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封裝結(jié)構(gòu)及其制造方法

文檔序號:5267928閱讀:269來源:國知局
專利名稱:封裝結(jié)構(gòu)及其制造方法
技術(shù)領(lǐng)域
本發(fā)明涉及一種半導(dǎo)體結(jié)構(gòu)及其制造方法,且特別是涉及一種封裝結(jié)構(gòu)及其制造方法。
背景技術(shù)
半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)是近年來發(fā)展速度最快的高科技工業(yè)之一,隨著電子技術(shù)的日新月異,高科技電子產(chǎn)業(yè)的相繼問世,使得更人性化、功能更佳的電子產(chǎn)品不斷地推陳出新,并朝向輕、薄、短、小的趨勢設(shè)計。在半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)中,集成電路(integrated circuits, IC)的生產(chǎn)主要可分為三個階段集成電路的設(shè)計(IC design)、集成電路的制作(IC process) 及集成電路的封裝(IC package) 0其中,封裝的目的在于,防止芯片受到外界溫度、濕氣的影響以及雜塵污染,并提供芯片與外部電路之間電性連接的媒介。圖IA至圖ID為已知一種投影芯片封裝結(jié)構(gòu)的制造流程圖。如圖IA所示,提供配置有多個元件52及多個接墊M的微機電晶片50,并在各元件52周圍設(shè)置密封膠56,各密封膠56具有缺口 56a。接著,如圖IB所示,通過密封膠56將玻璃晶片60與微機電晶片50 相對接合。如圖IC所示進(jìn)行切割,其方式例如為水刀(water knife)工藝,為了避免切割過程中液體從缺口 56a滲入微機電晶片50與玻璃晶片60之間,且為了使接墊M能夠被玻璃晶片60暴露出,需以圖2所示的方式分別對微機電晶片50及玻璃晶片60進(jìn)行預(yù)切割, 然后再以剝離的方式完成結(jié)構(gòu)的分離,以形成圖3所示的單一封裝結(jié)構(gòu)100。在封裝結(jié)構(gòu) 100中,位于微機電晶片50的接墊M被玻璃晶片60暴露出,以適于與外界的其他元件進(jìn)行電性連接。此外,在透過缺口 56a對元件52進(jìn)行抗沾粘涂布工藝之后,可如圖ID所示將補膠70灌入缺口 56a,以將元件52密封于微機電晶片50及玻璃晶片60之間。上述對微機電晶片50及玻璃晶片60進(jìn)行切割的方式,因考慮到切割時液體從缺口 56a滲入微機電晶片50與玻璃晶片60之間,對元件52造成損害,需將切割步驟分段進(jìn)行,因此不僅耗費較多的制造時間,亦增加制造成本。

發(fā)明內(nèi)容
本發(fā)明提供一種封裝結(jié)構(gòu),其可降低制造成本。本發(fā)明提供一種封裝結(jié)構(gòu)的制造方法,其可節(jié)省制造時間。本發(fā)明提出一種封裝結(jié)構(gòu),包括第一基板、密封膠、第二基板及補膠。第一基板具有表面,其中表面具有有源區(qū)及位于有源區(qū)之外的接合區(qū)。第一基板在有源區(qū)內(nèi)具有元件, 且在接合區(qū)內(nèi)具有接墊。接墊電性連接至元件。密封膠配置于表面且圍繞有源區(qū),其中密封膠在有源區(qū)的邊緣上具有缺口。第二基板經(jīng)由密封膠與第一基板相對接合,其中第二基板具有第一開孔以及第二開孔,第一開孔對應(yīng)于接墊,以供外界的其他元件經(jīng)由第一開孔連接至接墊,而第二開孔對應(yīng)于缺口。補膠位于第二開孔內(nèi)并填補缺口,使第一基板、第二基板、密封膠以及補膠共同形成容置元件的密封空間。在本發(fā)明的實施例中,上述的第二基板為透明基板。
在本發(fā)明的實施例中,上述的第二開孔由第二基板的頂面朝向第一基板的表面向下延伸,再沿平行表面的方向延伸連接缺口。在本發(fā)明的實施例中,上述的第二開孔沿遠(yuǎn)離第一基板的表面的方向漸縮。在本發(fā)明的實施例中,上述的第一基板的邊緣切齊于第二基板的邊緣。本發(fā)明提出一種封裝結(jié)構(gòu)的制造方法。首先,提供第一基板,其中第一基板具有表面,表面包括多個區(qū)塊,各區(qū)塊具有有源區(qū)及在有源區(qū)之外的接合區(qū),有源區(qū)內(nèi)具有元件, 而接合區(qū)內(nèi)具有接墊,各元件電性連接至對應(yīng)的接墊。分別對應(yīng)每一有源區(qū)形成圍繞有源區(qū)的密封膠,且各密封膠在對應(yīng)的有源區(qū)的邊緣上具有缺口。配置第二基板于第一基板上方,其中第二基板經(jīng)由密封膠與第一基板相對接合,第二基板具有多個第一開孔以及多個第二開孔,第一開孔分別對應(yīng)于接墊,以供外界的其他元件經(jīng)由第一開孔連接至接墊,而第二開孔分別對應(yīng)于缺口。透過各第二開孔對對應(yīng)的元件進(jìn)行抗沾粘涂布工藝。分別配置多個補膠于第二開孔內(nèi),其中補膠分別填補缺口,使第一基板、第二基板、密封膠以及補膠共同形成分別容置元件的多個密封空間。切割第一基板及第二基板,以分離區(qū)塊而形成多個封裝結(jié)構(gòu)。在本發(fā)明的實施例中,上述的進(jìn)行抗沾粘涂布工藝的方法包括形成自組裝單分子膜 Gelf-Assembled Monolayers)于各元件的表面。在本發(fā)明的實施例中,上述的封裝結(jié)構(gòu)的制造方法還包括在配置第二基板于第一基板上方之后,對密封膠進(jìn)行紫外光照射,以固化密封膠。在本發(fā)明的實施例中,上述的封裝結(jié)構(gòu)的制造方法還包括在配置補膠于第二開孔內(nèi)之后,對補膠進(jìn)行紫外光照射,以固化補膠。在本發(fā)明的實施例中,上述的切割第一基板及第二基板的方法通過同一道切割步驟同時切割第一基板與第二基板?;谏鲜?,本發(fā)明的第二基板具有第一開孔及第二開孔。第一開孔對應(yīng)于接墊而使接墊適于與外界的其他元件進(jìn)行電性連接。第二開孔對應(yīng)于密封膠的缺口,因此可先透過第二開口對元件進(jìn)行抗沾粘涂布工藝,并以補膠填補缺口,再對第一基板及第二基板進(jìn)行切割,而可避免在切割過程中液體從缺口滲入第一基板與第二基板之間。由此,避免為了暴露接墊及防止液體滲入缺口,而需以預(yù)切割及剝離的方式對第一基板及第二基板進(jìn)行切割,可直接以同一道切割步驟同時切割第一基板與第二基板,以節(jié)省制造時間并降低制造成本。為讓本發(fā)明的上述特征和優(yōu)點能更明顯易懂,下文特舉實施例,并配合附圖作詳細(xì)說明如下。


圖IA至圖ID為已知一種投影芯片封裝結(jié)構(gòu)的制造流程圖。圖2為已知一種對晶片進(jìn)行預(yù)切割的示意圖。圖3為圖IC的封裝結(jié)構(gòu)的立體圖。圖4A至圖4E繪示本發(fā)明實施例的封裝結(jié)構(gòu)的制造方法。圖5為圖4A至圖4E的封裝結(jié)構(gòu)的制造方法流程圖。圖6A為圖4E的封裝結(jié)構(gòu)的立體圖。
圖6B為圖4E的封裝結(jié)構(gòu)的俯視圖。圖6C為圖4E的封裝結(jié)構(gòu)的側(cè)視圖。附圖標(biāo)記說明50 微機電晶片52、216 元件54,218 接墊56、220:密封膠56a、222:缺口60 玻璃晶片70,240 補膠100,200 封裝結(jié)構(gòu)210 第一基板210a 表面212 有源區(qū)214 接合區(qū)230 第二基板230a:頂面232 第一開孔234 第二開孔A:區(qū)塊D3:方向
具體實施例方式圖4A至圖4E繪示本發(fā)明實施例的封裝結(jié)構(gòu)的制造方法。圖5為圖4A至圖4E的封裝結(jié)構(gòu)的制造方法流程圖。請參考圖4A及圖5的步驟S602,首先,提供第一基板210,其中第一基板210具有表面210a,表面210a包括多個區(qū)塊A,各區(qū)塊A具有有源區(qū)212及在有源區(qū)212之外的接合區(qū)214,有源區(qū)212內(nèi)具有元件216,而接合區(qū)214內(nèi)具有接墊218, 各元件216電性連接至對應(yīng)的接墊218。接著,請參考圖4B及圖5的步驟S604,分別對應(yīng)每一有源區(qū)212形成圍繞有源區(qū)212的密封膠220。各密封膠220在對應(yīng)的有源區(qū)212的邊緣上具有缺口 222,以利后續(xù)抗沾粘涂布工藝的進(jìn)行。請參考圖4C及圖5的步驟S606,配置第二基板230于第一基板210上方,其中第二基板230經(jīng)由密封膠220與第一基板210相對接合。第二基板230具有多個第一開孔232 以及多個第二開孔234,第一開孔232分別對應(yīng)于接墊218,以供外界的其他元件經(jīng)由第一開孔232連接至接墊218,而第二開孔234分別對應(yīng)于缺口 222。接著,請參考圖5的步驟 S608,透過第二開孔234及缺口 222對元件216進(jìn)行抗沾粘涂布工藝,其中進(jìn)行抗沾粘涂布工藝的方法,例如為形成自組裝單分子膜于各元件216的表面,使各元件216具有抗水性以避免水氣沾粘影響元件216正常運作。請參考圖4D及圖5的步驟S610,在對各元件216進(jìn)行抗沾粘涂布工藝之后,分別配置多個補膠240于第二開孔234內(nèi),其中補膠240分別填補缺口 222,而使第一基板210、第二基板230、密封膠220以及補膠240共同形成分別容置元件216的多個密封空間。請參考圖4E及圖5的步驟S612,切割第一基板210及第二基板230,以分離區(qū)塊A(標(biāo)示于圖 4A)而形成多個如圖6A所示的封裝結(jié)構(gòu)200。值得注意的是,本實施例的第二基板230的第一開孔232對應(yīng)于接墊218而使接墊218適于與外界的其它元件進(jìn)行電性連接。此外,第二基板230的第二開孔234對應(yīng)于密封膠220的缺口 222,因此可先透過第二開口 234對元件216進(jìn)行抗沾粘涂布工藝,并以補膠240填補缺口 222,再對第一基板210及第二基板230進(jìn)行切割,而可避免在切割過程中液體從缺口 222滲入第一基板210與第二基板230之間。由此,避免為了暴露接墊218 及防止液體滲入缺口 222,而需以預(yù)切割及剝離的方式對第一基板210及第二基板230進(jìn)行切割,可直接以同一道切割步驟同時切割第一基板210與第二基板230,以節(jié)省制造時間并降低制造成本。本實施例的封裝結(jié)構(gòu)200例如為投影芯片封裝結(jié)構(gòu),其中第一基板210為微機電晶片,而第二基板230為透明的玻璃晶片,然本發(fā)明不以此為限,在其它實施例中,封裝結(jié)構(gòu)200亦可為其它種類的封裝體。此外,本實施例的密封膠220例如為光固化膠,上述封裝結(jié)構(gòu)的制造方法還包括在配置第二基板230于第一基板210上方之后,對密封膠220進(jìn)行紫外光照射,以固化密封膠220。本實施例的補膠240亦例如為光固化膠,上述封裝結(jié)構(gòu)的制造方法還包括在配置補膠240于第二開孔234內(nèi)之后,對補膠240進(jìn)行紫外光照射,以固化補膠M0。在其他實施例中,密封膠220以及補膠240亦可為熱固化膠或通過其他方式進(jìn)行固化的膠體。圖6A為圖4E的封裝結(jié)構(gòu)的立體圖。圖6B為圖4E的封裝結(jié)構(gòu)的俯視圖。請參考圖6A及圖6B,本實施例的封裝結(jié)構(gòu)200包括第一基板210、密封膠220、第二基板230及補膠M0。第一基板210具有表面210a,其中表面210a具有有源區(qū)212及位于有源區(qū)212之外的接合區(qū)214。第一基板210在有源區(qū)212內(nèi)具有元件216,且在接合區(qū)214內(nèi)具有接墊 218。接墊218電性連接至元件216。密封膠220配置于表面210a且圍繞有源區(qū)212,其中密封膠220在有源區(qū)212的邊緣上具有缺口 222。第二基板230經(jīng)由密封膠220與第一基板210相對接合,其中第二基板230具有第一開孔232以及第二開孔234,第一開孔232對應(yīng)于接墊218,以供外界的其他元件經(jīng)由第一開孔232連接至接墊218,而第二開孔234對應(yīng)于缺口 222。補膠240位于第二開孔234內(nèi)并填補缺口 222,使第一基板210、第二基板230、密封膠220以及補膠MO 共同形成容置元件216的密封空間。值得注意是,由于在制造過程中是直接以同一道切割步驟同時切割第一基板210與第二基板230,因此在封裝結(jié)構(gòu)200中,第一基板210的邊緣切齊于第二基板230的邊緣。圖6C為圖4E的封裝結(jié)構(gòu)的側(cè)視圖。請參考圖6C,詳細(xì)而言,本實施例的第二開孔234被設(shè)計為由第二基板230的頂面230a朝向第一基板210的表面210a向下延伸,再沿平行表面210a的方向延伸連接缺口 222。此外,請同時參考圖6A,本實施例的第二開孔 234被設(shè)計為沿遠(yuǎn)離表面210a的方向D3漸縮。通過上述第二開孔234的結(jié)構(gòu)上的設(shè)計,可使補膠234易于集中至缺口 222處,以確實填補缺口 222。綜上所述,本發(fā)明的第二基板具有第一開孔及第二開孔。第一開孔對應(yīng)于接墊而使接墊適于與外界進(jìn)行電性連接。第二開孔對應(yīng)于密封膠的缺口,因此可先透過第二開口對元件進(jìn)行抗沾粘涂布工藝,并以補膠填補缺口,再對第一基板及第二基板進(jìn)行切割,而可避免在切割過程中液體從缺口滲入第一基板與第二基板之間。由此,避免為了暴露接墊及防止液體滲入缺口,而需以預(yù)切割及剝離的方式對第一基板及第二基板進(jìn)行切割,可直接以同一道切割步驟同時切割第一基板與第二基板,以節(jié)省制造時間并降低制造成本。此外, 可將第二開孔設(shè)計為朝向第一基板的表面向下延伸,再沿平行表面的方向往缺口延伸,并使第二開孔沿遠(yuǎn)離表面的方向漸縮,使補膠易于集中至缺口處,以確實填補缺口。
雖然本發(fā)明已以實施例披露如上,然其并非用以限定本發(fā)明,任何所屬技術(shù)領(lǐng)域中普通技術(shù)人員,在不脫離本發(fā)明的精神和范圍內(nèi),當(dāng)可作些許的更動與潤飾,故本發(fā)明的保護(hù)范圍當(dāng)視所附的權(quán)利要求所界定為準(zhǔn)。
權(quán)利要求
1.一種封裝結(jié)構(gòu),包括第一基板,具有表面,其中該表面具有有源區(qū)及位于該有源區(qū)之外的接合區(qū),該第一基板在該有源區(qū)內(nèi)具有元件,且在該接合區(qū)內(nèi)具有接墊,該接墊電性連接至該元件;密封膠,配置于該表面且圍繞該有源區(qū),其中該密封膠在該有源區(qū)的邊緣上具有缺Π ;第二基板,經(jīng)由該密封膠與該第一基板相對接合,其中該第二基板具有第一開孔以及第二開孔,該第一開孔對應(yīng)于該接墊,以供外界的其他元件經(jīng)由該第一開孔連接至該接墊, 而該第二開孔對應(yīng)于該缺口 ;以及補膠,位于該第二開孔內(nèi)并填補該缺口,使該第一基板、該第二基板、該密封膠以及該補膠共同形成容置該元件的密封空間。
2.如權(quán)利要求1所述的封裝結(jié)構(gòu),其中該第二基板為透明基板。
3.如權(quán)利要求1所述的封裝結(jié)構(gòu),其中該第二開孔由該第二基板的頂面朝向該第一基板的表面向下延伸,再沿平行該表面的方向延伸連接該缺口。
4.如權(quán)利要求1所述的封裝結(jié)構(gòu),其中該第二開孔沿遠(yuǎn)離該第一基板的該表面的方向漸縮。
5.如權(quán)利要求1所述的封裝結(jié)構(gòu),其中該第一基板的邊緣切齊于該第二基板的邊緣。
6.一種封裝結(jié)構(gòu)的制造方法,包括提供第一基板,其中該第一基板具有表面,該表面包括多個區(qū)塊,各該區(qū)塊具有有源區(qū)及在該有源區(qū)之外的接合區(qū),該有源區(qū)內(nèi)具有元件,而該接合區(qū)內(nèi)具有接墊,各該元件電性連接至該對應(yīng)的接墊;分別對應(yīng)每一有源區(qū)形成圍繞該有源區(qū)的密封膠,且各該密封膠在該對應(yīng)的有源區(qū)的邊緣上具有缺口配置第二基板于該第一基板上方,其中該第二基板經(jīng)由該多個密封膠與該第一基板相對接合,該第二基板具有多個第一開孔以及多個第二開孔,該多個第一開孔分別對應(yīng)于該多個接墊,以供外界的其他元件經(jīng)由該多個第一開孔連接至該多個接墊,而該多個第二開孔分別對應(yīng)于該多個缺口;透過各該第二開孔對該對應(yīng)的元件進(jìn)行抗沾粘涂布工藝;分別配置多個補膠于該多個第二開孔內(nèi),其中該多個補膠分別填補該多個缺口,使該第一基板、該第二基板、該多個密封膠以及該多個補膠共同形成分別容置該多個元件的多個密封空間;以及切割該第一基板及該第二基板,以分離該多個區(qū)塊而形成多個封裝結(jié)構(gòu)。
7.如權(quán)利要求6所述的封裝結(jié)構(gòu)的制造方法,其中進(jìn)行該抗沾粘涂布工藝的方法包括形成自組裝單分子膜于各該元件的表面。
8.如權(quán)利要求6所述的封裝結(jié)構(gòu)的制造方法,還包括在配置該第二基板于該第一基板上方之后,對該多個密封膠進(jìn)行紫外光照射,以固化該多個密封膠。
9.如權(quán)利要求6所述的封裝結(jié)構(gòu)的制造方法,還包括在配置該多個補膠于該多個第二開孔內(nèi)之后,對該多個補膠進(jìn)行紫外光照射,以固化該多個補膠。
10.如權(quán)利要求6所述的封裝結(jié)構(gòu)的制造方法,其中切割該第一基板及該第二基板的方法是通過同一道切割步驟同時切割該第一基板與該第二基板。
全文摘要
本發(fā)明公開了一種封裝結(jié)構(gòu)及其制造方法。該封裝結(jié)構(gòu)包括第一基板、密封膠、第二基板及補膠。第一基板具有表面。表面具有有源區(qū)及接合區(qū)。第一基板在有源區(qū)內(nèi)具有元件,且在接合區(qū)內(nèi)具有接墊。接墊電性連接至元件。密封膠配置于表面且圍繞有源區(qū)。密封膠在有源區(qū)的邊緣上具有缺口。第二基板經(jīng)由密封膠與第一基板相對接合。第二基板具有第一開孔以及第二開孔。第一開孔對應(yīng)于接墊。第二開孔對應(yīng)于缺口。補膠位于第二開孔內(nèi)并填補缺口,使第一基板、第二基板、密封膠以及補膠共同形成容置元件的密封空間。
文檔編號B81B7/00GK102344109SQ20101024382
公開日2012年2月8日 申請日期2010年8月2日 優(yōu)先權(quán)日2010年8月2日
發(fā)明者莊慶鴻 申請人:日月光半導(dǎo)體制造股份有限公司
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