MEMS納米結(jié)構(gòu)及其形成方法相關(guān)申請(qǐng)的交叉參考本申請(qǐng)要求于2012年3月30日提交的美國臨時(shí)專利申請(qǐng)第61,617,834號(hào)的優(yōu)先權(quán)，其全部內(nèi)容結(jié)合于此作為參考。技術(shù)領(lǐng)域本公開涉及MEMS納米結(jié)構(gòu)及形成MEMS納米結(jié)構(gòu)的方法。

背景技術(shù)：
微機(jī)電系統(tǒng)(MEMS)的制造技術(shù)包括以微米比例(百萬分之一米)的尺寸形成微結(jié)構(gòu)，從而實(shí)現(xiàn)機(jī)械、流體、光學(xué)、生物和/或電氣系統(tǒng)。該制造技術(shù)的重要部分(包括清潔、成層、圖案化、蝕刻或摻雜步驟)均源于集成電路(IC)技術(shù)。MEMS應(yīng)用包括慣性傳感器應(yīng)用，諸如，運(yùn)動(dòng)傳感器、加速器和陀螺儀。其他MEMS應(yīng)用包括光學(xué)應(yīng)用(諸如活動(dòng)反射鏡)、RF應(yīng)用(諸如RF開關(guān)和共振器)以及生物感測結(jié)構(gòu)。雖然上述應(yīng)用很引人注目，但是在發(fā)展MEMS納米結(jié)構(gòu)方面仍存在很多挑戰(zhàn)。用于形成這些MEMS納米結(jié)構(gòu)的配置和方法的各種技術(shù)已經(jīng)被實(shí)現(xiàn)用于進(jìn)行嘗試以及進(jìn)一步改善設(shè)備的性能。

技術(shù)實(shí)現(xiàn)要素：
為了解決現(xiàn)有技術(shù)中所存在的問題，根據(jù)本發(fā)明的一個(gè)方面，提供了一種形成多個(gè)MEMS納米結(jié)構(gòu)的方法，所述方法包括：使襯底的一部分凹進(jìn)，從而在所述襯底中形成多個(gè)臺(tái)面，所述多個(gè)臺(tái)面中的每個(gè)臺(tái)面均具有頂面和與所述頂面相鄰的側(cè)壁面；在所述襯底之上沉積反光層，從而覆蓋每個(gè)臺(tái)面的所述頂面和所述側(cè)壁面；在所述反光層之上形成保護(hù)層；在所 述保護(hù)層之上形成抗反射涂層(ARC)；在每個(gè)臺(tái)面上方的所述ARC層之上的光刻膠層中形成開口；通過所述開口去除所述ARC層的一部分、所述保護(hù)層的一部分和所述反光層的一部分，從而暴露出每個(gè)臺(tái)面的頂部；以及去除每個(gè)臺(tái)面的所述頂面之上的所述光刻膠層和所述ARC層。在所述方法中，所述反光層包括鋁、銅、金、銀、鉻、鈦或它們的混合物。在所述方法中，所述保護(hù)層包括氧化物層或氮化物層。在所述方法中，形成所述保護(hù)層包括：在含氧的等離子體環(huán)境中處理所述反光層。在所述方法中，所述開口的寬度只能容納被分析物的一個(gè)分子。在所述方法中，所述開口的寬度介于大約110nm至大約170nm之間的范圍內(nèi)。在所述方法中，進(jìn)一步包括：在所述光刻膠層中形成所述開口的步驟之前，形成圍繞每個(gè)臺(tái)面的填充材料。在所述方法中，進(jìn)一步包括：將所述填充材料平坦化為與每個(gè)臺(tái)面的所述頂面基本共面的水平。在所述方法中，去除所述ARC層包括：在含H2O2的濕溶液中進(jìn)行去除。在所述方法中，去除所述ARC層包括：去除每個(gè)臺(tái)面之上的整個(gè)所述ARC層。根據(jù)本發(fā)明的另一方面，一種形成多個(gè)MEMS納米結(jié)構(gòu)的方法，所述方法包括：蝕刻襯底的一部分，從而在所述襯底中形成多個(gè)臺(tái)面，所述多個(gè)臺(tái)面中的每個(gè)臺(tái)面均具有頂面和與所述頂面相鄰的側(cè)壁面；在所述襯底之上沉積反光層，從而覆蓋每個(gè)臺(tái)面的所述頂面和所述側(cè)壁面；沿著所述反光層共形地形成保護(hù)層；在所述保護(hù)層之上形成抗反射涂層(ARC)；在每個(gè)臺(tái)面之上的所述ARC層之上的光刻膠層中形成開口；通過所述開口去除所述ARC層的一部分、所述保護(hù)層的一部分和所述反光層的一部分，從而暴露出每個(gè)臺(tái)面的頂部；以及在基本上不去除所述保護(hù)層的情況下，去除所述光刻膠層和所述ARC層。在所述方法中，所述反光層包括鋁、銅、金、銀、鉻、鈦或它們的混合物。在所述方法中，所述保護(hù)層包括氧化物層或氮化物層。在所述方法中，所述保護(hù)層是厚度在大約至大約的范圍內(nèi)的氧化鋁層。在所述方法中，所述開口的寬度只能容納被分析物的一個(gè)分子。在所述方法中，去除所述ARC層包括：在含H2O2的濕溶液中進(jìn)行去除。根據(jù)本發(fā)明的又一方面，提供了一種形成多個(gè)MEMS納米結(jié)構(gòu)的方法，所述方法包括：使襯底的一部分凹進(jìn)，從而在所述襯底中形成多個(gè)臺(tái)面，所述多個(gè)臺(tái)面中的每個(gè)臺(tái)面均具有頂面和與所述頂面相鄰的側(cè)壁面；在所述襯底之上沉積反光層，從而覆蓋每個(gè)臺(tái)面的所述頂面和所述側(cè)壁面；在所述反光層之上形成保護(hù)層；在所述保護(hù)層之上形成抗反射涂層(ARC)；形成圍繞每個(gè)臺(tái)面的填充材料，從而暴露所述ARC層的一部分；在每個(gè)臺(tái)面之上的所暴露ARC層之上的光刻膠層中形成開口；通過所述開口去除所暴露ARC層的一部分、所述保護(hù)層的一部分和所述反光層的一部分，從而暴露出每個(gè)臺(tái)面的所述頂部；以及去除每個(gè)臺(tái)面的所述光刻膠層和所述ARC層的暴露部分。在所述方法中，所述反光層包括鋁、銅、金、銀、鉻、鈦或它們的混合物。在所述方法中，形成所述保護(hù)層包括：在含氧的等離子體環(huán)境中處理所述反光層。在所述方法中，所述填充材料包括氧化硅、介電材料、多晶硅、非晶硅或它們的組合。附圖說明當(dāng)結(jié)合附圖進(jìn)行閱讀時(shí)，根據(jù)下面詳細(xì)的描述可以更好地理解本發(fā)明。應(yīng)該強(qiáng)調(diào)的是，根據(jù)工業(yè)中的標(biāo)準(zhǔn)實(shí)踐，各種部件沒有被按比例繪制。實(shí)際上，為了清楚的討論，各種部件的尺寸可以被任意增大或減少。圖1A是根據(jù)本公開的一個(gè)或多個(gè)實(shí)施例的包括了多個(gè)位于襯底上的MEMS芯片的晶圓的俯視圖；圖1B是根據(jù)本公開的一個(gè)或多個(gè)實(shí)施例的圖1A的單個(gè)MEMS芯片的放大圖；圖2是根據(jù)本公開的一個(gè)或多個(gè)實(shí)施例形成具有MEMS納米結(jié)構(gòu)的MEMS芯片結(jié)構(gòu)的方法的流程圖；圖3A和圖4到圖9是根據(jù)圖2方法的多個(gè)實(shí)施例的在具有MEMS納米結(jié)構(gòu)的MEMS芯片中的結(jié)構(gòu)在各個(gè)制造階段中的截面圖；圖3B是根據(jù)本公開的一個(gè)或多個(gè)實(shí)施例的圖3A的單個(gè)MEMS芯片結(jié)構(gòu)的俯視圖；圖3C是根據(jù)本公開的一個(gè)或多個(gè)實(shí)施例沿圖3B中的線A-A的單個(gè)MEMS芯片的透視圖；圖10是根據(jù)本公開的一個(gè)或多個(gè)實(shí)施例在探測生物分子操作中的MEMS納米結(jié)構(gòu)的放大截面圖。具體實(shí)施方式應(yīng)該理解，以下公開提供了多種不同實(shí)施例或?qū)嵗?，用于?shí)現(xiàn)本發(fā)明的不同特征。以下將描述組件和布置的特定實(shí)例以簡化本發(fā)明。當(dāng)然，這些僅是實(shí)例并且不旨在限制本發(fā)明。而且，在以下描述中，在第二部件上方或上形成第一部件可以包括第一部件和第二部件直接接觸的實(shí)施例，也可以包括其他部件可以形成在第一部件和第二部件之間使得第一部件和第二部件不直接接觸的實(shí)施例。此外，相對(duì)術(shù)語的參考，例如，“頂部”、“前部”、“底部”和“后部”用于提供部件之間的相對(duì)關(guān)系，并不用于暗示任何絕對(duì)的方向。為了簡單和清楚，可以不同比例任意繪制各個(gè)部件。圖1A是標(biāo)記在襯底102上的包括多個(gè)MEMS芯片103的晶圓100的俯視圖。利用MEMS芯片103之間的劃片槽106來分割多個(gè)MEMS芯片103。圖1B是圖1A所示的單個(gè)MEMS芯片103的放大圖。襯底102將經(jīng)歷清洗、成層、圖案化、蝕刻或摻雜多個(gè)步驟，從而形成MEMS芯片103中的MEMS納米結(jié)構(gòu)。本文中的術(shù)語“襯底”通常涉及的是適于傳輸分析物的電信號(hào)或光信號(hào)的體襯底。在至少一個(gè)實(shí)例中，襯底102包括有透明材料，如石英、藍(lán)寶石、熔融石英或其他適合的玻璃。在另一個(gè)實(shí)例中，襯底采用一種剛性材料， 在觀察過程中，該剛性材料能夠使被觀察的分析物保持在固定位置上。在又一個(gè)實(shí)例中，襯底102采用了一種透明的有機(jī)材料，例如，甲基丙烯酸酯聚合物(諸如，PMMA、聚碳酸酯)、環(huán)烯烴聚合物、苯乙烯聚合物、含氟聚合物、聚酯、聚醚酮、聚醚砜、聚酰亞胺或其混合物。在一些實(shí)施例中，襯底102之上形成了各種層和器件。層的實(shí)例包括有介電層、摻雜層、多晶硅層或?qū)щ妼?。器件結(jié)構(gòu)的實(shí)例包括晶體管、電阻器和/或電容器，它們可以通過互連層與額外的器件互連。圖2是根據(jù)本公開的一個(gè)或多個(gè)實(shí)施例在具有MEMS納米結(jié)構(gòu)的MEMS芯片中形成結(jié)構(gòu)的方法200的流程圖。方法200可以包括：使用適用于互補(bǔ)金屬氧化物半導(dǎo)體(CMOS)工藝的一個(gè)或多個(gè)工藝步驟形成MEMS納米結(jié)構(gòu)。方法200的流程圖從操作201開始。在操作201中，將一部分襯底凹進(jìn)(recessed)，從而形成了多個(gè)臺(tái)面(mesa)。然后，方法200繼續(xù)操作202，其中，在襯底上方沉積了反光層來覆蓋每個(gè)臺(tái)面。方法200繼續(xù)操作203，其中，在反光層上方形成了保護(hù)層。方法200繼續(xù)操作204，其中，在保護(hù)層上方形成了抗反射涂布層(ARC)。方法200繼續(xù)操作205，其中，在每個(gè)臺(tái)面之上的ARC層之上的光刻膠層中形成了開口。方法200繼續(xù)操作206，其中，通過開口去除部分ARC層、保護(hù)層和反光層，從而暴露出每個(gè)臺(tái)面的頂面。方法200繼續(xù)操作207，其中，去除了每個(gè)臺(tái)面的頂面之上的光刻膠層和ARC層。可以理解，方法200包括具有典型的CMOS技術(shù)工藝流程特征的步驟，并且因此，在此僅對(duì)其進(jìn)行簡單的描述。此外，也可以理解，在方法200之前，期間和之后，均可執(zhí)行額外的步驟。對(duì)于所述方法200的附加實(shí)施例而言，下列某些步驟可以代替或去除。圖3A和圖4至圖9是根據(jù)圖2中的方法200的各個(gè)實(shí)施例的在具有MEMS納米結(jié)構(gòu)的MEMS芯片中的結(jié)構(gòu)104在各個(gè)制造階段中的截面圖。為了更好地理解本公開的發(fā)明理念，對(duì)各個(gè)附圖進(jìn)行了簡化。參考圖3A，該圖是在執(zhí)行了操作201之后在MEMS芯片的結(jié)構(gòu)104的部分的放大截面圖。在圖3A中，將襯底102的部分凹進(jìn)，從而形成了多個(gè)臺(tái)面108。襯底102的凹進(jìn)部分形成了多個(gè)圍繞著每個(gè)臺(tái)面的凹部110。凹部110將相鄰的臺(tái)面108分隔開?？梢酝ㄟ^使用適合的光刻工藝在襯底 102上提供圖案來實(shí)現(xiàn)凹進(jìn)操作201。然后，執(zhí)行蝕刻工藝來去除襯底102的部分，從而限定出多個(gè)臺(tái)面108。該蝕刻工藝可以包括濕式蝕刻、干式蝕刻、等離子體蝕刻和/或其他適合的工藝。在一個(gè)實(shí)施例中，多個(gè)臺(tái)面108被布置成了如結(jié)構(gòu)104的俯視圖圖3B所示的陣列。圖3C是沿著圖3B中的線A-A的臺(tái)面108的透視圖。圖3A是沿著圖3B中的線A-A’的臺(tái)面108的截面圖。襯底102具有頂面102A和底面102B。凹部110從頂面102A以約為2μm到10μm的深度D延伸到襯底102中，但沒有穿透底面102B。凹部110具有內(nèi)表面110A和底面110B。臺(tái)面108具有頂面和與頂面相鄰的側(cè)壁。臺(tái)面108的頂面與襯底102的頂面102A相同。臺(tái)面108的側(cè)壁與凹部110的內(nèi)表面110A相同。在一個(gè)實(shí)例中，臺(tái)面108在平行于底面110B的平面和內(nèi)表面110A之間有內(nèi)角1(角1)，該內(nèi)角1在大約60°到85°的范圍內(nèi)。重新參看圖2，方法200繼續(xù)操作202。圖4示出了在襯底102之上沉積了用于覆蓋每個(gè)臺(tái)面108的反光層112之后，制造階段中的結(jié)構(gòu)104的截面圖。反光層112覆蓋每個(gè)凹部110的頂面102A、內(nèi)表面110A和底面110B。在一個(gè)實(shí)例中，反光層112具有在大約至大約的范圍內(nèi)的厚度。在一個(gè)實(shí)例中，臺(tái)面108和設(shè)置在臺(tái)面108的外表面(例如，頂面102A和內(nèi)表面110A)上的反光層112被配置成了微鏡(micro-mirror)。反光層112能夠增強(qiáng)臺(tái)面108的外表面(102A和110A)的反射率。在稍后的部分中圖10進(jìn)一步解釋了微鏡的操作。反光層112是一種不透明或反射材料。在一些實(shí)施例中，反光層112可以與生物實(shí)體鍵合(bio-entitybinding)相容(例如，友好)。在其他實(shí)施例中，反光層112包括金屬材料，諸如，鋁、銅、金、銀、鉻、鈦或其混合物。在本實(shí)例中，反光層112是鋁銅層(也稱之為鋁銅層112)。可以采用適合的工藝，諸如，物理汽相沉積(PVD)、化學(xué)汽相沉積(CVD)或原子層沉積來形成反光層112。在其他的實(shí)施例中，反光層112還能夠包括反光有機(jī)聚合物，諸如，包括有分散在聚合材料中的反射粒子的復(fù)合材料。重新參看圖2，方法200繼續(xù)操作203。圖5示出了在將保護(hù)層114形 成在每個(gè)臺(tái)面108上方的反光層112的上方之后，制造階段中的結(jié)構(gòu)104的截面圖。在一些實(shí)施例中，保護(hù)層114包括氧化層、氮化層或在隨后的工藝中防止在反光層112上形成金屬復(fù)合物的其他材料。在一些實(shí)例中，保護(hù)層114是沿著反光層112的頂面的共形的襯墊。保護(hù)層114的厚度T1小于凹部110的深度D。在本實(shí)例中，保護(hù)層114是氧化鋁層。在含氧的等離子體環(huán)境中處理反光層112(例如，鋁銅層)從而形成保護(hù)層114(例如，氧化鋁層)。等離子體環(huán)境包括載體氣體，諸如，He、N2或Ar。載體氣體有助于控制等離子體密度和處理均勻度。在一個(gè)實(shí)施例中，氧氣的流量在大約5標(biāo)準(zhǔn)立方厘米/分(sccm)到大約500sccm的范圍內(nèi)。N2的流量大約是等離子體環(huán)境下腔內(nèi)總氣體量的大約10％-大約90％。等離子體環(huán)境的操作功率在大約100W到大約5000W的范圍內(nèi)。等離子體環(huán)境的操作壓力從大約5mTorr至大約500mTorr。保護(hù)層114的厚度T1在大約到大約的范圍內(nèi)。在其他實(shí)例中，可以通過等離子體增強(qiáng)的化學(xué)汽相沉積(PECVD)、高縱橫比工藝(HARP)或原子層沉積(ALD)來形成保護(hù)層114。重新參看圖2，方法200繼續(xù)操作204。圖6示出了在保護(hù)層114之上形成ARC層116之后，制造階段中的結(jié)構(gòu)104的截面圖。在一些實(shí)施例中，ARC層116包括氮化鈦、氮氧化硅或在光刻膠曝光工藝中減少意外光反射的其他適合的材料。在一些實(shí)例中，ARC層116是沿著保護(hù)層114的頂面的共形的襯墊。在本實(shí)例中，ARC層116是氮化鈦層，該氮化鈦的厚度T2在大約到大約的范圍內(nèi)?？梢酝ㄟ^等離子體增強(qiáng)的化學(xué)汽相沉積(PECVD)，高縱橫比工藝(HARP)或原子層沉積(ALD)來形成ARC層116。重新參看圖2，所述方法200繼續(xù)操作205和206。圖7A是在每個(gè)臺(tái)面108上的ARC層116上的光刻膠層120中形成開口118之后，制造階段中的結(jié)構(gòu)104的截面圖。通過光刻圖案化工藝在圖6中所述結(jié)構(gòu)104之上形成的光刻膠層120在臺(tái)面108的頂面和ARC層116以上的平面上。光刻圖案化工藝包括光刻膠涂布(例如，旋涂)、軟烘、掩模對(duì)準(zhǔn)、曝光、曝光前烘烤、光刻膠顯影、清洗、干燥(硬烘)或其組合。在光刻圖案化工 藝之后，在臺(tái)面108上方形成開口118。在至少一個(gè)實(shí)例中，開口118具有在大約110nm至大約170nm的范圍內(nèi)的寬度W。有利的是光刻膠層120下的ARC層116降低了光刻膠層120中的駐波效應(yīng)。此外，開口118的寬度W的臨界尺寸(CD)能夠被準(zhǔn)確地控制。仍參看圖7A，隨后對(duì)經(jīng)過圖案化的光刻膠層120采用蝕刻工藝，從而通過開口118去除部分ARC層116、部分保護(hù)層114和部分反光層112。暴露出每個(gè)臺(tái)面108的部分頂面102A，同時(shí)將開口118限定在ARC層116、保護(hù)層114和反光層112內(nèi)。在一些實(shí)施例中，開口118能夠包括被觀察的分析物。該分析物可以包括酶、抗體、配體、縮氨酸或寡核苷酸。在至少一個(gè)實(shí)例中，開口118的寬度W只能包括分析物的一個(gè)分子。寬度W包括部分的DNA(脫氧核糖核酸)鏈和聚合酶118。圖7B示出了在形成每個(gè)臺(tái)面108的開口118的制造階段中的另一個(gè)實(shí)施例的結(jié)構(gòu)104的截面圖。在操作205和206之前，將填充材料122填充到圍繞每個(gè)臺(tái)面108的凹部中并將其平坦化成與臺(tái)面108的頂面102A基本上相齊平。暴露出頂面102A之上的部分ARC層116。然后，在暴露出的ARC層116和填充材料122之上形成光刻膠層120。在一些實(shí)例中，填充材料包括氧化硅、介電材料、多晶硅、非晶硅或其組合。在操作溫度低于300℃的情況下，通過低溫化學(xué)汽相沉積(LTCVD)來形成填充材料122以防止電信號(hào)或光信號(hào)探測損壞襯底102。有利的是，經(jīng)過平坦化的填充材料122和表面102A上的ARC層116形成了光滑的表面。該光滑的表面增強(qiáng)了隨后在該光滑表面上進(jìn)行的光刻工藝獲得更好分辨力的能力。重新參看圖2，方法200繼續(xù)圖8和9中所示的操作207。在圖8中，從結(jié)構(gòu)104中去除光刻膠層120。在一些實(shí)例中，光刻膠層120在含氧的等離子體環(huán)境中被灰化。在其他實(shí)例中，在濕化學(xué)溶液中剝離光刻膠層120。在圖9中，從結(jié)構(gòu)104中去除ARC層116。在一些實(shí)例中，濕化學(xué)溶液用于選擇性地去除ARC層116，而基本上不會(huì)蝕刻到下面的保護(hù)層114。在本實(shí)例中，ARC層116是氮化鈦層。在含H2O2的濕溶液中去除氮化鈦層。在一個(gè)實(shí)施例中，H2O2的流率在大約10標(biāo)準(zhǔn)立方厘米/分(sccm)和大約500sccm的范圍內(nèi)。操作溫度在大約40℃至大約70℃的范圍內(nèi)。在 圖7A所示的一個(gè)實(shí)例中，去除每個(gè)臺(tái)面108之上的整個(gè)ARC層116，暴露出保護(hù)層114。在圖7B所示的另一個(gè)實(shí)例中，去除填充材料112之上的暴露出的ARC層116。其余部分的ARC層116嵌入到填充材料122中。有利的是，在去除ARC層116過程中，保護(hù)層114起到保護(hù)下層的作用且防止電信號(hào)或光信號(hào)探測損害反光層112和襯底102。此外，在ARC層116和反光層112之間形成保護(hù)層114。保護(hù)層114防止任何ARC層116的殘留物(residual)與下面的反光層112反應(yīng)產(chǎn)生金屬復(fù)合物。在探測生物分子的過程中，能夠防止被觀察的分析物受到金屬復(fù)合物的干擾。在操作207之后，在MEMS芯片的結(jié)構(gòu)104中形成具有微鏡的MEMS納米結(jié)構(gòu)124。在一些實(shí)施例中，完成操作207后可以選擇性地進(jìn)行其他工藝步驟。在一些實(shí)施例中，沿著晶圓100的劃片槽106執(zhí)行機(jī)械切割或激光切割，并且襯底102被切割成了單獨(dú)的MEMS芯片103。圖10示出了生物分子探測操作中MEMS納米結(jié)構(gòu)124的放大截面圖。MEMS納米結(jié)構(gòu)124包括與襯底102的部分整體地連接的臺(tái)面108。臺(tái)面108具有與襯底102的頂面102A相應(yīng)的頂面和與該頂面相鄰且與凹部110A的側(cè)壁110A相應(yīng)的側(cè)壁面。反光層112設(shè)置了在頂面102A和側(cè)壁面110A之上。臺(tái)面108和設(shè)置在臺(tái)面108的外表面(102A和110A)上的反光層112被配置成了微鏡。保護(hù)層114被設(shè)置在反光層112之上。開口設(shè)置在保護(hù)層114和反光層112中，從而暴露出襯底102的部分頂面102A。在作為生物傳感器的探測操作過程中，分析物126被置于MEMS納米結(jié)構(gòu)124的開口中。分析物126可以包括酶、抗體、配體、縮氨酸或寡核苷酸。激發(fā)輻射源(未顯示)在分析物126上生成入射輻射。分析物126將光輸出128發(fā)射到下面的微鏡。微鏡反射光輸出128并將光輸出128傳輸至襯底102的底面102B下的探測器130。探測器130收集光輸出128并將光輸出128存儲(chǔ)在存儲(chǔ)裝置中以作分析。反光層112能夠提高臺(tái)面108的外表面(102A和110A)的反射率。本公開的一個(gè)方面描述了一種形成多個(gè)MEMS納米結(jié)構(gòu)的方法。將襯底的一部分凹進(jìn)(recessed)，從而以在該襯底中形成多個(gè)臺(tái)面(mesa)。 多個(gè)臺(tái)面中的每個(gè)均具有頂面和與該頂面相鄰的側(cè)壁面。反光層沉積在襯底之上，由此覆蓋了每個(gè)臺(tái)面的頂面和側(cè)壁面。在反光層之上形成保護(hù)層。在保護(hù)層之上形成ARC層。在每個(gè)臺(tái)面上的ARC層上的光刻膠層中形成開口。通過該開口去除部分ARC層、保護(hù)層和反光層，從而暴露出每個(gè)臺(tái)面的頂面。去除每個(gè)臺(tái)面的頂面上的光刻膠層和ARC層。本公開的另一個(gè)方面描述了一種形成多個(gè)MEMS納米結(jié)構(gòu)的方法。將襯底的一部分凹進(jìn)，從而在該襯底中形成多個(gè)臺(tái)面。多個(gè)臺(tái)面中的每個(gè)臺(tái)面均具有頂面和與該頂面相鄰的側(cè)壁面。在襯底之上沉積反光層，由此覆蓋了每個(gè)臺(tái)面的頂面和側(cè)壁面。沿著反光層共形地形成了保護(hù)層。在保護(hù)層之上形成ARC層。在每個(gè)臺(tái)面上的ARC層之上的光刻膠層中形成開口。通過該開口去除部分ARC層、保護(hù)層和反光層，從而暴露出每個(gè)臺(tái)面的頂面。在沒有基本上去除保護(hù)層的情況下，去除反光層和ARC層。本公開的另一個(gè)方面描述了一種形成多個(gè)MEMS納米結(jié)構(gòu)的方法。將襯底的一部分凹進(jìn)，從而在該襯底中形成多個(gè)臺(tái)面。多個(gè)臺(tái)面中的每個(gè)臺(tái)面均具有頂面和與該頂面相鄰的側(cè)壁面。在襯底之上沉積反光層，由此覆蓋了每個(gè)臺(tái)面的頂面和側(cè)壁面。在反光層之上形成了保護(hù)層。在保護(hù)層之上形成ARC層。圍繞著每個(gè)臺(tái)面形成填充材料，從而暴露出部分ARC層。光刻膠層中的開口形成在每個(gè)臺(tái)面上的暴露出的ARC層之上。通過開口去除部分暴露出的ARC層、保護(hù)層和反光層，從而暴露出每個(gè)臺(tái)面的頂面。去除光刻膠層和暴露出的部分ARC層。盡管已經(jīng)詳細(xì)介紹實(shí)施例以及優(yōu)點(diǎn)，但是應(yīng)該理解，可以在不背離所附權(quán)利要求限定的本發(fā)明主旨和范圍的情況下，做各種不同的改變，替換和更改。而且，本申請(qǐng)的范圍并不僅限于本說明書中描述的工藝、機(jī)器、制造、材料組分、裝置、方法和步驟的特定實(shí)施例。作為本領(lǐng)域的技術(shù)人員應(yīng)理解，通過本發(fā)明，現(xiàn)有的或今后開發(fā)的用于執(zhí)行與根據(jù)本發(fā)明所采用的所述相應(yīng)實(shí)施例基本相同的功能或獲得基本相同結(jié)果的工藝、機(jī)器、制造，材料組分、裝置、方法或步驟根據(jù)本發(fā)明可以被使用。因此，所附權(quán)利要求應(yīng)該包括在這樣的工藝、機(jī)器、制造、材料組分、裝置、方法或步驟的范圍內(nèi)。