專利名稱：一種三軸熱對流加速度傳感器芯片的制作方法
技術(shù)領(lǐng)域：
本發(fā)明涉及一種用于消費類電子產(chǎn)品、能檢測Z軸(上下方向)的加速度的三軸熱對流加速度傳感器芯片的制作方法，屬于硅微機械傳感器技術(shù)領(lǐng)域。
背景技術(shù)：
目前，微機電系統(tǒng)(MEMS，Micro Electro-Mechanical System)已廣泛應(yīng)用于半導(dǎo)體行業(yè)，尤其是消費類電子產(chǎn)品中，例如iPod、Whone、Sony PS3，以及Wii等游戲和娛樂系列消費類電子產(chǎn)品，這些產(chǎn)品中都應(yīng)用了加速度傳感器作為動作操控和接收裝置。在Wii 和PS3中，加速度傳感器可以靈敏地感測游戲者的動作，并將其轉(zhuǎn)換為游戲中的虛擬人物、 物品或交通工具的動作和狀態(tài)等并顯示在畫面中。iPod和iPhone中的加速度傳感器則可以根據(jù)用戶的動作而相應(yīng)地對菜單進行操作。加速度傳感器也應(yīng)用于汽車導(dǎo)航系統(tǒng)中，對 GPS衛(wèi)星信號實現(xiàn)定位，基于MEMS技術(shù)的三軸加速度傳感器配合陀螺儀或電子羅盤等元件一起可創(chuàng)建方位推算系統(tǒng)，對GPS系統(tǒng)實現(xiàn)互補性應(yīng)用。此外，三軸加速度傳感器還可用于硬盤抗沖擊防護，電子計步器，為電子羅盤提供補償功能，數(shù)碼相機的防抖等。目前的加速度傳感器有多種實現(xiàn)方式，主要分為壓電式、電容式及熱對流式三種， 這三種技術(shù)各有其優(yōu)缺點。電容式加速度傳感器能夠感測不同方向的加速度或振動等運動狀況，主要利用硅的機械特性，設(shè)計出可移動機構(gòu)，機構(gòu)中主要包括兩組硅梳齒，一組固定， 相當于固定的電極，另一組隨運動物體移動，相當于可移動電極，當可移動的梳齒產(chǎn)生了位移，就會隨之產(chǎn)生與位移成比例電容值的改變。對于高量程的應(yīng)用(如汽車安全氣囊)，要求的靈敏度小，電容式加速度傳感器可以將微型硅梳齒制作得相對牢固。但消費類電子產(chǎn)品屬于小量程應(yīng)用，量程小于士 10g，靈敏度則相對較大。在一定的信噪比前提下，要得到較大的靈敏度就必須降低微型硅梳齒的強度，但其結(jié)果導(dǎo)致了抗沖擊能力的下降。熱對流式加速度傳感器是基于標準的CMOS制造工藝，質(zhì)量塊是氣態(tài)，氣態(tài)的質(zhì)量塊同傳統(tǒng)的實體質(zhì)量塊相比抵抗沖擊的能力強，能抵抗50000g的沖擊。采用表面微機械加工，易于與CMOS兼容，滿足單片集成，可以實現(xiàn)微型化和低成本化。公開號為CN101105502A、名稱為“三軸熱對流加速度傳感器”的專利申請利用三層結(jié)構(gòu)鍵合形成一體的結(jié)構(gòu)，在X、Y、Z三個軸方向上分別設(shè)置有等距離對稱布置的、特性值相同的溫度傳感器來實現(xiàn)檢測三個軸向的加速度的功能。但是沒有提供相關(guān)測試數(shù)據(jù)，顯然利用鍵合的工藝形成三層的結(jié)構(gòu)并且在腔體正中間制作出懸臂梁，是比較困難的。公開號為CN101430341A、名稱為“圓片級三軸熱對流加速度傳感器”的專利申請公開了設(shè)置有開放的刻蝕腔，刻蝕腔內(nèi)設(shè)置有加熱器和溫度傳感器，底部有圓片集成信號處理電路和控制電路，當運動加速度向上時，加熱器所處平面的氣流會由邊緣流向中心以補償在加熱器向上流出的氣體，即加熱器位置熱氣體上升，周圍氣流下降。溫度傳感器處的溫度會隨著加速度的方向和大小變化而改變，從而測得加速度，解決了 Z軸實際微分信號獲取的問題。這種結(jié)構(gòu)的加速度計基于詳細的仿真計算獲得Z軸方向上的加速度測試值，集成復(fù)雜的控制電路，制作工藝復(fù)雜，成本高。

發(fā)明內(nèi)容
本發(fā)明的目的是提供一種三軸熱對流加速度傳感器芯片的制作方法，該方法制作的熱對流加速度傳感器芯片具有檢測精度高、可靠性好、穩(wěn)定性佳等優(yōu)點，制作工藝與 IC工藝兼容，有利于實現(xiàn)芯片微型化和低成本化。為了解決上述技術(shù)問題，本發(fā)明采用如下技術(shù)方案 一種三軸熱對流加速度傳感器芯片的制作方法，包括以下步驟
步驟一、先在襯底單晶硅片表面利用高溫干法熱氧化形成高溫氧化硅層，再利用低壓化學(xué)氣相沉積工藝在所述高溫氧化硅層上形成低應(yīng)力的第一氮化硅層；
步驟二、先利用低壓化學(xué)氣相沉積工藝在所述第一氮化硅層上淀積多晶硅層，再對多晶硅層進行硼離子注入，然后利用電感耦合等離子體刻蝕所述多晶硅層，分別形成四組多晶硅溫度敏感電阻和兩組多晶硅加熱電阻；最后再次利用低壓化學(xué)氣相沉積工藝在所述多晶硅溫度敏感電阻和多晶硅加熱電阻上形成第二氮化硅層；
步驟三、先利用反應(yīng)離子刻蝕干法刻蝕第二氮化硅層，使所述多晶硅溫度敏感電阻和多晶硅加熱電阻部分露出，在露出部分上濺射金屬層；然后光刻金屬層，使金屬層形成金屬互連線，所述金屬互連線將所述多晶硅溫度敏感電阻和所述金屬層連接成熱電堆、將所述熱電堆和所述多晶硅加熱電阻連接形成加速度傳感器輸出電路；四組熱電堆中的其中兩組用于X軸和Y軸的檢測；另兩組用于Z軸的檢測；
步驟四、先在所述金屬層上利用增強等離子體化學(xué)汽相低溫沉積高質(zhì)氧化硅層，然后對高質(zhì)氧化硅層進行光刻，刻蝕后僅保留用于Z軸檢測部分的高質(zhì)氧化硅層；再刻蝕部分第二氮化硅層、第一氮化硅層及高質(zhì)氧化硅層以形成復(fù)合懸臂梁結(jié)構(gòu)，露出下方的部分襯底單晶硅片，然后再深腐蝕襯底單晶硅片使襯底單晶硅片形成凹腔，四組熱電堆以及兩組多晶硅加熱電阻通過復(fù)合懸臂梁結(jié)構(gòu)支撐懸空于該凹腔上，完成器件硅片的制作；
步驟五、制作具有深坑的蓋板硅片，將蓋板硅片與所述器件硅片鍵合，使蓋板硅片的深坑與器件硅片的凹腔對接形成密閉空腔，即三軸熱對流加速度傳感器芯片。作為本發(fā)明的優(yōu)選方案，步驟一所述的高溫氧化硅層的厚度為0.30-0. 40 μ m，高溫干法熱氧化的溫度為900-1100°C。作為本發(fā)明的優(yōu)選方案，步驟二所述的低壓化學(xué)氣相沉積工藝的溫度為 600-650°C，多晶硅層的厚度為0. 3-0. 5 μ m。作為本發(fā)明的優(yōu)選方案，步驟二所述的硼離子注入的硼源為三氟化硼，注入能量為50-70KeV，劑量為3-5X1015/cm2 ；硼離子注入后在氮氣保護下對多晶硅層進行退火，退火溫度為950-1100°C，時間為20-40min。作為本發(fā)明的優(yōu)選方案，步驟二所述的電感耦合等離子體刻蝕工藝刻蝕的反應(yīng)氣體為C4F8和SF6。相對于現(xiàn)有技術(shù)，本發(fā)明的有益效果在于利用與CMOS工藝兼容的表面微機械加工中復(fù)合薄膜內(nèi)應(yīng)力的不同，使得布置有熱電堆的懸臂梁向下彎曲，從而檢測Z軸(上下方向)的加速度的兩組熱電堆分列在加熱器的上下兩側(cè)，這樣當器件受到上下方向的加速度時，上下位置的熱電堆處溫度發(fā)生變化，從而來測試Z軸的加速度。先在低應(yīng)力氮化硅薄膜上沉積多晶硅薄膜，摻雜并圖形化，形成電阻。在淀積絕緣層，濺射鋁，光刻并腐蝕后與多晶硅電阻形成熱電堆，再在鋁層上用低溫增強等離子體化學(xué)汽相沉積(PECVD)法沉積高質(zhì)量氧化硅，由于熱膨脹系數(shù)的不同引起的內(nèi)應(yīng)力，使得復(fù)合薄膜朝下彎曲，通過每層薄膜厚度的選擇，使得復(fù)合薄膜得到最大的彎曲度。這樣位于懸臂梁上的熱電堆與參考熱電堆的距離最大，二者所處位置的溫度差最大，使得在ζ軸有加速度作用時，輸出信號最大。所制作的熱對流加速度傳感器芯片具有檢測精度高，可靠性好，穩(wěn)定性佳等優(yōu)點，制作工藝與IC 工藝兼容，有利于實現(xiàn)芯片微型化和低成本化。


圖Ia-Ii是本發(fā)明流程示意圖2是三軸熱對流加速度傳感器芯片中的復(fù)合薄膜受內(nèi)應(yīng)力驅(qū)動彎曲的原理放大圖； 圖3是三軸熱對流加速度傳感器芯片的電鏡SEM圖中1.襯底單晶硅片；2.第一氮化硅層；3.高質(zhì)氧化硅層；4.高溫氧化硅層；5.多晶硅層；6.第二氮化硅層；7.金屬互連線；8.復(fù)合懸臂梁結(jié)構(gòu)；9.凹腔；10.蓋板硅片。
具體實施例方式以下結(jié)合附圖和具體實施方式
對本發(fā)明作進一步詳細說明 參見圖la-1 i，制作三軸熱對流加速度傳感器芯片的步驟如下 步驟一、形成第一氮化硅層2支撐層
如圖Ia所示，先將雙拋的襯底單晶硅片1嚴格清洗后，在襯底單晶硅片1表面利用高溫干法熱氧化形成一層氧化層，該氧化層為高溫氧化硅層4。襯底單晶硅片1的厚度為420μπκ電阻率為3 8Ω .cm。高溫氧化硅層4的厚度可以為0. 30-0. 40 μ m，優(yōu)選為 0. 35ym0高溫干法熱氧化的溫度可以為900-1100°C，優(yōu)選為1000°C。如圖Ib所示，利用低壓化學(xué)氣相沉積工藝在所述高溫氧化硅層4上形成低應(yīng)力的第一氮化硅層2作為支撐層，第一氮化硅層2的厚度為1.1-1. 3μπι，優(yōu)選為1.2 μ m。可使器件性能更加穩(wěn)定，可靠性更高。和多晶硅加熱電阻
如圖Ic所示，先利用低壓化學(xué)氣相沉積工藝在所述第一氮化硅層2上淀積多晶硅層5， 多晶硅層5的厚度可以為0. 3-0. 5 μ m，優(yōu)選為0. 4μ m。淀積溫度可以為600_650°C，優(yōu)選為 630°C。再對多晶硅層5進行硼離子注入，硼源為三氟化硼(BF3),注入能量為50-70KeV，劑量為3-5X1015/cm2 ；本發(fā)明優(yōu)選注入能量為60KeV，劑量為4X1015/cm2。進一步地，硼離子注入后，在氮氣保護下對多晶硅層進行退火，退火條件優(yōu)選為退火溫度為950-1100°C，時間為20-40min。然后進行第一次光刻，利用電感耦合等離子體刻蝕(ICP)工藝刻蝕所述多晶硅層5，版圖為MOlPoly，用STS公司的電感耦合等離子體反應(yīng)器STS，反應(yīng)氣體為C4F8和 SF6，分別形成四組多晶硅溫度敏感電阻和兩組多晶硅加熱電阻。最后，去膠后標準清洗，烘干后再次利用低壓化學(xué)氣相沉積工藝在所述多晶硅溫度敏感電阻和多晶硅加熱電阻上形成0. 1 μ m的低應(yīng)力的第二氮化硅層6，即低應(yīng)力的第二氮化硅層絕緣層，如圖Id所示。開接觸孔及形成金屬互連線
如圖Ie所示，先進行第二次光刻，光刻腐蝕孔，版圖為M02 etch hole，利用反應(yīng)離子刻蝕(RIE)干法刻蝕第二氮化硅層6，反應(yīng)氣體為CHCljn SF6 ；使所述多晶硅溫度敏感電阻和多晶硅加熱電阻部分露出，完成開接觸孔，然后在露出部分上濺射金屬層，金屬層優(yōu)選為Al 或TiW/Au堆棧層；本發(fā)明采用Al層，Al層厚度優(yōu)選為0. 8 μ m。金屬層與多晶硅溫度敏感電阻形成熱電堆。四組熱電堆中的其中兩組用于X軸和Y軸的檢測；另兩組用于Z軸的檢測，且每組熱電堆分別對稱地放置在多晶硅加熱電阻的兩側(cè)。然后進行第三次光刻，光刻金屬層，版圖為M03 Al。在鋁腐蝕液(H3PO4=HNO3: CH3COOH=H2O:濕化劑=16 1 1 2)中腐蝕鋁，速率為0. 4 μ m/ min，后在丙酮中去膠，并清洗，烘干，使金屬層形成金屬互連線7。若采用TiW/Au堆棧層可以在Au腐蝕液中腐蝕Au， 在雙氧水中腐蝕TiW。之后在氮氣保護下，450°C高溫下使金屬互連線7合金化45min。7將多晶硅溫度敏感電阻和金屬層連接成熱電堆、將熱電堆和多晶硅加熱電阻連接形成加速度傳感器輸出電路，并將多晶硅加熱電阻的兩端引出。優(yōu)選地，在制作金屬互連線7的同時制作焊盤。步驟四、制備復(fù)合懸臂梁結(jié)構(gòu)和形成凹腔
如圖If所示，在所述金屬層上利用增強等離子體化學(xué)汽相低溫沉積高質(zhì)氧化硅層3， 先對高質(zhì)氧化硅層3進行第四次光刻，版圖為M04 PE Oxide，刻蝕后僅保留用于Z軸測試部分的高質(zhì)氧化硅層3。再進行第五次光刻，刻蝕部分第二氮化硅層6、第一氮化硅層2及高質(zhì)氧化硅層3以形成復(fù)合懸臂梁結(jié)構(gòu)8。版圖為M05 STS ICP，涂4620厚膠7 μ m，先進入離子束刻蝕(IBE)腐蝕部分第二氮化硅層6、第一氮化硅層2及高質(zhì)氧化硅層3，即腐蝕第一氮化硅層2支撐層至少1. 2 μ m，露出下方的部分襯底單晶硅片1，以形成初始的低應(yīng)力氮化硅懸臂梁結(jié)構(gòu)。不去膠，再次進入STS公司的電感耦合等離子體反應(yīng)器中深腐蝕襯底單晶硅片1，與刻蝕多晶硅層5不同的是先用Wafer Though的程序垂直向下腐蝕200 μ m。再改用SF6 etch的程序各向同性腐蝕100 μ m釋放懸臂梁，使襯底單晶硅片1形成凹腔9，最終凹腔9深度為300 μ m左右。四組熱電堆以及兩組多晶硅加熱電阻通過其下的第一氮化硅層2及氧化層構(gòu)成的復(fù)合懸臂梁結(jié)構(gòu)8支撐懸空于該凹腔9之上，從而完成器件硅片的制作，然后直接在等離子體中去除厚膠。步驟五、BCB鍵合
如圖li，制作具有深坑的蓋板硅片10，選用有機BCB膠(Benzocyclobuene)將蓋板硅片10與器件硅片鍵合起來，使蓋板硅片的深坑與器件硅片的凹腔9對接形成所需要的密閉空腔，完成加速度傳感器芯片。其中，蓋板硅片10腐蝕有深坑，同時腐蝕有通孔，通過兩次光刻直接在40°C氫氧化鉀(KOH)溶液中各向異性腐蝕形成。用BCB膠把器件硅片和蓋板硅片10粘結(jié)起來后形成所需的空腔；而蓋板硅片10上的通孔將器件硅片上的焊盤暴露出來， 壓焊后可
最后，劃片、貼片和打線。鍵后的雙層硅片在劃片機上分成每個單元，單個集成器件的大小是0. 25mmX0. 25mm，厚度是兩層硅片0. 84mm。再用綠膠粘到管殼上，打線后完成初步封裝。如圖2所示，用于Z軸檢測部分的第一氮化硅層2及高質(zhì)氧化硅層3組成的復(fù)合薄膜由于內(nèi)應(yīng)力驅(qū)動，向凹腔9內(nèi)彎曲。上層薄膜為高質(zhì)氧化硅層3，生長溫度為300 °C，上層薄膜厚度為ai，氧化硅熱膨脹系數(shù)
卬為0. 5X10 —6/°C。下層薄膜為第一氮化硅層2，下層薄膜厚度為 ，氮化硅熱膨脹系數(shù)^為2. 1 X 10 — V0C，則復(fù)合薄膜彎曲的曲率半徑O為 16(^-0^)(1 -￡0)(l + ,w)2
p A(3(l + mf + (1 + mn、{p + 丄)) (1)
mn
E1
t為淀積高質(zhì)氧化硅層3時的溫度，此處為300°C;G是室溫，30°C ;!!!= / a2, ” =
，其中A和盡分別為上層薄膜和下層薄膜的楊氏模量，這里取A=70GPa，盡=2MGPa，這樣彎曲的曲率半徑P化簡為
ρ = 493.83 3(1 +m) + 1+0.金(m2 +_!_) ⑵
L1+ W0,32 _
計算出撓度為
,, ,180/、.
=p(l-cos(——))(3)
πρ
其中1是復(fù)合懸臂梁結(jié)構(gòu)8的長度。本發(fā)明利用與CMOS工藝兼容的表面微機械加工中復(fù)合薄膜內(nèi)應(yīng)力的不同，使得布置有熱電堆的復(fù)合懸臂梁結(jié)構(gòu)8向下彎曲，從而檢測Z軸(上下方向)的加速度的兩組熱電堆分列在加熱器的上下兩測，這樣當器件受到上下方向的加速度時，上下位置的熱電堆處溫度發(fā)生變化，從而來測試Z軸的加速度。先在低應(yīng)力氮化硅薄膜上沉積多晶硅薄膜， 摻雜并圖形化形成電阻，再淀積絕緣層，濺射金屬層，光刻并腐蝕后與多晶硅電阻形成熱電堆，再在金屬鋁層上用低溫增強等離子體化學(xué)汽相沉積法沉積高質(zhì)量氧化硅，由于熱膨脹系數(shù)的不同引起的內(nèi)應(yīng)力，使得復(fù)合薄膜朝下彎曲，通過每層薄膜厚度的選擇，使得復(fù)合薄膜得到最大的彎曲度。這樣位于復(fù)合懸臂梁結(jié)構(gòu)8上的熱電堆與參考熱電堆的距離最大， 二者所處位置的溫度差最大，使得在ζ軸有加速度作用時，輸出信號最大。如圖3所示是本發(fā)明優(yōu)選實施例的三軸熱對流加速度傳感器在未鍵合前圖形面的掃描電鏡照片。由圖3可見，測試X和Y軸加速度的熱電堆懸于深腔的中間.。如圖北所示的掃描圖，多晶硅加熱電阻為環(huán)形。圖3d是圖北的局部II清晰的電鏡圖，由圖3d可見，兩組熱電堆和多晶硅加熱電阻在同一個平面上。圖3a是測試Z軸方向的加速度計的掃描圖，圖3c是圖3a在其局部I的放大電鏡圖，由于受薄膜內(nèi)應(yīng)力的驅(qū)動，一組熱電組隨著懸臂梁向深腔內(nèi)側(cè)彎曲，另一組熱電堆和多晶硅加熱電阻在同一個平面上。
權(quán)利要求
1.一種三軸熱對流加速度傳感器芯片的制作方法，其特征是包括如下步驟步驟一、先在襯底單晶硅片(1)表面利用高溫干法熱氧化形成高溫氧化硅層(4)，再利用低壓化學(xué)氣相沉積工藝在所述高溫氧化硅層(4)上形成低應(yīng)力的第一氮化硅層(2)；步驟二、先利用低壓化學(xué)氣相沉積工藝在所述第一氮化硅層(2)上淀積多晶硅層(5)， 再對多晶硅層(5)進行硼離子注入，然后利用電感耦合等離子體刻蝕所述多晶硅層(5)，分別形成四組多晶硅溫度敏感電阻和兩組多晶硅加熱電阻；最后再次利用低壓化學(xué)氣相沉積工藝在所述多晶硅溫度敏感電阻和多晶硅加熱電阻上形成第二氮化硅層(6 )；步驟三、先利用反應(yīng)離子刻蝕干法刻蝕第二氮化硅層(6)，使所述多晶硅溫度敏感電阻和多晶硅加熱電阻部分露出，在露出部分上濺射金屬層；然后光刻該金屬層，使該金屬層形成金屬互連線(7)，所述金屬互連線(7)將所述多晶硅溫度敏感電阻和所述金屬層連接成熱電堆、并將所述熱電堆和所述多晶硅加熱電阻連接形成加速度傳感器輸出電路；四組熱電堆中的其中兩組用于X軸和Y軸的檢測，另兩組用于Z軸的檢測；步驟四、先在所述金屬層上利用增強等離子體化學(xué)汽相低溫沉積高質(zhì)氧化硅層(3)，然后對高質(zhì)氧化硅層(3)進行光刻，刻蝕后僅保留用于Z軸檢測部分的高質(zhì)氧化硅層(3)；再刻蝕部分第二氮化硅層(6)、第一氮化硅層(2)及高質(zhì)氧化硅層(3)以形成復(fù)合懸臂梁結(jié)構(gòu) (8)，露出下方的部分襯底單晶硅片(1)，然后再深腐蝕襯底單晶硅片(1)使襯底單晶硅片 (1)形成凹腔(9)，所述四組熱電堆以及兩組多晶硅加熱電阻通過復(fù)合懸臂梁結(jié)構(gòu)(8)支撐懸空于該凹腔(9)上，完成器件硅片的制作；步驟五、制作具有深坑的蓋板硅片(10)，將蓋板硅片(10)與所述器件硅片鍵合，使蓋板硅片(10)的深坑與器件硅片的凹腔(9)對接形成密閉空腔，即三軸熱對流加速度傳感器芯片。
2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的一種三軸熱對流加速度傳感器芯片的制作方法，其特征是步驟一所述的高溫氧化硅層(4)的厚度為0. 30-0. 40 μ m，高溫干法熱氧化的溫度為 900-1100°C。
3.根據(jù)權(quán)利要求1所述的一種三軸熱對流加速度傳感器芯片的制作方法，其特征是步驟二所述的低壓化學(xué)氣相沉積工藝的溫度為600-650°C，多晶硅層(5)的厚度為 0. 3-0. 5 μ m。
4.根據(jù)權(quán)利要求1所述的一種三軸熱對流加速度傳感器芯片的制作方法，其特征是 步驟二所述的硼離子注入的硼源為三氟化硼，注入能量為50-70KeV，劑量為3-5X 1015/cm2 ； 硼離子注入后在氮氣保護下對多晶硅層(5)進行退火，退火溫度為950-1100°C，時間為 20-40min。
5.根據(jù)權(quán)利要求1所述的一種三軸熱對流加速度傳感器芯片的制作方法，其特征是 步驟二所述的電感耦合等離子體刻蝕的反應(yīng)氣體為C4F8和SF6。
全文摘要
本發(fā)明公開一種用于消費類電子產(chǎn)品的三軸熱對流加速度傳感器芯片的制作方法，先在襯底單晶硅片表面形成高溫氧化硅層，在高溫氧化硅層上形成第一氮化硅層，再形成多晶硅溫度敏感電阻和多晶硅加熱電阻；開接觸孔及形成金屬互連線；最后制備復(fù)合懸臂梁結(jié)構(gòu)和形成凹腔，鍵合成三軸熱對流加速度傳感器芯片；本發(fā)明利用與CMOS工藝兼容的表面微機械加工中復(fù)合薄膜內(nèi)應(yīng)力的不同，使得布置有熱電堆的懸臂梁向下彎曲來測試Z軸的加速度。所制作的熱對流加速度傳感器芯片具有檢測精度高，可靠性好，穩(wěn)定性佳等優(yōu)點，有利于實現(xiàn)芯片微型化和低成本化。
文檔編號B81C1/00GK102175891SQ20111000065
公開日2011年9月7日 申請日期2011年1月5日 優(yōu)先權(quán)日2011年1月5日
發(fā)明者張進, 李昕欣, 楊平, 王權(quán), 胡然, 陳林 申請人:江蘇大學(xué)