專利名稱：半導(dǎo)體多級(jí)臺(tái)階結(jié)構(gòu)的制作方法
技術(shù)領(lǐng)域：
本發(fā)明涉及半導(dǎo)體技術(shù)領(lǐng)域，特別涉及一種半導(dǎo)體多級(jí)臺(tái)階結(jié)構(gòu)的制作方法。
背景技術(shù)：
光學(xué)是微電子機(jī)械系統(tǒng)(Micro-Electro-Mechanical Systems,MEMS)技術(shù)應(yīng)用最早且最為活躍的領(lǐng)域之一，典型的應(yīng)用領(lǐng)域包括數(shù)字光投影、全彩色數(shù)字顯示、可調(diào)光源及傳感器、光纖光開關(guān)、自由空間通信等。MEMS技術(shù)應(yīng)用在光學(xué)領(lǐng)域有其特有的優(yōu)勢(shì)。由于光子幾乎沒有質(zhì)量，并且施加在微結(jié)構(gòu)上的カ很小，而硅微加工所形成的器件只和這些光子有相互作用，所以它們?cè)诠鈱W(xué)應(yīng)用上非常合適。而且，光學(xué)MEMS的封裝也相對(duì)簡(jiǎn)單，只要將光學(xué)MEMS部件密封在透光的 外殼內(nèi)保證它們不收粒子、氣流、直接接觸等環(huán)境因素的干擾即可。當(dāng)然，把MEMS技術(shù)應(yīng)用到光學(xué)領(lǐng)域也面臨ー些挑戰(zhàn)。例如在微機(jī)械部件上制備拋光平滑的鏡面通常是比較困難的；相比于常規(guī)的半導(dǎo)體エ藝，在光學(xué)領(lǐng)域中應(yīng)用的半導(dǎo)體結(jié)構(gòu)尺寸較大，不僅具有較大的尺寸，還具有較深和較多的臺(tái)階等特殊結(jié)構(gòu)，因此，如何制作半導(dǎo)體多級(jí)臺(tái)階結(jié)構(gòu)對(duì)現(xiàn)有的MEMS技術(shù)應(yīng)用到光學(xué)領(lǐng)域提出了一定的挑戰(zhàn)。

發(fā)明內(nèi)容
本發(fā)明的目的在于提供一種半導(dǎo)體多級(jí)臺(tái)階結(jié)構(gòu)的制作方法，以形成一種半導(dǎo)體多級(jí)臺(tái)階結(jié)構(gòu)，從而實(shí)現(xiàn)MEMS技術(shù)應(yīng)用到光學(xué)領(lǐng)域。為此，本發(fā)明提供一種半導(dǎo)體多級(jí)臺(tái)階結(jié)構(gòu)的制作方法，包括提供基底；在所述基底上形成阻擋層；圖案化所述阻擋層；以圖案化的阻擋層為掩膜，刻蝕所述基底，形成第一級(jí)臺(tái)階面和階梯頂面；去除圖案化的阻擋層；形成第一保護(hù)層，所述第一保護(hù)層覆蓋所述第一級(jí)臺(tái)階面及階梯頂面；以所述第一保護(hù)層為掩膜，刻蝕所述基底，形成第一級(jí)臺(tái)階及第ニ級(jí)臺(tái)階面；去除所述第一保護(hù)層?？蛇x的，在所述的半導(dǎo)體多級(jí)臺(tái)階結(jié)構(gòu)的制作方法中，在形成所述第ニ級(jí)臺(tái)階面的同時(shí)形成第二級(jí)臺(tái)階?？蛇x的，在所述的半導(dǎo)體多級(jí)臺(tái)階結(jié)構(gòu)的制作方法中，去除所述第一保護(hù)層之后，還包括如下エ藝步驟形成第二保護(hù)層，所述第二保護(hù)層覆蓋所述階梯頂面、第一級(jí)臺(tái)階面及第ニ級(jí)臺(tái)階面；以所述第二保護(hù)層為掩膜，刻蝕所述基底，形成第二級(jí)臺(tái)階及第三級(jí)臺(tái)階面；去除所述第二保護(hù)層。
可選的，在 所述的半導(dǎo)體多級(jí)臺(tái)階結(jié)構(gòu)的制作方法中，在形成所述第三級(jí)臺(tái)階面的同時(shí)形成第三級(jí)臺(tái)階?？蛇x的，在所述的半導(dǎo)體多級(jí)臺(tái)階結(jié)構(gòu)的制作方法中，在去除所述第二保護(hù)層之后，還包括形成后續(xù)n級(jí)臺(tái)階的エ藝步驟，n為自然數(shù)?？蛇x的，在所述的半導(dǎo)體多級(jí)臺(tái)階結(jié)構(gòu)的制作方法中，以所述第一保護(hù)層為掩膜，刻蝕所述基底，形成第一級(jí)臺(tái)階及第ニ級(jí)臺(tái)階面的エ藝包括如下エ藝步驟以所述第一保護(hù)層為掩膜，利用各向同性刻蝕エ藝刻蝕所述基底至第一級(jí)臺(tái)階面；以所述第一保護(hù)層為掩膜，利用各向異性刻蝕エ藝刻蝕所述基底以形成第一級(jí)臺(tái)階及第二級(jí)臺(tái)階面?？蛇x的，在所述的半導(dǎo)體多級(jí)臺(tái)階結(jié)構(gòu)的制作方法中，所述阻擋層的材料包括ニ氧化硅、氮化硅中的ー種或多種。可選的，在所述的半導(dǎo)體多級(jí)臺(tái)階結(jié)構(gòu)的制作方法中，所述第一保護(hù)層的材料包括ニ氧化硅、氮化硅、多晶硅中的ー種或多種?？蛇x的，在所述的半導(dǎo)體多級(jí)臺(tái)階結(jié)構(gòu)的制作方法中，所述第一級(jí)臺(tái)階面和階梯頂面的高度差為I微米 100微米?？蛇x的，在所述的半導(dǎo)體多級(jí)臺(tái)階結(jié)構(gòu)的制作方法中，所述第二級(jí)臺(tái)階面和第一級(jí)臺(tái)階面的高度差為I微米 100微米。通過上述半導(dǎo)體多級(jí)臺(tái)階結(jié)構(gòu)的制作方法，能夠簡(jiǎn)單、可靠地形成半導(dǎo)體多級(jí)臺(tái)階結(jié)構(gòu)，從而實(shí)現(xiàn)MEMS技術(shù)應(yīng)用到光學(xué)領(lǐng)域。


圖I是本發(fā)明實(shí)施例一的半導(dǎo)體多級(jí)臺(tái)階結(jié)構(gòu)的制作方法的流程示意圖；圖2a 2h是本發(fā)明實(shí)施例一的半導(dǎo)體多級(jí)臺(tái)階結(jié)構(gòu)的制作方法的剖面示意圖；圖3是本發(fā)明實(shí)施例ニ的半導(dǎo)體多級(jí)臺(tái)階結(jié)構(gòu)的制作方法的流程示意圖；圖4a 4d是本發(fā)明實(shí)施例ニ的半導(dǎo)體多級(jí)臺(tái)階結(jié)構(gòu)的制作方法的剖面示意圖。
具體實(shí)施例方式以下結(jié)合附圖和具體實(shí)施例對(duì)本發(fā)明提供的半導(dǎo)體多級(jí)臺(tái)階結(jié)構(gòu)的制作方法作進(jìn)ー步詳細(xì)說明。根據(jù)下面說明和權(quán)利要求書，本發(fā)明的優(yōu)點(diǎn)和特征將更清楚。需說明的是，附圖均采用非常簡(jiǎn)化的形式，僅用以方便、明晰地輔助說明本發(fā)明實(shí)施例的目的。實(shí)施例一請(qǐng)參考圖1，其為本發(fā)明實(shí)施例一的半導(dǎo)體多級(jí)臺(tái)階結(jié)構(gòu)的制作方法的流程示意圖。如圖I所示，所述半導(dǎo)體多級(jí)臺(tái)階結(jié)構(gòu)的制作方法包括SlO :提供基底；Sll :在所述基底上形成阻擋層；S12 :圖案化所述阻擋層；S13 :以圖案化的阻擋層為掩膜，刻蝕所述基底，形成第一級(jí)臺(tái)階面和階梯頂面；S14 :去除圖案化的阻擋層；
S15 :形成第一保護(hù)層，所述第一保護(hù)層覆蓋所述第一級(jí)臺(tái)階面及階梯頂面；S16 :以所述第一保護(hù)層為掩膜，刻蝕所述基底，形成第一級(jí)臺(tái)階及第ニ級(jí)臺(tái)階；S17 :去除所述第一保護(hù)層。具體的，請(qǐng)參考圖2a 2h，其為本發(fā)明實(shí)施例一的半導(dǎo)體多級(jí)臺(tái)階結(jié)構(gòu)的制作方法的剖面示意圖。首先，如圖2a所示，提供一基底20，所述基底20的材料可以為硅或者其他半導(dǎo)體材料，例如鍺、鍺硅等。 接著，如圖2b所示，在所述基底20上形成阻擋層21，所述阻擋層21的材料為氧化物、氮化物或氮氧化物，例如ニ氧化硅或氮化硅等相對(duì)于基底20具有高刻蝕選擇比的材料，所述阻擋層21可以為單層或多層結(jié)構(gòu)。當(dāng)所述阻擋層21為單層結(jié)構(gòu)時(shí)，其可以僅通過ニ氧化硅或者氮化硅ー種材料形成；當(dāng)所述阻擋層21為多層結(jié)構(gòu)時(shí)，其可以通過ニ氧化硅和氮化硅兩種材料形成上下兩層結(jié)構(gòu)。如圖2c所示，圖案化所述阻擋層21，在此，形成具有兩個(gè)開ロ 210的圖案化阻擋層21’。具體的，可通過一道掩膜對(duì)所述阻擋層21進(jìn)行光刻エ藝，接著，對(duì)光刻后的阻擋層21進(jìn)行灰化工藝，從而形成具有兩個(gè)開ロ 210的圖案化阻擋層21’。如圖2d-l所示，以圖案化的阻擋層21’為掩膜，刻蝕所述基底20，形成第一級(jí)臺(tái)階面a和階梯頂面b。具體的，可通過干法刻蝕エ藝在所述基底20中形成溝槽211，所述溝槽211的底面即為第一級(jí)臺(tái)階面a。優(yōu)選的，所述第一級(jí)臺(tái)階面a和階梯頂面b的高度差(即所述溝槽211的深度)為I微米 100微米。而所述溝槽211的寬度及深度可具體通過刻蝕エ藝的時(shí)間、干刻刻蝕エ藝的氣體及劑量予以控制，此為現(xiàn)有エ藝，在此不再贅述。接著，如圖2e所示，去除圖案化的阻擋層21’，在本實(shí)施例中，可接著對(duì)圖2e中所示的基底20進(jìn)行清洗，以去除刻蝕エ藝之后有可能殘留下的一些雜質(zhì)，從而提高產(chǎn)品的可靠性。接著，如圖2f_2所示，形成第一保護(hù)層22’，所述第一保護(hù)層22’覆蓋所述第一級(jí)臺(tái)階面a及階梯頂面b，即覆蓋第二級(jí)臺(tái)階區(qū)域外的基底表面。在此，所述第一保護(hù)層22’的材料包括ニ氧化硅、氮化硅、多晶硅中的ー種或多種。具體的，可通過如下エ藝步驟形成所述第一保護(hù)層22’ 首先，如圖2f_l所示，形成第一保護(hù)材料層22，所述第一保護(hù)材料層22覆蓋所述基底20所露出的表面，包括第一級(jí)臺(tái)階面a、階梯頂面b及位于所述第一級(jí)臺(tái)階面a —側(cè)的、與所述階梯頂面b相対的基底表面；接著，如圖2f_2所示，利用一道掩膜對(duì)所述第一保護(hù)材料層22進(jìn)行光刻エ藝，對(duì)光刻后的第一保護(hù)材料層22進(jìn)行灰化工藝，從而形成第一保護(hù)層22’，所述第一保護(hù)層22’覆蓋所述第一級(jí)臺(tái)階面a及階梯頂面b。接著，如圖2g_l所示，以所述第一保護(hù)層22’為掩膜，刻蝕所述基底20，形成第一級(jí)臺(tái)階23及第ニ級(jí)臺(tái)階24。在此，通過刻蝕エ藝同時(shí)形成了第一級(jí)臺(tái)階23及第ニ級(jí)臺(tái)階24，即在形成第二級(jí)臺(tái)階面c的同時(shí)，形成了第二級(jí)臺(tái)階24。其中，所述第二級(jí)臺(tái)階面c和第一級(jí)臺(tái)階面a的高度差為I微米 100微米。最終，如圖2h所示，去除所述第一保護(hù)層22’，從而便形成了一半導(dǎo)體兩級(jí)臺(tái)階結(jié)構(gòu)2，所述半導(dǎo)體兩級(jí)臺(tái)階結(jié)構(gòu)2包括第一級(jí)臺(tái)階23及第ニ級(jí)臺(tái)階24。上述半導(dǎo)體多級(jí)臺(tái)階結(jié)構(gòu)的制作方法通過兩道光刻エ藝在一半導(dǎo)體基底20上簡(jiǎn)單、可靠地形成半導(dǎo)體兩級(jí)臺(tái)階結(jié)構(gòu)2，從而利用該半導(dǎo)體兩級(jí)臺(tái)階結(jié)構(gòu)2便可實(shí)現(xiàn)MEMS技術(shù)應(yīng)用到光學(xué)領(lǐng)域。需說明的是，本發(fā)明的主要目的是通過ー種簡(jiǎn)便、可靠的エ藝形成一種半導(dǎo)體多級(jí)臺(tái)階結(jié)構(gòu)，具體將所形成的半導(dǎo)體多級(jí)臺(tái)階結(jié)構(gòu)應(yīng)用到光學(xué)領(lǐng)域是現(xiàn)有技術(shù)，本申請(qǐng)對(duì)此不再贅述。此外，考慮到執(zhí)行エ藝步驟S13 (以圖案化的阻擋層為掩膜，刻蝕所述基底，形成第一級(jí)臺(tái)階面和階梯頂面)時(shí)，由于エ藝條件的限制，所形成的第一級(jí)臺(tái)階面a’具有尖角d(即第一級(jí)臺(tái)階面的中間低于兩端)(可相應(yīng)參考圖2d-2)，所述尖角d最終將影響半導(dǎo)體多級(jí)臺(tái)階結(jié)構(gòu)的器件性能。為此，在執(zhí)行エ藝步驟S16 (以所述第一保護(hù)層為掩膜，刻蝕所述基底，形成第一 級(jí)臺(tái)階及第ニ級(jí)臺(tái)階)時(shí)，可以分兩步刻蝕エ藝實(shí)現(xiàn)，具體的，可相應(yīng)參考圖2g_2及圖2g_3。如圖2g_2所示，以第一保護(hù)層22’為掩膜，利用各向同性刻蝕エ藝刻蝕所述基底20至第一級(jí)臺(tái)階面a’ ；如圖2g_3所示，繼續(xù)以所述第一保護(hù)層22’為掩膜，利用各向異性刻蝕エ藝刻蝕所述基底20以形成第一級(jí)臺(tái)階23’及第ニ級(jí)臺(tái)階24’。在此，利用了各向同性刻蝕エ藝的エ藝特性，便可有效去除尖角d，從而提高最終形成的半導(dǎo)體多級(jí)臺(tái)階結(jié)構(gòu)的器件性能；同時(shí)，為了保證所形成的第一級(jí)臺(tái)階23’具有很好的側(cè)壁結(jié)構(gòu)，即側(cè)壁更為平直，在用各向同性刻蝕エ藝刻蝕所述基底20至第一級(jí)臺(tái)階面a’之后，又利用各向異性刻蝕エ藝刻蝕所述基底20以形成第一級(jí)臺(tái)階23’及第ニ級(jí)臺(tái)階24’，即利用了各向異性刻蝕エ藝的エ藝特性。由此，可得到最終形成的半導(dǎo)體多級(jí)臺(tái)階結(jié)構(gòu)具有平整的臺(tái)階面及臺(tái)階壁，從而保證了半導(dǎo)體多級(jí)臺(tái)階結(jié)構(gòu)的性能。此外，需說明的是，在此，主要利用了各向同性刻蝕エ藝及各向異性刻蝕エ藝本身所具有的エ藝特性，具體的エ藝條件，可根據(jù)尖角d的大小，所要形成的臺(tái)階高度、寬度等結(jié)構(gòu)參數(shù)予以調(diào)整，此為現(xiàn)有技術(shù)，本申請(qǐng)對(duì)此不再贅述。實(shí)施例ニ請(qǐng)參考圖3，其為本發(fā)明實(shí)施例ニ的半導(dǎo)體多級(jí)臺(tái)階結(jié)構(gòu)的制作方法的流程示意圖。如圖3所示，所述半導(dǎo)體多級(jí)臺(tái)階結(jié)構(gòu)的制作方法包括S30 :提供基底；S31 :在所述基底上形成阻擋層；S32 :圖案化所述阻擋層；S33 :以圖案化的阻擋層為掩膜，刻蝕所述基底，形成第一級(jí)臺(tái)階面和階梯頂面；S34 :去除圖案化的阻擋層；S35 :形成第一保護(hù)層，所述第一保護(hù)層覆蓋第二級(jí)臺(tái)階區(qū)域外的基底表面；S36:以所述第一保護(hù)層為掩膜，刻蝕所述基底，形成第一級(jí)臺(tái)階及第ニ級(jí)臺(tái)階面；S37 :去除所述第一保護(hù)層；S38 :形成第二保護(hù)層，所述第二保護(hù)層覆蓋第三級(jí)臺(tái)階區(qū)域外的基底表面；S39 :以所述第二保護(hù)層為掩膜，刻蝕所述基底，形成第二級(jí)臺(tái)階及第三級(jí)臺(tái)階；S40 :去除所述第二保護(hù)層。
本實(shí)施例相較于實(shí)施例一中的半導(dǎo)體兩級(jí)臺(tái)階結(jié)構(gòu)多了ー級(jí)臺(tái)階結(jié)構(gòu)，即為半導(dǎo)體三級(jí)臺(tái)階結(jié)構(gòu)。具體的，在執(zhí)行步驟S35，形成第一保護(hù)層42’吋，所述第一保護(hù)層42’除了覆蓋第一級(jí)臺(tái)階面a”及階梯頂面b’之外，還覆蓋第三級(jí)臺(tái)階區(qū)域40a的表面，即覆蓋第二級(jí)臺(tái)階區(qū)域40b外的基底40表面(如圖4a所示，同時(shí)還可相應(yīng)參考圖2f-2，以進(jìn)一歩了解本實(shí)施例與實(shí)施例一在制作エ藝上的差別)。接著，如圖4b所示，執(zhí)行步驟S36 :以所述第一保護(hù)層42’為掩膜，刻蝕所述基底40，形成第一級(jí)臺(tái)43階及第二級(jí)臺(tái)階面C”。在本實(shí)施例中，如圖4c所示，接著去除所述第一保護(hù)層42’，去除所述第一保護(hù)層42’之后，再形成第二保護(hù)層46，所述第二保護(hù)層46覆蓋第三級(jí)臺(tái)階區(qū)域40b外的基底40表面。由此，所形成的第二保護(hù)層46可很好地覆蓋第三級(jí)臺(tái)階區(qū)域40b外的基底40表面，即保護(hù)第三級(jí)臺(tái)階區(qū)域40b外的基底40表面。在本發(fā)明的其他實(shí)施例中，也可不去除該第 一保護(hù)層42’，而直接形成第二保護(hù)層，通過第一保護(hù)層42’和第二保護(hù)層共同保護(hù)第三級(jí)臺(tái)階區(qū)域外的基底表面，由此，可節(jié)省エ藝步驟，提高生產(chǎn)效率。接著，如圖4d所示，以所述第二保護(hù)層46為掩膜，刻蝕所述基底，形成第二級(jí)臺(tái)階44及第三級(jí)臺(tái)階45。最終，去除第二保護(hù)層46，便可形成一半導(dǎo)體三級(jí)臺(tái)階結(jié)構(gòu)。此外，在發(fā)明的其他實(shí)施例中，還可進(jìn)一歩形成多級(jí)臺(tái)階，例如半導(dǎo)體四級(jí)臺(tái)階結(jié)構(gòu)、半導(dǎo)體五級(jí)臺(tái)階結(jié)構(gòu)、半導(dǎo)體六級(jí)臺(tái)階結(jié)構(gòu)等。具體制作方法，本領(lǐng)域技術(shù)人員根據(jù)上述兩個(gè)實(shí)施例的教導(dǎo)，可不付出創(chuàng)造性勞動(dòng)的予以實(shí)現(xiàn)。上述描述僅是對(duì)本發(fā)明較佳實(shí)施例的描述，并非對(duì)本發(fā)明范圍的任何限定，本發(fā)明領(lǐng)域的普通技術(shù)人員根據(jù)上述掲示內(nèi)容做的任何變更、修飾，均屬于權(quán)利要求書的保護(hù)范圍。
權(quán)利要求
1.一種半導(dǎo)體多級(jí)臺(tái)階結(jié)構(gòu)的制作方法，其特征在于，包括 提供基底； 在所述基底上形成阻擋層； 圖案化所述阻擋層； 以圖案化的阻擋層為掩膜，刻蝕所述基底，形成第一級(jí)臺(tái)階面和階梯頂面； 去除圖案化的阻擋層； 形成第一保護(hù)層，所述第一保護(hù)層覆蓋所述第一級(jí)臺(tái)階面及階梯頂面； 以所述第一保護(hù)層為掩膜，刻蝕所述基底，形成第一級(jí)臺(tái)階及第ニ級(jí)臺(tái)階； 去除所述第一保護(hù)層。
2.如權(quán)利要求I所述的半導(dǎo)體多級(jí)臺(tái)階結(jié)構(gòu)的制作方法，其特征在干，以所述第一保護(hù)層為掩膜，刻蝕所述基底，形成第一級(jí)臺(tái)階及第ニ級(jí)臺(tái)階的エ藝包括如下エ藝步驟 以所述第一保護(hù)層為掩膜，利用各向同性刻蝕エ藝刻蝕所述基底至第一級(jí)臺(tái)階面；以所述第一保護(hù)層為掩膜，利用各向異性刻蝕エ藝刻蝕所述基底以形成第一級(jí)臺(tái)階及第二級(jí)臺(tái)階。
3.如權(quán)利要求I或2所述的半導(dǎo)體多級(jí)臺(tái)階結(jié)構(gòu)的制作方法，其特征在于，所述阻擋層的材料包括ニ氧化硅、氮化硅中的ー種或多種。
4.如權(quán)利要求I或2所述的半導(dǎo)體多級(jí)臺(tái)階結(jié)構(gòu)的制作方法，其特征在于，所述第一保護(hù)層的材料包括ニ氧化硅、氮化硅、多晶硅中的ー種或多種。
5.如權(quán)利要求I或2所述的半導(dǎo)體多級(jí)臺(tái)階結(jié)構(gòu)的制作方法，其特征在于，所述第一級(jí)臺(tái)階面和階梯頂面的高度差為I微米 100微米。
6.如權(quán)利要求I或2所述的半導(dǎo)體多級(jí)臺(tái)階結(jié)構(gòu)的制作方法，其特征在于，所述第二級(jí)臺(tái)階面和第一級(jí)臺(tái)階面的高度差為I微米 100微米。
7.一種半導(dǎo)體多級(jí)臺(tái)階結(jié)構(gòu)的制作方法，其特征在于，包括 提供基底； 在所述基底上形成阻擋層； 圖案化所述阻擋層； 以圖案化的阻擋層為掩膜，刻蝕所述基底，形成第一級(jí)臺(tái)階面和階梯頂面； 去除圖案化的阻擋層； 形成第一保護(hù)層，所述第一保護(hù)層覆蓋第二級(jí)臺(tái)階區(qū)域外的基底表面； 以所述第一保護(hù)層為掩膜，刻蝕所述基底，形成第一級(jí)臺(tái)階及第ニ級(jí)臺(tái)階面； 去除所述第一保護(hù)層； 形成第二保護(hù)層，所述第二保護(hù)層覆蓋第三級(jí)臺(tái)階區(qū)域外的基底表面； 以所述第二保護(hù)層為掩膜，刻蝕所述基底，形成第二級(jí)臺(tái)階及第三級(jí)臺(tái)階面； 去除所述第二保護(hù)層。
8.如權(quán)利要求7所述的半導(dǎo)體多級(jí)臺(tái)階結(jié)構(gòu)的制作方法，其特征在于，在去除所述第ニ保護(hù)層之后，還包括形成后續(xù)n級(jí)臺(tái)階的エ藝步驟，n為自然數(shù)。
全文摘要
本發(fā)明提供了一種半導(dǎo)體多級(jí)臺(tái)階結(jié)構(gòu)的制作方法，包括提供基底；在所述基底上形成阻擋層；圖案化所述阻擋層；以圖案化的阻擋層為掩膜，刻蝕所述基底，形成第一級(jí)臺(tái)階面和階梯頂面；去除圖案化的阻擋層；形成第一保護(hù)層，所述第一保護(hù)層覆蓋所述第一級(jí)臺(tái)階面及階梯頂面；以所述第一保護(hù)層為掩膜，刻蝕所述基底，形成第一級(jí)臺(tái)階及第二級(jí)臺(tái)階；去除所述第一保護(hù)層。通過該制作方法，能夠簡(jiǎn)單、可靠地形成半導(dǎo)體多級(jí)臺(tái)階結(jié)構(gòu)，從而實(shí)現(xiàn)MEMS技術(shù)應(yīng)用到光學(xué)領(lǐng)域。
文檔編號(hào)B81C1/00GK102642806SQ20121013233
公開日2012年8月22日 申請(qǐng)日期2012年4月28日 優(yōu)先權(quán)日2012年4月28日
發(fā)明者張挺, 薛維佳, 陳健 申請(qǐng)人:上海先進(jìn)半導(dǎo)體制造股份有限公司