專利名稱：形成加帽的微機(jī)電系統(tǒng)(mems)器件的方法
技術(shù)領(lǐng)域：
本發(fā)明主要涉及半導(dǎo)體加工，并且更具體地，涉及形成一種加帽的MEMS器件。
背景技術(shù)：
在加帽的微機(jī)電系統(tǒng)(MEMS)器件的形成期間，使用了晶片級(jí)封裝，其中帽晶片接合到器件晶片。在帽晶片與器件晶片接合后，每個(gè)晶片通過(guò)研磨處理減薄。然而，研磨后接合的晶片產(chǎn)生的翹曲可能在隨后的處理中導(dǎo)致各種有害的影響，諸如晶片破損增加。


本發(fā)明通過(guò)舉例的方式來(lái)說(shuō)明，并且不局限于附圖，其中相似的標(biāo)記表示類似的部分。圖中的結(jié)構(gòu)以簡(jiǎn)要和清楚的方式來(lái)描述且不必然按照比例繪制。圖1以橫截面形式來(lái)示出根據(jù)一個(gè)實(shí)施例的帽晶片和器件晶片。圖2以橫截面形式示出根據(jù)一個(gè)實(shí)施例的、向帽晶片施加玻璃粉后的圖1的帽晶片和器件晶片。圖3以橫截面形式示出根據(jù)一個(gè)實(shí)施例的、接合后的圖2的帽晶片和器件晶片。圖4以橫截面形式示出根據(jù)一個(gè)實(shí)施例的、研磨處理后的圖3的接合晶片。圖5以橫截面形式示出根據(jù)一個(gè)實(shí)施例的、拋光后的圖4的接合晶片。圖6以橫截面形式示出根據(jù)一個(gè)實(shí)施例的、在接合晶片的帽晶片之上形成拉伸層 (tensile layer)之后的圖5的接合晶片。圖7以橫截面形式示出根據(jù)一個(gè)實(shí)施例的、在鋸切到底(saw-to-ground，STG)處理之后的圖6的接合晶片。圖8以橫截面形式示出根據(jù)一個(gè)實(shí)施例的、在所述拉伸層之上形成導(dǎo)電層之后的圖7的接合晶片。圖9以橫截面形式示出根據(jù)一個(gè)實(shí)施例的、在用于暴露出MEMS器件的接合焊盤的鋸切處理之后的圖8的接合晶片。
具體實(shí)施例方式在加帽的MEMS器件的形成期間，使用了晶片級(jí)封裝，其中帽晶片接合到器件晶片 (其包含多個(gè)MEMS器件)以形成接合晶片。為了減薄帽晶片和器件晶片，研磨所述接合晶片，從而減薄所述接合晶片。然而，減薄之后，接合晶片的翹曲增加。因此，在一個(gè)實(shí)施例中，為了減小鋸切前的翹曲，在任何鋸切處理之前，在帽晶片的暴露背側(cè)上形成金屬層。此外，在一個(gè)實(shí)施例中，在將帽晶片接合到器件晶片之前，在帽晶片的前側(cè)(其與帽晶片的背側(cè)相對(duì))上形成壓縮層(compressive layer)。該壓縮層可以有助于進(jìn)一步減小隨后的翹曲。在一個(gè)實(shí)施例中，在研磨帽晶片和器件晶片二者以減薄接合晶片之后，拋光帽晶片和器件晶片這兩者暴露的背側(cè)。該拋光也可以進(jìn)一步減小翹曲。圖1以橫截面形式示出根據(jù)一個(gè)實(shí)施例的帽晶片18和器件晶片10。器件晶片10具有前側(cè)13和與前側(cè)13相反的背側(cè)11。器件晶片10包含多個(gè)MEMS器件12、多個(gè)接合焊盤14和位于前側(cè)13上的多個(gè)劃片線(scribe line) 16(圖1的一部分中僅示出了其中一個(gè))。器件晶片10、MEMS器件12、接合焊盤14和劃片線16可以如本領(lǐng)域公知地來(lái)形成。 帽晶片18具有前側(cè)15和與前側(cè)15相反的背側(cè)17。帽晶片18還包含多個(gè)腔22，所述腔22 與器件晶片10的MEMS器件12的位置相對(duì)應(yīng)。在一個(gè)實(shí)施例中，帽晶片18還可以包括與腔22相類似的腔，所述腔與器件晶片10的接合焊盤14的位置相對(duì)應(yīng)。壓縮層22形成在帽晶片18的前側(cè)15上方(并且在腔22內(nèi))。在一個(gè)實(shí)施例中，壓縮層22包括氮化物。在一個(gè)實(shí)施例中，壓縮層22直接施加到帽晶片18的前側(cè)15上并且與前側(cè)15物理接觸。壓縮層22還可以被描述為具有壓應(yīng)力的應(yīng)力層(stressor layer)。正如接下來(lái)進(jìn)一步描述的，壓縮層22可以幫助減小接合晶片的翹曲。圖2以橫截面形式示出根據(jù)一個(gè)實(shí)施例的、在向前側(cè)15上的壓縮層20上方施加玻璃粉層對(duì)之后的帽晶片18。在一個(gè)實(shí)施例中，玻璃粉被絲網(wǎng)印刷到帽晶片18上，以形成玻璃粉層24 (也稱為玻璃料層或玻璃料)。玻璃粉層M將使帽晶片18粘附到器件晶片 10?？商孢x地，可以使用其他粘合劑。此外，在一個(gè)實(shí)施例中，壓縮層20可以不存在，在這種情況下，玻璃粉層M將直接形成在帽晶片18的前側(cè)15上。在一個(gè)實(shí)施例中，在形成玻璃粉層M后，固化帽晶片18。圖3以橫截面形式示出根據(jù)一個(gè)實(shí)施例的、在將兩個(gè)晶片接合到一起形成接合晶片25之后的帽晶片18和器件晶片10。帽晶片18接合到器件晶片10，使得帽晶片18的前側(cè)15直接面對(duì)器件晶片10的前側(cè)13。S卩，帽晶片18的前側(cè)15附著到器件晶片10的前側(cè) 13。以這種方式，帽晶片18和器件晶片10的背側(cè)被暴露，同時(shí)帽晶片18和器件晶片10這兩者的前側(cè)位于帽晶片18和器件晶片10的背側(cè)之間。在示出的實(shí)施例中，玻璃粉層對(duì)形成的圖案接觸器件晶片10的前側(cè)13并且粘附到MEMS器件12的暴露頂表面。在一個(gè)實(shí)施例中，為了使玻璃粉層對(duì)接合到器件晶片10，帽晶片18在高溫下通過(guò)壓力被保持到器件晶片10。在接合處理之后，帽晶片18和器件晶片10—起形成接合晶片25。圖4以橫截面形式示出根據(jù)一個(gè)實(shí)施例的、研磨處理之后的接合晶片25。在一個(gè)實(shí)施例中，為了減薄帽晶片18和器件晶片10中的每一個(gè)，帽晶片18的背側(cè)17和器件晶片 10的背側(cè)11 二者都被研磨。然而，注意，在研磨處理之后，接合晶片25的彎曲或翹曲增加， 使得接合晶片25相比研磨之前的接合晶片25，變得更加凸起。注意，在沒(méi)有壓縮層20的情況下，研磨后的接合晶片25的翹曲可能甚至更大。研磨之后，由于研磨處理，帽晶片18和器件晶片10的背側(cè)是粗糙的。圖5以橫截面形式示出根據(jù)一個(gè)實(shí)施例的、拋光之后的接合晶片25。在一個(gè)實(shí)施例中，器件晶片10的背側(cè)11或帽晶片18的背側(cè)17或者背側(cè)11和背側(cè)17這兩者被拋光， 使用例如化學(xué)機(jī)械拋光(CMP)，來(lái)使背側(cè)光滑。在一個(gè)實(shí)施例中，對(duì)帽晶片18和器件晶片 10這兩者背側(cè)的拋光會(huì)進(jìn)一步減小之前研磨處理造成的翹曲。圖6以橫截面形式示出根據(jù)一個(gè)實(shí)施例、在帽晶片18之上形成拉伸層沈之后的接合晶片25。在一個(gè)實(shí)施例中，拉伸層沈直接形成在帽晶片18的背側(cè)17上，使得帽晶片 18位于玻璃粉層M和拉伸層沈之間。拉伸層沈還可以被描述為具有張應(yīng)力的應(yīng)力層。 在一個(gè)實(shí)施例中，拉伸層26被毯式沉積在背側(cè)17上方。在一個(gè)實(shí)施例中，拉伸層沈是導(dǎo)電層，例如金屬層，并且可以包含諸如鋁的金屬。由于拉伸層26是可拉伸的，它的形成用來(lái)減小或消除由之前處理引入的翹曲。因此，在一個(gè)實(shí)施例中，接合晶片25相比形成拉伸層 26之前的接合晶片25，具有更小的翹曲。圖7以橫截面形式示出根據(jù)一個(gè)實(shí)施例的、在鋸切到底(STG)處理之后的接合晶片25。圖7所示的STG處理使用鋸來(lái)切割穿過(guò)劃片線16之上的帽晶片18，以創(chuàng)建暴露器件晶片10的開(kāi)口觀(圖7中僅示出其中一個(gè))。S卩，開(kāi)口觀延伸穿過(guò)拉伸層沈、帽晶片18 和氮化物層20，并且延伸到器件晶片10的前側(cè)13中，使得接下來(lái)可以形成適當(dāng)?shù)牡剡B接， 其將器件晶片10接地至帽晶片18。因此，拉伸層沈可以被構(gòu)圖以形成穿過(guò)拉伸層沈和帽晶片18的開(kāi)口 28。圖8以橫截面形式示出根據(jù)一個(gè)實(shí)施例的、在拉伸層沈上方和開(kāi)口觀內(nèi)形成導(dǎo)電層30之后的接合晶片25。在一個(gè)實(shí)施例中，導(dǎo)電層30被施加到帽晶片18的背側(cè)17，使得它形成在拉伸層26上方和開(kāi)口觀內(nèi)(但可以不完全填滿開(kāi)口觀)。即，導(dǎo)電層30可以沉積到拉伸層沈上，并通過(guò)開(kāi)口觀以接觸器件晶片10的前側(cè)13。在一個(gè)實(shí)施例中，導(dǎo)電層30被毯式沉積到背側(cè)17上方。用這種方式，導(dǎo)電層30創(chuàng)建器件晶片10 (在開(kāi)口觀的底部處)到帽晶片18之間的電連接。在一個(gè)實(shí)施例中，導(dǎo)電層沈例如是諸如鋁的金屬層。 然而，也可以用其他類型的導(dǎo)電材料。圖9以橫截面形式示出根據(jù)一個(gè)實(shí)施例的、在用于暴露MEMS器件12的接合焊盤 14的鋸切處理之后的接合晶片25。如附圖9所示，為了暴露接合焊盤14，執(zhí)行局部鋸切來(lái)形成通過(guò)帽晶片10(以及導(dǎo)電層30、拉伸層沈和氮化物層20)的開(kāi)口 32。用這種方式，由加帽的MEMS器件12暴露接合焊盤14，以在單體化(singulation)后，允許為MEMS器件提供外部連接。因此，在一個(gè)實(shí)施例中，在鋸切處理以暴露接合焊盤14之后，為了分離開(kāi)每個(gè) MEMS器件12以形成獨(dú)立封裝的或加帽的MEMS器件，可以沿單體化線34來(lái)對(duì)接合晶片25 進(jìn)行單體化。在一個(gè)實(shí)施例中，每個(gè)單體化的封裝可以包含一個(gè)或多個(gè)MEMS器件，并且除了一個(gè)或多個(gè)MEMS器件之外，還可以包括其他器件。此外，到每個(gè)單體化器件的通路是經(jīng)由相應(yīng)的接合焊盤14來(lái)提供的。現(xiàn)在，應(yīng)當(dāng)意識(shí)到已經(jīng)提供了一種形成加帽的MEMS器件的方法，其可以允許減小的翹曲。例如，在一個(gè)實(shí)施例中，在帽晶片的背側(cè)上方形成拉伸層可以減小之前研磨處理引入的翹曲。此外，在研磨工藝之后、接合和/或拋光蓋層的背側(cè)之前，蓋層前側(cè)增加的壓縮層可以進(jìn)一步減小翹曲。通過(guò)減小翹曲，也可以減少晶片的破裂，因而提高制造產(chǎn)率和器件
可靠性。此外，在說(shuō)明書和權(quán)利要求書中的術(shù)語(yǔ)“前”、“后”、“前側(cè)”、“背側(cè)”、“頂部”、“底
部”、“在......之上”、“在......之下”等，如果有，則是用作描述的目的，并不必然地用于
描述永久的相對(duì)位置。應(yīng)理解的是，使用的這些術(shù)語(yǔ)在適當(dāng)?shù)沫h(huán)境下是可互換的，使得能夠以除了那些示出的或在此描述之外的其他方式來(lái)操作在此描述的本發(fā)明的實(shí)施例。盡管在此參考具體實(shí)施例來(lái)說(shuō)明本發(fā)明，但是在不偏離本發(fā)明的由所附權(quán)利要求書所闡述的范圍的情況下，可以做出各種修改和變形。例如，不同類型的壓縮材料可以用作壓縮層20，并且不同類型的拉伸材料可以用作拉伸層26。因此，說(shuō)明書和附圖應(yīng)當(dāng)被看作說(shuō)明性的而非限制性的，并且所有這些修改都意圖包括在本發(fā)明的范圍之內(nèi)。在此描述的關(guān)于具體實(shí)施例的任何益處、優(yōu)勢(shì)或?qū)?wèn)題的解決方案，都不意圖解釋為任一或所有權(quán)利要求的關(guān)鍵的、所需的或必要的特征或元素。
此外，在此用的術(shù)語(yǔ)“一” (“a”或“an”)被限定為一個(gè)或多于一個(gè)。同樣，權(quán)利要求書中使用的諸如“至少一個(gè)”以及“一個(gè)或多個(gè)”的引入短語(yǔ)不應(yīng)當(dāng)解釋為暗指由不定冠詞“一”(“a”或“an”)修飾的另一權(quán)利要求的引入將包含這種被引入的權(quán)利要求要素的任意特定權(quán)利要求限制為只包含一個(gè)這樣要素的發(fā)明，即使當(dāng)同一權(quán)利要求包括引入短語(yǔ)“一個(gè)或多個(gè)”或“至少一個(gè)”以及諸如“一”(“a”或“an”)的不定冠詞。對(duì)于使用定冠詞同理。除非另有說(shuō)明，諸如“第一”和“第二”用于任意區(qū)分這些術(shù)語(yǔ)描述的要素。因而， 這些術(shù)語(yǔ)不必意圖指示這些要素的時(shí)間或其他優(yōu)先次序。以下是本發(fā)明的各種實(shí)施例。第1項(xiàng)包括一種制造加帽的微機(jī)電系統(tǒng)器件的方法，其中所述方法包括使用器件晶片形成MEMS器件，其中所述MEMS器件位于器件晶片的前側(cè)；將帽晶片的前側(cè)接合到器件晶片的前側(cè)；在將帽晶片的前側(cè)接合到器件晶片的前側(cè)之后，向帽晶片的背側(cè)施加具有張應(yīng)力的第一應(yīng)力層；在施加第一應(yīng)力層之后，構(gòu)圖第一應(yīng)力層和帽晶片以形成通過(guò)第一應(yīng)力層和帽晶片的開(kāi)口 ；以及將導(dǎo)電層施加到帽晶片的背側(cè)，包括通過(guò)所述開(kāi)口到器件晶片的前側(cè)。第2項(xiàng)包括第1項(xiàng)的方法，并且進(jìn)一步包括在附著步驟之前，向帽晶片的前側(cè)施加具有壓應(yīng)力的第二應(yīng)力層。第3項(xiàng)包括第2項(xiàng)的方法，并且進(jìn)一步包括優(yōu)選在附著步驟之后且在施加第一應(yīng)力層步驟之前，對(duì)帽晶片的背側(cè)執(zhí)行化學(xué)機(jī)械拋光。第4項(xiàng)包括第3項(xiàng)的方法，其中施加第一應(yīng)力層的步驟包括沉積第一層鋁。第5項(xiàng)包括第4項(xiàng)的方法，其中施加第二應(yīng)力層的步驟包括沉積氮化物層。第6項(xiàng)包括第5項(xiàng)的方法，并且進(jìn)一步包括在附著步驟之后，對(duì)器件晶片的背側(cè)執(zhí)行化學(xué)機(jī)械拋光。第7項(xiàng)包括第6項(xiàng)的方法，其中施加導(dǎo)電層的步驟包括沉積第二層鋁。第8項(xiàng)包括第7項(xiàng)的方法，其中附著步驟包括向帽晶片的前側(cè)施加玻璃料；固化所述玻璃料；以及使器件晶片的前側(cè)與所述玻璃料接觸。第9項(xiàng)包括第1項(xiàng)的方法，其中施加第一應(yīng)力層的步驟包括沉積第一層鋁。第10項(xiàng)包括第9項(xiàng)的方法，其中施加導(dǎo)電層的步驟包括沉積第二層鋁。第11項(xiàng)包括第10項(xiàng)的方法，并且進(jìn)一步包括在帽晶片中形成接合焊盤開(kāi)口，以暴露MEMES器件的多個(gè)接合焊盤。第12項(xiàng)包括一種形成封裝的微機(jī)電系統(tǒng)(MEMQ器件的方法，其中所述MEMS器件位于器件晶片的前側(cè)，其中所述方法包括在帽晶片的前側(cè)上形成具有壓應(yīng)力的氮化物層； 將帽晶片的前側(cè)附著到器件晶片的前側(cè)；在帽晶片的背側(cè)上形成具有張應(yīng)力的第一鋁層； 構(gòu)圖第一鋁層和帽晶片以形成穿過(guò)帽晶片的開(kāi)口 ；以及將導(dǎo)電層施加到帽晶片的背側(cè)上， 包括通過(guò)所述開(kāi)口到器件晶片的前側(cè)。第13項(xiàng)包括第12項(xiàng)的方法，并進(jìn)一步包括在附著步驟之后以及形成第一鋁層步驟之前，對(duì)帽晶片的背側(cè)執(zhí)行化學(xué)機(jī)械拋光。第14項(xiàng)包括第 13項(xiàng)的方法，并進(jìn)一步包括在附著步驟之后，對(duì)器件晶片的背側(cè)執(zhí)行化學(xué)機(jī)械拋光。第15 項(xiàng)包括第12項(xiàng)的方法，其中施加導(dǎo)電層的步驟包括沉積第二鋁層，并且進(jìn)一步其特征為接觸器件晶片上的地接觸。第16項(xiàng)包括第12項(xiàng)的方法，其中附著步驟包括對(duì)帽晶片的前側(cè)以圖案來(lái)施加玻璃料；固化所述玻璃料；以及使器件晶片的前側(cè)接觸帽晶片的前側(cè)。第17項(xiàng)包括封裝微機(jī)電系統(tǒng)(MEMQ器件的方法，其中所述方法包括在器件晶片的前側(cè)上形成MEMS器件；將帽晶片的前側(cè)與器件晶片的前側(cè)附著；對(duì)帽晶片的背側(cè)執(zhí)行化學(xué)機(jī)械拋光；在帽晶片的背側(cè)上沉積第一層鋁，所述第一層鋁具有張應(yīng)力；在第一層鋁和帽晶片中形成開(kāi)口 ；以及在第一層鋁上沉積導(dǎo)電層并且通過(guò)開(kāi)口以接觸器件晶片的前側(cè)。第18項(xiàng)包括第17項(xiàng)的方法，并進(jìn)一步包括在附著步驟之后，對(duì)器件晶片的背側(cè)執(zhí)行化學(xué)機(jī)械拋光。第19項(xiàng)包括第18項(xiàng)的方法，并進(jìn)一步包括在附著步驟之前，在帽晶片的前側(cè)上沉積具有壓應(yīng)力的氮化物。第20項(xiàng)包括第19項(xiàng)的方法，其中沉積導(dǎo)電層的步驟包括沉積第
層招。
權(quán)利要求
1.一種制造加帽的微機(jī)電系統(tǒng)器件的方法，包括使用器件晶片來(lái)形成MEMS器件，其中所述MEMS器件位于所述器件晶片的前側(cè)上； 將帽晶片的前側(cè)附著到所述器件晶片的前側(cè)；在將所述帽晶片的前側(cè)附著到所述器件晶片的前側(cè)之后，向所述帽晶片的背側(cè)施加具有張應(yīng)力的第一應(yīng)力層；在施加所述第一應(yīng)力層之后，對(duì)所述第一應(yīng)力層和所述帽晶片進(jìn)行構(gòu)圖以形成通過(guò)所述第一應(yīng)力層和所述帽晶片的開(kāi)口 ；以及將導(dǎo)電層施加到所述帽晶片的背側(cè)，包括通過(guò)所述開(kāi)口到所述器件晶片的前側(cè)。
2.權(quán)利要求1所述的方法，進(jìn)一步包括在附著步驟之前，向所述帽晶片的前側(cè)施加具有壓應(yīng)力的第二應(yīng)力層。
3.權(quán)利要求2所述的方法，進(jìn)一步包括在所述附著步驟之后且在施加所述第一應(yīng)力層步驟之前，對(duì)所述帽晶片的背側(cè)執(zhí)行化學(xué)機(jī)械拋光。
4.權(quán)利要求3所述的方法，其中，施加所述第一應(yīng)力層的步驟包括沉積第一層鋁。
5.權(quán)利要求4所述的方法，其中，施加所述第二應(yīng)力層的步驟包括沉積氮化物層。
6.權(quán)利要求5所述的方法，進(jìn)一步包括在所述附著步驟之后，對(duì)所述器件晶片的背側(cè)執(zhí)行化學(xué)機(jī)械拋光。
7.權(quán)利要求6所述的方法，其中， 施加導(dǎo)電層的步驟包括沉積第二層鋁。
8.權(quán)利要求7所述的方法，其中，所述附著步驟包括 向所述帽晶片的前側(cè)施加玻璃料；固化所述玻璃料；以及使所述器件晶片的前側(cè)與所述玻璃料接觸。
9.權(quán)利要求1所述的方法，其中，施加所述第一應(yīng)力層的步驟包括沉積第一層鋁。
10.權(quán)利要求9所述的方法，其中， 施加導(dǎo)電層的步驟包括沉積第二層鋁。
11.權(quán)利要求10所述的方法，進(jìn)一步包括在所述帽晶片中形成接合焊盤開(kāi)口，以暴露所述MEMES器件的多個(gè)接合焊盤。
12.—種形成封裝的微機(jī)電系統(tǒng)(MEMQ器件的方法，其中，所述MEMS器件位于器件晶片的前側(cè)，包括在帽晶片的前側(cè)上形成具有壓應(yīng)力的氮化物層；將所述帽晶片的前側(cè)附著到所述器件晶片的前側(cè)；在所述帽晶片的背側(cè)上形成具有張應(yīng)力的第一鋁層；對(duì)所述第一鋁層和所述帽晶片進(jìn)行構(gòu)圖以形成通過(guò)所述帽晶片的開(kāi)口 ；以及將導(dǎo)電層施加到所述帽晶片的背側(cè)，包括通過(guò)所述開(kāi)口到所述器件晶片的前側(cè)。
13.權(quán)利要求12所述的方法，進(jìn)一步包括在所述附著步驟之后且在形成所述第一鋁層步驟之前，對(duì)所述帽晶片的背側(cè)執(zhí)行化學(xué)機(jī)械拋光。
14.權(quán)利要求13所述的方法，進(jìn)一步包括在所述附著步驟之后，對(duì)所述器件晶片的背側(cè)執(zhí)行化學(xué)機(jī)械拋光。
15.權(quán)利要求12所述的方法，其中，施加所述導(dǎo)電層的步驟包括沉積第二鋁層，并且進(jìn)一步其特征為接觸所述器件晶片上的地接觸。
16.權(quán)利要求12所述的方法，其中，所述附著步驟包括 對(duì)所述帽晶片的前側(cè)以圖案來(lái)施加玻璃料；固化所述玻璃料；以及使所述器件晶片的前側(cè)接觸所述帽晶片的前側(cè)。
17.一種封裝微機(jī)電系統(tǒng)(MEMQ器件的方法，包括 在器件晶片的前側(cè)上形成MEMS器件；將帽晶片的前側(cè)附著到所述器件晶片的前側(cè)； 對(duì)所述帽晶片的背側(cè)執(zhí)行化學(xué)機(jī)械拋光； 在所述帽晶片的背側(cè)上沉積第一層鋁，所述第一層鋁具有張應(yīng)力； 在所述第一層鋁和所述帽晶片中形成開(kāi)口 ；以及在所述第一層鋁上沉積導(dǎo)電層并且通過(guò)所述開(kāi)口以接觸所述器件晶片的前側(cè)。
18.權(quán)利要求17所述的方法，進(jìn)一步包括在所述附著步驟之后，對(duì)所述器件晶片的背側(cè)執(zhí)行化學(xué)機(jī)械拋光。
19.權(quán)利要求18所述的方法，進(jìn)一步包括在所述附著步驟之前，在所述帽晶片的前側(cè)上沉積具有壓應(yīng)力的氮化物。
20.權(quán)利要求19所述的方法，其中， 沉積導(dǎo)電層的步驟包括沉積第二層鋁。
全文摘要
本發(fā)明提供一種形成加帽的微機(jī)電系統(tǒng)(MEMS)器件的方法。使用器件晶片(10)和帽晶片(18)來(lái)形成加帽的微機(jī)電系統(tǒng)(MEMS)器件(25)。所述MEMS器件(12)位于器件晶片(10)的前側(cè)(13)上。帽晶片(18)的前側(cè)(15)附著到器件晶片(10)的前側(cè)(13)。在將帽晶片(18)的前側(cè)(15)附著到器件晶片(10)的前側(cè)(13)之后，具有張應(yīng)力的第一應(yīng)力層(26)被施加到帽晶片(18)的背側(cè)(17)。在施加第一應(yīng)力層之后，對(duì)第一應(yīng)力層(26)和帽晶片(18)進(jìn)行構(gòu)圖以形成通過(guò)第一應(yīng)力層和帽晶片的開(kāi)口(28)。將導(dǎo)電層(30)施加到帽晶片(18)的背側(cè)(17)，包括通過(guò)開(kāi)口(28)到器件晶片(10)的前側(cè)(13)。
文檔編號(hào)B81C1/00GK102344112SQ20111024337
公開(kāi)日2012年2月8日 申請(qǐng)日期2011年7月29日 優(yōu)先權(quán)日2010年7月30日
發(fā)明者利薩·H·卡林, 希夫查蘭·V·卡瑪拉朱, 維拉·M·貢圖魯 申請(qǐng)人:飛思卡爾半導(dǎo)體公司