混合集成部件的制作方法
【專利摘要】提出用于具有至少一個(gè)MEMS構(gòu)件(10)并且具有至少一個(gè)由半導(dǎo)體材料制成的罩(20)的部件(100)的措施，通過所述措施能夠使得所述罩(20)除其作為空腔的封閉和微機(jī)械結(jié)構(gòu)的保護(hù)的機(jī)械功能之外，配備有電功能。這種部件(100)的MEMS構(gòu)件(10)的微機(jī)械結(jié)構(gòu)設(shè)置在載體(1)與所述罩(20)之間的空腔中，并且包括至少一個(gè)結(jié)構(gòu)元件(11)，所述至少一個(gè)結(jié)構(gòu)元件能夠在空腔內(nèi)從構(gòu)件層面向外偏轉(zhuǎn)。根據(jù)本發(fā)明，所述罩(20)應(yīng)包括至少一個(gè)在所述罩(20)的整個(gè)厚度上延伸的區(qū)段(21，22)，所述至少一個(gè)區(qū)段與相鄰的半導(dǎo)體材料電絕緣，使得其能夠與所述罩(20)的其余區(qū)段無關(guān)地電接通。
【專利說明】混合集成部件
【技術(shù)領(lǐng)域】
[0001]本發(fā)明涉及一種具有至少一個(gè)MEMS(微機(jī)電系統(tǒng))構(gòu)件和具有至少一個(gè)由半導(dǎo)體材料制成的罩的部件，其中，所述MEMS構(gòu)件的微機(jī)械結(jié)構(gòu)設(shè)置在載體與罩之間的空腔中，并且包括至少一個(gè)結(jié)構(gòu)元件，所述至少一個(gè)結(jié)構(gòu)元件能夠在空腔內(nèi)從構(gòu)件層面向外偏轉(zhuǎn)。
【背景技術(shù)】
[0002]具有MEMS構(gòu)件的部件多年來對于最不同的應(yīng)用、例如在汽車技術(shù)和消費(fèi)者電子的領(lǐng)域內(nèi)被批量加工制造。所述MEMS構(gòu)件可以是一種具有探測裝置的用于檢測微機(jī)械結(jié)構(gòu)元件的偏轉(zhuǎn)的傳感器元件，或是一種具有驅(qū)動裝置的用于控制可偏轉(zhuǎn)的結(jié)構(gòu)元件的執(zhí)行器元件。罩保護(hù)MEMS構(gòu)件的微機(jī)械結(jié)構(gòu)免受如顆粒、潮濕和侵入性環(huán)境介質(zhì)的環(huán)境影響。此外，在嚴(yán)密密封地裝配罩的情況下可以在空腔內(nèi)建立所定義的壓力比。
[0003]US2011 / 0049652A1提出一種用于垂直混合集成部件的方案，根據(jù)該方案，由ASIC、MEMS和罩構(gòu)成芯片堆疊。在此描述的方法中，將用于MEMS構(gòu)件的初始襯底鍵合到已經(jīng)處理過的ASIC襯底上。然后才在MEMS襯底中產(chǎn)生包括至少一個(gè)可偏轉(zhuǎn)的結(jié)構(gòu)元件的微機(jī)械結(jié)構(gòu)。與此無關(guān)地，由半導(dǎo)體材料制成的罩被結(jié)構(gòu)化并且被預(yù)先準(zhǔn)備用于在ASIC襯底的微機(jī)械結(jié)構(gòu)上和ASIC襯底上的裝配。在MEMS襯底的結(jié)構(gòu)化之后將如此經(jīng)過處理的罩晶片鍵合到ASIC襯底上，從而以嚴(yán)密密封的方式將微機(jī)械結(jié)構(gòu)包圍在ASIC襯底和罩之間的空腔中。
[0004]在US2011 / 0049652A1中所述的部件配備有電容器裝置，視MEMS功能而定，能夠?qū)⒃撾娙萜餮b置用于檢測外部引起的結(jié)構(gòu)元件偏轉(zhuǎn)，或也用于控制可偏轉(zhuǎn)的結(jié)構(gòu)元件，也就是使其運(yùn)動。為此，所述電容器裝置包括至少一個(gè)在MEMS構(gòu)件的可偏轉(zhuǎn)的結(jié)構(gòu)元件上的可偏轉(zhuǎn)的電極，并且包括一些在ASIC襯底表面上的結(jié)構(gòu)化的金屬層中構(gòu)造的固定電極。

【發(fā)明內(nèi)容】

[0005]借助本發(fā)明提出一些措施，通過所述措施能夠使得一開始提到的類型的部件的罩除其作為空腔的封閉和微機(jī)械結(jié)構(gòu)的保護(hù)的機(jī)械功能之外，配備有電功能。
[0006]這根據(jù)本發(fā)明通過以下方式實(shí)現(xiàn):罩包括至少一個(gè)在該罩的整個(gè)厚度上延伸的區(qū)段，所述至少一個(gè)區(qū)段如此與相鄰的半導(dǎo)體材料電絕緣，使得其能夠與罩的其余區(qū)段無關(guān)地電接通。
[0007]因此根據(jù)本發(fā)明，在罩的整個(gè)厚度上延伸的各個(gè)區(qū)段電退耦。這開辟了以下可能性:將多個(gè)相互無關(guān)的電功能集成到罩中，更確切地說，將其分別集成到罩的電絕緣區(qū)段中。在最簡單的情況下，僅僅將罩的電絕緣區(qū)段置于某個(gè)所定義的電位上。但也可能的是，使罩的各個(gè)區(qū)段設(shè)有較復(fù)雜的電路功能。
[0008]原則上有不同的可能性用于實(shí)現(xiàn)和使用具有根據(jù)本發(fā)明電絕緣的區(qū)段的罩以及用于實(shí)現(xiàn)具有這種罩的部件。
[0009]有利地，借助半導(dǎo)體工藝的標(biāo)準(zhǔn)方法在罩的各個(gè)區(qū)段之間產(chǎn)生電絕緣部。在一種優(yōu)選的變型方案中，罩首先結(jié)構(gòu)化，用于通過環(huán)繞的溝槽結(jié)構(gòu)限定待絕緣的各個(gè)區(qū)段。然后以電絕緣材料完全地或至少部分地填充這些溝槽結(jié)構(gòu)。通過對罩進(jìn)行背側(cè)減薄能夠?qū)崿F(xiàn):如此產(chǎn)生的電絕緣結(jié)構(gòu)在罩晶片的整個(gè)厚度上延伸，并且各個(gè)區(qū)段電隔離。
[0010]視根據(jù)本發(fā)明的部件的MEMS構(gòu)件的功能而定，可能有利的是，罩的朝向空腔的表面是結(jié)構(gòu)化的，更確切地說，使得MEMS構(gòu)件的微機(jī)械結(jié)構(gòu)在沒有偏轉(zhuǎn)的狀態(tài)中位于相對于罩的至少一個(gè)電絕緣區(qū)段的定義間距處。借助這種結(jié)構(gòu)化，能夠在罩中產(chǎn)生例如止擋結(jié)構(gòu)作為用于可偏轉(zhuǎn)的結(jié)構(gòu)元件的機(jī)械的過載保護(hù)，所述止擋結(jié)構(gòu)處在一個(gè)所定義的電位上。通過這種方式能夠避免部件中的短路,或能夠通過電的方式探測機(jī)械接觸。
[0011]在本發(fā)明的一種特別有利的實(shí)施方式中，將罩的電絕緣區(qū)段作為電容器裝置的固定電極，用于微機(jī)械結(jié)構(gòu)的信號檢測或控制。MEMS構(gòu)件的可偏轉(zhuǎn)的結(jié)構(gòu)元件在此作為電容器裝置的至少一個(gè)可偏轉(zhuǎn)的電極的載體起作用。在這種情況下，能夠通過適當(dāng)?shù)亟Y(jié)構(gòu)化罩的朝向空腔的表面來有針對性地影響電容器裝置的電極層面之間的間距。因此，例如為了增大電極間距，可以在可偏轉(zhuǎn)的結(jié)構(gòu)元件上的區(qū)域中減小罩的厚度。
[0012]如前所述，根據(jù)本發(fā)明，能夠電接通罩的電絕緣區(qū)段。有利地，在MEMS構(gòu)件的微機(jī)械結(jié)構(gòu)上裝配罩時(shí)建立與罩的電絕緣區(qū)段的電連接，使得通過MEMS構(gòu)件和/或載體實(shí)現(xiàn)電接通。這簡化了整個(gè)部件的外部電接通。
[0013]在第一種部件變型方案中，MEMS構(gòu)件的功能以層結(jié)構(gòu)在半導(dǎo)體襯底上實(shí)現(xiàn)，所述半導(dǎo)體襯底作為載體起作用。MEMS構(gòu)件的層結(jié)構(gòu)包括至少一個(gè)印制導(dǎo)線層面和至少一個(gè)功能層，在所述至少一個(gè)功能層中構(gòu)造具有至少一個(gè)可偏轉(zhuǎn)的結(jié)構(gòu)元件的MEMS構(gòu)件的微機(jī)械結(jié)構(gòu)。印制導(dǎo)線層面一方面通過至少一個(gè)絕緣層與半導(dǎo)體襯底絕緣，另一方面通過至少一個(gè)絕緣層與功能層絕緣。在這種情況下，罩的電絕緣區(qū)段以及功能層中的MEMS功能有利地通過MEMS構(gòu)件的印制導(dǎo)線層面電接通。罩與印制導(dǎo)線層面之間的電連接例如可以通過罩與功能層之間的鍵合連接以及功能層面與印制導(dǎo)線層面之間的接觸孔來建立。
[0014]但根據(jù)本發(fā)明的部件方案也可以通過有利的方式以3層晶片堆疊形式實(shí)現(xiàn)，所述3層晶片堆疊具有:作為載體的ASIC構(gòu)件、其微機(jī)械結(jié)構(gòu)在其整個(gè)厚度上延伸的MEMS構(gòu)件、根據(jù)本發(fā)明配置的罩。在此，如此將MEMS構(gòu)件裝配在ASIC構(gòu)件上，使得在可偏轉(zhuǎn)的結(jié)構(gòu)元件與ASIC構(gòu)件的表面之間存在間隙。在這種部件變型方案中，有利地通過ASIC構(gòu)件電接通罩的電絕緣區(qū)段。在此,也可以簡單地通過鍵合連接以及必要時(shí)MEMS構(gòu)件中的覆鍍通孔建立罩與ASIC構(gòu)件之間的電連接。
[0015]如前所述，其微機(jī)械功能基于電容式探測原理或激勵(lì)原理的部件是用于根據(jù)本發(fā)明的部件方案的優(yōu)選應(yīng)用。就此而言，證明為特別有利的是，罩的電功能能夠?qū)崿F(xiàn)具有三個(gè)電極層面的差分電容器裝置。為此，給可偏轉(zhuǎn)的結(jié)構(gòu)元件配備至少一個(gè)電極，所述至少一個(gè)電極構(gòu)成這種差分電容器裝置的中間電極。然后一方面在載體上、另一方面在罩上實(shí)現(xiàn)固定的“平面外”電極。借助這類電容器裝置能夠?qū)崿F(xiàn)MEMS功能的相對較高的靈敏性，因?yàn)樵诮o定的結(jié)構(gòu)空間上增大探測裝置的面積。附加地，在微機(jī)械加速度傳感器的情況下，可以通過更過空間隔離的探測裝置實(shí)現(xiàn)改善的偏移穩(wěn)定性。在微機(jī)械轉(zhuǎn)速傳感器、尤其是平面外探測傳感器的情況下，通過將電極設(shè)置在可運(yùn)動的結(jié)構(gòu)的上方和下方，可以減小干擾效應(yīng)如彎曲和振動的影響。【專利附圖】

【附圖說明】
[0016]如前面已經(jīng)討論的，有不同的可能性，以有利的方式構(gòu)型和進(jìn)一步改進(jìn)本發(fā)明。為此，一方面參考從屬于獨(dú)立權(quán)利要求的權(quán)利要求并且另一方面借助附圖參考對本發(fā)明的兩個(gè)實(shí)施例的以下描述。
[0017]附圖1示出根據(jù)本發(fā)明的以2層晶片堆疊形式的傳感器部件100的示意剖視圖，以及
[0018]附圖2示出根據(jù)本發(fā)明的以3層晶片堆疊形式的慣性傳感器部件200的示意剖視圖。
【具體實(shí)施方式】
[0019]附圖1所示的傳感器部件100基本上由一個(gè)MEMS構(gòu)件10和一個(gè)罩20組成。
[0020]在半導(dǎo)體襯底I上以層結(jié)構(gòu)實(shí)現(xiàn)MEMS構(gòu)件10的功能。在此，所述襯底例如可以是硅襯底。層結(jié)構(gòu)包括印制導(dǎo)線層面3和功能層5。在此，以摻雜多晶硅層的形式實(shí)現(xiàn)印制導(dǎo)線層面3，所述多晶硅層例如沉積在半導(dǎo)體襯底I上的由例如氧化硅或氮化硅制成的第一絕緣層2上。但也能以例如由鋁、銅、金或鉬制成的金屬層的形式實(shí)現(xiàn)印制導(dǎo)線層面。已經(jīng)通過多晶硅層3的結(jié)構(gòu)化使得印制導(dǎo)線層面3的各個(gè)區(qū)域相互空間隔離，以便因此產(chǎn)生一些印制導(dǎo)線、一個(gè)用于微機(jī)械傳感器結(jié)構(gòu)的連接區(qū)31、以及測量電容器裝置的一個(gè)固定電極32。然后，在將例如由多晶硅制成的厚的功能層5沉積在層結(jié)構(gòu)上之前，在如此結(jié)構(gòu)化的印制導(dǎo)線層面3上首先產(chǎn)生和結(jié)構(gòu)化另一絕緣層4。絕緣層4在此用作印制導(dǎo)線層面3與功能層5之間的電絕緣部，但也可以用作犧牲層，在結(jié)構(gòu)化功能層5之后局部地去除犧牲層，以便在功能層5中暴露因此產(chǎn)生的微機(jī)械傳感器結(jié)構(gòu)。與此相應(yīng)地，犧牲層4的厚度確定微機(jī)械傳感器結(jié)構(gòu)與印制導(dǎo)線層面3中的電極32之間的間距。微機(jī)械傳感器結(jié)構(gòu)與印制導(dǎo)線層面3之間的典型的間距為0.5 μ m至3 μ m,優(yōu)選為1.0 μ m至2.0 μ m。在此所述的實(shí)施例中，微機(jī)械傳感器結(jié)構(gòu)包括一個(gè)振動質(zhì)量(seismische Masse) 11,所述振動質(zhì)量以機(jī)械和電的方式連接到印制導(dǎo)線層面3的連接區(qū)31上。振動質(zhì)量11作為測量電容器裝置的可運(yùn)動的電極起作用。
[0021]與MEMS構(gòu)件10無關(guān)地結(jié)構(gòu)化和預(yù)處理罩20。在此，根據(jù)本發(fā)明產(chǎn)生電絕緣區(qū)段
21、22，其通過在罩20的整個(gè)厚度上延伸的電絕緣部23隔開。
[0022]為此，在第一蝕刻步驟中，在罩20的表面中產(chǎn)生凹部24和25。蝕刻方法確定最終的溝槽結(jié)構(gòu)的形狀。由于在本實(shí)施例中在第一蝕刻步驟中應(yīng)用了各向同性的氫氧化鉀蝕刻法，因此凹部24和25在此呈V形。凹部24限定電絕緣區(qū)段21和22以及一個(gè)框架區(qū)域26，而通過凹部25限定用于電絕緣區(qū)段21、22的接觸區(qū)27。在第二各向異性蝕刻步驟中繼續(xù)對凹部24開槽，直至確定的深度。然后以電絕緣材料一例如氧化物填充這些絕緣溝槽23。隨后在背側(cè)以如此程度研磨(zurilckschleifen)罩20，使得填充后的絕緣溝槽23現(xiàn)在在罩20的整個(gè)剩余厚度上延伸。
[0023]然后將經(jīng)如此處理的罩20面朝下、即借助結(jié)構(gòu)化的表面裝配在MEMS構(gòu)件10的層結(jié)構(gòu)上。在此以一種鍵合方法在使用導(dǎo)電的連接材料7的情況下建立罩20與MEMS構(gòu)件10之間的機(jī)械連接和電連接。例如導(dǎo)電金屬如鋁、金、銅，摻雜的半金屬如硅或鍺，或金屬合金、優(yōu)選共晶成分的合金例如硅/金或者鋁/鍺適合于此。通過共晶成分，與純合金組分相比降低了熔化溫度，這在建立鍵合連接時(shí)帶來優(yōu)點(diǎn)。借助框架區(qū)域26中的環(huán)繞的鍵合連接7保證具有振動質(zhì)量11的傳感器結(jié)構(gòu)以嚴(yán)密密封方式包圍在MEMS襯底I與罩20之間。接觸區(qū)27中的鍵合連接7主要用于與電絕緣區(qū)段21和22的電接通，所述電絕緣區(qū)段用作測量電容器裝置的另外的固定電極。這些電極21和22通過鍵合連接7和MEMS構(gòu)件10連接到印制導(dǎo)線層面3上。
[0024]相應(yīng)地，傳感器部件100的測量電容器裝置因此包括三個(gè)電極層面，即具有固定電極32的印制導(dǎo)線層面3、具有作為可偏轉(zhuǎn)的電極的振動質(zhì)量11的功能層5、以及具有作為電容器裝置的另外的固定電極起作用的電絕緣區(qū)段21和22的罩晶片20?？梢越柚摐y量電容器裝置檢測振動質(zhì)量11的偏轉(zhuǎn)作為電容變化。
[0025]在這類電容器裝置中特別有意義和有效的是，具有固定電極32和21、22的這兩個(gè)層面相對于振動質(zhì)量11對稱地設(shè)置，即罩20的區(qū)段21、22和振動質(zhì)量11的上側(cè)之間的間距與印制導(dǎo)線層面3和振動質(zhì)量11的下側(cè)之間的間距大致同樣大。因此鍵合連接7的厚度與絕緣層或者犧牲層4的厚度有利地協(xié)調(diào)。這尤其在慣性傳感器中提供性能優(yōu)點(diǎn)。此夕卜，這有助于振動穩(wěn)健性和改善的偏移穩(wěn)定性，因?yàn)橛绕湓陔x開層面運(yùn)動的傳感器的情況下，可以實(shí)現(xiàn)電容變化的全差分分析處理。在此，在運(yùn)動時(shí)增大其中一個(gè)電容，降低另一個(gè)電容，使得在現(xiàn)有的構(gòu)造面上總共實(shí)現(xiàn)更多的信號。
[0026]與先前描述的傳感器部件100不同，附圖2所示的傳感器部件200是一個(gè)3層晶片堆疊，其具有作為載體的ASIC構(gòu)件201、其微機(jī)械結(jié)構(gòu)在構(gòu)件的整個(gè)厚度上延伸的MEMS構(gòu)件210、以及罩220。
[0027]ASIC構(gòu)件201包括初始襯底202，電路功能204集成到所述初始襯底中。這些電路功能通過初始襯底202上的背端堆疊203的電路層面205相互連接。以結(jié)構(gòu)化的金屬層的形式實(shí)現(xiàn)這些電路層面205，所述結(jié)構(gòu)化的金屬層通過絕緣層相互空間隔離和電隔離，并且與初始襯底202空間隔離和電隔離。有利地，至少一部分用于所分配的MEMS構(gòu)件210的信號處理與分析處理電路集成在ASIC構(gòu)件201中。但此外，也可以實(shí)現(xiàn)與MEMS無關(guān)的電路功能。在此，在ASIC構(gòu)件201的最上面的電路層面中構(gòu)造用于MEMS構(gòu)件210的振動質(zhì)量211的連接區(qū)206、測量電容器裝置的兩個(gè)電極207、用于罩220的電絕緣區(qū)段221、222的連接區(qū)208、用于罩220的環(huán)繞的裝配區(qū)209、以及用于外部接通傳感器部件200的鍵合盤區(qū)40。
[0028]MEMS構(gòu)件210裝配在ASIC構(gòu)件201的背端堆疊203上，更確切地說，如此裝配在ASIC構(gòu)件201的背端堆疊203上，使得在振動質(zhì)量211與背端堆疊203之間存在一間距。為此,在此所示的實(shí)施例中，通過連接區(qū)206中的覆鍍通孔212以機(jī)械和電的方式將MEMS構(gòu)件210與ASIC構(gòu)件201連接。在此，所述MEMS構(gòu)件210是一種搖桿設(shè)計(jì)的z加速度傳感器。微機(jī)械傳感器結(jié)構(gòu)在MEMS構(gòu)件210的整個(gè)厚度上延伸，并且呈搖桿狀地彈性支承在偏心設(shè)置的覆鍍通孔212上，如附圖2中的箭頭所示。在傳感器元件200中，搖桿結(jié)構(gòu)211也作為測量電容器裝置的可偏轉(zhuǎn)的電極起作用。
[0029]在此，罩220裝配在MEMS構(gòu)件210上同樣也裝配在ASIC構(gòu)件201的背端堆疊203上。如傳感器部件100的罩20那樣，罩220也經(jīng)過結(jié)構(gòu)化。在此應(yīng)注意，罩220也能夠以層結(jié)構(gòu)形式實(shí)現(xiàn)，和/或作為多個(gè)半導(dǎo)體襯底的復(fù)合體實(shí)現(xiàn)。根據(jù)本發(fā)明，罩220包括電絕緣區(qū)段221和222，所述電絕緣區(qū)段以及區(qū)段221和222之間的電絕緣溝槽223在罩220的整個(gè)厚度上延伸。這兩個(gè)電絕緣區(qū)段221和222分別設(shè)置在ASIC構(gòu)件201的背端堆疊203上的電極207的對面，并且同樣可用作測量電容器裝置的固定電極。這些區(qū)段221和222的電接通通過罩220的朝向ASIC構(gòu)件201的表面中支柱狀的擴(kuò)展部(FortsStze) 224和這些區(qū)段在ASIC背端堆疊203的最上面的電路層面中的連接區(qū)208中的導(dǎo)電鍵合連接實(shí)現(xiàn)。罩220的區(qū)段221和222不僅僅相互電絕緣，而且也與環(huán)繞的邊緣區(qū)域226電絕緣，罩220通過所述邊緣區(qū)域以嚴(yán)密密封方式與裝配區(qū)209連接。因此，在這里所示的部件200中，整個(gè)MEMS構(gòu)件210設(shè)置在ASIC構(gòu)件201和罩220之間的空腔227中。
[0030]在z方向的加速度的情況下，使得搖桿結(jié)構(gòu)211偏轉(zhuǎn)或者傾斜。在此，在覆鍍通孔212、搖桿結(jié)構(gòu)211的支承裝置的兩側(cè)，或者搖桿結(jié)構(gòu)211和相對置固定的電極之間的上面的電極間隙或者下面的電極間隙變大，而搖桿結(jié)構(gòu)211和另一個(gè)相對置的固定電極之間的另一電極間隙變小，這分別引起相應(yīng)的電容變化。搖桿結(jié)構(gòu)211與ASIC背端堆疊203的最上面的電路層面中的固定電極207和罩220的固定電極221和222共同構(gòu)成用于檢測搖桿結(jié)構(gòu)211的偏轉(zhuǎn)的全差分測量電容器裝置。
[0031]在構(gòu)造和連接技術(shù)的范疇內(nèi)將傳感器部件200在ASIC側(cè)置于載體例如印刷電路板上，然后以機(jī)械方式固定在那。在此，通過ASIC背端堆疊203的最上面的電路層面中的、即ASIC構(gòu)件201的上側(cè)上的暴露的鍵合盤區(qū)40以及通過引線鍵合41實(shí)現(xiàn)傳感器部件200的電接通。
【權(quán)利要求】
1.一種具有至少一個(gè)MEMS構(gòu)件(10)并且具有至少一個(gè)由半導(dǎo)體材料制成的罩(20)的部件(100)，其中，所述MEMS構(gòu)件(10)的微機(jī)械結(jié)構(gòu)設(shè)置在載體(1)與所述罩(20)之間的空腔中并且包括至少一個(gè)結(jié)構(gòu)元件(11)，所述至少一個(gè)結(jié)構(gòu)元件能夠在空腔內(nèi)從構(gòu)件層面向外偏轉(zhuǎn)，其特征在于，所述罩(20)包括至少一個(gè)在所述罩(20)的整個(gè)厚度上延伸的區(qū)段(21，22)，所述至少一個(gè)區(qū)段如此與相鄰的半導(dǎo)體材料電絕緣，使得其能夠與所述罩(20)的其余區(qū)段無關(guān)地電接通。
2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的部件(100)，其特征在于，所述罩(20)的各個(gè)區(qū)段(21，22)與所述相鄰的半導(dǎo)體材料之間的電絕緣部(23)在半導(dǎo)體材料中以溝槽結(jié)構(gòu)形式實(shí)現(xiàn)，所述電絕緣部在所述罩(20)的整個(gè)厚度上延伸并且至少部分地以電絕緣材料填充。
3.根據(jù)權(quán)利要求1或2中任一項(xiàng)所述的部件(100)，其特征在于，所述罩(20)的朝向所述空腔的表面是結(jié)構(gòu)化的，使得所述MEMS構(gòu)件(10)的微機(jī)械結(jié)構(gòu)(11)在沒有偏轉(zhuǎn)的狀態(tài)中位于相對于所述罩(20)的至少一個(gè)電絕緣區(qū)段(21，22)的定義間距處。
4.根據(jù)權(quán)利要求1至3中任一項(xiàng)所述的部件，其特征在于，所述罩的至少一個(gè)電絕緣區(qū)段作為所述可偏轉(zhuǎn)的結(jié)構(gòu)元件的機(jī)械止擋起作用。
5.根據(jù)權(quán)利要求1至4中任一項(xiàng)所述的部件(100)，其特征在于，所述罩(20)的至少一個(gè)電絕緣區(qū)段(21，22)作為電極起作用，尤其用于電容式檢測所述可偏轉(zhuǎn)的結(jié)構(gòu)元件(11)的偏轉(zhuǎn)，和/或用于電容式激勵(lì)所述可偏轉(zhuǎn)的結(jié)構(gòu)元件(11)。
6.根據(jù)權(quán)利要求1至5中任一項(xiàng)所述的部件(100)，其特征在于，在所述罩(20)的至少一個(gè)電絕緣區(qū)段(21，22)與所述MEMS構(gòu)件(10)和/或所述載體之間存在電連接。
7.根據(jù)權(quán)利要求1至6中任一項(xiàng)所述的部件(100)，` 其中，所述MEMS構(gòu)件(10)的功能以層結(jié)構(gòu)在所述載體(1)上實(shí)現(xiàn)， 其中，所述MEMS構(gòu)件(10)的層結(jié)構(gòu)包括至少一個(gè)印制導(dǎo)線層面(3)和至少一個(gè)功能層(5)，在所述至少一個(gè)功能層中構(gòu)造有具有至少一個(gè)可偏轉(zhuǎn)的結(jié)構(gòu)元件(11)的MEMS構(gòu)件(10)的微機(jī)械結(jié)構(gòu)， 其中，所述印制導(dǎo)線層面(3) —方面通過至少一個(gè)絕緣層(2)與所述半導(dǎo)體襯底(I)絕緣，另一方面通過至少一個(gè)絕緣層(4)與所述功能層(5)絕緣， 其特征在于，所述罩(20)的至少一個(gè)電絕緣區(qū)段(21，22)能夠通過所述MEMS構(gòu)件(10)的印制導(dǎo)線層面(3)電接通。
8.根據(jù)權(quán)利要求1至6中任一項(xiàng)所述的部件(200)， 其中，具有所述至少一個(gè)可偏轉(zhuǎn)的結(jié)構(gòu)元件(211)的微機(jī)械結(jié)構(gòu)在所述MEMS構(gòu)件(210)的整個(gè)厚度上延伸， 其中，ASIC構(gòu)件(201)作為載體起作用，所述MEMS構(gòu)件(210)裝配在所述載體上，使得在所述可偏轉(zhuǎn)的結(jié)構(gòu)元件(211)與所述ASIC構(gòu)件(201)的表面之間存在間隙， 其特征在于，所述罩(220)的至少一個(gè)電絕緣區(qū)段(221，222)能夠通過所述ASIC構(gòu)件(201)電接通。
9.根據(jù)權(quán)利要求1至8中任一項(xiàng)所述的部件(100)，所述部件具有用于所述至少一個(gè)可偏轉(zhuǎn)的結(jié)構(gòu)元件(11)的信號檢測和/或激勵(lì)的電容器裝置，尤其具有作為可偏轉(zhuǎn)的結(jié)構(gòu)元件的振動質(zhì)量的慣性傳感器部件， 其中，所述可偏轉(zhuǎn)的結(jié)構(gòu)元件(11)配備有所述電容器裝置的至少一個(gè)電極，其中，在所述載體(1)上構(gòu)造有所述電容器裝置的至少一個(gè)固定的對應(yīng)電極(32)，其中，在所述罩(20)上在至少一個(gè)電絕緣區(qū)段(21，22)中構(gòu)造有所述電容器裝置的至少一個(gè)另外的固定 的對應(yīng)電極。
【文檔編號】B81B7/02GK103771334SQ201310756912
【公開日】2014年5月7日 申請日期:2013年10月25日 優(yōu)先權(quán)日:2012年10月25日
【發(fā)明者】J·克拉森, A·弗蘭克, J·弗萊, H·韋伯, F·菲舍爾, P·韋爾納, M·哈塔斯, D·C·邁澤爾 申請人:羅伯特·博世有限公司