混合集成電路裝置及封裝方法
【專利摘要】本發(fā)明公開一種混合集成電路裝置及封裝方法，以解決混合集成電路小型化、輕量化的技術(shù)問(wèn)題。一種混合集成電路裝置，包括殼體，在殼體內(nèi)底部上設(shè)有絕緣基板，所述絕緣基板上印有導(dǎo)電圖形，所述導(dǎo)電圖形上固定有電路元件，所述殼體底部?jī)?nèi)外兩側(cè)分別設(shè)有與導(dǎo)電圖形連接的上引線和下引線，所述殼體內(nèi)部設(shè)有帶中心孔的蓋板，所述蓋板上設(shè)有安裝部件，所述安裝部件與上引線連接，所述殼體上連接有管帽。本發(fā)明相對(duì)現(xiàn)有技術(shù)具有以下優(yōu)點(diǎn)：本發(fā)明殼體底部上下兩側(cè)都設(shè)有引線，殼體內(nèi)裝有安裝部件，能同時(shí)與系統(tǒng)的其它模塊和安裝部件有電氣連接，能夠高密度安裝元件，降低整體封裝結(jié)構(gòu)的封裝體積和厚度，可以使混合集成電路元件小型化。
【專利說(shuō)明】混合集成電路裝置及封裝方法
【技術(shù)領(lǐng)域】
[0001]本發(fā)明涉及一種混合集成電路裝置及封裝方法。
【背景技術(shù)】
[0002]近幾年來(lái)，隨著電子產(chǎn)品不斷朝輕、薄、短、小方向發(fā)展，集成電路也在向高密度小型化方向發(fā)展，此外，由于產(chǎn)品的功能越來(lái)越多，使得大多數(shù)的產(chǎn)品都采用模塊化的方式整合設(shè)計(jì)。然而，在產(chǎn)品中整合多種不同功能的模塊，雖然得以使產(chǎn)品的功能大幅度增加，但是在現(xiàn)今講究產(chǎn)品小型化和精美外觀的需求之下，要如何設(shè)計(jì)出兼具產(chǎn)品體積小且功能多的產(chǎn)品，便是現(xiàn)代電子產(chǎn)品生產(chǎn)廠家極力研究的目標(biāo)。
[0003]另外，為了使電子產(chǎn)品迅速向小型化發(fā)展。在半導(dǎo)體制造方面，便是不斷地通過(guò)越來(lái)越高端的技術(shù)制造出體積較小的芯片或元件，以使應(yīng)用的模塊廠家相對(duì)得以設(shè)計(jì)出較小的功能模塊，進(jìn)行可以讓終端產(chǎn)品得到更有效的利用。
[0004]專利CN202652063U中提到一種混合集成電路用陶瓷封裝外殼，該專利包括陶瓷殼體、上基片和下基片，所述的陶瓷管殼內(nèi)部設(shè)有連接電路用的引出端焊臺(tái)和內(nèi)部焊臺(tái)，陶瓷殼體的外壁上設(shè)有與引出端焊臺(tái)相連的管腳，上基片安裝于內(nèi)部焊臺(tái)上，下基片安裝于陶瓷管殼的底部。這種用陶瓷封裝管殼的混合集成電路采用多層基板布置的方式，可實(shí)現(xiàn)元件的立體布置，縮小基板面積，減小封裝產(chǎn)品的尺寸和體積，但是這種材質(zhì)的管殼尺寸有限，不適合電路板面積較大的混合集成電路封裝。
[0005]在現(xiàn)有的技術(shù)中，盡管采用不同的方案達(dá)到了產(chǎn)品小型化、多功能化的目的，但是，這些技術(shù)中的殼體都是單側(cè)引出引線，只能在殼體的單側(cè)與系統(tǒng)中的其它模塊進(jìn)行電氣連接。然而，在一些特殊的應(yīng)用中，還需要與安裝部件等電氣連接時(shí)，需要將安裝部件放置在另外的裝置中，然后再與混合集成電路連接，這樣就占據(jù)了整個(gè)系統(tǒng)很大的面積，這對(duì)混合集成電路小型化、輕量化是一種限制。

【發(fā)明內(nèi)容】

[0006]本發(fā)明的目的是提供一種混合集成電路裝置，以解決混合集成電路小型化、輕量化的技術(shù)問(wèn)題。
[0007]本發(fā)明的另一個(gè)目的是提供一種混合集成電路裝置的封裝方法。
[0008]為了達(dá)到上述目的，本發(fā)明采用以下技術(shù)方案:一種混合集成電路裝置，包括殼體，在殼體內(nèi)底部上設(shè)有絕緣基板，所述絕緣基板上印有導(dǎo)電圖形，所述導(dǎo)電圖形上固定有電路元件，所述殼體底部?jī)?nèi)外兩側(cè)分別設(shè)有與導(dǎo)電圖形連接的上引線和下引線，所述殼體內(nèi)部設(shè)有帶中心孔的蓋板，所述蓋板上設(shè)有安裝部件，所述安裝部件與上引線連接，所述殼體上連接有管帽。
[0009]作為本發(fā)明的改進(jìn)，所述導(dǎo)電圖形與上引線焊接，所述導(dǎo)電圖形與下引線為鍵合連接，所述安裝部件與上引線為鍵合連接。
[0010]作為本發(fā)明的進(jìn)一步改進(jìn)，上引線底端到殼體外底部的距離為0.8-1.2mm，所述上引線底端通過(guò)玻璃絕緣子覆蓋，所述玻璃絕緣子的直徑為上引線直徑的3-4倍，所述下引線頂端高出殼體內(nèi)底部，下引線頂端高度不小于下引線直徑的2倍。
[0011]作為本發(fā)明的進(jìn)一步改進(jìn)，所述殼體內(nèi)部設(shè)有固定蓋板的殼體內(nèi)臺(tái)階，所述殼體內(nèi)臺(tái)階的寬度為0.5-0.9mm,所述殼體外部設(shè)有固定管帽的殼體外臺(tái)階,所述殼體外臺(tái)階的寬度為 0.4-0.8mm。
[0012]作為本發(fā)明的進(jìn)一步改進(jìn)，所述絕緣基板上設(shè)有分別與上引線和下引線相對(duì)應(yīng)的上引線通孔和下引線通孔，所述上引線通孔和下引線通孔的直徑分別比上引線和下引線的直徑大0.2-0.4mm，所述絕緣基板設(shè)置兩條平行邊帶。
[0013]作為本發(fā)明的進(jìn)一步改進(jìn)，所述管帽上設(shè)有封帽筋和管帽外緣，封帽筋距管帽邊緣的距離為0.4-0.6mm，封帽筋距管帽外緣底部的高度為0.18-0.2 mm，管帽外緣的寬度等于殼體外臺(tái)階的寬度L2，管帽外緣厚度小于0.4mm。
[0014]作為本發(fā)明的進(jìn)一步改進(jìn)，所述蓋板上設(shè)有與上引線對(duì)應(yīng)的蓋板通孔，所述蓋板通孔與所述上引線通孔的位置相對(duì)應(yīng)，所述蓋板通孔的直徑比上引線的直徑大0.2-0.4mm,所述蓋板上中心孔的直徑為0.1-0.3mm。
[0015]一種混合集成電路裝置的封裝方法，包括以下步驟:
A、固定絕緣基片:將絕緣基片上的上引線通孔和下引線通孔分別對(duì)準(zhǔn)上引線和下引線，使上引線和下引線穿過(guò)絕緣基片，再將絕緣基片固定在殼體內(nèi)底部上；
B、連接電路元件:將包括半導(dǎo)體芯片和電容元件的電路元件安裝在絕緣基片上，使絕緣基片上的導(dǎo)電圖形與上引線和下引線連接；
C、封蓋板:制作和蓋板大小一樣的環(huán)氧膜，將環(huán)氧膜放置在蓋板上，輕壓環(huán)氧膜使其與蓋板緊貼，再將粘接有環(huán)氧膜的蓋板固定到殼體內(nèi)臺(tái)階上，放入溫度為150-160°C的烘箱中烘焙 115-125min ；
D、存儲(chǔ)后充氮?dú)?將已封蓋的殼體放置在溫度為145-155°C充氮烘箱中存儲(chǔ)48小時(shí)，通過(guò)蓋板的中心孔充入氮?dú)?，使殼體內(nèi)腔中的電路元件處在氮?dú)獗Ｗo(hù)狀態(tài)，最后再將中心孔用密封樹脂密封；
E、固定安裝部件:制作和安裝部件大小一樣的環(huán)氧膜片，將環(huán)氧膜片放置在安裝部件的下面，輕壓安裝部件使其與環(huán)氧膜片緊貼，放入溫度為150-160°C的烘箱中烘焙115-125min后取出晾至室溫后，再將安裝部件與上引線進(jìn)行連接；
F、封管帽:將安裝有電路元件和安裝部件的殼體和管帽放入溫度為145-155°C的充氮烘箱中存儲(chǔ)4小時(shí)，然后放入溫度為120-130°C的異性封帽機(jī)烘箱內(nèi)烘焙4小時(shí)，烘焙環(huán)境為真空環(huán)境，真空度為85-95kPa，烘焙完畢后停止抽真空，在烘箱內(nèi)充入氮?dú)夥庋b。
[0016]作為本發(fā)明的進(jìn)一步改進(jìn)，所述步驟A中絕緣基片粘接在殼體內(nèi)底部上，將粘接有絕緣基片的殼體放入溫度為150-160°C的烘箱中烘焙60-70min。
[0017]作為本發(fā)明的進(jìn)一步改進(jìn)，所述步驟C中制作環(huán)氧膜時(shí)，按照蓋板的尺寸制作模具，將模具豎直放置在環(huán)氧膜板上，使模具和蓋板尺寸相同的面接觸環(huán)氧膜板，再敲擊模具形成尺寸和蓋板大小一樣的環(huán)氧膜。
[0018]本發(fā)明相對(duì)現(xiàn)有技術(shù)具有以下優(yōu)點(diǎn):本發(fā)明殼體底部上下兩側(cè)都設(shè)有引線，殼體內(nèi)裝有安裝部件，能同時(shí)與系統(tǒng)的其它模塊和安裝部件有電氣連接，不需要將安裝部件放置在另外的裝置中，而是將安裝部件固定在混合集成電路模塊內(nèi)部，組成一個(gè)整體的裝置，能夠高密度安裝元件，降低整體封裝結(jié)構(gòu)的封裝體積和厚度，可以使混合集成電路元件小型化，同時(shí)可以簡(jiǎn)化生產(chǎn)工序，降低成本。本發(fā)明結(jié)構(gòu)新穎、設(shè)計(jì)巧妙、封裝容易、引線連接可靠、特別適合于大批量生產(chǎn)。
【專利附圖】

【附圖說(shuō)明】
[0019]圖1為混合集成電路裝置的結(jié)構(gòu)示意圖；
圖2為混合集成電路裝置不安裝管帽時(shí)的仰視圖；
圖3為混合集成電路裝置上下兩側(cè)都有引線的殼體的結(jié)構(gòu)示意圖；
圖4為混合集成電路裝置安裝有電路元件的絕緣基片的結(jié)構(gòu)示意圖；
圖5為混合集成電路裝置蓋板的結(jié)構(gòu)示意圖；
圖6為混合集成電路裝置管帽的結(jié)構(gòu)示意圖；
圖7為圖6中A部局部放大圖。
[0020]圖8為混合集成電路裝置封裝方法制作環(huán)氧膜的示意圖。
[0021]附圖標(biāo)記含義如下:1.下引線，2.絕緣基片，3.殼體內(nèi)底部，4.殼體外底部，5A.半導(dǎo)體芯片，5B.電容元件，6.導(dǎo)電圖形，7.玻璃絕緣子，8.殼體內(nèi)腔，9.殼體，11.環(huán)氧膜片，12.安裝部件，13.上引線，14.蓋板，15.殼體內(nèi)臺(tái)階，16.管帽，17.殼體外臺(tái)階，20.蓋板通孔，21.中心孔，22平行邊帶，23.管帽外緣，24.環(huán)氧膜板，25.環(huán)氧膜，26.模具，19A.上引線通孔，19B.下引線通孔，LI一殼體內(nèi)臺(tái)階的寬度，L2—?dú)んw外臺(tái)階的寬度，L3—上引線底端到殼體外底部 的距離，L4一下引線頂端高度，L5—封帽筋距管帽邊緣的距離，L6—封帽筋距管帽外緣底部的高度，L7—管帽外緣的寬度，L8—管帽外緣厚度，Φ?—蓋板的直徑，Odl—?dú)んw內(nèi)臺(tái)階的內(nèi)徑，Φ(12—?dú)んw內(nèi)臺(tái)階的外徑，Φ(13—?dú)んw外臺(tái)階的內(nèi)徑，Φ(14—玻璃絕緣子的直徑。
【具體實(shí)施方式】
[0022]下面的實(shí)施方式可以進(jìn)一步說(shuō)明本發(fā)明，但不以任何方式限制本發(fā)明。
[0023]如圖1-3所示，一種混合集成電路裝置，包括材料采用90%以上的可伐4J29殼體9，在殼體內(nèi)底部3上設(shè)有絕緣基板2，絕緣基板2上印有導(dǎo)電圖形6，導(dǎo)電圖形6上固定有電路元件，殼體9底部?jī)?nèi)外兩側(cè)分別設(shè)有與導(dǎo)電圖形6連接的上引線13和下引線1，導(dǎo)電圖形6與上引線13焊接，導(dǎo)電圖形6與下引線I為鍵合連接，上引線13沒有伸出殼體外底部4，上引線底端到殼體外底部的距離L3為0.8-1.2mm，上引線13底端通過(guò)玻璃絕緣子7覆蓋，防止上引線13出頭引起電磁干擾，玻璃絕緣子7的直徑Φ(14為上引線13直徑的3-4倍，提高上引線13與殼體9之間的絕緣強(qiáng)度。下引線I的頂端高出殼體內(nèi)底部，下引線頂端高度高度L4不小于為下引線直徑的2倍，否則，鍵合強(qiáng)度受到影響。殼體9內(nèi)部設(shè)有殼體內(nèi)臺(tái)階15，殼體內(nèi)臺(tái)階的寬度LI為0.5-0.9mm,殼體內(nèi)臺(tái)階15上設(shè)有帶中心孔21的蓋板14，蓋板14上設(shè)有與上引線13鍵合連接的安裝部件12，殼體9外部設(shè)有固定管帽16的外臺(tái)階17，殼體外臺(tái)階的寬度L2為0.4-0.8mm。
[0024]如圖4所示，絕緣基板2上設(shè)有分別與上引線13和下引線I相對(duì)應(yīng)的上引線通孔19A和下引線通孔19B，上引線通孔19A和下引線通孔19B的直徑分別比上引線13和下引線I的直徑大0.2-0.4mm,以便于上下引線同時(shí)順利穿過(guò)絕緣基片2，將圓形的絕緣基板2設(shè)置兩條平行邊帶22，以便于固定絕緣基片2。在本實(shí)施方式中，上引線通孔19A與上引線13的數(shù)量相同，共有4個(gè)，下引線通孔19B與下引線I的數(shù)量相同，共有6個(gè)。當(dāng)然，上引線和下引線的數(shù)量依據(jù)需要而定，并不是固定的。
[0025]如圖5所示，蓋板14上設(shè)有與上引線13對(duì)應(yīng)的蓋板通孔20，蓋板通孔20的直徑比上引線13的直徑大0.2-0.4mm,以便于上引線13順利穿過(guò)蓋板14 ;并且蓋板14的直徑Φ(1應(yīng)該在殼體內(nèi)側(cè)臺(tái)階15的中間，即Φd= (Φd1-Φd2)/2。Φd1為殼體內(nèi)臺(tái)階15的內(nèi)徑，Φd2為殼體內(nèi)臺(tái)階15的外徑，蓋板14上的中心孔21的直徑為0.1-0.3mm，便于封蓋之后充入氮?dú)?，使殼體內(nèi)腔8中的電路元件處在氮?dú)獗Ｗo(hù)狀態(tài)。此外，中心孔21也可以在蓋板14的其它位置。
[0026]如圖7所示，所述管帽16上設(shè)有封帽筋10和管帽外緣23，管帽16的內(nèi)側(cè)直徑設(shè)
置成φd3+0.10,而將殼體外臺(tái)階17的內(nèi)徑φ d3設(shè)置為使管帽16和殼體9剛好緊密
結(jié)合，實(shí)現(xiàn)無(wú)縫隙封裝。為了產(chǎn)品氣密性良好，封帽筋距管帽邊緣的距離L5為0.4-0.6mm,封帽筋距管帽外緣底部的高度L6為0.18-0.2mm，管帽外緣的寬度L7等于殼體外臺(tái)階的寬度L2，使殼體9和管帽16在封帽后形成一體化，整個(gè)裝置看起來(lái)更加美觀，管帽外緣厚度L8 小于 0.4mm。
[0027]—種混合集成電路裝置的封裝方法，包括以下步驟:
A、固定絕緣基片:將絕緣基片2上的上引線通孔19A和下引線通孔19B分別對(duì)準(zhǔn)上引線13和下引線1，使上引線13和下引線I同時(shí)穿過(guò)絕緣基片2，再將絕緣基片2粘接在殼體內(nèi)底部3上；絕緣基片2也可以采用焊接的方式固定到殼體內(nèi)底部3上，當(dāng)混合集成電路裝置中所使用的電路元件為非功率器件時(shí)，采用粘接方式；當(dāng)此電路元件為功率器件時(shí)，采用焊接方式。采用粘接方式時(shí)，將粘接有絕緣基片2的殼體9放入自制150-160°C的烘箱中烘焙60-70min。采用焊接方式時(shí)用載流焊方式；
B、連接電路元件:半導(dǎo)體芯片(5A)借助于導(dǎo)電性粘合劑被固定在絕緣基片2上，通過(guò)焊接安裝電容元件(5B)到絕緣基片2上，導(dǎo)電圖形6通過(guò)焊接工藝與上引線13連接，并通過(guò)鍵合工藝與下引線1連接。此外，其中的導(dǎo)電圖形6也可以通過(guò)焊接工藝與下引線I連接。
[0028]C、封蓋板:如圖8所示，制作環(huán)氧膜25時(shí)，按照蓋板14的尺寸制作模具26，將模具26豎直放置在環(huán)氧膜板24上，使模具26和蓋板14尺寸相同的面接觸環(huán)氧膜板24，再用鐵錘敲擊模具26形成尺寸和蓋板14大小一樣的環(huán)氧膜25。將環(huán)氧膜25放置在蓋板14上，輕壓環(huán)氧膜25使其與蓋板14緊貼，再將粘接有環(huán)氧膜25的蓋板14固定到殼體內(nèi)臺(tái)階15上，放入溫度為150-160°C的烘箱中烘焙115-125min ；
D、存儲(chǔ)后充氮?dú)?將已封蓋的殼體9放置在溫度為145-155°C充氮烘箱中存儲(chǔ)48小時(shí)，通過(guò)蓋板14的中心孔21充入氮?dú)?，使殼體內(nèi)腔8中的電路元件處在氮?dú)獗Ｗo(hù)狀態(tài)，最后再將中心孔21用密封樹脂密封；
E、固定安裝部件:制作和安裝部件12大小一樣的環(huán)氧膜片11，將環(huán)氧膜片11放置在安裝部件12的下面，輕壓安裝部件12使其與環(huán)氧膜片11緊貼，放入溫度為150-160°C的烘箱中烘焙115-125min后取出晾至室溫后，再將安裝部件12與上引線13通過(guò)鍵合工藝進(jìn)行連接； F、封管帽:采用ACW-WZCD5200異性封帽機(jī)進(jìn)行封裝，本工序借助于異性封帽系統(tǒng)，在高純度氮?dú)猸h(huán)境下(99.9%)下，利用電容的儲(chǔ)能原理，將電荷貯存在電容內(nèi)部，當(dāng)上下模與管基接觸時(shí)，利用電容的瞬間放電，在殼體9和管帽16接觸處就會(huì)形成一個(gè)接觸電阻分布均勻的封焊環(huán)，使殼體9與管帽16可靠的熔焊在一起。
[0029]將安裝有電路元件和安裝部件12的殼體9和管帽16放入溫度為145_155°C的潔凈充氮烘箱中存儲(chǔ)4小時(shí)，然后放入溫度為120-130°C的異性封帽機(jī)烘箱內(nèi)烘焙4小時(shí)，烘焙環(huán)境為真空環(huán)境，真空度為85-95kPa ;烘焙完畢后停止抽真空，將烘箱內(nèi)充入氮?dú)?，為保證產(chǎn)品氣密性要求，根據(jù)殼體9制作配套的封裝模具，再根據(jù)儲(chǔ)能焊參數(shù)設(shè)置經(jīng)驗(yàn)，對(duì)管基進(jìn)行工藝參數(shù)設(shè)置并試封，嚴(yán)格控制儲(chǔ)能焊參數(shù)，封帽充電電壓:400?700 V ;系統(tǒng)壓力:50kPa?70kPa ;接觸時(shí)間:50?70個(gè)周期；保持時(shí)間:50?70個(gè)周期；內(nèi)部水汽含量< 5000ppmo
[0030]封焊時(shí)對(duì)溫度、壓力、時(shí)間控制要嚴(yán)格、明確，防止由于參數(shù)設(shè)置不合適而影響產(chǎn)品的氣密性甚至造成管基的損傷。
[0031]以上所述僅為本發(fā)明的較佳可行實(shí)施例，并非因此限制本發(fā)明的專利范圍。故凡是運(yùn)用本發(fā)明的技術(shù)方案及【專利附圖】

【附圖說(shuō)明】的等效技術(shù)變化，均包含于本發(fā)明的技術(shù)范圍內(nèi)。
【權(quán)利要求】
1.一種混合集成電路裝置，包括殼體(9)，在殼體內(nèi)底部(3)上設(shè)有絕緣基板(2)，所述絕緣基板(2)上印有導(dǎo)電圖形(6)，所述導(dǎo)電圖形(6)上固定有電路元件，其特征在于:所述殼體(9)底部?jī)?nèi)外兩側(cè)分別設(shè)有與導(dǎo)電圖形(6)連接的上引線(13)和下引線(1)，所述殼體(9)內(nèi)部設(shè)有帶中心孔(21)的蓋板(14)，所述蓋板(14)上設(shè)有安裝部件(12)，所述安裝部件(12)與上引線(13)連接，所述殼體(9)上連接有管帽(16)。
2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的一種混合集成電路裝置，其特征在于:所述導(dǎo)電圖形(6)與上引線(13)焊接，所述導(dǎo)電圖形(6)與下引線(I)為鍵合連接，所述安裝部件(12)與上引線(13)為鍵合連接。
3.根據(jù)權(quán)利要求1或2所述的一種混合集成電路裝置，其特征在于:上引線底端到殼體外底部的距離(L3)為0.8-1.2mm，所述上引線(13)底端通過(guò)玻璃絕緣子(7)覆蓋，所述玻璃絕緣子(7)的直徑為上引線(13)直徑的3-4倍，所述下引線(I)頂端高出殼體內(nèi)底部，下引線頂端高度(L4)不小于下引線(I)直徑的2倍。
4.根據(jù)權(quán)利 要求3所述的一種混合集成電路裝置，其特征在于:所述殼體(9)內(nèi)部設(shè)有固定蓋板(14)的殼體內(nèi)臺(tái)階(15),所述殼體內(nèi)臺(tái)階的寬度為0.5-0.9mm,所述殼體(9)夕卜部設(shè)有固定管帽(16)的殼體外臺(tái)階(17)，所述殼體外臺(tái)階(17)的寬度為0.4-0.8mm。
5.根據(jù)權(quán)利要求4所述的一種混合集成電路裝置，其特征在于:所述絕緣基板(2)上設(shè)有分別與上引線(13)和下引線(I)相對(duì)應(yīng)的上引線通孔(19A)和下引線通孔(19B)，所述上引線通孔(19A)和下引線通孔(19B)的直徑分別比上引線(13)和下引線(I)的直徑大0.2-0.4mm，所述絕緣基板(2)設(shè)置兩條平行邊帶(22)。
6.根據(jù)權(quán)利要求5所述的一種混合集成電路裝置，其特征在于:所述管帽(16)上設(shè)有封帽筋(10)和管帽外緣(23)，封帽筋距管帽邊緣的距離為0.4-0.6mm，封帽筋距管帽外緣底部的高度為0.18-0.2 mm，管帽外緣的寬度(L7)等于殼體外臺(tái)階的寬度L2，管帽外緣厚度(L8)小于 0.4mm。
7.根據(jù)權(quán)利要求6所述的一種混合集成電路裝置，其特征在于:所述蓋板(14)上設(shè)有與上引線(13)對(duì)應(yīng)的蓋板通孔(20)，所述蓋板通孔(20)與所述上引線通孔(19A)的位置相對(duì)應(yīng)，所述蓋板通孔(20)的直徑比上引線(13)的直徑大0.2-0.4mm,所述蓋板(14)上中心孔(21)的直徑為0.1-0.3mmο
8.一種混合集成電路裝置的封裝方法，其特征在于:包括以下步驟: A、固定絕緣基片:將絕緣基片(2)上的上引線通孔(19A)和下引線通孔(19B)分別對(duì)準(zhǔn)上引線(13)和下引線(1)，使上引線(13)和下引線(I)穿過(guò)絕緣基片(2)，再將絕緣基片(2)固定在殼體內(nèi)底部(3)上； B、連接電路元件:將包括半導(dǎo)體芯片(5A)和電容元件(5B)的電路元件安裝在絕緣基片(2)上，使絕緣基片(2)上的導(dǎo)電圖形(6)與上引線(13)和下引線(I)連接； C、封蓋板:制作和蓋板(14)大小一樣的環(huán)氧膜(25),將環(huán)氧膜(25)放置在蓋板(14)上，輕壓環(huán)氧膜(25)使其與蓋板(14)緊貼，再將粘接有環(huán)氧膜(25)的蓋板(14)固定到殼體內(nèi)臺(tái)階(15)上，放入溫度為150-160°C的烘箱中烘焙115-125min ； D、存儲(chǔ)后充氮?dú)?將已封蓋的殼體(9)放置在溫度為145-155°C充氮烘箱中存儲(chǔ)48小時(shí)，通過(guò)蓋板(14)的中心孔(21)充入氮?dú)猓箽んw內(nèi)腔(8)中的電路元件處在氮?dú)獗Ｗo(hù)狀態(tài)，最后再將中心孔(21)用密封樹脂密封；E、固定安裝部件:制作和安裝部件(12)大小一樣的環(huán)氧膜片(11)，將環(huán)氧膜片(11)放置在安裝部件(12)的下面，輕壓安裝部件(12)使其與環(huán)氧膜片(11)緊貼，放入溫度為150-160°C的烘箱中烘焙115-125min后取出晾至室溫后，再將安裝部件(12)與上引線(13)進(jìn)行連接； 封管帽:將安裝有電路元件和安裝部件(12)的殼體(9)和管帽(16)放入溫度為145-155°C的充氮烘箱中存儲(chǔ)4小時(shí)，然后放入溫度為120-130°C的異性封帽機(jī)烘箱內(nèi)烘焙4小時(shí)，烘焙環(huán)境為真空環(huán)境，真空度為85-95kPa，烘焙完畢后停止抽真空，在烘箱內(nèi)充入氮?dú)夥庋b。
9.根據(jù)權(quán)利要求8所述的一種混合集成電路裝置的封裝方法，其特征在于:所述步驟A中絕緣基片(2)粘接在殼體內(nèi)底部(3)上，將粘接有絕緣基片(2)的殼體(9)放入溫度為150-160°C的烘箱中烘焙60-70min。
10.根據(jù)權(quán)利要求9所述的一種混合集成電路裝置的封裝方法，其特征在于:所述步驟C中制作環(huán)氧膜(25)時(shí)，按照蓋板(14)的尺寸制作模具(26)，將模具(26)豎直放置在環(huán)氧膜板(24)上，使模具(26)和蓋板(14)尺寸相同的面接觸環(huán)氧膜板(24)，再用敲擊模具(26)形成尺寸和蓋板(14)大 小一樣的環(huán)氧膜(25)。
【文檔編號(hào)】B81B7/00GK103435001SQ201310336288
【公開日】2013年12月11日 申請(qǐng)日期:2013年8月5日 優(yōu)先權(quán)日:2013年8月5日
【發(fā)明者】張興安, 王慧梅 申請(qǐng)人:天水華天微電子股份有限公司