專利名稱：Mems器件的形成方法
技術(shù)領(lǐng)域：
本發(fā)明涉及MEMS領(lǐng)域，尤其涉及MEMS器件的形成方法。
背景技術(shù)：
微機(jī)電系統(tǒng)(Microelectro Mechanical Systems，簡(jiǎn)稱MEMS)是在微電子技術(shù)基礎(chǔ)上發(fā)展起來的多學(xué)科交叉的前沿研究領(lǐng)域，是一種采用半導(dǎo)體工藝制造微型機(jī)電器件的技術(shù)。與傳統(tǒng)機(jī)電器件相比，MEMS器件在耐高溫、小體積、低功耗方面具有十分明顯的優(yōu)勢(shì)。經(jīng)過幾十年的發(fā)展，已成為世界矚目的重大科技領(lǐng)域之一，它涉及電子、機(jī)械、材料、物理學(xué)、化學(xué)、生物學(xué)、醫(yī)學(xué)等多種學(xué)科與技術(shù)，具有廣闊的應(yīng)用前景。MEMS器件通常包括固定部件和可動(dòng)部件，MEMS器件的形成方法通常為提供基底，基底上形成有固定部件；之后，在基底上形成光刻膠層，該光刻膠層作為犧牲層；接著， 在光刻膠層上形成導(dǎo)電層或介質(zhì)層；然后，光刻、刻蝕導(dǎo)電層或者介質(zhì)層，形成圖形化的導(dǎo)電層或圖形化的介質(zhì)層，該圖形化的導(dǎo)電層或圖形化的介質(zhì)層為可動(dòng)部件；接著，灰化去除光刻膠層?，F(xiàn)有技術(shù)形成MEMS器件的方法通常利用光刻膠作為犧牲層，然而光刻膠作為犧牲層時(shí)不容易去除，容易污染腔室。為了克服光刻膠作為犧牲層時(shí)不容易去除，容易污染腔室的問題，嘗試著利用非晶碳(a-carbon)作為犧牲層，發(fā)現(xiàn)利用非晶碳(α-carbon)作為犧牲層時(shí)，在非晶碳上形成的導(dǎo)電層或介質(zhì)層與非晶碳之間的粘合性較差，造成導(dǎo)電層或介質(zhì)層容易在非晶碳上滑動(dòng)。現(xiàn)有技術(shù)中有許多關(guān)于形成MEMS器件的方法，例如2005年2月2日公開的公開號(hào)為CN1572719A的中國專利申請(qǐng)(優(yōu)先權(quán)日為2003年6月3日，優(yōu)先權(quán)號(hào)為US 10/454423) “MEMS器件以及形成MEMS器件的方法”，然而，均沒有解決以上的技術(shù)問題。

發(fā)明內(nèi)容
本發(fā)明解決的問題是現(xiàn)有技術(shù)形成MEMS器件的方法用光刻膠層做犧牲層時(shí)，光刻膠層比較難去除，而且去除光刻膠層時(shí)容易污染腔室；利用非晶碳作犧牲層時(shí)，其上形成的膜層容易滑動(dòng)。為解決上述問題，本發(fā)明提供一種MEMS器件的形成方法，包括提供基底，所述基底具有固定部件；在所述基底上形成圖形化的非晶碳層；形成第一膜層，覆蓋所述非晶碳層和基底，所述第一膜層的材料為鍺硅、鍺或者娃；圖形化所述第一膜層形成可動(dòng)部件；去除所述圖形化的非晶碳層?？蛇x的，還包括在所述基底上形成非晶碳層之前，在所述基底上形成第二膜層， 所述第二膜層的材料為鍺硅、鍺或者硅，所述圖形化的非晶碳層形成在所述第二膜層上。
可選的，還包括在去除所述圖形化的非晶碳層之后，氧化所述第一膜層和第二膜層。 可選的，所述第一膜層的材料為鍺硅時(shí)，所述形成第一膜層的方法為低壓化學(xué)氣相沉積，所述低壓化學(xué)氣相沉積的溫度為250 °C 550 °C，通入的氣體包括SiH4、GeH4, BCl3和He的混合氣體，SiH4 GeH4 BCl3和He的混合氣體等于 (282 士84. 6) (118 士 35. 4) (100 士 30)，所述 BCl3 和 He 的混合氣體中，所述 BCl3 的體積占混合氣體的體積為(1. 5士0. 5) %?？蛇x的，所述第一膜層的材料為硅或鍺時(shí)，所述形成第一膜層的方法為低溫淀積工藝，所述低溫沉積工藝的溫度為200 500°C?？蛇x的，所述第二膜層的材料為鍺硅時(shí)，所述形成第二膜層的方法為低壓化學(xué)氣相沉積，所述低壓化學(xué)氣相沉積的溫度為250 °C 550 °C，通入的氣體包括SiH4、GeH4, BCl3和He的混合氣體，SiH4 GeH4 BCl3和He的混合氣體等于 (282 士84. 6) (118 士 35. 4) (100 士 30)，所述 BCl3 和 He 的混合氣體中，所述 BCl3 的體積占混合氣體的體積為(1. 5士0. 5) %。可選的，所述第二膜層的材料為硅或鍺時(shí)，所述形成第二膜層的方法為低溫淀積工藝，所述低溫沉積工藝的溫度為200 500°C?？蛇x的，所述形成圖形化的非晶碳層的方法包括形成非晶碳層，利用光刻、刻蝕工藝形成圖形化的非晶碳層；所述形成非晶碳層的方法為等離子體增強(qiáng)化學(xué)氣相沉積，所述等離子體增強(qiáng)化學(xué)氣相沉積的溫度為350°C 450°C，氣壓為Itorr 20torr，RF功率為800W 1500W，反應(yīng)氣體包括=C3H6和He，反應(yīng)氣體流量為IOOOsccm 3000sccm，其中 C3H6 He 為 2 1 5 1?？蛇x的，去除所述圖形化的非晶碳層的方法為等離化氧氣形成氧等離子體；在溫度范圍為150°C 450°C的條件下使所述氧等離子體流過非晶碳，灰化去除圖形化的非晶碳層；或者，利用氫氟酸溶液或硫酸溶液去除圖形化的非晶碳層。 可選的，所述MEMS器件包括微機(jī)電傳感器、MEMS開關(guān)、MEMS光閥。與現(xiàn)有技術(shù)相比，本發(fā)明具有以下優(yōu)點(diǎn)本技術(shù)方案的形成MEMS器件的方法，利用非晶碳層作為犧牲層，且在圖形化的非晶碳層上形成材料為鍺硅、鍺或硅的第一膜層；圖形化后的第一膜層作為MEMS器件中的可動(dòng)部件。由于非晶碳層容易去除而且不會(huì)污染腔室；另外，用非晶碳層作為犧牲層，工藝兼容性好；并且，材料為鍺硅、鍺或硅的第一膜層與非晶碳層的粘附性很好，不會(huì)出現(xiàn)第一膜層與非晶碳層之間滑動(dòng)的現(xiàn)象。


圖1是本發(fā)明具體實(shí)施例的形成MEMS器件的方法的流程示意圖；圖2 圖7為本發(fā)明第一具體實(shí)施例的形成MEMS器件的方法的剖面結(jié)構(gòu)示意圖；圖8 圖12為本發(fā)明第二具體實(shí)施例的形成MEMS器件的方法的剖面結(jié)構(gòu)示意圖。
具體實(shí)施方式
本發(fā)明具體實(shí)施方式
的MEMS器件的形成方法，利用非晶碳作為犧牲層，在圖形化的非晶碳層上形成材料為鍺硅、鍺或硅的第一膜層，圖形化后的第一膜層作為MEMS器件中的可動(dòng)部件。為使本發(fā)明的上述目的、特征和優(yōu)點(diǎn)能夠更為明顯易懂，下面結(jié)合附圖對(duì)本發(fā)明的具體實(shí)施方式
做詳細(xì)的說明。

在以下描述中闡述了具體細(xì)節(jié)以便于充分理解本發(fā)明。但是本發(fā)明能夠以多種不同于在此描述的其它方式來實(shí)施，本領(lǐng)域技術(shù)人員可以在不違背本發(fā)明內(nèi)涵的情況下做類似推廣。因此本發(fā)明不受下面公開的具體實(shí)施方式
的限制。圖1為本發(fā)明具體實(shí)施例的MEMS器件的形成方法的流程示意圖，參考圖1，本發(fā)明具體實(shí)施例的MEMS器件的形成方法包括步驟S11，提供基底，所述基底具有固定部件；步驟S12，在所述基底上形成圖形化的非晶碳層；步驟S13，形成第一膜層，覆蓋所述圖形化的非晶碳層和基底，所述第一膜層的材料為鍺硅、鍺或者硅；步驟S14，圖形化所述第一膜層形成可動(dòng)部件；步驟S15，去除所述圖形化的非晶碳層。圖2 圖7為本發(fā)明第一具體實(shí)施例的形成MEMS器件的方法的剖面結(jié)構(gòu)示意圖， 結(jié)合參考圖1和圖2 圖7詳述本發(fā)明具體實(shí)施例的形成MEMS器件的方法。結(jié)合參考圖1和圖2，執(zhí)行步驟S11，提供基底10，所述基底10具有固定部件11。 在該第一實(shí)施例中，固定部件11位于基底10上，在其他實(shí)施例中，固定部件11也可以位于基底10內(nèi)。MEMS器件通常均包括固定部件和可動(dòng)部件，通過可動(dòng)部件相對(duì)于固定部件的移動(dòng)以達(dá)到一定的功能。由于MEMS器件種類的多樣性，其固定部件和可動(dòng)部件的結(jié)構(gòu)也呈現(xiàn)多樣性。本發(fā)明具體實(shí)施例中，基底10的材料以及基底10內(nèi)具有的器件結(jié)構(gòu)、基底10上的固定部件11的具體結(jié)構(gòu)均需要根據(jù)實(shí)際的MEMS器件的種類進(jìn)行確定。例如，在MEMS器件為微機(jī)電傳感器時(shí)，固定部件11即為微機(jī)電傳感器中的下極板；在MEMS器件為MEMS光閥時(shí)，固定部件11為MEMS光閥中的固定光柵。結(jié)合參考圖1和圖4，執(zhí)行步驟S12，在所述基底10上形成圖形化的非晶碳層121。 具體為，參考圖3，形成非晶碳層12覆蓋基底10和固定部件11，具體的工藝條件為利用等離子體增強(qiáng)化學(xué)氣相沉積形成非晶碳層12，所述等離子體增強(qiáng)化學(xué)氣相沉積的溫度為 350°C 450°C，氣壓為Itorr 20torr，RF功率為800W 1500W，反應(yīng)氣體包括=C3H6和 He，反應(yīng)氣體流量為IOOOsccm 3000sccm，其中C3H6 He為2 1 5 1。形成的非晶碳層12的厚度需要根據(jù)實(shí)際需要形成的MEMS器件的種類進(jìn)行確定。在具體實(shí)施例中，通常根據(jù)后續(xù)形成的可動(dòng)部件的結(jié)構(gòu)，以及可動(dòng)部件與基底之間的固定連接關(guān)系，會(huì)對(duì)非晶碳層12進(jìn)行圖形化，以確保形成的可動(dòng)部件的結(jié)構(gòu)以及可動(dòng)部件與基底的固定連接。參考圖4，對(duì)非晶碳層12進(jìn)行光刻、刻蝕形成圖形化的非晶碳層 121，剩余基底10上部分區(qū)域的非晶碳。當(dāng)然，此處只是為了對(duì)本發(fā)明的目的起到示意作用，實(shí)際圖形化的非晶碳層121的圖形會(huì)根據(jù)實(shí)際的器件結(jié)構(gòu)進(jìn)行相應(yīng)的調(diào)整。需要說明的是，在該步驟中，根據(jù)實(shí)際的MEMS器件結(jié)構(gòu)，此處也可能不對(duì)非晶碳層12進(jìn)行圖形化， 在以后的步驟中，需要對(duì)其圖形化時(shí)再進(jìn)行圖形化。在該步驟中，由于對(duì)非晶碳層進(jìn)行了圖形化，去除了一部分非晶碳，去除了非晶碳的位置暴露出了基底10，圖4中示意為暴露出基底，在之后形成第一膜層時(shí)，第一膜層會(huì)覆蓋基底以及非晶碳層，與基底接觸的第一膜層部分作為可動(dòng)部件與基底的連接部件，該連接部件起到支撐可動(dòng)部件的作用。結(jié)合參考圖1和圖5，執(zhí)行步驟S13，形成第一膜層13，覆蓋所述圖形化的非晶碳層121和基底10，所述第一膜層13的材料為鍺硅、鍺或者硅。本發(fā)明圖示的具體實(shí)施例中，是在圖形化非晶碳層12后，形成第一膜層13。在具體應(yīng)用中，也可以根據(jù)具體結(jié)構(gòu)，先形成第一膜層然后再圖形化非晶碳層。其中所述第一膜層的材料為鍺硅時(shí)，形成第一膜層的方法為低壓化學(xué)氣相沉積，所述低壓化學(xué)氣相沉積的溫度為250°C 550°C， 通入的氣體包括SiH4、GeH4、BCl3和He的混合氣體，在實(shí)施例中SiH4 GeH4 BCl3 和He的混合氣體等于282 118 100，其中，每一通入氣體的體積可以上下30 %， 因此本發(fā)明中它們的流量之比可以為SiH4 GeH4 BCl3*He的混合氣體等于 (282士84. 6) (118士35. 4) (100士30)，在實(shí)施例中，BCl3 和 He 的混合氣體中，BCl3 的體積占混合氣體的體積為1. 5%，但本發(fā)明中BCl3的體積占混合氣體的體積可以有波動(dòng)范圍，具體可以為BCl3的體積占混合氣體的體積為(1.5 士 0. 5)%。第一膜層的材料為硅或鍺時(shí)，所述形成第一膜層的方法為低溫淀積工藝，所述低溫沉積工藝的溫度為200 500°C。 形成材料為鍺硅、鍺或者硅的第一膜層13時(shí)，部分第一膜層與基底10接觸，該部分第一膜層作為可動(dòng)部件與基底10的連接部件，起到支撐可動(dòng)部件以及將可動(dòng)部件與基底固定連接的作用。結(jié)合參考圖1和圖6，執(zhí)行步驟S14，圖形化所述第一膜層形成可動(dòng)部件131。與基底10接觸的部分第一膜層132作為與可動(dòng)部件131的連接部件起到支撐可動(dòng)部件131的作用。圖形化第一膜層的方法為光刻、刻蝕。可動(dòng)部件131的具體結(jié)構(gòu)均需要根據(jù)實(shí)際的 MEMS器件的種類進(jìn)行確定。例如，在MEMS器件為微機(jī)電傳感器時(shí)，可動(dòng)部件131即為微機(jī)電傳感器中的上極板；在MEMS器件為MEMS光閥時(shí)，可動(dòng)部件131為MEMS光閥中的可動(dòng)光柵。需要說明的是，本發(fā)明的具體實(shí)施例僅是為了說明本發(fā)明的目的，并沒有對(duì)MEMS 器件的具體結(jié)構(gòu)進(jìn)行限定，在具體的應(yīng)用過程中，形成可動(dòng)部件的工藝可能會(huì)涉及重復(fù)執(zhí)行步驟S12、步驟S13和步驟S14，以形成滿足具體結(jié)構(gòu)的MEMS器件。結(jié)合參考圖1和圖7，執(zhí)行步驟S15，去除所述圖形化的非晶碳層。去除圖形化的非晶碳層的方法為等離化氧氣形成氧等離子體；在溫度范圍為150°C 450°C的條件下使所述氧等離子體流過非晶碳，灰化去除圖形化的非晶碳層；或者，利用氫氟酸溶液或硫酸溶液去除圖形化的非晶碳層。通常圖形化的第一膜層會(huì)有開口，等離化的氧氣或者氫氟酸溶液、硫酸溶液均可以通過該開口與非晶碳層接觸。在實(shí)際情況中，根據(jù)MEMS器件種類的不同，可動(dòng)部件131可能是導(dǎo)電部件，也可能是不導(dǎo)電部件，在可動(dòng)部件131為不導(dǎo)電部件時(shí)，需要將導(dǎo)電的鍺硅、鍺或者硅變?yōu)椴粚?dǎo)電的材料，在本發(fā)明中，通過氧化圖形化后的第一膜層來使可動(dòng)部件變?yōu)椴粚?dǎo)電的可動(dòng)部件。 具體的方法可為在去除圖形化的非晶碳層之后，向MEMS器件中通入氧氣，該氧氣通過圖形化的第一膜層中的開口流入可動(dòng)部件131和固定部件11之間的空間內(nèi)，這樣可動(dòng)部件 131的上下表面與可以被氧化成為不導(dǎo)電的氧化物。本發(fā)明第一實(shí)施例的形成MEMS器件的方法，利用非晶碳層作為犧牲層，且在圖形化的非晶碳層上形成材料為鍺硅、鍺或硅的第一膜層；圖形化后的第一膜層作為MEMS器件中的可動(dòng)部件。由于非晶碳層容易去除而且不會(huì)污染腔室；另外，用非晶碳層作為犧牲層， 工藝兼容性好；并且，材料為鍺硅、鍺或硅的第一膜層與非晶碳層的粘附性很好。圖8 圖12為本發(fā)明第二實(shí)施例的MEMS器件的形成方法。本發(fā)明第二實(shí)施例的 MEMS器件的形成方法在第一實(shí)施例的基礎(chǔ)上增加了形成第二膜層的步驟，其中第二膜層形成在基底上，在形成非晶碳層之前。下面參考附圖，對(duì)第二實(shí)施例進(jìn)行詳細(xì)說明。結(jié)合參考圖1和圖8，執(zhí)行步驟S11，提供基底10，所述基底10具有固定部件11。 在該第二實(shí)施例中，固定部件11位于基底10內(nèi)，在其他實(shí)施例中，固定部件11也可以位于基底10上。其他與第一實(shí)施例相同，在此不做贅述。之后，參考圖 9，在執(zhí)行步驟S12之前，在基底10上形成第二膜層14，覆蓋基底10 和固定部件11 ；第二膜層14的材料為鍺硅、鍺或者硅。具體的形成方法為所述第二膜層14的材料為鍺硅時(shí)，第二膜層的形成方法為低壓化學(xué)氣相沉積，所述低壓化學(xué)氣相沉積的溫度為250°C 550°C，通入的氣體包括SiH4、GeH4, BCl3和He的混合氣體，在實(shí)施例中 SiH4 GeH4 BCljP He的混合氣體等于282 118 100，其中，每一通入氣體的體積可以上下30%，因此本發(fā)明中它們的流量之比可以為SiH4 GeH4 BCl3和He的混合氣體等于 (282士84. 6) (118士35. 4) (100士30)，在實(shí)施例中，BCl3 和 He 的混合氣體中，BCl3 的體積占混合氣體的體積為1. 5%，但本發(fā)明中BCl3的體積占混合氣體的體積可以有波動(dòng)范圍，具體可以為BCl3的體積占混合氣體的體積為(1.5 士 0. 5)%。第二膜層的材料為硅或鍺時(shí)，所述形成第二膜層的方法為低溫淀積工藝，所述低溫沉積工藝的溫度為200 500°C。 形成第二膜層14的目的是為了防止固定部件11、基底10與其上的非晶碳層的結(jié)合性不好， 因此先在固定部件11、基底10上形成材料為鍺硅、鍺或硅的第二膜層，然后執(zhí)行步驟S12， 形成圖形化的非晶硅層。結(jié)合參考圖1和圖10，執(zhí)行步驟S12，在基底上形成圖形化的非晶碳層121。具體為，參考圖9，在第二膜層14上形成非晶碳層12，之后，參考圖10，對(duì)非晶碳層12進(jìn)行光刻、 刻蝕工藝形成圖形化的非晶碳層121，因此，在該第二實(shí)施例中，圖形化的非晶碳層121位于第二膜層14上。在該第二實(shí)施例中，形成非晶碳層12的方法、圖形化非晶碳層12的方法均與第一實(shí)施例相同，在此不做贅述。繼續(xù)結(jié)合參考圖1和圖10，在形成圖形化的非晶碳層121之后，執(zhí)行步驟S13，形成第一膜層13，覆蓋圖形化的非晶碳層121和基底10。在該第二實(shí)施例中，形成第一膜層 13的方法均與第一實(shí)施例相同，在此不做贅述。之后，參考圖11，執(zhí)行步驟S14，圖形化第一膜層13形成可動(dòng)部件131。接著參考圖12，執(zhí)行步驟S15，去除圖形化的非晶碳層。步驟S14和步驟S15的實(shí)現(xiàn)方法與第一實(shí)施例相同，在此不做贅述。在該第二實(shí)施例中，可動(dòng)部件131和固定部件11均不導(dǎo)電，然而以上步驟中的可動(dòng)部件131以及固定部件11上的第二膜層14均是導(dǎo)電的鍺硅、鍺或者硅材料，因此需要將導(dǎo)電的鍺硅、鍺或者硅變?yōu)椴粚?dǎo)電的材料。具體的方法可為去除圖形化的非晶碳層之后， 向MEMS器件中通入氧氣，該氧氣通過圖形化的第一膜層中的開口流入可動(dòng)部件131和固定部件11之間的空間內(nèi)，這樣可動(dòng)部件暴露的表面第二膜層14暴露的表面可以被氧化成為不導(dǎo)電的氧化物。
本發(fā)明MEMS器件可以為各種MEMS器件，例如可以為微機(jī)電傳感器、MEMS開關(guān)、 MEMS光閥等。上述第二實(shí)施例形成的材料為鍺硅、鍺或硅的第一膜層和第二膜層與非晶碳層的粘附性很好，不會(huì)出現(xiàn)第一膜層、第二膜層與非晶碳層之間滑動(dòng)的現(xiàn)象，從而使得形成的 MEMS器件可靠性更好，精確度更高。 本發(fā)明雖然已以較佳實(shí)施例公開如上，但其并不是用來限定本發(fā)明，任何本領(lǐng)域技術(shù)人員在不脫離本發(fā)明的精神和范圍內(nèi)，都可以利用上述揭示的方法和技術(shù)內(nèi)容對(duì)本發(fā)明技術(shù)方案做出可能的變動(dòng)和修改，因此，凡是未脫離本發(fā)明技術(shù)方案的內(nèi)容，依據(jù)本發(fā)明的技術(shù)實(shí)質(zhì)對(duì)以上實(shí)施例所作的任何簡(jiǎn)單修改、等同變化及修飾，均屬于本發(fā)明技術(shù)方案的保護(hù)范圍。
權(quán)利要求
1.一種MEMS器件的形成方法，其特征在于，包括提供基底，所述基底具有固定部件；在所述基底上形成圖形化的非晶碳層；形成第一膜層，覆蓋所述圖形化的非晶碳層和基底，所述第一膜層的材料為鍺硅、鍺或者娃；圖形化所述第一膜層形成可動(dòng)部件；去除所述圖形化的非晶碳層。
2.如權(quán)利要求1所述的MEMS器件的形成方法，其特征在于，還包括在所述基底上形成圖形化的非晶碳層之前，在所述基底上形成第二膜層，所述第二膜層的材料為鍺硅、鍺或者硅，所述圖形化的非晶碳層形成在所述第二膜層上。
3.如權(quán)利要求2所述的MEMS器件的形成方法，其特征在于，還包括在去除所述圖形化的非晶碳層之后，氧化所述第一膜層和第二膜層。
4.如權(quán)利要求1所述的MEMS器件的形成方法，其特征在于，所述第一膜層的材料為鍺硅時(shí)，所述形成第一膜層的方法為低壓化學(xué)氣相沉積，所述低壓化學(xué)氣相沉積的溫度為 250°C 550°C，通入的氣體包括SiH4、GeH4、BCl3和He的混合氣體，SiH4 GeH4 BCl3和 He的混合氣體等于(282士84. 6) (118士35. 4) (100士30)，所述BCl3和He的混合氣體中，所述BCl3的體積占混合氣體的體積為(1. 5士0. 5) %。
5.如權(quán)利要求1所述的MEMS器件的形成方法，其特征在于，所述第一膜層的材料為硅或鍺時(shí)，所述形成第一膜層的方法為低溫淀積工藝，所述低溫沉積工藝的溫度為200 500 "C。
6.如權(quán)利要求2所述的MEMS器件的形成方法，其特征在于，所述第二膜層的材料為鍺硅時(shí)，所述形成第二膜層的方法為低壓化學(xué)氣相沉積，所述低壓化學(xué)氣相沉積的溫度為 250°C 550°C，通入的氣體包括SiH4、GeH4、BCl3和He的混合氣體，SiH4 GeH4 BCl3和 He的混合氣體等于(282士84. 6) (118士35. 4) (100士30)，所述BCl3和He的混合氣體中，所述BCl3的體積占混合氣體的體積為(1. 5士0. 5) %。
7.如權(quán)利要求2所述的MEMS器件的形成方法，其特征在于，所述第二膜層的材料為硅或鍺時(shí)，所述形成第二膜層的方法為低溫淀積工藝，所述低溫沉積工藝的溫度為200 500 "C。
8.如權(quán)利要求1所述的MEMS器件的形成方法，其特征在于，所述形成圖形化的非晶碳層的方法包括形成非晶碳層，利用光刻、刻蝕工藝形成圖形化的非晶碳層；所述形成非晶碳層的方法為等離子體增強(qiáng)化學(xué)氣相沉積，所述等離子體增強(qiáng)化學(xué)氣相沉積的溫度為 350°C 450°C，氣壓為Itorr 20torr，RF功率為800W 1500W，反應(yīng)氣體包括=C3H6和 He，反應(yīng)氣體流量為IOOOsccm 3000sccm，其中C3H6 He為2 1 5 1。
9.如權(quán)利要求1所述的MEMS器件的形成方法，其特征在于，去除所述圖形化的非晶碳層的方法為等離化氧氣形成氧等離子體；在溫度范圍為150°C 450°C的條件下使所述氧等離子體流過非晶碳，灰化去除圖形化的非晶碳層；或者，利用氫氟酸溶液或硫酸溶液去除圖形化的非晶碳層。
10.如權(quán)利要求1所述的MEMS器件的形成方法，其特征在于，所述MEMS器件包括微機(jī)電傳感器、MEMS開關(guān)、MEMS光閥。
全文摘要
一種MEMS器件的形成方法，包括提供基底，所述基底具有固定部件；在所述基底上形成圖形化的非晶碳層；在所述圖形化的非晶碳層上形成第一膜層，所述第一膜層的材料為鍺硅、鍺或者硅；圖形化所述第一膜層形成可動(dòng)部件；去除所述圖形化的非晶碳層。非晶碳層容易去除而且不會(huì)污染腔室；另外，用非晶碳層作為犧牲層，工藝兼容性好；并且，材料為鍺硅、鍺或硅的第一膜層與非晶碳層的粘附性很好，不會(huì)出現(xiàn)第一膜層與非晶碳層之間滑動(dòng)的現(xiàn)象。
文檔編號(hào)B81C1/00GK102328904SQ20111030397
公開日2012年1月25日 申請(qǐng)日期2011年9月30日 優(yōu)先權(quán)日2011年9月30日
發(fā)明者唐德明, 毛劍宏 申請(qǐng)人:上海麗恒光微電子科技有限公司