專利名稱：一種原電池機(jī)理誘導(dǎo)生長銀納米片陣列的制備方法及其sers效應(yīng)應(yīng)用的制作方法
技術(shù)領(lǐng)域：
本發(fā)明涉及基于原電池原理沉積銀納米片陣列領(lǐng)域，尤其涉及一種原電池機(jī)理誘導(dǎo)生長銀納米片陣列的制備方法及其SERS效應(yīng)應(yīng)用。
背景技術(shù)：
銀納米結(jié)構(gòu)具有較強(qiáng)的SERS活性，被廣泛的用于基于SERS效應(yīng)的有機(jī)物的快速痕量檢測(cè)中。而銀納米片作為一種典型的銀納米結(jié)構(gòu)，由于其特殊的光學(xué)性質(zhì)能夠誘發(fā)較強(qiáng)SERS活性，已經(jīng)引起人們的廣泛關(guān)注。人們已經(jīng)通過各種方法來制備銀納米片作為SERS基底。例如，通過納米球光刻技術(shù)可制備規(guī)則排列的銀納米片陣列(Dick，L. Α.;McFarland, A. D. ； Haynes, C. L. ； Van Duyne, R. P. J. Phys. Chem. B 2001，106，853-860.)，該陣列具有較強(qiáng)的表面增強(qiáng)拉曼性能。然而制備該陣列需要預(yù)先制備規(guī)整的二氧化硅球陣列，且整個(gè)銀沉積過程需要在真空環(huán)境下實(shí)現(xiàn)，因此制備過程較繁瑣。采用電化學(xué)沉積法可制備站立在導(dǎo)電襯底上的銀納米片陣列(Liu，G.; Cai, W. ； Liang, C.Cryst. GrowthDes. 2008, 8，2748-2752.)，該陣列可作為一種有效的拉曼增強(qiáng)襯底，但在制備過程中必須使用直流電源，且制備的銀納米片密度相對(duì)較小，導(dǎo)致SERS活性相對(duì)較低，將會(huì)限制此SERS襯底在實(shí)際痕量檢測(cè)中的應(yīng)用。因此探究一種簡便、無需耗電就可以制備具有較強(qiáng)SERS活性的銀納米片陣列的方法具有重要意義。

發(fā)明內(nèi)容
本發(fā)明旨在開發(fā)一種簡便的無需外加電源就可以在導(dǎo)電襯底上制備大面積，形貌均一的銀納米片陣列的方法，且制備出的銀納米片陣列能牢固地附著在襯底上，具有穩(wěn)定的、均勻的SERS活性，可用作SERS襯底來檢測(cè)一定濃度的有機(jī)污染物，如四氯聯(lián)苯PCB-77。為了實(shí)現(xiàn)上述目的本發(fā)明采用如下技術(shù)方案
一種原電池機(jī)理誘導(dǎo)生長銀納米片陣列的制備方法，其特征在于包括以下步驟
A、沉積襯底的預(yù)處理將清洗干凈的導(dǎo)電玻璃置于蒸金設(shè)備中，在5mA左右的的電流下蒸金6 s左右后，得預(yù)處理過的導(dǎo)電玻璃待用；
B、利用4g/L左右的硝酸銀水溶液和8 64g/L檸檬酸水溶液按照體積比為1:1左右的比例相混合均勻，得到沉積液；
C、將清洗干凈的銅片作為原電池中的負(fù)極，預(yù)處理過的導(dǎo)電玻璃作為正極，用導(dǎo)線連接兩電極后，置于原電池沉積槽中，加入沉積液后，在室溫下靜置30 80分鐘，然后將得到的帶有銀納米片陣列的的導(dǎo)電玻璃取出并用水清洗干凈后，再用純氬氣吹干，即得產(chǎn)品。所述的一種原電池機(jī)理誘導(dǎo)生長銀納米片陣列的制備方法，其特征在于所述的導(dǎo)電玻璃尺寸為3cmXlcm，所述的銅片尺寸為IcmX lcm。所述的一種原電池機(jī)理誘導(dǎo)生長銀納米片陣列的制備方法，其特征在于步驟A所述的電流為5 mA，蒸金時(shí)間為6 s，步驟B所述的硝酸銀水溶液的濃度為4g/L，所述的4g/L的硝酸銀水溶液和8 64g/L檸檬酸水溶液體積比為1 :1，步驟C加入的沉積液為30ml，所述的水為去離子水。所述的一種原電池機(jī)理誘導(dǎo)生長銀納米片陣列的制備方法，其特征在于所述的檸檬酸水溶液的濃度為20 40g/L。所述的原電池機(jī)理誘導(dǎo)生長銀納米片陣列的SERS效應(yīng)應(yīng)用，其特征在于包括以下步驟
A、所述的銀納米片陣列的SERS活性檢測(cè)
SERS測(cè)試之前，用等離子清洗的方法將殘留在銀納米片表面的檸檬酸清洗掉，以排除檸檬酸對(duì)待測(cè)分子SERS信號(hào)的干擾；
將清洗過后的覆蓋有銀納米片陣列的導(dǎo)電玻璃浸泡在KTfiM左右的羅丹明6G溶液中半小時(shí)左右，然后取出用氬氣吹干進(jìn)行SERS測(cè)試；
SERS測(cè)試中，激光拉曼光譜儀的激發(fā)波長為532nm，激光器功率0. 5mff,積分時(shí)間為0. 5秒，成像測(cè)試中，激光拉曼光譜儀的激發(fā)波長為532nm，激光器功率0. lmW，積分時(shí)間為0. 1秒，步長1 μ m，以R6G特征峰612cm—1的強(qiáng)度值進(jìn)行成像；
B、檢測(cè)3，3’，4，4’一四氯聯(lián)苯、即PCB-77
用所述的銀納米片陣列作為SERS襯底檢測(cè)PCB-77的過程如下，將IOyL濃度分別為5X 1(Γ4Μ、5Χ 1(Γ5Μ、1(Γ5Μ、5Χ ΙΟ—Μ和2Χ ΙΟ—Μ的溶解于正己烷中的PCB-77，均勻地分散到5片銀納米片陣列襯底上，然后在通風(fēng)櫥內(nèi)晾干，后進(jìn)行SERS測(cè)試；
進(jìn)行SERS測(cè)試時(shí)，激光拉曼光譜儀的激發(fā)波長為532nm，激光器功率0. 5mW，積分時(shí)間為30秒。所述的一種原電池機(jī)理誘導(dǎo)生長銀納米片陣列的SERS效應(yīng)應(yīng)用，其特征在于步驟B所述的銀納米片陣列襯底的尺寸為0.4X0. 3 cm2。本發(fā)明的原理為
通過組裝的銅-銀原電池在蒸金后的導(dǎo)電玻璃上制備銀納米片陣列，其生長機(jī)理見圖(1)。銅片與蒸金過后的導(dǎo)電玻璃用導(dǎo)線連接后置于硝酸銀與檸檬酸的混合溶液中，因?yàn)棣礎(chǔ)gVAg > Φθι27α!，因此溶液中的銀離子可以被銅所置換；又由于銅片的活潑性大于導(dǎo)電玻璃的活潑性，因此銅片作為原電池中的負(fù)極材料，導(dǎo)電玻璃作為正極。在原電池電勢(shì)差的驅(qū)動(dòng)下，負(fù)極中所失掉的電子沿著外電路到達(dá)正極，正極附近的銀離子會(huì)被還原成銀原子，而新還原的銀原子會(huì)優(yōu)先在導(dǎo)電玻璃上凸起的部位成核生長。由于檸檬酸的形貌控制作用，使得銀納米片形成，隨著時(shí)間的延長，片不斷長大且增多，最終形成了納米片的陣列。本發(fā)明的有益效果
本發(fā)明涉及一種基于原電池原理沉積銀納米片陣列的方法，實(shí)現(xiàn)在導(dǎo)電玻璃上制備大面積、分布均勻的銀納米片陣列。該方法操作簡單、成本低廉，通過組裝的銅-銀原電池，可在蒸金后的導(dǎo)電玻璃上快速制備分布均勻的銀納米片陣列。由該方法制備的銀納米片陣列，具有較強(qiáng)的均勻的表面增強(qiáng)拉曼散射(SERS)效應(yīng)。應(yīng)用該納米片陣列作為SERS襯底，實(shí)現(xiàn)了對(duì)痕量四氯聯(lián)苯(PCB-77)的快速檢測(cè)與識(shí)別，在用SERS效應(yīng)實(shí)現(xiàn)對(duì)持久性有機(jī)污染物的快速痕量檢測(cè)方面，這種襯底具有潛在的應(yīng)用前景。


圖1.銀納米片陣列的形成機(jī)理示意圖；圖2.原電池沉積槽的裝置圖3. (a,b)不同放大倍數(shù)下銀納米片陣列的SEM照片，(c)銀納米片陣列的截面SEM照片，(d)單個(gè)銀納米片的TEM照片，其中的插圖為該納米片典型的選區(qū)電子衍射圖樣；圖4.銀納米片陣列的XRD圖譜；
圖5.在18g/L的檸檬酸和2g/L硝酸銀的沉積液中，以不同蒸金時(shí)間下的導(dǎo)電玻璃為沉積襯底，沉積30分鐘所獲得的產(chǎn)物的SEM照片.(a，b) 0秒；(c，d) 1秒；(e，f) 2秒；(g，h)6 秒；
圖 6. (a)、(b)、(C)、(d)、(e)及(f)依次為在 0、4、8、12、16g/L 以及 32g/L 的不同濃度的檸檬酸和相同濃度硝酸銀(2g/L)的沉積液中，沉積60分鐘所獲得的銀納米片陣列的SEM照片；
圖7. (a)為圖(b)中所示的I，II，III，IV銀納米片陣列在10、的R6G溶液中浸泡后測(cè)得的SERS光譜圖，(b)為不同檸檬酸濃度下所獲得銀納米片陣列的SEM照片，⑴4g/L; (II) 8g/L; (III) 18g/L; (IV) 32g/L; (c)從浸泡有 ΙΟ—Μ 的 R6G 溶液的襯底(圖7b-III)上隨機(jī)地選取6個(gè)點(diǎn)而測(cè)量到的SERS光譜。(d)從浸泡有ΙΟ—Μ的R6G溶液的襯底(圖7b-III)上所測(cè)得的SERS活性成像圖8.曲線VI :PCB-77粉末的拉曼光譜；曲線I-V 分別為濃度為5 X 10_4M、5 X 1(Γ5Μ、10_5Μ、5Χ ΙΟ—Μ和2 X ΙΟ—Μ的PCB-77吸附在銀納米片陣列襯底上所測(cè)得的SERS譜。
具體實(shí)施方式
、實(shí)施例1
一種原電池機(jī)理誘導(dǎo)生長銀納米片陣列的制備方法，其特征在于包括以下步驟
A、沉積襯底的預(yù)處理將清洗干凈的導(dǎo)電玻璃置于蒸金設(shè)備中，在5mA的電流下蒸金6 s后，得預(yù)處理過的導(dǎo)電玻璃待用；
B、利用4g/L的硝酸銀水溶液和30g/L檸檬酸水溶液按照體積比為1:1的比例相混合均勻，得到沉積液；
C、將清洗干凈的銅片作為原電池中的負(fù)極，預(yù)處理過的導(dǎo)電玻璃作為正極，用導(dǎo)線連接兩電極后，置于原電池沉積槽中，加入沉積液后，在室溫下靜置30 80分鐘，然后將得到的帶有銀納米片陣列的的導(dǎo)電玻璃取出并用去離子水清洗干凈后，再用純氬氣吹干，即得
女口
廣 PFt ο所述的一種原電池機(jī)理誘導(dǎo)生長銀納米片陣列的制備方法，其特征在于所述的導(dǎo)電玻璃尺寸為3cmXlcm，所述的銅片尺寸為IcmX lcm。所述的原電池機(jī)理誘導(dǎo)生長銀納米片陣列的SERS效應(yīng)應(yīng)用，其特征在于包括以下步驟
A、所述的銀納米片陣列的SERS活性檢測(cè)
SERS測(cè)試之前，用等離子清洗的方法將殘留在銀納米片表面的檸檬酸清洗掉，以排除檸檬酸對(duì)待測(cè)分子SERS信號(hào)的干擾；
將清洗過后的覆蓋有銀納米片陣列的導(dǎo)電玻璃浸泡在KTfiM左右的羅丹明6G溶液中半
5小時(shí)左右，然后取出用氬氣吹干進(jìn)行SERS測(cè)試；
SERS測(cè)試中，激光拉曼光譜儀的激發(fā)波長為532nm，激光器功率0. 5mff,積分時(shí)間為0. 5秒，成像測(cè)試中，激光拉曼光譜儀的激發(fā)波長為532nm，激光器功率0. lmW，積分時(shí)間為0. 1秒，步長1 μ m，以R6G特征峰612cm—1的強(qiáng)度值進(jìn)行成像；B、檢測(cè)3，3’，4，4’ 一四氯聯(lián)苯、即PCB-77
用所述的銀納米片陣列作為SERS襯底檢測(cè)PCB-77的過程如下，將IOyL濃度分別為5X 1(Γ4Μ、5Χ 1(Γ5Μ、1(Γ5Μ、5Χ ΙΟ—Μ和2Χ ΙΟ—Μ的溶解于正己烷中的PCB-77，均勻地分散到5片銀納米片陣列襯底上，然后在通風(fēng)櫥內(nèi)晾干，后進(jìn)行SERS測(cè)試；
進(jìn)行SERS測(cè)試時(shí)，激光拉曼光譜儀的激發(fā)波長為532nm，激光器功率0. 5mW，積分時(shí)間為30秒。所述的一種原電池機(jī)理誘導(dǎo)生長銀納米片陣列的SERS效應(yīng)應(yīng)用，其特征在于步驟B所述的銀納米片陣列襯底的尺寸為0.4X0. 3 cm2。實(shí)施例2:
1、一種原電池機(jī)理誘導(dǎo)生長銀納米片陣列的制備具體操作步驟如下(其生長機(jī)理見圖
1)
沉積襯底的預(yù)處理清洗干凈的導(dǎo)電玻璃(3cmXlcm)置于蒸金設(shè)備中，在5 mA的電流下蒸金6 s后待用。利用4g/L硝酸銀水溶液和8 64g/L檸檬酸水溶液按照體積比為1 :1的比例相混合均勻，得到沉積液。清洗干凈的銅片(lcmX Icm)作為原電池中的負(fù)極，預(yù)處理過的導(dǎo)電玻璃作為正極，用導(dǎo)線連接兩電極后，置于原電池沉積槽中(圖2)，加入沉積液后，在室溫下靜置30 80分鐘，然后將帶有銀納米片陣列的的導(dǎo)電玻璃取出并用去離子水清洗多次，再用純氬氣吹干。對(duì)制備的樣品進(jìn)行掃描電鏡(SEM)觀察、透射電鏡(TEM)和X射線衍射表征，見圖3和4。SEM表征(圖3a_c)表明制備的銀納米片陣列十分均勻，陣列中幾片 幾十片平行靠在一起的納米片組成一束結(jié)構(gòu)單元，這些結(jié)構(gòu)單元彼此交叉站立在導(dǎo)電玻璃上構(gòu)成了該銀納米片陣列。組成陣列的銀納米片為扇形片，納米片的片長為0.5 2μπκ片厚為15 20nm，而且片與片之間存在大量的小于IOnm的間隙(圖北)。對(duì)于單個(gè)納米片的TEM分析(圖3d)表明銀納米片具有很好的結(jié)晶性。對(duì)應(yīng)的選區(qū)電子衍射圖樣(圖3d中的插圖)揭示納米片的平面平行于面心立方相銀的{111}面。銀納米片陣列的XRD分析(圖4)表明納米片的成分是面心立方相的Ag，且進(jìn)一步揭示了該納米片具有很好的結(jié)晶性。進(jìn)一步實(shí)驗(yàn)表明銀納米片的組成結(jié)構(gòu)及其形貌可通過控制導(dǎo)電玻璃的蒸金時(shí)間以及檸檬酸的濃度進(jìn)行調(diào)節(jié)(見圖5及6)。圖5為在不同蒸金時(shí)間下的導(dǎo)電玻璃上所制備的產(chǎn)物的SEM照片，表明在不同蒸金時(shí)間下的導(dǎo)電玻璃上制備的產(chǎn)物的分布密度及整體外觀形貌是不同的。隨著蒸金時(shí)間的延長，由銀納米片組成的微球的數(shù)量不斷增加(圖fe-f)，當(dāng)蒸金時(shí)間足夠長時(shí)，銀納米片陣列形成(圖5g-h)。導(dǎo)電玻璃蒸金過后，附著在導(dǎo)電玻璃上的金顆粒充當(dāng)異質(zhì)成核位點(diǎn)，隨著蒸金時(shí)間的增多，成核位點(diǎn)增多，銀微米球的數(shù)量不斷增多。當(dāng)成核位點(diǎn)足夠多時(shí)，由于生長空間的限制，銀納米片陣列可形成。表明銀納米片的組成結(jié)構(gòu)是可以通過蒸金的量來調(diào)節(jié)。
圖6展示了在不同檸檬酸濃度下制備的銀納米片陣列的SEM照片。SEM觀測(cè)表明在一定范圍的檸檬酸濃度內(nèi)均可以制備銀納米片的陣列；同時(shí)銀納米片陣列的片密度可以通過檸檬酸的量來調(diào)節(jié)。檸檬酸不僅充當(dāng)了形貌控制劑的作用，檸檬酸的協(xié)同還原作用能增加反應(yīng)驅(qū)動(dòng)力，隨著檸檬酸的濃度增加，銀納米片的尺寸及密度不斷增加。2、銀納米片陣列的SERS活性檢測(cè)
SERS測(cè)試之前，我們利用等離子清洗的方法將殘留在銀納米片表面的檸檬酸清洗掉，以排除檸檬酸對(duì)待測(cè)分子SERS信號(hào)的干擾。將清洗過后的覆蓋有銀納米片陣列的導(dǎo)電玻璃浸泡在IO-6M的羅丹明6G (R6G)溶液中半小時(shí)，然后取出用氬氣吹干進(jìn)行SERS測(cè)試。SERS測(cè)試中，激光拉曼光譜儀的激發(fā)波長為532nm，激光器功率0. 5mW，積分時(shí)間為0. 5秒。由不同襯底所測(cè)得的SERS光譜見圖7a，圖7a表明銀納米片陣列具有很強(qiáng)的SERS活性，其SERS強(qiáng)度受納米片的密度影響(圖7a及b)。圖7c中給出從吸附有10_6 M R6G的銀納米片陣列中隨機(jī)地選取6個(gè)點(diǎn)而測(cè)量到的SERS光譜圖，這6條SERS譜線非常相似，表明這種SERS襯底具有很好的信號(hào)重復(fù)性。圖7d給出了襯底的SERS活性成像圖，圖中顯示襯底中的SERS強(qiáng)度比較均勻，進(jìn)一步驗(yàn)證襯底的均勻性。成像測(cè)試中，激光拉曼光譜儀的激發(fā)波長為532nm，激光器功率0. Imff,積分時(shí)間為0. 1秒，步長1 μ m，以R6G特征峰612cm—1的強(qiáng)度值進(jìn)行成像。3、檢測(cè) 3，3，，4，4，一四氯聯(lián)苯(PCB-77)
用上述納米片陣列作為SERS襯底檢測(cè)PCB-77的過程如下，將IOyL濃度為5 X 10_4M、5 X IO-5M、1(Γ5Μ、5Χ ΙΟ—Μ和2Χ 1(Γ6Μ的PCB-77正己烷溶液均勻地分散到5片銀納米片陣列襯底上(0. 4X0. 3 cm2)，然后在通風(fēng)櫥內(nèi)晾干。SERS測(cè)試時(shí)，激光拉曼光譜儀的激發(fā)波長為532nm，激光器功率0. 5mW，積分時(shí)間為30秒。圖8給出用銀納米片陣列作為SERS襯底檢測(cè)PCB-77所得到的SERS光譜。所得的SERS光譜(曲線I - V)的特征峰和PCB-77粉末的拉曼峰(曲線VI)十分吻合，因此可以作為一種有效檢測(cè)PCB-77的襯底，這種SERS襯底對(duì)PCB-77濃度的檢測(cè)下限為2X10 6 M (曲線V)。
權(quán)利要求
1.一種原電池機(jī)理誘導(dǎo)生長銀納米片陣列的制備方法，其特征在于包括以下步驟A、沉積襯底的預(yù)處理將清洗干凈的導(dǎo)電玻璃置于蒸金設(shè)備中，在5mA左右的的電流下蒸金6 s左右后，得預(yù)處理過的導(dǎo)電玻璃待用；B、利用4g/L左右的硝酸銀水溶液和8 64g/L檸檬酸水溶液按照體積比為1:1左右的比例相混合均勻，得到沉積液；C、將清洗干凈的銅片作為原電池中的負(fù)極，預(yù)處理過的導(dǎo)電玻璃作為正極，用導(dǎo)線連接兩電極后，置于原電池沉積槽中，加入沉積液后，在室溫下靜置30 80分鐘，然后將得到的帶有銀納米片陣列的的導(dǎo)電玻璃取出并用水清洗干凈后，再用純氬氣吹干，即得產(chǎn)品。
2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的一種原電池機(jī)理誘導(dǎo)生長銀納米片陣列的制備方法，其特征在于所述的導(dǎo)電玻璃尺寸為3cmX Icm，所述的銅片尺寸為IcmX lcm。
3.根據(jù)權(quán)利要求1所述的一種原電池機(jī)理誘導(dǎo)生長銀納米片陣列的制備方法，其特征在于步驟A所述的電流為5 mA，蒸金時(shí)間為6 s，步驟B所述的硝酸銀水溶液的濃度為4g/ L，所述的4g/L的硝酸銀水溶液和8 64g/L檸檬酸水溶液體積比為1 :1，步驟C加入的沉積液為30ml，所述的水為去離子水。
4.根據(jù)權(quán)利要求1所述的一種原電池機(jī)理誘導(dǎo)生長銀納米片陣列的制備方法，其特征在于所述的檸檬酸水溶液的濃度為20 40g/L。
5.一種如權(quán)利要求1或2或3或4所述的原電池機(jī)理誘導(dǎo)生長銀納米片陣列的SERS 效應(yīng)應(yīng)用，其特征在于包括以下步驟所述的銀納米片陣列的SERS活性檢測(cè)SERS測(cè)試之前，用等離子清洗的方法將殘留在銀納米片表面的檸檬酸清洗掉，以排除檸檬酸對(duì)待測(cè)分子SERS信號(hào)的干擾；將清洗過后的覆蓋有銀納米片陣列的導(dǎo)電玻璃浸泡在KTfiM左右的羅丹明6G溶液中半小時(shí)左右，然后取出用氬氣吹干進(jìn)行SERS測(cè)試；SERS測(cè)試中，激光拉曼光譜儀的激發(fā)波長為532nm，激光器功率0. 5mff,積分時(shí)間為0. 5 秒，成像測(cè)試中，激光拉曼光譜儀的激發(fā)波長為532nm，激光器功率0. lmW，積分時(shí)間為0. 1 秒，步長1 μ m，以R6G特征峰612cm—1的強(qiáng)度值進(jìn)行成像；B、檢測(cè)3，3’，4，4’ 一四氯聯(lián)苯、即PCB-77 用所述的銀納米片陣列作為SERS襯底檢測(cè)PCB-77的過程如下，將IOyL濃度分別為 5X 1(Γ4Μ、5Χ 1(Γ5Μ、1(Γ5Μ、5Χ ΙΟ—Μ和2Χ ΙΟ—Μ的溶解于正己烷中的PCB-77，均勻地分散到 5片銀納米片陣列襯底上，然后在通風(fēng)櫥內(nèi)晾干，后進(jìn)行SERS測(cè)試；進(jìn)行SERS測(cè)試時(shí)，激光拉曼光譜儀的激發(fā)波長為532nm，激光器功率0. 5mW，積分時(shí)間為30秒。
6.根據(jù)權(quán)利要求5所述的一種原電池機(jī)理誘導(dǎo)生長銀納米片陣列的SERS效應(yīng)應(yīng)用，其特征在于步驟B所述的銀納米片陣列襯底的尺寸為0.4X0. 3 cm2。
全文摘要
本發(fā)明公開了一種原電池機(jī)理誘導(dǎo)生長銀納米片陣列的制備方法及其SERS效應(yīng)應(yīng)用，通過組裝的銅-銀原電池在蒸金后的導(dǎo)電玻璃上制備銀納米片陣列，由該方法制備的銀納米片陣列，具有較強(qiáng)的均勻的表面增強(qiáng)拉曼散射，即SERS效應(yīng)。應(yīng)用該納米片陣列作為SERS襯底，實(shí)現(xiàn)了對(duì)痕量四氯聯(lián)苯，即PCB-77的快速檢測(cè)與識(shí)別，在用SERS效應(yīng)實(shí)現(xiàn)對(duì)持久性有機(jī)污染物的快速痕量檢測(cè)方面，這種襯底具有潛在的應(yīng)用前景。
文檔編號(hào)B82Y30/00GK102560581SQ201210033229
公開日2012年7月11日 申請(qǐng)日期2012年2月14日 優(yōu)先權(quán)日2012年2月14日
發(fā)明者孟國文, 張倬, 朱儲(chǔ)紅, 李中波, 梁婷 申請(qǐng)人:中國科學(xué)院合肥物質(zhì)科學(xué)研究院