專利名稱：自鎖圓片鍵合結(jié)構及制作方法
技術領域：
本發(fā)明涉及微機電系統(tǒng)技術領域和微納加工技術領域，特別涉及一種用于微結(jié)構制作和封裝的硅與非硅基MEMS器件、IC器件、光電器件圓片集成的自對準圓片鍵合結(jié)構及其制作方法。
背景技術：
圓片鍵合是指通過高溫高壓環(huán)境在兩種不同的圓片間形成一緊密連接的鍵合層，從而實現(xiàn)兩種不同圓片的集成，如圖I所示。由于圓片鍵合可以實現(xiàn)硅基圓片與非硅基圓片的集成，圓片鍵合技術現(xiàn)已發(fā)展為微納加工技術領域的一項核心工藝技術。圓片鍵合既可用于微機電器件的封裝，也可用于微納器件的制作。微機電器件經(jīng)
過幾十年的發(fā)展，其芯片技術已經(jīng)相當成熟，但是很多芯片卻沒有作為產(chǎn)品得到實際應用，其主要原因之一就是封裝問題。微機電器件一般采用懸浮微結(jié)構進行傳感或致動，因此其結(jié)構在劃片、貼片等封裝過程中特別容易受到損傷。而采用圓片鍵合技術將微機電器件圓片與蓋板圓片鍵合，則通過圓片級工藝將懸浮結(jié)構保護在其鍵合腔體中，從而簡化了微機電器件的封裝，降低了微機電器件的封裝成本。而通過在圓片鍵合時控制鍵合腔體的氣氛，如真空鍵合，則可進一步減小鍵合腔體中微結(jié)構工作時的損耗，從而提高微機電器件封裝后的性能，進一步提高了微機電器件的性價比。此外，通過在蓋板圓片上制作電路結(jié)構或者其它光電器件，則采用圓片鍵合技術在簡化微機電器件封裝的同時實現(xiàn)了微機電器件與讀出電路、光電模塊的圓片集成，從而進一步提高了器件的集成度，減小了微系統(tǒng)的尺寸。由于圓片鍵合時，鍵合片上一般都有微結(jié)構，圓片鍵合需要將鍵合片上的微結(jié)構進行對準鍵合。并且為提高鍵合后器件的性能，減小鍵合后器件的體積，圓片鍵合在鍵合對準方面都有較高的要求。目前，圓片對準鍵合一般采用光刻機對準和鍵合機原位對準兩種對準方法。和光刻機對準方法相比，鍵合機原位對準具有較高的鍵合對準精度。光刻機對準方法是利用光刻機將鍵合圓片進行對準，鍵合圓片對準時并未將鍵合圓片進行接觸，鍵合圓片對準后通過鍵合固定裝置轉(zhuǎn)移到鍵合機中進行鍵合。在鍵合機中通過升溫加壓的方法將對準的鍵合圓片進行接觸鍵合。由于鍵合片對準后是通過鍵合固定裝置轉(zhuǎn)移到鍵合機中，鍵合過程中需要施加外力將硅片從鍵合固定裝置中取出，從而容易導致鍵合圓片位置發(fā)生偏移，偏移量可以達到幾十到幾百微米，因此鍵合對準精度大大下降。此外，鍵合過程中由于鍵合界面鍵合材料的軟化和流動，鍵合的上下硅片在鍵合工藝中容易發(fā)生滑動，進一步增加了鍵合對準的漂移，降低了鍵合對準精度。鍵合機原位對準是先將鍵合片放入鍵合機，在鍵合機升溫后再將鍵合片在鍵合機中進行對準，使鍵合硅片相互接觸，然后再通過施加壓力將硅片在高溫環(huán)境下鍵合。由于圓片鍵合一般是通過鍵合材料在高溫高壓下軟化將上下鍵合硅片進行鍵合，鍵合過程中上下鍵合硅片的的鍵合層具有一定的流動性，因此鍵合過程中的壓力負載很容易使鍵合硅片發(fā)生滑動，從而導致鍵合對準漂移，降低了鍵合對準精度。此外，鍵合過程中的溫度變化也會弓I起中間鍵合層殘余應力的變化，從而進一步導致鍵合上下硅片的移動，降低鍵合對準精度。

發(fā)明內(nèi)容
鑒于以上所述現(xiàn)有技術的缺點，本發(fā)明的目的在于提供一種自鎖圓片鍵合結(jié)構，用于解決現(xiàn)有技術中鍵合過程中的壓力負載使鍵合硅片發(fā)生滑動，從而導致鍵合對準漂移，降低鍵合對準精度的問題。為實現(xiàn)上述目的及其他相關目的，本發(fā)明提供一種自鎖圓片鍵合結(jié)構，所述自鎖圓片鍵合結(jié)構包括設有凹槽結(jié)構的鍵合下圓片以及設有凸臺結(jié)構的鍵合上圓片；所述鍵合下圓片與所述鍵合上圓片通過所述凹槽結(jié)構與凸臺結(jié)構的配合鍵合鑲嵌在一起，形成自鎖結(jié)構。
優(yōu)選地，所述凸臺結(jié)構的高度大于或等于凹槽結(jié)構的深度。優(yōu)選地，所述凹槽結(jié)構內(nèi)設有鍵合材料層，所述鍵合材料層的厚度與所述凸臺結(jié)構的高度之和大于或等于所述凹槽結(jié)構的深度。優(yōu)選地，所述凹槽結(jié)構或所述臺外設有鍵合材料層，所述鍵合材料層的厚度小于所述凸臺結(jié)構的高度；所述凸臺結(jié)構與所述凹槽結(jié)構接觸配合。優(yōu)選地，所述鍵合下圓片上設有電路結(jié)構；所述鍵合上圓片上設有傳感器微結(jié)構。本發(fā)明還提供一種自鎖圓片鍵合結(jié)構制作方法，該制作方法包括以下步驟I)在鍵合下圓片上制作凹槽結(jié)構；2)在鍵合上圓片上制作凸臺結(jié)構；3)將鍵合下圓片和鍵合上圓片進行對準鍵合。優(yōu)選地，在形成步驟I)中的凹槽結(jié)構后在其內(nèi)部沉積形成第一鍵合材料層；在形成步驟2)中的凸臺結(jié)構后在其上部沉積形成第二鍵合材料層；所述第一鍵合材料層、第二鍵合材料層的厚度和與所述凸臺的高度之和大于或等于所述凹槽結(jié)構的深度。優(yōu)選地，所述步驟I)上的鍵合下圓片上設有第一薄膜層，所述凹槽結(jié)構形成于該第一薄膜層中；所述步驟2)上的鍵合上圓片上設有第二薄膜層，所述凹槽結(jié)構形成于該第二薄膜層中。優(yōu)選地，所述步驟I)在鍵合下圓片上制作凹槽結(jié)構之前還包括制備電路結(jié)構的步驟；所述步驟2)在鍵合上圓片上制作凸臺結(jié)構之前還包括制備傳感器微結(jié)構的步驟。本發(fā)明形成一個穩(wěn)定的自鎖結(jié)構，上下鍵合硅片在承受外界壓力和溫度變化時，將無法產(chǎn)生位移，從而提高了鍵合精度。鍵合過程中，鍵合材料雖然也會發(fā)生軟化，但由于受自鎖微結(jié)構的限制，軟化后的鍵合材料無法進行流動，從而可以避免鍵合時圓片在外界壓力和溫度負載情況下發(fā)生滑動，減小了鍵合對準漂移，提高了鍵合對準精度。


圖I顯不為傳統(tǒng)圓片鍵合結(jié)構。圖2顯示為本發(fā)明自鎖圓片鍵合結(jié)構的一種實施例結(jié)構示意圖。圖3-1至圖3-7顯示為本發(fā)明所提出的自鎖圓片鍵合結(jié)構制作流程；其中，圖3-1顯示為在鍵合下圓片上沉積一層掩膜層；圖3-2顯示為在掩膜層上制作出自鎖凹槽結(jié)構的圖形；圖3-3顯示為通過刻蝕將自鎖凹槽結(jié)構的圖形轉(zhuǎn)移到鍵合下圓片上；
圖3-4顯示為去除鍵合下圓片上的掩膜材料；圖3-5顯示為在自鎖凹槽結(jié)構內(nèi)部沉積鍵合材料；圖3-6顯示為在鍵合上圓片上制作自鎖凸臺結(jié)構，并在自鎖凸臺結(jié)構上沉積鍵合材料；圖3-7顯示為鍵合上圓片與鍵合下圓片進行對準鍵合；圖4顯示為自鎖圓片鍵合結(jié)構用于電路圓片和傳感器圓片對準鍵合。圖5顯示為無中間鍵合層的自鎖圓片鍵合鍵合結(jié)構。圖6顯示為通過在鍵合圓片薄膜上制作下凹槽和上凸臺結(jié)構獲得的自鎖圓片鍵合結(jié)構。
圖7-1顯示為在鍵合下圓片上制作自鎖凹槽結(jié)構，并在自鎖凹槽結(jié)構外圍沉積鍵合材料；圖7-2顯示為在鍵合上圓片上制作自鎖凸臺結(jié)構，并在自鎖凸臺結(jié)構外圍沉積鍵合材料；圖7-3顯示為鍵合上圓片與鍵合下圓片進行對準鍵合。元件標號說明
11鍵合K圓片
12掩膜層
14自鎖凹槽結(jié)構
15第一、第二鍵合材料層
16鍵合上圓片
17自鎖凸臺結(jié)構
18電路結(jié)構
19傳感器微結(jié)構
20第一薄膜層
21第二薄膜層
具體實施例方式以下通過特定的具體實例說明本發(fā)明的實施方式，本領域技術人員可由本說明書所揭露的內(nèi)容輕易地了解本發(fā)明的其他優(yōu)點與功效。本發(fā)明還可以通過另外不同的具體實施方式
加以實施或應用，本說明書中的各項細節(jié)也可以基于不同觀點與應用，在沒有背離本發(fā)明的精神下進行各種修飾或改變。請參閱圖2所示的一種自鎖圓片鍵合結(jié)構的實施例示意圖。需要說明的是，本實施例中所提供的圖示僅以示意方式說明本發(fā)明的基本構想，遂圖式中僅顯示與本發(fā)明中有關的組件而非按照實際實施時的組件數(shù)目、形狀及尺寸繪制，其實際實施時各組件的型態(tài)、數(shù)量及比例可為一種隨意的改變，且其組件布局型態(tài)也可能更為復雜。
請參閱圖2所示的自鎖圓片鍵合結(jié)構的一種實施例結(jié)構示意圖。本發(fā)明提出整個自對準圓片鍵合包括鍵合下圓片11，自鎖凹槽14，鍵合材料層15，鍵合上圓片16、自鎖凸臺17等五部分。上下鍵合圓片11和16通過鍵合材料層15進行圓片鍵合。自鎖凹槽結(jié)構14制作在鍵合下圓片11上，自鎖凸臺結(jié)構17制作在鍵合上圓片上16，自鎖凸臺結(jié)構鍵合時鑲嵌在自鎖凹槽結(jié)構上，而鍵合材料層15則分布在自鎖凹槽結(jié)構與自鎖凸臺結(jié)構之間。自鎖凸臺長寬尺寸和自鎖凹槽的長寬尺寸相當，當自鎖凸臺結(jié)構鑲嵌在自鎖凹槽結(jié)構中以后，將形成一個穩(wěn)定的自鎖結(jié)構。上下鍵合硅片在承受外界壓力和溫度變化時，將無法產(chǎn)生位移，從而提高了鍵合精度。鍵合過程中，鍵合材料雖然也會發(fā)生軟化，但由于受自鎖微結(jié)構的限制，軟化后的鍵合材料無法進行流動，從而可以避免鍵合時圓片在外界壓力和溫度負載情況下發(fā)生滑動，減小了鍵合對準漂移，提高了鍵合對準精度。在自鎖圓片鍵合結(jié)構中，可以選擇具有鍵合材料層15的鍵合方法也可選用無鍵合材料層15的鍵合方法。在選用具有鍵合層的鍵合方法時，為保證鍵合下圓片11的凹槽結(jié)構14和鍵合上圓片16的凸臺結(jié)構17能夠鑲嵌形成自鎖結(jié)構，要求凹槽的深度要大于鍵合材料層15的厚度。而在選用無鍵合層的鍵合方法時，為保證鍵合下圓片的凹槽結(jié)構和鍵合上圓片的凸臺結(jié)構完成接觸，要求凸臺結(jié)構要不小于凹槽結(jié)構的深度。 實施例一請參閱圖3-1至圖3-7所示，為圖2所示結(jié)構的工藝流程圖。選用具有鍵合層15的鍵合方法進行對準鍵合，鍵合下圓片凹槽結(jié)構的深度要大于鍵合層的厚度，從而保證鍵合后凹槽結(jié)構和凸臺結(jié)構能夠形成物理接觸。具體步驟如下(I)提供一鍵合下圓片11，在該鍵合下圓片11上沉積一層掩膜層12，其流程截面示意圖見圖3-1。所述鍵合下圓片的材質(zhì)屬于本領域的公知常識，在此不再贅述。(2)在掩膜層12上通過光刻或其他刻蝕方法制作出自鎖凹槽結(jié)構的圖形，其流程截面示意圖見圖3-2。(3)通過刻蝕將自鎖凹槽結(jié)構的圖形轉(zhuǎn)移到鍵合下圓片11上，在鍵合下圓片上形成自鎖凹槽結(jié)構14。其流程截面示意圖見圖3-3。(4)去除鍵合下圓片11上的剩余掩膜層，其流程截面示意圖見圖3-4。(5)在自鎖凹槽結(jié)構14的內(nèi)部沉積第一鍵合材料層15，其流程截面示意圖見圖3-5。(6)提供一鍵合上圓片16，在所述鍵合上圓片16上通過刻蝕等工藝制作與上述凹槽位置相對應的自鎖凸臺結(jié)構17，并在該自鎖凸臺結(jié)構17上沉積第二鍵合材料層15，其流程截面示意圖見圖3-6。所述鍵合下圓片的材質(zhì)屬于本領域的公知常識，在此不再贅述。(7)將鍵合上圓片與鍵合下圓片進行對準鍵合，該對準鍵合的步驟可在真空或特定氣氛環(huán)境中進行，從而實現(xiàn)對鍵合腔室內(nèi)氣氛的控制。其流程截面示意圖見圖3-7。實施例二請參閱圖4所示的另一實施例。其具體制備工藝步驟與實施例一相同，主要區(qū)別在于鍵合下圓片上具有CMOS電路結(jié)構18，而鍵合上圓片上具有與該CMOS電路結(jié)構18對應的懸浮的傳感器微結(jié)構19，所述CMOS電路結(jié)構18與所述懸浮的傳感器微結(jié)構19的制備工藝屬于本領域的公知常識，再次不再贅述。通過自鎖鍵合結(jié)構將CMOS電路和傳感器微結(jié)構進行了集成。
在本實施例中，所述凹槽結(jié)構內(nèi)沉積的第一鍵合材料層、所述凸臺結(jié)構上沉積的第二鍵合材料層的厚度之和與所述凸臺結(jié)構的高度之和大于所述凹槽的深度。便于鍵合上圓片上懸浮的傳感器微結(jié)構19收容與鍵合上下圓片鍵合后形成的間隙中。實施例三實施例三的具體實施步驟部分與實施例一相同，主要區(qū)別在于鍵合選用無鍵合材料層的鍵合(比如硅硅直接鍵合、硅玻璃直接鍵合等)，從而避免了鍵合材料層的制作工藝。由于避免了鍵合材料層的制作，因此鍵合上圓片上凸臺結(jié)構的高度應該等于或大于鍵合下圓片上凹槽結(jié)構的深度，從而保證鍵合過程中上凸臺結(jié)構和下凹槽結(jié)構能完全接觸，形成有效的鍵合。具體工藝步驟如下(I)提供一鍵合下圓片11，本實施例中，該鍵合下圓片的材料為硅或玻璃等。在該鍵合下圓片11上沉積一層掩膜層。 (2)在該掩膜層上通過光刻等方法制作出自鎖凹槽結(jié)構的圖形。(3)通過刻蝕將自鎖凹槽結(jié)構的圖形轉(zhuǎn)移到鍵合下圓片11上，在該鍵合下圓片11上形成自鎖凹槽結(jié)構14。(4)去除所述鍵合下圓片11上剩余的掩膜層。(5)提供一鍵合上圓片16，該鍵合上圓片的材料為硅或玻璃等襯底。其與所述鍵合下圓片11的材質(zhì)可以相同，也可以不同。在鍵合上圓片上采用刻蝕等工藝制作出自鎖凸臺結(jié)構17。(6)將鍵合上圓片與鍵合下圓片進行對準鍵合，其最終形成的結(jié)構示意圖見圖5。實施例四其具體實施步驟部分與實施例一相同，主要區(qū)別在于鍵合下圓片的凹槽結(jié)構和鍵合上圓片的凸臺結(jié)構都不是直接在鍵合基底上制作，而是在沉積在鍵合基底上的薄膜上制作，其結(jié)構示意圖如圖6所示。具體工藝步驟如下(I)提供一鍵合下圓片11，在該鍵合下圓片11上沉積第一薄膜層20。該第一薄膜層的材料為多晶硅、單晶硅或外延材料。(2)在該第一薄膜層20上通過光刻或其他工藝方法制作出自鎖凹槽結(jié)構。(3)提供一鍵合上圓片16，在該鍵合上圓片16上沉積第二薄膜層21。該第二薄膜層21的材料為多晶硅、單晶硅或外延材料。(4)在該第二薄膜層21上采用光刻或其他工藝方法制作出與上述自鎖凹槽結(jié)構對應的自鎖凸臺結(jié)構。(5)將鍵合上圓片與鍵合下圓片進行對準鍵合，其最終形成的結(jié)構示意圖見圖6。實施例五其具體實施步驟部分與實施例一相同，主要區(qū)別在于鍵合材料層不是制作在凹槽結(jié)構內(nèi)，而是制作在凹槽結(jié)構外圍。也可以只坐在凸臺結(jié)構外圍。所述鍵合材料層的厚度小于所述凸臺結(jié)構的高度；所述凸臺結(jié)構與所述凹槽結(jié)構接觸配合。圓片鍵合通過鍵合材料層實現(xiàn)，而對準精度則通過上下凹槽結(jié)構的自鎖實現(xiàn)。其結(jié)構示意圖如圖7-3所示。具體工藝步驟如下(I)提供一鍵合下圓片11，在該鍵合下圓片11上沉積一層掩膜層12。所述鍵合下圓片的材質(zhì)屬于本領域的公知常識，在此不再贅述。(2)在掩膜層12上通過光刻或其他刻蝕方法制作出自鎖凹槽結(jié)構的圖形。(3)通過刻蝕將自鎖凹槽結(jié)構的圖形轉(zhuǎn)移到鍵合下圓片11上，在鍵合下圓片上形成自鎖凹槽結(jié)構14。(4)去除鍵合下圓片11上的剩余掩膜層。(5)在自鎖凹槽結(jié)構14的外部沉積第一鍵合材料層15，其流程截面示意圖見圖7-1。(6)提供一鍵合上圓片16，在所述鍵合上圓片16上通過刻蝕等工藝制作與上述凹
槽位置相對應的自鎖凸臺結(jié)構17，并在該自鎖凸臺結(jié)構17外圍沉積第二鍵合材料層15，其流程截面示意圖見圖7-2。所述鍵合下圓片的材質(zhì)屬于本領域的公知常識，在此不再贅述。(7)將鍵合上圓片與鍵合下圓片進行對準鍵合，保證鍵合過程中上凸臺結(jié)構和下凹槽結(jié)構能完全接觸，形成有效的鍵合。該對準鍵合的步驟可在真空或特定氣氛環(huán)境中進行，從而實現(xiàn)對鍵合腔室內(nèi)氣氛的控制。其流程截面示意圖見圖7-3。本發(fā)明形成一個穩(wěn)定的自鎖結(jié)構，上下鍵合硅片在承受外界壓力和溫度變化時，將無法產(chǎn)生位移，從而提高了鍵合精度。鍵合過程中，鍵合材料雖然也會發(fā)生軟化，但由于受自鎖微結(jié)構的限制，軟化后的鍵合材料無法進行流動，從而可以避免鍵合時圓片在外界壓力和溫度負載情況下發(fā)生滑動，減小了鍵合對準漂移，提高了鍵合對準精度。綜上所述，本發(fā)明有效克服了現(xiàn)有技術中的種種缺點而具高度產(chǎn)業(yè)利用價值。上述實施例僅例示性說明本發(fā)明的原理及其功效，而非用于限制本發(fā)明。任何熟悉此技術的人士皆可在不違背本發(fā)明的精神及范疇下，對上述實施例進行修飾或改變。因此，舉凡所屬技術領域中具有通常知識者在未脫離本發(fā)明所揭示的精神與技術思想下所完成的一切等效修飾或改變，仍應由本發(fā)明的權利要求所涵蓋。
權利要求
1.一種自鎖圓片鍵合結(jié)構，其特征在于，所述自鎖圓片鍵合結(jié)構包括設有凹槽結(jié)構的鍵合下圓片以及設有凸臺結(jié)構的鍵合上圓片；所述鍵合下圓片與所述鍵合上圓片通過所述凹槽結(jié)構與凸臺結(jié)構的配合鍵合鑲嵌在一起，形成自鎖結(jié)構。
2.根據(jù)權利要求I所述的自鎖圓片鍵合結(jié)構，其特征在于，所述凸臺結(jié)構的高度大于或等于凹槽結(jié)構的深度。
3.根據(jù)權利要求I所述的自鎖圓片鍵合結(jié)構，其特征在于，所述凹槽結(jié)構內(nèi)設有鍵合材料層，所述鍵合材料層的厚度與所述凸臺結(jié)構的高度之和大于或等于所述凹槽結(jié)構的深度。
4.根據(jù)權利要求I所述的自鎖圓片鍵合結(jié)構，其特征在于，所述凹槽結(jié)構或所述臺外設有鍵合材料層，所述鍵合材料層的厚度小于所述凸臺結(jié)構的高度；所述凸臺結(jié)構與所述凹槽結(jié)構接觸配合。
5.根據(jù)權利要求I至4任意一項所述的自鎖圓片鍵合結(jié)構，其特征在于，所述鍵合下圓片上設有電路結(jié)構；所述鍵合上圓片上設有傳感器微結(jié)構。
6.一種自鎖圓片鍵合結(jié)構制作方法，其特征在于，該制作方法包括以下步驟 1)在鍵合下圓片上制作凹槽結(jié)構； 2)在鍵合上圓片上制作凸臺結(jié)構； 3)將鍵合下圓片和鍵合上圓片進行對準鍵合。
7.根據(jù)權利要求6所述的自鎖圓片鍵合結(jié)構制作方法，其特征在于，在形成步驟I)中的凹槽結(jié)構后在其內(nèi)部沉積形成第一鍵合材料層；在形成步驟2)中的凸臺結(jié)構后在其上部沉積形成第二鍵合材料層；所述第一鍵合材料層、第二鍵合材料層的厚度和與所述凸臺結(jié)構的高度之和大于或等于所述凹槽結(jié)構的深度。
8.根據(jù)權利要求6或7所述的自鎖圓片鍵合結(jié)構制作方法，其特征在于，所述步驟I)上的鍵合下圓片上設有第一薄膜層，所述凹槽結(jié)構形成于該第一薄膜層中；所述步驟2)上的鍵合上圓片上設有第二薄膜層，所述凹槽結(jié)構形成于該第二薄膜層中。
9.根據(jù)權利要求6所述的自鎖圓片鍵合結(jié)構制作方法，其特征在于，所述步驟I)在鍵合下圓片上制作凹槽結(jié)構之前還包括制備電路結(jié)構的步驟；所述步驟2)在鍵合上圓片上制作凸臺結(jié)構之前還包括制備傳感器微結(jié)構的步驟。
全文摘要
本發(fā)明涉及一種自鎖圓片鍵合結(jié)構及制作方法，所述自鎖圓片鍵合結(jié)構是通過鍵合下圓片上的凹槽結(jié)構和鍵合上圓片的凸臺結(jié)構進行鑲嵌形成自鎖微結(jié)構，通過下凹槽結(jié)構和上凸臺結(jié)構之間的鍵合材料鍵合或直接鍵合完成上下鍵合圓片的鍵合。其制作方法的特征是凹槽結(jié)構和凸臺結(jié)構都是在鍵合材料沉積前和鍵合前進行制作。由于自鎖微結(jié)構設計將對準鍵合后的鍵合硅片位置進行了鎖定，因此消除了鍵合過程中壓力負載和溫度負載在鍵合圓片上引入圓片位移，從而提高了鍵合對準精度。
文檔編號B81C3/00GK102874739SQ20121038272
公開日2013年1月16日 申請日期2012年10月10日 優(yōu)先權日2012年10月10日
發(fā)明者徐德輝, 熊斌, 吳國強, 姚邵康, 張德陽, 王躍林 申請人:中國科學院上海微系統(tǒng)與信息技術研究所