專利名稱：柔性基底電磁式能量采集器及其制備方法
技術(shù)領(lǐng)域：
本發(fā)明屬于微機(jī)電系統(tǒng)領(lǐng)域，涉及一種能量采集器及其制備方法，尤其涉及一種基于柔性基底的微機(jī)電系統(tǒng)電磁式能量采集器及其制備方法，可以采集環(huán)境低頻運(yùn)動(dòng)能量。
背景技術(shù)：
隨著社會(huì)生產(chǎn)需求的不斷增長及微納技術(shù)的快速發(fā)展，大量新型微納器件與系統(tǒng)不斷的開發(fā)出來并被廣泛應(yīng)用，特別是具有生物兼容性的用于防病治病的納米藥物輸運(yùn)和 定向治療的微納系統(tǒng)。目前這些微納系統(tǒng)主要依靠電池來供電，而電池的壽命一般較短需要不斷地更換。對于體積很小的微納產(chǎn)品，更換電池是個(gè)復(fù)雜的操作，并可能會(huì)對產(chǎn)品造成不必要的損傷，特別是在人體植入式系統(tǒng)中，更換電池或充電更是困難并會(huì)給使用者帶來很大的傷害。如果能夠從環(huán)境中采集能量并轉(zhuǎn)化為電能，微納系統(tǒng)的供電問題就可以很好地解決了。由于振動(dòng)在工業(yè)、建筑甚至生物體中(如肢體運(yùn)動(dòng)、血液流動(dòng)、心臟跳動(dòng)等)時(shí)刻存在，所以采集環(huán)境振動(dòng)的微機(jī)電系統(tǒng)(MEMS)電磁式能量采集器得到了國內(nèi)外同行的重視。在已經(jīng)開展的研究中，由于基底材料多采用硅基，加工技術(shù)多采用粘連手段將永磁體裝配到能量采集器中，導(dǎo)致器件生物兼容性、體積、效率等方面還有較大不足。特別是用于生物體內(nèi)的產(chǎn)品，需要良好的生物兼容性和一定的柔韌性。Jong Cheol Park等人在“Micro-Fabricated Electromagnetic Power Generator to Scavenge Low AmbientVibration”(IEEE TRANSACTIONS ON MAGNETICS, VOL. 46, NO. 6, JMNE 2010)中提出了一種包含永磁體NdFeB、懸臂梁、固定線圈和PDMS (Polydimethylsiloxane,聚二甲基娃氧燒)支架結(jié)構(gòu)的電磁式能量采集器，在頻率為54Hz加速度為0. 57g的振動(dòng)下，輸出功率是115. Iii W，輸出電壓是 68. ZmVtjIbrahim Sari 等人在“An electromagnetic micro energy harvesterbased on an array of Parylene cantilevers”( IOP JOMRNAL OF MICROMECHANICS ANDMICROENGINEERING 2009)中提出了一種包含固定永磁體NdFeB、Parylene懸臂梁、可動(dòng)線圈的電磁式能量米集器。器件的體積為456mm3的，一個(gè)懸臂梁在頻率為3. 4kHz的振動(dòng)下，可以產(chǎn)生最大功率56pW、最大電壓0. 67mV。Ibrahim Sari等人在“An electromagneticmicro power generator for low-freq U ency environmental vibrations based on thefrequency U pconversion techniq ii e”( IEEE J0MRNAL OF MICROELECTROMECHANICALSYSTEMS, VOL. 19，NO. I, FEBRMARY 2010)中提出了一種包含可動(dòng)永磁體 NdFeB、Parylene懸臂梁、可動(dòng)線圈的電磁式能量采集器。器件的體積是148.75mm3，單個(gè)懸臂梁在頻率70-150HZ的外界振動(dòng)下，可以產(chǎn)生0. 57mV，0. 25nW的能量。結(jié)構(gòu)較為新奇，但永磁體的粘連較困難，且輸出能量太低。

發(fā)明內(nèi)容
本發(fā)明的目的在于提供一種基于柔性基底的微機(jī)電系統(tǒng)(MEMS)電磁式能量采集器及其制備方法，使用柔性聚合物作為基底，代替目前廣泛使用的硅材料；并利用電鍍工藝制備能量采集器中的部分永磁體和全部銅線圈，結(jié)合MEMS表面微機(jī)械加工技術(shù)來制備能
量采集器。為達(dá)到上述目的，本發(fā)明采用如下技術(shù)方案
一種電磁式能量采集器，包括由柔性結(jié)構(gòu)層形成的腔體，以及封裝于所述腔體內(nèi)的永磁體塊；所述柔性結(jié)構(gòu)層包括柔性基底，以及位于所述柔性基底上的平面線圈和永磁體陣列。進(jìn)一步地，所述柔性基底為生物兼容性柔性聚合物，例如聚對二甲苯(Parylene)、PDMS (Polydimethylsiloxane,聚二甲基娃氧燒)等；也可以為其它柔性聚合物,如聚酰亞胺等。進(jìn)一步地，所述永磁體陣列和所述平面線圈通過電鍍工藝制成。進(jìn)一步地,所述永磁體陣列采用CoNiMnP永磁材料。進(jìn)一步地，所述腔體可以是四面體、正方體、長方體等，優(yōu)選采用正方體結(jié)構(gòu)。進(jìn)一步地，所述柔性結(jié)構(gòu)層還包括保護(hù)層，位于所述柔性基底上并覆蓋所述永磁體陣列和所述平面螺旋線圈，用于提高能量采集器結(jié)構(gòu)的穩(wěn)定性和使用壽命。進(jìn)一步地，所述腔體通過將所述柔性結(jié)構(gòu)層折疊或粘接形成，優(yōu)選采用折疊方式。一種電磁式能量采集器的制備方法，其步驟包括I)在硅片上沉積柔性基底層；2)濺射種子層；3)旋涂光刻膠，進(jìn)行第一次光刻；4)電鍍平面線圈；5)旋涂光刻膠，進(jìn)行第二次光刻；6)電鍍永磁體陣列；7)無掩膜曝光去種子層上的光刻膠、去除種子層；8)連線并覆蓋保護(hù)層薄膜；9)將柔性結(jié)構(gòu)層從硅片上剝離并形成腔體，將永磁體塊封裝入該腔體內(nèi)。進(jìn)一步地，采用蒸發(fā)冷凝的方式制作所述柔性基底層。進(jìn)一步地，所述柔性基底層的厚度為lOiim。進(jìn)一步地，所述種子層為Ti/Cu。進(jìn)一步地，通過折疊或粘接方式形成所述腔體，優(yōu)選采用折疊方式。本發(fā)明的柔性基底可折疊的MEMS電磁式能量采集器的優(yōu)點(diǎn)和積極效果如下I)電鍍法制備的永磁體以及三維微機(jī)械加工方法，使得能量采集器的尺寸更小，并可以與IC工藝相兼容。相比微裝配或者手工粘連永磁體，電鍍法制備的永磁體與平面螺旋線圈的間距進(jìn)一步縮小，可以獲得更大的輸出功率；2)當(dāng)采用聚合物柔性材料(Parylene)作為柔性基底，并結(jié)合PDMS作為結(jié)構(gòu)保護(hù)膜時(shí)，具有很好的生物兼容性，適合生物體應(yīng)用，不但為微納傳感器自我供電提供了技術(shù)途徑，而且為微納傳感器在生物體內(nèi)的無線應(yīng)用提供了可能，可以應(yīng)用于內(nèi)置生物傳感器、生物醫(yī)藥監(jiān)控和生物活體探測等；3)采用柔性基底，器件具有一定程度的可變形性，適用于一些需要器件變形的特殊環(huán)境。


圖I為本發(fā)明實(shí)施例的電磁式能量采集器的立體結(jié)構(gòu)示意圖。圖2為圖I所示電磁式能量采集器折疊前的平面示意圖。圖3為圖I所示電磁式能量采集器的柔性結(jié)構(gòu)層的剖面示意圖。圖4為圖I所示電磁式能量采集器內(nèi)部的永磁鐵塊的示意圖。圖5為圖I所示電磁式能量采集器的制作工藝流程圖。其中0為硅襯底層，I為柔性基底層，2為種子層，3為光刻膠，4為平面螺旋線圈， 5為光刻膠,6為永磁體陣列,7為保護(hù)層,8為永磁體塊。
具體實(shí)施例方式下面通過具體實(shí)施例，并配合附圖，對本發(fā)明做詳細(xì)的說明。圖I為本實(shí)施例的電磁式能量采集器的結(jié)構(gòu)示意圖，該能量采集器為正方體結(jié)構(gòu)，包括柔性基底I、平面螺旋線圈4、永磁體陣列6以及封裝在正方體結(jié)構(gòu)的腔體內(nèi)部的永磁體塊(未示出)。該正方體式能量采集器由平面的柔性結(jié)構(gòu)層薄膜折疊而成，圖2為其折疊前平面柔性結(jié)構(gòu)層的示意圖，六個(gè)面均有平面螺旋線圈且尺寸相同，輸出可以并聯(lián)也可串聯(lián)，具體情況可視需要而定。圖3為圖2所示的柔性結(jié)構(gòu)層的剖面示意圖。其中，柔性基底I為聚對二甲苯(Parylene)薄膜,平面螺旋線圈4和永磁體陣列6電鍍于Parylene薄膜之上,永磁體陣列6位于平面螺旋線圈4內(nèi)部，并用保護(hù)層7包裹結(jié)構(gòu)層，永磁體陣列6下面有種子層2 (下文的制作工藝中將對該種子層做進(jìn)一步描述)。其中，永磁體陣列6的材料為CoNiMnP永磁材料，CoNiMnP容易在柔性基底上電鍍，而且與襯底的結(jié)合較好；保護(hù)層7的材料為PDMS(Polydimethylsiloxane,聚二甲基娃氧燒)薄膜。圖4為封入圖I所示的能量采集器內(nèi)的永磁鐵塊的示意圖。當(dāng)環(huán)境中有振動(dòng)時(shí)，將會(huì)引起永磁體塊的振動(dòng)，從而穿過平面螺旋線圈的磁通量發(fā)生變化，根據(jù)法拉第電磁感應(yīng)定律，平面螺旋線圈就會(huì)有感應(yīng)電動(dòng)勢，從而在外加負(fù)載上輸出功率。由于正方體式的能量采集器的六個(gè)面均有線圈，故六個(gè)面均能產(chǎn)生能量，這樣能量采集器的能量密度就會(huì)比較大。同理，當(dāng)柔性基底受到擠壓產(chǎn)生形變時(shí)，也可產(chǎn)生感應(yīng)電動(dòng)勢，從而在外加負(fù)載上輸出功率。上述實(shí)施例中，柔性基底I為聚對二甲苯，但也可以采用其它生物兼容性的柔性聚合物，如PDMS (Polydimethylsiloxane,聚二甲基娃氧燒)等；也可以為不具有生物兼容性的其它柔性聚合物，如聚酰亞胺等。上述實(shí)施例中，柔性結(jié)構(gòu)層(由柔性基底I、平面螺旋線圈4、永磁體陣列6和保護(hù)層7構(gòu)成的結(jié)構(gòu)薄膜)的厚度為520 u m ;平面螺旋線圈4可選用如下尺寸線寬為80um，線間距為100 u m ;或線寬為100 u m,線間距為200 u m ;或線寬為150 u m,線間距為200 u m。但也可以選用其它尺寸，本發(fā)明不限于此。上述實(shí)施例中，永磁體陣列3可選用如下參數(shù)3行3列，每個(gè)永磁體的橫截面為300 V- mX300 u m,陣列永磁體的間距為100 y m ;或3行2列，每個(gè)永磁體的橫截面為200 u mX200 u m,陣列永磁體的間距為200 y m ;或?yàn)?行2列，每個(gè)永磁體的橫截面為200 ii mX200 ii m,陣列永磁體的間距為200 y m。但也可以選用其它參數(shù),本發(fā)明不限于此。上述實(shí)施例中，能量采集器的腔體為立方體結(jié)構(gòu)，但也可以是其它形狀，如四面體、長方體等，可跟進(jìn)實(shí)際需要采用不同的形狀。該腔體可以通過將一塊柔性結(jié)構(gòu)層折疊形成，也可以通過將多塊柔性結(jié)構(gòu)層粘接形成?？梢圆捎每痰痘蚣舻恫眉?，然后使用膠水或PDMS等粘結(jié)劑進(jìn)行粘連。本發(fā)明優(yōu)選采用折疊方式。上述實(shí)施例中，柔性基底上電鍍永磁體陣列而沒有電鍍一整塊磁體，是由于永磁體陣列可以減少CoNiMnP電鍍層與柔性基底之間的應(yīng)力。永磁體陣列的電鍍，采用Co作為陽極，以維持電鍍液中Co離子的濃度，另外，在電鍍槽兩側(cè)沿垂直于硅片方向放置兩塊強(qiáng)永磁體(比如NdFeB)以形成外加磁場,在電鍍時(shí)對電鍍的永磁體陣列進(jìn)行垂直磁場取向，為了改善電鍍層磁體的磁性能和均勻性，可以采取攪拌器等對電鍍液進(jìn)行攪拌，硅片連接恒 流源的負(fù)極在電鍍槽的一側(cè)，恒流源的陽極連接于電鍍槽的另一側(cè)。除采用陣列形式外，還可以采用如下方法降低電鍍永磁體膜層的內(nèi)應(yīng)力在電鍍液配方中添加糖精，糖精添加劑分子可以吸附在空穴處阻礙位錯(cuò)的生成，從而使得鍍層應(yīng)力下降；采用低濃度鍍液，有利于降低鍍層的內(nèi)應(yīng)力；電鍍夾層薄膜，比如三明治結(jié)構(gòu)Ni/CoNiMnP/Ni，磁性變化不大，但可以降低應(yīng)力。圖5為圖I中電磁式能量采集器的制作工藝流程圖，下面通過具體實(shí)施例對其做詳細(xì)的說明。實(shí)施例I :包括如下步驟(I)制備 Parylene 薄膜對硅片進(jìn)行清洗等處理過程，如圖5(a)所示。在硅片上采用真空淀積的方法(即蒸發(fā)冷凝方法)制備10 ii m厚的Parylene薄膜。真空120°C條件下將Parylene固體原料升華成氣態(tài)，650°C條件下將氣態(tài)原料裂解為具有反應(yīng)活性的單體，氣態(tài)單體在室溫下淀積聚合生成Parylene薄膜,如圖5(b)所示。除娃片外，也可以采用玻璃等其它襯底。(2)濺射Ti/Cu種子層采用真空濺射的方法制備Ti/Cu種子層。在真空環(huán)境中50W功率的條件下濺射I個(gè)小時(shí)，可得到總厚度為200nm的Ti/Cu種子層，如圖5(c)所示。(3) Cu線圈制備在Ti/Cu種子層上旋涂IOiim厚的正膠AZ P4620，曝光180s，顯影100s，如圖5(d)所示。然后電鍍Cu線圈，如圖5(e)所示電流密度為5mA/cm2，并用磁力攪拌器攪拌；線圈寬度為80 u m,線間距為100 u m,電鍍銅厚度為10 u m。(4)永磁體電鍍制備在Cu線圈制備后，再旋涂Iiim厚的正膠AZ P4620，曝光200s，顯影120s，如圖5(f)所示。然后電鍍CoNiMnP永磁材料，如圖5(g)所示。電鍍的永磁體陣列為3X3(3行3列)，每個(gè)永磁體的橫截面為300 umX300um,陣列永磁體的間距為100 u m。電鍍條件電流密度為5mA/cm2，PH值為3. 5，并用磁力攪拌器攪拌。電鍍液配方為=CoCl2 6H20 (24g/I), NiCl2 6H20 (24g/l), MnSO4 H2O (3. 4g/l), NaH2PO2 (4. 4g/l), H3BO3 (25g/l), NaCl(24g/l)，C12H25O4NaS (0. 3g/l)，糖精(0. 9g/l)。電鍍液是上述所有成分的組合，為保證鍍膜均勻致密，電鍍的速率約為2 u m/h。
(5)去 Ti/Cu 種子層電鍍永磁體后無版曝光200s，顯影130s，去除殘留光刻膠。在CH3C00H H202 H20=l :1:20 (體積比)溶液中去除Cu種子層，然后在HF H20=1:60 (體積比)溶液中去除Ti種子層。如圖5(h)所示。(6)制備 PDMS 薄膜連線并在硅片上旋涂500 ii m的PDMS薄膜，然后在真空鍋中抽真空30分鐘以除去PDMS中氣泡，最后放入70°C的烘箱中烘烤2h。取出冷凝即可得PDMS薄膜，如圖5 (i)所示。(7)折疊結(jié)構(gòu)構(gòu)成能量采集器從硅片上取下結(jié)構(gòu)層，如圖5 (j)所示。將結(jié)構(gòu)層折疊成正方體，并將永磁體快封入該正方體的空腔中。永磁體塊可以根據(jù)需要選用，比如釹鐵硼磁鐵、釤鈷磁鐵、鋁鎳鈷磁 鐵、鐵氧體磁鐵等。正方體形狀的能量采集器就此完成。實(shí)施例2 :包括如下步驟(I)制備 Parylene 薄膜對硅片進(jìn)行清洗等處理過程。在硅片上采用真空淀積的方法制備IOym的Parylene薄膜。真空120°C條件下將固體原料升華成氣態(tài)，650°C條件下將氣態(tài)原料裂解為具有反應(yīng)活性的單體，氣態(tài)單體在室溫下淀積聚合生成Parylene薄膜。(2)派射Ti/Cu種子層采用真空濺射的方法制備200nm的Ti/Cu種子層。在真空環(huán)境中100W功率的條件下濺射30min，可得到總厚度為200nm的Ti/Cu種子層。(3) Cu線圈制備在Ti/Cu種子層上旋涂IOiim厚的正膠AZ P4620，曝光180s，顯影100s，然后電鍍Cu線圈。電鍍條件電流密度為10mA/cm2，并用磁力攪拌器攪拌。線圈寬度為100 y m，線間距為200 u m,電鍍銅厚度為10 u m。(4)永磁體電鍍制備在Cu線圈制備后，再旋涂Iiim厚的正膠AZ P4620，曝光200s，顯影120s，然后電鍍CoNiMnP永磁材料，電鍍的永磁體陣列為3X2 (3行2列)，每個(gè)永磁體的橫截面為200 UmX 200 um,陣列永磁體的間距為200 u m。電鍍條件電流密度為10mA/cm2，PH值為3. 6，并用磁力攪拌器攪拌。電鍍液配方為CoC12 6H20 (24g/l)，NiC12 6H20 (24g/l)，MnS04 H20 (3.4g/l), NaH2P02 (4. 4g/l), H3B03 (25g/l), NaCl (24g/l), C12H2504NaS(0. 3g/l)，糖精(0. 9g/l)。電鍍液是上述所有成分的組合，為保證鍍膜均勻致密，電鍍的速率約為3 u m/ho(5)去 Ti/Cu 種子層電鍍永磁體后無版曝光200s，顯影130s，去除殘留光刻膠。在CH3C00H H202 H20=l :1:20 (體積比)溶液中去除Cu種子層，然后在HF H20=1:60 (體積比)溶液中去除Ti
種子層。(6)制備 PDMS 薄膜連線在硅片上旋涂500iim的PDMS薄膜，然后在真空鍋中抽真空30分鐘以除去PDMS中氣泡，最后放入70 0C的烘箱中烘烤2個(gè)小時(shí)。取出冷凝即可得PDMS薄膜。(7)折疊結(jié)構(gòu)構(gòu)成能量采集器
從硅片上取下結(jié)構(gòu)層，折疊結(jié)構(gòu)層使之構(gòu)成正方體，并將永磁體快封入該正方體的空腔中。正方體形狀的能量采集器就此完成。實(shí)施例3 :包括如下步驟(I)制備 Parylene 薄膜對硅片進(jìn)行清洗等處理過程。在硅片上采用真空淀積的方法制備IOym的Parylene薄膜。真空120°C條件下將固體原料升華成氣態(tài)，650°C條件下將氣態(tài)原料裂解為具有反應(yīng)活性的單體，氣態(tài)單體在 室溫下淀積聚合生成Parylene薄膜。(2)濺射Ti/Cu種子層采用真空濺射的方法制備200nm的Ti/Cu種子層。在真空環(huán)境中50W功率的條件下濺射I個(gè)小時(shí)，可得到總厚度為200nm的Ti/Cu種子層。(3) Cu線圈制備在Ti/Cu種子層上旋涂IOiim厚的正膠AZ P4620，曝光180s，顯影100s，然后電鍍Cu線圈。電鍍條件電流密度為5mA/cm2，并用磁力攪拌器攪拌。線圈寬度為150 y m，線間距為200 u m電鍍銅厚度為10 u m。(4)永磁體電鍍制備在Cu線圈制備后，再旋涂Iiim厚的正膠AZ P4620，曝光200s，顯影120s，然后電鍍CoNiMnP永磁材料，電鍍的永磁體陣列為2X2 (2行2列)，每個(gè)永磁體的橫截面為200 u mX200 u m,陣列永磁體的間距為200 u m。電鍍條件電流密度為5mA/cm2，PH值為3. 5，并用磁力攪拌器攪拌。電鍍液配方為CoC12 6H20 (24g/l)，NiC12 6H20 (24g/l)，MnS04 H20 (3. 4g/l), NaH2P02 (4. 4g/l), H3B03 (25g/l), NaCl (24g/l), C12H2504NaS(0. 3g/l)，糖精(0. 9g/l)。電鍍液是上述所有成分的組合，為保證鍍膜均勻致密，電鍍的速率約為2 u m/ho(5)去 Ti/Cu 種子層電鍍永磁體后無版曝光200s，顯影130s，去除殘留光刻膠。在CH3C00H H202 H20=l :1:20 (體積比)溶液中去除Cu種子層，然后在HF H20=1:60 (體積比)溶液中去除Cu
種子層。(6)制備 PDMS 薄膜連線在硅片上旋涂500iim的PDMS薄膜，然后在真空鍋中抽真空30分鐘以除去PDMS中氣泡，最后放入70 0C的烘箱中烘烤2個(gè)小時(shí)。取出冷凝即可得PDMS薄膜。(7)折疊結(jié)構(gòu)構(gòu)成能量采集器從硅片上取下結(jié)構(gòu)層，折疊結(jié)構(gòu)層使之構(gòu)成正方體，并將永磁體快封入該正方體的空腔中。正方體形狀的能量采集器就此完成。上述實(shí)施例僅是為了便于說明而舉例，本發(fā)明的保護(hù)范圍應(yīng)以權(quán)利要求書所述為準(zhǔn)，而非僅限于上述實(shí)施例。
權(quán)利要求
1.一種電磁式能量采集器，其特征在于，包括由柔性結(jié)構(gòu)層形成的腔體，以及封裝于所述腔體內(nèi)的永磁體塊；所述柔性結(jié)構(gòu)層包括柔性基底，以及位于所述柔性基底上的平面線圈和永磁體陣列。
2.如權(quán)利要求I所述的電磁式能量采集器，其特征在于，所述柔性基底為生物兼容性柔性聚合物，包括聚對二甲苯。
3.如權(quán)利要求2所述的電磁式能量采集器，其特征在于，所述柔性基底為聚對二甲苯。
4.如權(quán)利要求I所述的電磁式能量采集器，其特征在于，所述永磁體陣列采用CoNiMnP永磁材料。
5.如權(quán)利要求I所述的電磁式能量采集器，其特征在于，所述腔體為正方體、長方體或四面體。
6.如權(quán)利要求I至5任一項(xiàng)所述的電磁式能量采集器，其特征在于，還包括保護(hù)層，位于所述柔性基底上并覆蓋所述永磁體陣列和所述平面螺旋線圈。
7.—種電磁式能量采集器的制備方法，其步驟包括 1)在硅片上沉積柔性基底層； 2)濺射種子層； 3)旋涂光刻膠，進(jìn)行第一次光刻； 4)電鍍平面線圈； 5)旋涂光刻膠，進(jìn)行第二次光刻； 6)電鍍永磁體陣列； 7)無掩膜曝光去種子層上的光刻膠、去除種子層； 8)連線并覆蓋保護(hù)層薄膜； 9)將柔性結(jié)構(gòu)層從硅片上剝離并形成腔體，將永磁體塊封裝入該腔體內(nèi)。
8.如權(quán)利要求7所述的方法，其特征在于，采用蒸發(fā)冷凝的方式制作所述柔性基底層，其厚度為10 Pm。
9.如權(quán)利要求7所述的方法，其特征在于所述種子層為Ti/Cu;所述保護(hù)層為PDMS薄膜。
10.如權(quán)利要求7所述的方法，其特征在于，通過折疊或粘接方式形成所述腔體。
全文摘要
本發(fā)明提供一種電磁式能量采集器，包括由柔性結(jié)構(gòu)層形成的腔體，以及封裝于所述腔體內(nèi)的永磁體塊；所述柔性結(jié)構(gòu)層包括柔性基底，以及位于所述柔性基底上的平面線圈和永磁體陣列。所述永磁體陣列采用電鍍方法制備，所述腔體優(yōu)選采用折疊方式形成。本發(fā)明的能量采集器與IC工藝相兼容，可適用于需要器件變形的特殊環(huán)境；采用生物兼容性柔性材料作為柔性基底時(shí)，可以適合生物體應(yīng)用，如內(nèi)置生物傳感器、生物醫(yī)藥監(jiān)控和生物活體探測等。
文檔編號B81C1/00GK102723839SQ20121017063
公開日2012年10月10日 申請日期2012年5月28日 優(yōu)先權(quán)日2012年5月28日
發(fā)明者張守鶴, 張海霞, 袁泉, 賈若溪, 韓夢迪 申請人:北京大學(xué)