專利名稱：半導(dǎo)體殼體和制造半導(dǎo)體殼體的方法
技術(shù)領(lǐng)域：
本發(fā)明涉及如權(quán)利要求I前序部分所述的半導(dǎo)體殼體和如權(quán)利要求15前序部分所述的用于制造半導(dǎo)體殼體的方法。
背景技術(shù)：
由 “Fabrication and Performance of MEMS-Based Pressure Sensor PachagesUsing Patterned Ultra-Thick Photoresists”,傳感器，2009 年 9 月，6200-6218 頁公開了一種半導(dǎo)體殼體、也稱芯片殼體以及一種用于制造半導(dǎo)體殼體的方法。這種殼體還可以用 于容納傳感器。為此該殼體在其上側(cè)具有開口。借助該開口，在其它位置以澆鑄物注塑包圍的半導(dǎo)體本體的上側(cè)面上的傳感器可以與外界聯(lián)通。如果是氣體傳感器，例如氣體分子可以穿過該開口擴散到傳感器。在制造這種殼體時重要的是，在模鑄過程中，一方面保證沒有模鑄料擠入到開口區(qū)域中，另一方面用模鑄料尤其覆蓋鍵合線和非傳感器區(qū)域(一般包括電路部分)，以便可靠地保護這些區(qū)域免受環(huán)境影響。為此，在上述現(xiàn)有技術(shù)中，優(yōu)選在半導(dǎo)體制造過程結(jié)束時，借助平版印刷工藝在半導(dǎo)體本體的表面上實現(xiàn)一個閉合的墻。該墻然后被壓到模鑄模具的內(nèi)側(cè)面上并將模鑄料一直帶到半導(dǎo)體本體上的該墻的高度上，在模鑄模具中實施所謂“轉(zhuǎn)移模鑄工藝”。為了用塑料模鑄物包圍上側(cè)上的鍵合線和其它部件，需要使墻構(gòu)造得很高。此外墻與墻之間的高度變化只能很小，以便在將半導(dǎo)體本體壓到轉(zhuǎn)移室內(nèi)側(cè)面上時不會由于高的壓力而損壞墻。在EP0202701B1中公開了在半導(dǎo)體殼體中制造開口的另一方法。在此，在不構(gòu)成墻的情況下，開口借助傳統(tǒng)的、導(dǎo)引凸鑄模的噴射模具構(gòu)成。在此必需以相對成本昂貴的膜來包裹凸鑄模。接著使凸鑄模一直下降到半導(dǎo)體本體的表面上。該彈性膜還應(yīng)防止損傷半導(dǎo)體表面。由W02006/114005A1公開了用于制造具有開口的半導(dǎo)體殼體的另一方法。在此，在制造塑料殼體之前，構(gòu)成一個搭接傳感器表面的墻，該墻最好在制造工藝接近結(jié)束時用濕化學(xué)方法去除。

發(fā)明內(nèi)容
因此，本發(fā)明的目的是，提供一種裝置和方法，它們改進現(xiàn)有技術(shù)。該目的通過具有權(quán)利要求I特征的半導(dǎo)體殼體和如權(quán)利要求11所述的用于制造半導(dǎo)體殼體的方法實現(xiàn)。從屬權(quán)利要求的內(nèi)容是本發(fā)明的有利擴展結(jié)構(gòu)。按照本發(fā)明的第一主題，公開了一種半導(dǎo)體殼體，它具有一金屬載體、一設(shè)置在金屬載體上的半導(dǎo)體本體以及一塑料物，該半導(dǎo)體本體具有上側(cè)面和下側(cè)面，其中，該下側(cè)面與金屬載體力鎖合地連接，并且，半導(dǎo)體本體在上側(cè)面具有多個金屬面，這些金屬面為了半導(dǎo)體本體的電接通而借助鍵合線與引腳連接，該塑料物完全包圍鍵合線并且部分地包圍半導(dǎo)體本體的上側(cè)面以及引腳，其中，塑料物在半導(dǎo)體本體上側(cè)具有開口，一個框架形的或環(huán)形的墻在半導(dǎo)體本體的上側(cè)構(gòu)成，其中，該墻具有一頂面和一與半導(dǎo)體本體的邊緣隔開間距的底面,該墻的內(nèi)部凈尺寸確定半導(dǎo)體本體上側(cè)的開口的大小,其中,在半導(dǎo)體本體的上側(cè)表面的法向矢量的方向上，塑料物在開口之外的區(qū)域中基本比墻具有更大的高度，并且，在墻的底面與半導(dǎo)體本體的上側(cè)之間構(gòu)成一固定層，該墻與在開口內(nèi)部構(gòu)成的傳感器面隔開間距。按照本發(fā)明的第二主題，公開了一種用于制造具有開口的半導(dǎo)體殼體的方法，其中，在過程工藝步驟中將晶片分割成半導(dǎo)體本體，將具有上側(cè)面和下側(cè)面的該半導(dǎo)體本體以其下側(cè)面固定在金屬載體上，將半導(dǎo)體本體與引腳在鍵合步驟中通過鍵合線電連接，以及在后一過程步驟中將一個框架形的墻固定在半導(dǎo)體本體的表面上，在一個接著的模鑄步驟中將具有表面的凸鑄模和該凸鑄模的表面至少部分地壓在墻的頂面上，接著將塑料物、也稱為鑄造物注射入并硬化，使得鍵合線完全被塑料物包圍，半導(dǎo)體本體在表面上并且優(yōu)選也在其側(cè)面上部分地被塑料物包圍，引腳部分地被塑料物包圍。本發(fā)明的裝置和方法的一個優(yōu)點是，能夠可靠且成本有利地在半導(dǎo)體殼體中制造開口。為此，在將晶片分離成單個半導(dǎo)體本體并且布置單個半導(dǎo)體本體、也稱為裸片(Die) 后，將半導(dǎo)體本體以下側(cè)面力鎖合地連接在金屬載體、即所謂引線框的上側(cè)面上。在接著的鍵合步驟中將鍵合線從金屬面拉到引腳并且借助標(biāo)準(zhǔn)鍵合工藝固定，以構(gòu)成金屬面與引腳之間的電連接。接著將框架形的或環(huán)形的墻(它在下側(cè)面含有固定層)以下側(cè)面固定在每個半導(dǎo)體本體的表面上，以便在接著的工藝步驟中構(gòu)成開口。借助將成品框架放置在半導(dǎo)體本體上能夠避免費事的、用于構(gòu)成墻的平版印刷工藝。另一優(yōu)點是，借助框架一方面幾乎能夠?qū)崿F(xiàn)任意高度的墻，另一方面能夠降低墻的誤差、尤其是高度誤差。通過使墻與內(nèi)置的傳感器面間隔開，能夠在沒有損害傳感器面的危險的情況下構(gòu)成尤其用于制造尤其具有傳感器面的半導(dǎo)體本體的制造過程。優(yōu)選墻的下側(cè)面整面地、在不形成臺階的情況下設(shè)置在固定層上并且固定層也整面地、即在不形成臺階的情況下在半導(dǎo)體本體的表面上構(gòu)成。按照一個改進方案，固定層構(gòu)造為環(huán)繞閉合的帶。在此，固定層最好構(gòu)造為帶狀的粘接層或者構(gòu)造為具有雙面粘接特性的載體層。在一個替換實施方式中，固定層構(gòu)造為塑料膜，尤其構(gòu)造為Kapton膜，具有上側(cè)的和下側(cè)的粘接層。Kapton膜的厚度最好基本與上側(cè)和下側(cè)的粘接層的總厚度一樣大。借助固定層防止墻在后面的工藝步驟中滑移。此外在構(gòu)成半導(dǎo)體殼體時在墻的下側(cè)面與半導(dǎo)體表面之間形成可靠的密封面。接著將凸鑄模壓到墻的頂面上并且將半導(dǎo)體本體用塑料物澆鑄。用塑料物澆鑄的過程也稱為模鑄。此外在使用彈性固定層的情況下能夠至少部分地承受在澆鑄過程中凸鑄模的壓力并且減少對位于下面的半導(dǎo)體表面的損害。試驗已經(jīng)證實，尤其借助放置預(yù)制的、最好構(gòu)造為框架的墻，可以更加可靠且成本有利地制造框架。尤其是，較低的框架具有較小的高度誤差。在此優(yōu)選墻具有至少100 μ m的高度，特別優(yōu)選至少250 μ m的高度并且最大高度為1mm。尤其在隨后的模鑄過程中低的墻具有顯著優(yōu)點，因為支承在墻頂面上的凸鑄模表面的壓力負荷的可再現(xiàn)性高得多。由此使各個墻過多承載。要指出，除了圓形和框架形外該墻也可以曲折形地構(gòu)成。通過墻的凈寬度，即在呈環(huán)形構(gòu)造情況下的內(nèi)直徑，確定半導(dǎo)體本體的上側(cè)上的開口的大小。優(yōu)選框架形的墻由最好含銅的金屬構(gòu)成。金屬框架的一個優(yōu)點是化學(xué)穩(wěn)定性，尤其是高的機械穩(wěn)定性。由此提高了在澆鑄過程期間構(gòu)成殼體時的可靠性。在另一改進方案中，墻在至少一個外側(cè)具有短臂。尤其優(yōu)選，墻具有正好四個短臂。此外優(yōu)選，短臂在半導(dǎo)體殼體的外側(cè)部分地可見。具有開口的半導(dǎo)體殼體尤其能夠用于將集成式傳感器制造或集成到半導(dǎo)體芯片中。在此，傳感器元件在開口的下端部安置在半導(dǎo)體本體的表面上或者至少部分地集成于其表面內(nèi)。傳感器的電連接適宜地借助印制導(dǎo)線實施。半導(dǎo)體本體、也稱為芯片在其上側(cè)具有金屬面，也稱為焊盤，用于借助鍵合線將芯片連接到引腳上。申請入的試驗已經(jīng)證實，在一個改進方案中，在凸鑄模模具表面上使用成本昂貴的膜是多余的。由此，在模鑄過程期間凸鑄模表面直接壓在墻的頂面上。按照另一改進方案，墻的頂面至少部分地平行于半導(dǎo)體本體的表面。最好至少由凸鑄模表面的一部分在墻的整個長度上形狀鎖合地至少封閉墻的一部分頂面。由此在模鑄 過程期間在墻的頂面與凸鑄模表面之間構(gòu)成一密封的面。此外有利的是，墻的橫截面具有基本上矩形的橫截面。由此，墻在下側(cè)面具有小的延伸尺寸并且尤其能夠定位得靠近集成電路。按照另一實施方式，墻環(huán)繞地、完全閉合地在半導(dǎo)體本體的表面上構(gòu)成。在優(yōu)選實施方式中，墻的外側(cè)面與半導(dǎo)體本體的邊緣隔開。在此這樣選擇大小和距離，使得在墻內(nèi)部能夠構(gòu)成一個或多個傳感器并且在墻外側(cè)面與半導(dǎo)體本體邊緣之間的區(qū)域中可設(shè)置鍵合面和電路部分。此外優(yōu)選，凸鑄模這樣定位在所述頂面上，使得塑料物形狀鎖合地與墻連接，最好沿著墻的背離所述開口的整個側(cè)面連接。此外有利的是，開口的開口角度、即與半導(dǎo)體本體的表面的法向的角度大于0°，最好為7。至10°。由此，開口的直徑或凈寬度朝向半導(dǎo)體殼體的上側(cè)增大。這尤其對于在開口內(nèi)部構(gòu)成的傳感器的光線入射和/或氣體分子擴散進入是有利的。按照一個改進方案，塑料物和所述頂面構(gòu)成一個縮肩，由此，墻的至少一部分頂面不被塑料物覆蓋。該縮肩的最小尺寸由凸鑄模在墻的頂面上的最小支承面得出。在一個特別優(yōu)選的實施方式中，在墻的頂面上構(gòu)成一個板，該板遮蓋半導(dǎo)體本體上側(cè)上的開口。該板優(yōu)選能夠構(gòu)造成對擴散開放的(diffusions-offene)板。為此優(yōu)選構(gòu)成一個薄的特氟龍層。在替換實施方式中該板構(gòu)造為不透明的板。也優(yōu)選，該墻構(gòu)造為墻結(jié)構(gòu)。在此，多個墻構(gòu)造有多個單獨的或關(guān)聯(lián)的、用于在半導(dǎo)體本體的表面上構(gòu)成一個單個的較大開口或多個分離的開口的部分。尤其當(dāng)在一個唯一的半導(dǎo)體本體上構(gòu)成多個不同的傳感器時，由此能夠?qū)⑦@些傳感器分別用具有適配傳感器類型的物理特性的板覆蓋。在一個實施方式中可以在一個工藝步驟中將墻固定在半導(dǎo)體本體的表面上并且在下一個工藝步驟中將板放置在所述頂面上。在一個替換實施方式中在將墻固定在半導(dǎo)體表面上之前已經(jīng)將板與墻的頂面連接。在將板放置在頂面上之后才進行模鑄過程。借助放置的板可靠地保護位于開口中的構(gòu)件、尤其是傳感器即使在模鑄時也不被污染。要指出，該傳感器能夠構(gòu)造為FET傳感器、最好構(gòu)造為氣體傳感器，具有半導(dǎo)體襯底和懸浮柵。按照一個改進方案，優(yōu)選在頂面與板之間構(gòu)成一環(huán)繞的、帶狀的粘接層。該粘接層最好構(gòu)造為帶狀的粘接層或構(gòu)造為具有雙面粘接特性的載體層，通過該粘接層保證該板在另后面的過程步驟中不滑移。此外在構(gòu)成半導(dǎo)體殼體時在墻頂面與板之間建立一可靠的密封面。此后將墻連同放置的板在實施模鑄過程之前放置在半導(dǎo)體本體的上側(cè)上。在接著的模鑄過程中，凸鑄模借助給定的支承力最好直接壓在板上，由此壓在位于板下的墻頂面上。半導(dǎo)體本體用塑料物澆鑄。此外在使用彈性粘接層的情況下能夠至少部分地承受凸鑄模在模鑄過程中的壓力并減少對下面的半導(dǎo)體表面的損傷。當(dāng)然，為了實現(xiàn)無模鑄物的開口，在模鑄期間至少使墻頂面的一部分或板的一部分形狀鎖合地由凸鑄模表面的一部分來封閉。按照一個實施方式，優(yōu)選該板能夠以一個距離突出于墻的外側(cè)面。通過該突出構(gòu)成對于在墻內(nèi)部構(gòu)成的空間的特別可靠的密封。在后面的模鑄過程期間優(yōu)選板的邊緣區(qū)域和墻的外側(cè)面形成與塑料物的形狀鎖合的連接。通過塑料物在板突出的情況下不僅在板的下側(cè)面而且在板的上側(cè)面產(chǎn)生形狀鎖合區(qū)域，實現(xiàn)特別可靠的密封。有利的是，該突出部構(gòu)造得很小，即該突出部在墻的厚度的范圍內(nèi)實施或者優(yōu)選該突出部構(gòu)造得小于開口的凈寬度的1/5，尤其優(yōu)選小于1/20。申請人:的試驗已經(jīng)證實，特別有利的是，這些墻不是單個地定位在半導(dǎo)體本體的表面上，而是這些墻相聯(lián)地以由多個借助短臂相聯(lián)的墻構(gòu)成的格柵結(jié)構(gòu)在模鑄過程之前固定在半導(dǎo)體本體的表面上。在此，格柵結(jié)構(gòu)的大小和墻的數(shù)量適配于半導(dǎo)體本體的數(shù)量和 大小，這些半導(dǎo)體本體最好設(shè)置在一同樣相聯(lián)的引線框陣列上。優(yōu)點是，現(xiàn)在不必將每個單個的墻在上側(cè)面上校準(zhǔn)，而是在相對于引線框陣列校準(zhǔn)格柵結(jié)構(gòu)之后將格柵結(jié)構(gòu)在下一工藝步驟中放置在由半導(dǎo)體本體組成的陣列上。有利的是，墻、尤其是整個格柵結(jié)構(gòu)由一種金屬或一種金屬連接件構(gòu)成。優(yōu)選墻具有矩形橫截面，其中，墻的高度大于1mm。這種高度在半導(dǎo)體制造過程中用照相平版印刷法不能實現(xiàn)。要注意，墻的高度的概念理解為墻在半導(dǎo)體本體的表面的法線方向上的延伸尺寸。由于大的高度，當(dāng)在墻的表面上放置了板時，在板的下側(cè)面與傳感器區(qū)之間產(chǎn)生足夠的間距。此外有利的是，短臂的厚度小于墻的高度。由此，短臂與半導(dǎo)體表面間隔開，盡管墻以下側(cè)面與半導(dǎo)體表面力鎖合地連接。此外有利的是，短臂的數(shù)量設(shè)計為三個或三的倍數(shù)。在一替換實施方式中，短臂剛好安置在墻的四側(cè)或四個角上。在一個改進方案中，在將格柵結(jié)構(gòu)放置在半導(dǎo)體本體上之前將板布置在墻的頂面上。然后才將格柵結(jié)構(gòu)固定在半導(dǎo)體本體上。在模鑄過程之后將相鄰墻之間的短臂完全分開并實施墻的分離。


下面借助附圖詳細解釋本發(fā)明。在此相同的件設(shè)有同一附圖標(biāo)記。所示實施方式是極其示意性的，即，距離和橫向的以及垂直的尺寸不是按比例的，并且，如果沒有其它說明，相互間沒有可推導(dǎo)的幾何關(guān)系。附圖示出圖I半導(dǎo)體殼體的實施方式的示意橫剖面，圖2a圖I的半導(dǎo)體本體的上側(cè)上的墻的第一實施方式的一個放大的局部，圖2b圖I的半導(dǎo)體本體的上側(cè)上的墻的第二實施方式的一個放大的局部，圖3半導(dǎo)體表面上的墻的框架形外觀在未模鑄狀態(tài)下的立體圖，圖4帶有放上去的板的半導(dǎo)體殼體的實施方式的示意性橫剖面，圖5a具有放上去的板的圖I所示半導(dǎo)體本體的上側(cè)上的墻的一個放大的局部，該板相對于墻的外棱邊縮回，圖5b具有放上去的板的圖I所示半導(dǎo)體本體的上側(cè)上的墻的一個放大的局部，該板突出于墻的外棱邊，圖6墻的框架形外觀連同放上去的板在未模鑄狀態(tài)下的立體圖，圖7圖6的載體在澆鑄狀態(tài)下作為QFN殼體的立體圖。
具體實施例方式圖I的視圖示出按照本發(fā)明的半導(dǎo)體殼體10的實施方式，具有開口 20、塑料物30，該塑料物包圍鍵合線40，鍵合線40將金屬面50和引腳60電連接。由第一塑料材料組成的塑料物30還包圍半導(dǎo)體本體80的部分表面。半導(dǎo)體本體80設(shè)置在金屬載體90上并且與金屬載體90力鎖合地連接。在開口 20中設(shè)置一示意性描述的傳感器100。要注意，該傳感器能夠構(gòu)造為FET傳感器，最好構(gòu)造為氣體傳感器，具有半導(dǎo)體襯底和懸浮柵。塑料物30在開口 20的下側(cè)的區(qū)域中在墻110上開始，該墻構(gòu)造為框架。該框架具有矩形橫截面。在框架的下側(cè)上構(gòu)造有固定層105。盡管所示的殼體顯示出QFN殼體形式，但是也可以使用 其它的、具有用于產(chǎn)生開口的本發(fā)明框架結(jié)構(gòu)的殼體形式。在圖2a的視圖中以橫剖面放大地示出塑料物30之間在墻110的區(qū)域中的過渡部的局部。根據(jù)模鑄時凸鑄模的返程輪廓的不同，塑料物30與框架110的頂面形成不同的傾斜角。固定層105在墻110的下側(cè)構(gòu)造在整個面上。在圖2b的視圖中同樣以橫剖面放大地示出在墻110區(qū)域中塑料物30之間的過渡部的局部。與圖2a的實施方式不同，模鑄物的開始處顯示出相對于墻110的內(nèi)棱邊具有錯位z，即，該凸鑄模與圖2a相比在墻100的頂面上具有較大的支承面。在圖3的視圖中示出在粘接過程結(jié)束后墻110在半導(dǎo)體本體80上的立體圖。墻110在半導(dǎo)體本體120的表面上具有框架形的外觀。該框架的定位和大小尤其由傳感器表面的大小和位置確定。優(yōu)選該墻具有Imm以上的高度并且是導(dǎo)電的，由一種金屬或一種金屬連接件構(gòu)成。在圖4的視圖中在墻110的頂面上整面地構(gòu)成一粘接層115。在粘接層115上構(gòu)成一板125。板125完全覆蓋處于墻110內(nèi)部的表面并且借助墻110的高度和兩個層105，115的厚度與半導(dǎo)體本體的表面間隔開。在圖5a的視圖中以橫剖面放大地示出在墻110的區(qū)域中塑料物30之間的過渡部的局部。墻110的頂面具有粘接層115和平放的板125，其中，板125的端部相對于墻110的外側(cè)面縮回。塑料物30與墻110的頂面和板125的上側(cè)面的邊緣區(qū)域形成形狀鎖合的連接。根據(jù)模鑄時凸鑄模的返程輪廓不同，開口 20形成不同的傾斜角。在圖5b的視圖中同樣以橫剖面放大地示出在墻110的區(qū)域中塑料物30之間的過渡部的局部。在此，板125突出于墻110的外棱邊一個距離d。與圖5a的實施方式不同，模鑄物的開始處顯示出相對于墻110內(nèi)棱邊具有錯位z，即，凸鑄模與圖5a相比在墻110的頂面上具有較大的支承面。要指出，在替換實施方式中，錯位z也可以比圖5b中所示小得多。此時，模鑄物這樣覆蓋板125，使得模鑄物的一部分處于所述頂面的上方。塑料物30通過板125的突出不僅在上側(cè)而且在下側(cè)包圍。由此實現(xiàn)板的特別好的密封和/或固定，尤其是板與墻和半導(dǎo)體表面的力鎖合的連接。在圖6的視圖中示出墻110以及放置到半導(dǎo)體本體80上的板125在固定結(jié)束后并且模鑄之前的立體圖。墻110在半導(dǎo)體本體120的表面上具有框架形的外觀并且完全被板125覆蓋。在墻110的所有四個角上構(gòu)造有短臂112。要指出，在這些短臂的下方不構(gòu)成用于鍵合的金屬面。為了視圖清晰沒有示出鍵合線40。此外要注意，按照未示出的實施方式，代替四個短臂，也可在各個墻之間構(gòu)成其它數(shù)量的、尤其是三個或三的倍數(shù)個短臂。短臂112構(gòu)成與一個或多個相鄰的、未示出的墻的連接并且是一未示出的格柵結(jié)構(gòu)的一部分。這些短臂與塑料物30 —起鑄入并且在一個在模鑄后實施的分離過程中分開。在圖7的視圖中示出構(gòu)造成QFN殼體的半導(dǎo)體殼體10在分離之后的立體圖。在該半導(dǎo)體殼體10的外角上可以看到完全分離后的短臂112的端部。在開口 20中可 以看到板125的上側(cè)面。
權(quán)利要求
1.一種半導(dǎo)體殼體(10)，具有 -一金屬載體(90), -一設(shè)置在金屬載體(90)上的半導(dǎo)體本體(80)，該半導(dǎo)體本體具有上側(cè)面和下側(cè)面，其中，該下側(cè)面與該金屬載體(90)力鎖合地連接， -其中，該半導(dǎo)體本體(80)在上側(cè)面具有多個金屬面(50)，這些金屬面(50)為了該半導(dǎo)體本體(80)的電接通借助鍵合線(40)與引腳￠0)連接， -一塑料物(30)，該塑料物(30)完全包圍所述鍵合線(40)并且部分地包圍所述半導(dǎo)體本體(80)的上側(cè)面以及所述引腳(60)，其中，該塑料物(30)在所述半導(dǎo)體本體(80)上側(cè)具有開口(20)， -所述半導(dǎo)體本體(80)的上側(cè)上的、框架形的或環(huán)形的墻(110)，該墻具有頂面和與半導(dǎo)體本體的邊緣間隔開的底面，該墻(110)的內(nèi)部凈尺寸確定半導(dǎo)體本體(80)的上側(cè)的開口(20)的大小， 其特征在于，在該墻(110)的頂面上構(gòu)成一板(125)，該板(125)遮蓋該半導(dǎo)體本體(80)的上側(cè)的所述開口(20)，并且，該板的邊緣區(qū)域和該墻的外側(cè)面形成與所述塑料物的形狀鎖合的連接， 在半導(dǎo)體本體(80)的上側(cè)面的法向矢量的方向上，塑料物(30)在該開口(20)之外的區(qū)域中比墻(110)具有更大的高度，在墻(110)的底面與半導(dǎo)體本體(80)的上側(cè)面之間構(gòu)成一固定層(105)，該墻(110)與在開口(20)內(nèi)部構(gòu)成的傳感器面隔開間距。
2.如權(quán)利要求I所述的半導(dǎo)體殼體(10)，其特征在于，所述固定層(105)構(gòu)造為環(huán)繞閉合的帶。
3.如權(quán)利要求I或2所述的半導(dǎo)體殼體(10)，其特征在于，所述墻(110)在至少一個外側(cè)面上具有短臂(112)。
4.如權(quán)利要求I至3中任一項所述的半導(dǎo)體殼體(10)，其特征在于，所述墻(110)由金屬構(gòu)成。
5.如權(quán)利要求I至4中任一項所述的半導(dǎo)體殼體(10)，其特征在于，所述墻(110)具有基本上矩形的橫截面和在至少100 μ m范圍內(nèi)的高度。
6.如權(quán)利要求I至5中任一項所述的半導(dǎo)體殼體(10)，其特征在于，所述墻(110)的外側(cè)面與半導(dǎo)體本體(80)的邊緣隔開間距。
7.如權(quán)利要求I至6中任一項所述的半導(dǎo)體殼體(10)，其特征在于，所述塑料物(30)和所述墻(110)的頂面形成一縮肩，使得該墻(110)的該頂面的至少一部分不被塑料物(30)覆蓋。
8.如權(quán)利要求I至7中任一項所述的半導(dǎo)體殼體(10)，其特征在于，在該墻(110)的頂面與該板(125)之間構(gòu)成一環(huán)繞的帶狀的粘接層(115)。
9.如權(quán)利要求I至8中任一項所述的半導(dǎo)體殼體(10)，其特征在于所述板(125)相對于墻(110)的外側(cè)面突出一個距離(d)。
10.如權(quán)利要求I至9中任一項所述的半導(dǎo)體殼體(10)，其特征在于，所述板(125)的邊緣區(qū)域和所述墻(Iio)的外側(cè)面具有與所述塑料物(30)的形狀鎖合的連接。
11.一種用于制造具有開口(20)的半導(dǎo)體殼體(10)的方法，其中，在一個過程步驟中將晶片分割成半導(dǎo)體本體(80)，將具有一個上側(cè)面和一個下側(cè)面的該半導(dǎo)體本體(80)以其下側(cè)面固定在金屬載體(90)上，將半導(dǎo)體本體(80)與引腳￠0)在鍵合步驟中通過鍵合線(40)電連接，其特征在于，在后一過程步驟中將一框架形的墻(110)固定在半導(dǎo)體本體(80)的表面上，在該墻(110)的頂面上構(gòu)造一板(125)，通過該板(125)將該半導(dǎo)體本體(80)的上側(cè)的所述開口(20)遮蓋， 在一個接著的模鑄步驟中將具有表面的凸鑄模和該凸鑄模的表面至少部分地壓在該墻(110)的頂面上，接著將塑料物(30)注入并硬化，使得鍵合線(40)完全被塑料物(30)包圍并且半導(dǎo)體本體(80)的表面以及引腳￠0)部分地被塑料物(30)包圍，并且，在該板的邊緣區(qū)域處和在該墻的外側(cè)面上形成與所述塑料物的形狀鎖合的連接。
12.如權(quán)利要求11所述的方法，其特征在于，在墻(110)的整個長度上，至少墻(100)的頂面的一部分或板(125)的一部分被凸鑄模的表面的一部分形狀鎖合地封閉。
13.如權(quán)利要求11或12所述的方法，其特征在于，在模鑄過程之前將由借助短臂(112)相聯(lián)的多個墻構(gòu)成的一個格柵結(jié)構(gòu)固定在半導(dǎo)體本體的表面上。
14.如權(quán)利要求13所述的方法，其特征在于，在固定格柵結(jié)構(gòu)之前，將最好含特氟龍的板設(shè)置在墻的頂面上。
15.如權(quán)利要求13或14所述的方法，其特征在于，在模鑄過程之后將相鄰墻之間的短臂(112)完全分開并且實施墻的分離。
全文摘要
半導(dǎo)體殼體和制造半導(dǎo)體殼體的方法，該半導(dǎo)體殼體具有金屬載體、設(shè)置在金屬載體上的半導(dǎo)體本體和塑料物，半導(dǎo)體本體具有上側(cè)面和下側(cè)面，該下側(cè)面與金屬載體力鎖合地連接，半導(dǎo)體本體在上側(cè)面具有金屬面，金屬面為了半導(dǎo)體本體的電接通而借助鍵合線與引腳連接，塑料物完全包圍鍵合線并且部分地包圍半導(dǎo)體本體的上側(cè)面及引腳，塑料物在半導(dǎo)體本體的上側(cè)具有開口，框架形的或環(huán)形的墻在半導(dǎo)體本體的上側(cè)構(gòu)成，該墻具有頂面和與半導(dǎo)體本體的邊緣間隔開的底面，該墻的內(nèi)部凈尺寸確定半導(dǎo)體本體上側(cè)的開口的大小，在半導(dǎo)體本體的上側(cè)面的法向方向上，塑料物在開口之外的區(qū)域中比墻具有更大的高度，在墻的底面與半導(dǎo)體本體的上側(cè)面之間構(gòu)成一固定層。
文檔編號B81B1/00GK102683300SQ20121006554
公開日2012年9月19日 申請日期2012年3月9日 優(yōu)先權(quán)日2011年3月9日
發(fā)明者C·朱斯, P·斯頓夫, T·科萊特 申請人:邁克納斯公司