠，光刻膠厚度為20 μ m，光刻膠烘干溫度為95°C，時(shí)間為60分鐘；曝 光、顯影，得到激勵(lì)線圈和感應(yīng)線圈的底層線圈以及定位標(biāo)記的光刻膠圖形；然后電鍍激勵(lì) 線圈和感應(yīng)線圈的底層線圈以及定位標(biāo)記，厚度為20 μ m，電鍍材料為銅；旋涂正膠，光刻 膠的厚度為40 μ m，光刻膠烘干溫度為90°C，時(shí)間為120分鐘；曝光、顯影，得到連接導(dǎo)體和 定位標(biāo)記的光刻膠圖形；電鍍連接導(dǎo)體和定位標(biāo)記，厚度為40 μ m，電鍍材料為銅；用丙酮 去除所有的光刻膠，用Ar等離子體刻蝕工藝刻蝕Cr/Cu底層；(3)旋涂聚酰亞胺，厚度為5 μ m ；烘干固化聚酰亞胺；旋涂聚酰亞胺，厚度為5 μ m ； 逐個(gè)粘貼預(yù)制非晶軟磁合金磁芯，磁芯寬度為600 μ m ；聚酰亞胺烘干溫度為90°C，時(shí)間為 60分鐘；(4)旋涂聚酰亞胺，厚度為50 μ m ；烘干固化聚酰亞胺；拋光聚酰亞胺，直到連接導(dǎo) 體暴露為止；(5)旋涂正膠，光刻膠的厚度為20 μ m，光刻膠烘干溫度為95°C，時(shí)間為60分鐘；曝光、顯影，得到激勵(lì)線圈和感應(yīng)線圈的頂層線圈及電極的光刻膠圖形；電鍍頂層線圈和電 極，厚度為20 μ m，電鍍材料為銅；用丙酮去除所有的光刻膠，用Ar等離子體刻蝕工藝刻蝕 Cr/Cu底層ο 本實(shí)施例制得的基于微機(jī)電系統(tǒng)技術(shù)的微型化磁通門傳感器，尺寸小于 6mmX5mm，當(dāng)激勵(lì)線圈中通一頻率為40kHz、電流幅值為IOOmA的交流電流時(shí)，感應(yīng)線圈能 夠探測(cè)到士50nT以下的磁場(chǎng)，線性量程為士500μΤ。
權(quán)利要求
一種非晶磁芯微型磁通門傳感器的制備方法，其特征在于，包括如下步驟第一步、在襯底的一面濺射Cr/Cu底層，下面工藝均在此面上進(jìn)行；第二步、旋涂正膠、烘干；曝光、顯影，得到激勵(lì)線圈和感應(yīng)線圈的底層線圈以及定位標(biāo)記的光刻膠圖形；電鍍底層線圈和定位標(biāo)記；第三步、旋涂正膠、烘干；曝光、顯影，得到連接導(dǎo)體和定位標(biāo)記的光刻膠圖形；電鍍連接導(dǎo)體和定位標(biāo)記；去光刻膠，刻蝕Cr/Cu底層；第四步、旋涂聚酰亞胺、烘干固化；旋涂聚酰亞胺，逐個(gè)粘貼預(yù)制非晶軟磁合金磁芯，烘干；第五步、旋涂聚酰亞胺、烘干固化；拋光聚酰亞胺，直到連接導(dǎo)體暴露為止；第六步、濺射Cr/Cu底層；旋涂正膠、烘干；曝光、顯影，得到激勵(lì)線圈和感應(yīng)線圈的頂層線圈及電極的光刻膠圖形；電鍍底層線圈和電極；去光刻膠，刻蝕Cr/Cu底層。
2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的非晶磁芯微型磁通門傳感器的制備方法，其特征是，第一步 中，所述Cr/Cu底層，厚度為20/80nm。
3.根據(jù)權(quán)利要求1所述的非晶磁芯微型磁通門傳感器的制備方法，其特征是，第二步 中的技術(shù)要求為旋涂正膠的光刻膠厚度為20 μ m，光刻膠烘干溫度為95°C，時(shí)間為60分鐘， 電鍍底層線圈和定位標(biāo)記的厚度為20 μ m,電鍍材料為銅。
4.根據(jù)權(quán)利要求1所述的非晶磁芯微型磁通門傳感器的制備方法，其特征是，第三步 中的技術(shù)要求為旋涂正膠光刻膠的厚度為40 μ m，光刻膠烘干溫度為90°C，時(shí)間為120分 鐘，電鍍連接導(dǎo)體和定位標(biāo)記厚度為40 μ m，電鍍材料為銅，用丙酮去除所有的光刻膠，用 Ar等離子體刻蝕工藝刻蝕Cr/Cu底層。
5.根據(jù)權(quán)利要求1所述的非晶磁芯微型磁通門傳感器的制備方法，其特征是，第四步 中所述的旋涂聚酰亞胺、烘干固化，具體為聚酰亞胺厚度為5μπ ；烘干固化聚酰亞胺。
6.根據(jù)權(quán)利要求1所述的非晶磁芯微型磁通門傳感器的制備方法，其特征是，第四步 中的技術(shù)要求為聚酰亞胺厚度為5 μ m,磁芯厚度為20 μ m,烘干溫度為90°C，時(shí)間為60分 鐘，預(yù)制非晶軟磁合金磁芯，通過(guò)采用化學(xué)濕法工藝圖形化刻蝕非晶軟磁合金薄帶制備獲 得，尺寸誤差小于10 μ m,磁芯寬度為200-800 μ m ；粘貼時(shí)依靠定位標(biāo)記對(duì)準(zhǔn)，磁芯與線圈 水平定位對(duì)準(zhǔn)角度偏差小于0.01°。
7.根據(jù)權(quán)利要求6所述的非晶磁芯微型磁通門傳感器的制備方法，其特征是，第四步 中所述的化學(xué)濕法工藝圖形化刻蝕非晶軟磁合金薄帶為在襯底上旋涂環(huán)氧樹脂，粘貼非 晶軟磁合金薄帶；旋涂正膠，光刻膠厚度為20 μ m,光刻膠烘干溫度為95°C，時(shí)間為60分鐘； 正面曝光、顯影，得到磁芯圖形；化學(xué)濕法工藝刻蝕非晶軟磁合金薄帶；用丙酮去除所有的 光刻膠，用環(huán)氧樹脂溶劑去除環(huán)氧樹脂，獲得預(yù)制非晶軟磁合金磁芯；
8.根據(jù)權(quán)利要求1所述的非晶磁芯微型磁通門傳感器的制備方法，其特征是，第五步 中所述的旋涂聚酰亞胺，厚度為50 μ m。
9.根據(jù)權(quán)利要求1所述的非晶磁芯微型磁通門傳感器的制備方法，其特征是，第六步 的技術(shù)要求為旋涂正膠光刻膠的厚度為20 μ m,光刻膠烘干溫度為95°C，時(shí)間為60分鐘，電 鍍頂層線圈和電極的厚度為20 μ m,電鍍材料為銅，用丙酮去除所有的光刻膠，用Ar等離子 體刻蝕工藝刻蝕Cr/Cu底層。
10.根據(jù)權(quán)利要求1所述的非晶磁芯微型磁通門傳感器的制備方法，其特征是，第四步2和第五步中所述的烘干固化聚酰亞胺為旋涂聚酰亞胺時(shí)先低速800轉(zhuǎn)/分鐘維持10秒， 再快速2000轉(zhuǎn)/分鐘維持30秒，然后進(jìn)行烘干固化，工藝流程為120°C、180°C各2小時(shí)， 然后250 真空環(huán)境下固化2小時(shí)，最后隨爐冷卻。
全文摘要
一種微機(jī)電系統(tǒng)技術(shù)領(lǐng)域的非晶磁芯微型磁通門傳感器的制備方法，在襯底的一面濺射Cr/Cu底層；旋涂正膠、烘干；得到激勵(lì)線圈和感應(yīng)線圈的底層線圈以及定位標(biāo)記的光刻膠圖形；電鍍底層線圈和定位標(biāo)記；旋涂正膠得到連接導(dǎo)體和定位標(biāo)記的光刻膠圖形；電鍍連接導(dǎo)體和定位標(biāo)記；去光刻膠，刻蝕Cr/Cu底層；旋涂聚酰亞胺；旋涂聚酰亞胺，逐個(gè)粘貼預(yù)制非晶軟磁合金磁芯，烘干；旋涂聚酰亞胺、烘干固化；拋光聚酰亞胺，直到連接導(dǎo)體暴露為止；濺射Cr/Cu底層；旋涂正膠、烘干；得到激勵(lì)線圈和感應(yīng)線圈的頂層線圈及電極的光刻膠圖形；電鍍底層線圈和電極；去光刻膠，刻蝕Cr/Cu底層，得到的傳感器靈敏度高、線性測(cè)量范圍寬。
文檔編號(hào)B81C1/00GK101885467SQ20101023912
公開(kāi)日2010年11月17日 申請(qǐng)日期2010年7月28日 優(yōu)先權(quán)日2010年7月28日
發(fā)明者周勇, 雷沖 申請(qǐng)人:上海交通大學(xué)